JPH0938490A - エチレンの製造方法 - Google Patents
エチレンの製造方法Info
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- JPH0938490A JPH0938490A JP7190185A JP19018595A JPH0938490A JP H0938490 A JPH0938490 A JP H0938490A JP 7190185 A JP7190185 A JP 7190185A JP 19018595 A JP19018595 A JP 19018595A JP H0938490 A JPH0938490 A JP H0938490A
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- ethylene
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】反応ガス中のエタン濃度を１０％以上とし且つ
エタン転化率を１％以上としても、エチレンの選択率が
６０％を上回る新たなエチレンの製造技術を提供するこ
とを主な目的とする。 【解決手段】（１）ＳｎとＷとを含む酸化物を触媒活性
成分とすることを特徴とする、エタンの酸化によるエチ
レン製造用触媒。 （２）ＳｎとＷとを含む酸化物触媒の存在下にエタンと
酸素とを反応させることを特徴とするエチレンの製造方
法。
エタン転化率を１％以上としても、エチレンの選択率が
６０％を上回る新たなエチレンの製造技術を提供するこ
とを主な目的とする。 【解決手段】（１）ＳｎとＷとを含む酸化物を触媒活性
成分とすることを特徴とする、エタンの酸化によるエチ
レン製造用触媒。 （２）ＳｎとＷとを含む酸化物触媒の存在下にエタンと
酸素とを反応させることを特徴とするエチレンの製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エタンと酸素とを
反応させてエチレンを製造する方法に関する。
反応させてエチレンを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エチレンは、有機化学製品の約４割の原
料となる基幹化学原料である。飽和炭化水素であるエタ
ンを化学原料として利用するためには、まずエチレンに
転換する必要がある。この場合、エタンを酸素と反応さ
せて直接エチレンを製造することができれば、簡便で望
ましい。しかしながら、エタンと酸素との反応において
は、通常燃焼反応が優先して起こり、ＣＯ2（炭酸ガ
ス）およびＣＯ（一酸化炭素）が形成される。
料となる基幹化学原料である。飽和炭化水素であるエタ
ンを化学原料として利用するためには、まずエチレンに
転換する必要がある。この場合、エタンを酸素と反応さ
せて直接エチレンを製造することができれば、簡便で望
ましい。しかしながら、エタンと酸素との反応において
は、通常燃焼反応が優先して起こり、ＣＯ2（炭酸ガ
ス）およびＣＯ（一酸化炭素）が形成される。
【０００３】これまでにも、Ｖを含む複合酸化物が、エ
タンからエチレンを直接製造する触媒として報告されて
いる（小安、PETROTECH、1994）。しかしながら、この
方法では、反応ガス中のエタン濃度を１０％以上とし、
エタン転化率を１％以上にすれば、エチレンの選択率が
６０％以下となってしまうため、実用化には適していな
い。
タンからエチレンを直接製造する触媒として報告されて
いる（小安、PETROTECH、1994）。しかしながら、この
方法では、反応ガス中のエタン濃度を１０％以上とし、
エタン転化率を１％以上にすれば、エチレンの選択率が
６０％以下となってしまうため、実用化には適していな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、反
応ガス中のエタン濃度を１０％以上とし且つエタン転化
率を１％以上としても、エチレンの選択率が６０％を上
回る新たなエチレンの製造技術を提供することを主な目
的とする。
応ガス中のエタン濃度を１０％以上とし且つエタン転化
率を１％以上としても、エチレンの選択率が６０％を上
回る新たなエチレンの製造技術を提供することを主な目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記のよう
な課題を解決するために研究を進めた結果、（イ）Ｓｎ
がエタンの酸化反応において、低温域（300〜400℃）か
ら反応活性を示すこと、（ロ）しかしながら、Ｓｎを用
いたエタンの酸化反応では、二酸化炭素が主生成物とな
ること、（ハ）これに対し、Ｗを用いたエタンの酸化反
応では、エチレンが主生成物となること、（ニ）低温域
で反応活性を示すＳｎとエチレン選択性の高いＷとを組
み合わせた触媒が、エタンの酸化反応において比較的穏
和な条件下でも高い活性を示し、エチレンの選択性も高
く、且つ高い活性を長時間維持することなどを見出し
た。
な課題を解決するために研究を進めた結果、（イ）Ｓｎ
がエタンの酸化反応において、低温域（300〜400℃）か
ら反応活性を示すこと、（ロ）しかしながら、Ｓｎを用
いたエタンの酸化反応では、二酸化炭素が主生成物とな
ること、（ハ）これに対し、Ｗを用いたエタンの酸化反
応では、エチレンが主生成物となること、（ニ）低温域
で反応活性を示すＳｎとエチレン選択性の高いＷとを組
み合わせた触媒が、エタンの酸化反応において比較的穏
和な条件下でも高い活性を示し、エチレンの選択性も高
く、且つ高い活性を長時間維持することなどを見出し
た。
【０００６】本発明は、上記のような新たな知見に基づ
いて完成されたものであり、下記のエチレン製造用触媒
及びエチレン製造方法を提供するものである； １．ＳｎとＷとを含む酸化物を触媒活性成分とすること
を特徴とする、エタンの酸化によるエチレン製造用触
媒。
いて完成されたものであり、下記のエチレン製造用触媒
及びエチレン製造方法を提供するものである； １．ＳｎとＷとを含む酸化物を触媒活性成分とすること
を特徴とする、エタンの酸化によるエチレン製造用触
媒。
【０００７】２．触媒活性成分が、ＳｎとＷとをＳｎ：
Ｗ＝１〜９９：９９〜１（原子比）の割合で含む上記項
１に記載のエタンの酸化によるエチレン製造用触媒。
Ｗ＝１〜９９：９９〜１（原子比）の割合で含む上記項
１に記載のエタンの酸化によるエチレン製造用触媒。
【０００８】３．ＳｎとＷとを含む酸化物触媒の存在下
にエタンと酸素とを反応させることを特徴とするエチレ
ンの製造方法。
にエタンと酸素とを反応させることを特徴とするエチレ
ンの製造方法。
【０００９】４．アルミナ、シリカ、チタニア、マグネ
シア、ジルコニアおよびゼオライトの少なくとも１種か
らなる担体にＳｎとＷとを含む酸化物からなる触媒活性
成分を担持させて使用する上記項３に記載のエチレンの
製造方法。
シア、ジルコニアおよびゼオライトの少なくとも１種か
らなる担体にＳｎとＷとを含む酸化物からなる触媒活性
成分を担持させて使用する上記項３に記載のエチレンの
製造方法。
【００１０】本発明におけるエチレンの生成反応は次式
で示される。
で示される。
【００１１】Ｃ2Ｈ6＋1/2Ｏ2→Ｃ2Ｈ4＋Ｈ2Ｏ ＳｎおよびＷは、それぞれ各種の触媒における助触媒と
して用いられた例はあるが、両者が触媒活性成分として
併用された例は知られていないし、併用した場合にどの
ような効果が達成されるかも、全く予想し得ないところ
である。
して用いられた例はあるが、両者が触媒活性成分として
併用された例は知られていないし、併用した場合にどの
ような効果が達成されるかも、全く予想し得ないところ
である。
【００１２】
【発明の実施の形態】Ｉ．触媒の調製方法 本発明で用いるＳｎ−Ｗ触媒は、例えば、ＷＯ3粉末に
エチルヘキサンスズ、硫酸スズ、塩化スズ、酢酸スズな
どのスズ源となる材料の溶液を含浸させ、乾燥した後、
焼成することにより、調製することができる。或いは、
逆にＳｎＯ2粉末にタングステン酸アンモニウム、燐タ
ングステン酸などのタングステン源となる材料の溶液を
含浸させ、乾燥した後、焼成して調製してもよい。
エチルヘキサンスズ、硫酸スズ、塩化スズ、酢酸スズな
どのスズ源となる材料の溶液を含浸させ、乾燥した後、
焼成することにより、調製することができる。或いは、
逆にＳｎＯ2粉末にタングステン酸アンモニウム、燐タ
ングステン酸などのタングステン源となる材料の溶液を
含浸させ、乾燥した後、焼成して調製してもよい。
【００１３】さらにまた、本発明においては、Ｓｎ−Ｗ
触媒をアルミナ、シリカ、チタニア、マグネシア、ジル
コニアおよびゼオライトの少なくとも１種からなる担体
に担持させた状態で使用することもできる。この場合に
は、触媒担体にスズを含む溶液を含浸させ、乾燥した後
焼成し、次いでタングステンを含む溶液を含浸させ、乾
燥した後焼成することにより、調製することが出来る。
或いは、触媒担体にタングステンを含む溶液を含浸さ
せ、乾燥した後焼成し、次いでスズを含む溶液を含浸さ
せ、乾燥した後焼成して、調製してもよい。本発明によ
る触媒中のＳｎ：Ｗの原子比は、通常Ｓｎ：Ｗ＝１：９
９〜９９：１である。
触媒をアルミナ、シリカ、チタニア、マグネシア、ジル
コニアおよびゼオライトの少なくとも１種からなる担体
に担持させた状態で使用することもできる。この場合に
は、触媒担体にスズを含む溶液を含浸させ、乾燥した後
焼成し、次いでタングステンを含む溶液を含浸させ、乾
燥した後焼成することにより、調製することが出来る。
或いは、触媒担体にタングステンを含む溶液を含浸さ
せ、乾燥した後焼成し、次いでスズを含む溶液を含浸さ
せ、乾燥した後焼成して、調製してもよい。本発明によ
る触媒中のＳｎ：Ｗの原子比は、通常Ｓｎ：Ｗ＝１：９
９〜９９：１である。
【００１４】ＩＩ．反応操作 本発明においては、エタンと酸素とを気相で触媒に接触
させることにより、エチレンを製造することができる。
反応方式については、特に限定はなく、例えば、触媒を
充填した反応装置に原料ガス（エタンおよび酸素）を導
入して、エチレンを製造する固定床流通方式でもよい。
反応は、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスの存在下に
行うことが好ましい。反応原料を希釈することにより、
反応温度の抑制、万一の場合の爆発防止などの効果が達
成される。特に、局所的な反応温度の上昇を抑制するこ
とにより、副反応の増加によるエチレン選択率の低下が
防止され、また触媒の急速な劣化も抑制される。不活性
ガスとしては、コストなどの点で、窒素がより好まし
い。
させることにより、エチレンを製造することができる。
反応方式については、特に限定はなく、例えば、触媒を
充填した反応装置に原料ガス（エタンおよび酸素）を導
入して、エチレンを製造する固定床流通方式でもよい。
反応は、窒素、Ｈｅ、Ａｒなどの不活性ガスの存在下に
行うことが好ましい。反応原料を希釈することにより、
反応温度の抑制、万一の場合の爆発防止などの効果が達
成される。特に、局所的な反応温度の上昇を抑制するこ
とにより、副反応の増加によるエチレン選択率の低下が
防止され、また触媒の急速な劣化も抑制される。不活性
ガスとしては、コストなどの点で、窒素がより好まし
い。
【００１５】また、反応条件についても特に限定はない
が、一般に、反応温度200℃〜800℃程度、より好ましく
は350℃〜700℃程度、特に好ましくは400℃〜600℃程度
とし、反応圧力は常圧付近とするのがよい。また、固定
床流通方式でエチレンを製造する場合の原料ガスの流通
速度は、特に限定されないが、反応装置への触媒の充填
密度を考慮した空間速度（SV）で1000〜100000ml/g・ca
t/hr程度、より好ましくは5000〜50000ml/g・cat/hr程
度とするのがよい。なお、一般に空間速度を高くしすぎ
ると、エタンの転化率が低下する傾向があるので、留意
する必要がある。
が、一般に、反応温度200℃〜800℃程度、より好ましく
は350℃〜700℃程度、特に好ましくは400℃〜600℃程度
とし、反応圧力は常圧付近とするのがよい。また、固定
床流通方式でエチレンを製造する場合の原料ガスの流通
速度は、特に限定されないが、反応装置への触媒の充填
密度を考慮した空間速度（SV）で1000〜100000ml/g・ca
t/hr程度、より好ましくは5000〜50000ml/g・cat/hr程
度とするのがよい。なお、一般に空間速度を高くしすぎ
ると、エタンの転化率が低下する傾向があるので、留意
する必要がある。
【００１６】原料として使用するエタンと酸素との使用
割合は、特に限定されないが、両者の合計を100容量部
として、通常エタン：酸素＝50〜95：50〜5程度、より
好ましくは70〜85：30〜15程度、特に好ましくは80：20
程度とするのがよい。不活性ガスを使用する場合には、
エタンと酸素の合計容量と同容量程度を添加することが
好ましい。
割合は、特に限定されないが、両者の合計を100容量部
として、通常エタン：酸素＝50〜95：50〜5程度、より
好ましくは70〜85：30〜15程度、特に好ましくは80：20
程度とするのがよい。不活性ガスを使用する場合には、
エタンと酸素の合計容量と同容量程度を添加することが
好ましい。
【００１７】本発明において、エタンからエチレンを製
造する触媒は、ＳｎとＷとを活性成分とする酸化物であ
る。Ｓｎは、エタンの酸化反応において、低温域（300
〜400℃程度）から反応活性を発揮するが、二酸化炭素
が主生成物となるのに対し、Ｗはエタンの酸化反応にお
いて600℃以上の高温域でしか活性を発揮しないが、エ
チレンが主生成物となる。しかるに、この様な低温域で
活性のあるＳｎとエチレン選択性の高いＷとを組み合わ
せる場合には、両成分が互いに他の成分の特性を阻害す
ることなく、それぞれの特性を高度に発揮して、エタン
の酸化反応に際し、比較的穏和な条件下でも高い活性を
示し、エチレンの選択性をも高める。また、長時間反応
を行った場合にも、触媒表面上に炭素の析出がなく、構
造が安定しているため、高い触媒活性を長時間にわたり
維持し続ける。
造する触媒は、ＳｎとＷとを活性成分とする酸化物であ
る。Ｓｎは、エタンの酸化反応において、低温域（300
〜400℃程度）から反応活性を発揮するが、二酸化炭素
が主生成物となるのに対し、Ｗはエタンの酸化反応にお
いて600℃以上の高温域でしか活性を発揮しないが、エ
チレンが主生成物となる。しかるに、この様な低温域で
活性のあるＳｎとエチレン選択性の高いＷとを組み合わ
せる場合には、両成分が互いに他の成分の特性を阻害す
ることなく、それぞれの特性を高度に発揮して、エタン
の酸化反応に際し、比較的穏和な条件下でも高い活性を
示し、エチレンの選択性をも高める。また、長時間反応
を行った場合にも、触媒表面上に炭素の析出がなく、構
造が安定しているため、高い触媒活性を長時間にわたり
維持し続ける。
【００１８】
【発明の効果】本発明による触媒の存在下にエタンの酸
化を行う場合には、比較的穏和な条件下で且つ高速反応
条件下でも高い転化率を示し、且つ長時間高い触媒活性
を維持できるので、本発明によれば、エタンから効率よ
くエチレンを製造することがで
化を行う場合には、比較的穏和な条件下で且つ高速反応
条件下でも高い転化率を示し、且つ長時間高い触媒活性
を維持できるので、本発明によれば、エタンから効率よ
くエチレンを製造することがで
【００１９】きる。
実施例１ 本発明によるＳｎ−Ｗ系酸化物触媒（Ｓｎ:Ｗ＝4.6:95.
4）を調製した。すなわち、ＷＯ3粉末110.6グラムに0.5
mol/l酢酸スズ水溶液46mlを含浸させ、エバポレーター
で乾燥した後、700℃で3時間焼成して、Ｓｎ−Ｗ系酸化
物触媒を調製した。
4）を調製した。すなわち、ＷＯ3粉末110.6グラムに0.5
mol/l酢酸スズ水溶液46mlを含浸させ、エバポレーター
で乾燥した後、700℃で3時間焼成して、Ｓｎ−Ｗ系酸化
物触媒を調製した。
【００２０】一方、触媒のＳｎ／Ｗの原子比を考慮しつ
つ、同様の手法により、ＳｎＯ2粉末にタングステン酸
アンモニウム水溶液を含浸させ、乾燥し、焼成して、Ｗ
−Ｓｎ系酸化物触媒を調製した。
つ、同様の手法により、ＳｎＯ2粉末にタングステン酸
アンモニウム水溶液を含浸させ、乾燥し、焼成して、Ｗ
−Ｓｎ系酸化物触媒を調製した。
【００２１】調製した触媒0.2グラムを内径8mmの石英ガ
ラス製反応管に充填し、流通反応装置にセットした。原
料ガス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、SV
=15000ml/g・cat/hrで供給した場合のエタンの反応結果
を表１に示す。生成物の分析はオンラインガスクロマト
グラフにより行った。酸化物触媒組成の（）内の数値
は、酸化物中のＳｎおよびＷの原子％を示す。
ラス製反応管に充填し、流通反応装置にセットした。原
料ガス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、SV
=15000ml/g・cat/hrで供給した場合のエタンの反応結果
を表１に示す。生成物の分析はオンラインガスクロマト
グラフにより行った。酸化物触媒組成の（）内の数値
は、酸化物中のＳｎおよびＷの原子％を示す。
【００２２】実施例２ 反応時のSVを3000ml/g・cat/hrとする以外は実施例１と
同様にしてエタンの酸化によるエチレンの製造を行っ
た。結果を表１に併せて示す。
同様にしてエタンの酸化によるエチレンの製造を行っ
た。結果を表１に併せて示す。
【００２３】
【表１】
【００２４】通常、炭化水素の酸化的脱水素反応におい
ては、反応温度が上昇すると、燃焼反応が優先して起こ
り、所望の生成物の選択率が低下する傾向が顕著とな
る。しかしながら、表１に示す実施例１についての結果
から明かな様に、本発明によれば、反応温度が高くなっ
て転化率が上昇しても、エチレン選択率は余り変化しな
いという特異な現象が認められる。
ては、反応温度が上昇すると、燃焼反応が優先して起こ
り、所望の生成物の選択率が低下する傾向が顕著とな
る。しかしながら、表１に示す実施例１についての結果
から明かな様に、本発明によれば、反応温度が高くなっ
て転化率が上昇しても、エチレン選択率は余り変化しな
いという特異な現象が認められる。
【００２５】また、同一組成の触媒（Ｗ：Ｓｎ＝２２：
７８）を使用する実施例１と実施例２の結果を対比すれ
ば、触媒との接触時間が長くても、エチレン選択率には
あまり影響がないことが明かである。
７８）を使用する実施例１と実施例２の結果を対比すれ
ば、触媒との接触時間が長くても、エチレン選択率には
あまり影響がないことが明かである。
【００２６】実施例２ 本発明によるＳｎ−Ｗ系触媒をシリカに担持した場合の
活性を表２に示す。
活性を表２に示す。
【００２７】これらの触媒は、触媒のＳｎ／Ｗの原子比
を考慮しつつ、ＳｉＯ2粉末に所定量比の酢酸スズ水溶
液とタングステン酸アンモニウム水溶液とを含浸させ、
エバポレーターで乾燥した後、700℃で3時間焼成して調
製した。次いでSV=6000ml/g・cat/hｒとする以外は実施
例１と同じ条件下にエタンの酸化反応を行った。結果を
表２に示す。酸化物触媒組成の（）内の数値は、酸化物
中のＳｎ、ＷおよびＳｉの原子％を示す。
を考慮しつつ、ＳｉＯ2粉末に所定量比の酢酸スズ水溶
液とタングステン酸アンモニウム水溶液とを含浸させ、
エバポレーターで乾燥した後、700℃で3時間焼成して調
製した。次いでSV=6000ml/g・cat/hｒとする以外は実施
例１と同じ条件下にエタンの酸化反応を行った。結果を
表２に示す。酸化物触媒組成の（）内の数値は、酸化物
中のＳｎ、ＷおよびＳｉの原子％を示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示す結果からも、実施例１と同様
に、反応温度が高くなって転化率が上昇しても、エチレ
ン選択率は余り変化しないという特異な現象が認められ
る。
に、反応温度が高くなって転化率が上昇しても、エチレ
ン選択率は余り変化しないという特異な現象が認められ
る。
【００３０】実施例３ 実施例１と同様にして調製したＳｎ−Ｗ系酸化物触媒
（Ｓｎ：Ｗ＝22：78）の耐久性を調べるために、原料ガ
ス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、温度55
0℃、SV=15000ml/g・cat/hrで酸化反応に供し、所定時
間経過後の転化率およびエチレン選択率を測定した。そ
の結果を表３に示す。
（Ｓｎ：Ｗ＝22：78）の耐久性を調べるために、原料ガ
ス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、温度55
0℃、SV=15000ml/g・cat/hrで酸化反応に供し、所定時
間経過後の転化率およびエチレン選択率を測定した。そ
の結果を表３に示す。
【００３１】
【表３】
【００３２】表３に示す結果から、本発明によるＳｎ−
Ｗ系酸化物触媒が耐久性に優れていることが明かであ
る。
Ｗ系酸化物触媒が耐久性に優れていることが明かであ
る。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【発明の効果】本発明による触媒の存在下にエタンの酸
化を行う場合には、比較的穏和な条件下で且つ高速反応
条件下でも高い転化率を示し、且つ長時間高い触媒活性
を維持できるので、本発明によれば、エタンから効率よ
くエチレンを製造することができる。
化を行う場合には、比較的穏和な条件下で且つ高速反応
条件下でも高い転化率を示し、且つ長時間高い触媒活性
を維持できるので、本発明によれば、エタンから効率よ
くエチレンを製造することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【 実施例】 実施例１ 本発明によるＳｎ−Ｗ系酸化物触媒（Ｓｎ:Ｗ＝4.6:95.
4）を調製した。すなわち、ＷＯ3粉末110.6グラムに0.5
mol/l酢酸スズ水溶液46mlを含浸させ、エバポレーター
で乾燥した後、700℃で3時間焼成して、Ｓｎ−Ｗ系酸化
物触媒を調製した。
4）を調製した。すなわち、ＷＯ3粉末110.6グラムに0.5
mol/l酢酸スズ水溶液46mlを含浸させ、エバポレーター
で乾燥した後、700℃で3時間焼成して、Ｓｎ−Ｗ系酸化
物触媒を調製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】一方、触媒のＳｎ／Ｗの原子比を考慮しつ
つ、同様の手法により、ＳｎＯ2粉末にタングステン酸
アンモニウム水溶液を含浸させ、乾燥し、焼成して、Ｗ
−Ｓｎ系酸化物触媒を調製した。
つ、同様の手法により、ＳｎＯ2粉末にタングステン酸
アンモニウム水溶液を含浸させ、乾燥し、焼成して、Ｗ
−Ｓｎ系酸化物触媒を調製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２６】実施例３ 本発明によるＳｎ−Ｗ系触媒をシリカに担持した場合の
活性を表２に示す。
活性を表２に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】実施例４ 実施例１と同様にして調製したＳｎ−Ｗ系酸化物触媒
（Ｓｎ：Ｗ＝22：78）の耐久性を調べるために、原料ガ
ス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、温度55
0℃、SV=15000ml/g・cat/hrで酸化反応に供し、所定時
間経過後の転化率およびエチレン選択率を測定した。そ
の結果を表３に示す。
（Ｓｎ：Ｗ＝22：78）の耐久性を調べるために、原料ガ
ス（Ｃ2Ｈ6：Ｏ2：Ｎ2＝40：10：50）を常圧下、温度55
0℃、SV=15000ml/g・cat/hrで酸化反応に供し、所定時
間経過後の転化率およびエチレン選択率を測定した。そ
の結果を表３に示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 春田 正毅 大阪府池田市緑丘１丁目８番31号 工業技 術院大阪工業技術研究所内 (72)発明者 中原 佳子 京都府相楽郡木津町木津川台９丁目２番地 財団法人地球環境産業技術研究機構内 (72)発明者 安藤 尚功 京都府相楽郡木津町木津川台９丁目２番地 財団法人地球環境産業技術研究機構内
Claims (4)
- 【請求項１】ＳｎとＷとを含む酸化物を触媒活性成分と
することを特徴とする、エタンの酸化によるエチレン製
造用触媒。 - 【請求項２】触媒活性成分が、ＳｎとＷとをＳｎ：Ｗ＝
１〜９９：９９〜１（原子比）の割合で含む請求項１に
記載のエタンの酸化によるエチレン製造用触媒。 - 【請求項３】ＳｎとＷとを含む酸化物触媒の存在下にエ
タンと酸素とを反応させることを特徴とするエチレンの
製造方法。 - 【請求項４】アルミナ、シリカ、チタニア、マグネシ
ア、ジルコニアおよびゼオライトの少なくとも１種から
なる担体にＳｎとＷとを含む酸化物からなる触媒活性成
分を担持させて使用する請求項３に記載のエチレンの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190185A JP2903073B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | エチレンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7190185A JP2903073B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | エチレンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0938490A true JPH0938490A (ja) | 1997-02-10 |
| JP2903073B2 JP2903073B2 (ja) | 1999-06-07 |
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ID=16253873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7190185A Expired - Lifetime JP2903073B2 (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | エチレンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2903073B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109833903A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种低碳烷烃无氧脱氢制烯烃催化剂及其制备和应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04257528A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-09-11 | Bp Chem Internatl Ltd | エチレンおよび酢酸を製造するための方法および触媒 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP7190185A patent/JP2903073B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04257528A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-09-11 | Bp Chem Internatl Ltd | エチレンおよび酢酸を製造するための方法および触媒 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109833903A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种低碳烷烃无氧脱氢制烯烃催化剂及其制备和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2903073B2 (ja) | 1999-06-07 |
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