JPH0940954A - 光変調素子及びその製造方法 - Google Patents
光変調素子及びその製造方法Info
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- JPH0940954A JPH0940954A JP7212957A JP21295795A JPH0940954A JP H0940954 A JPH0940954 A JP H0940954A JP 7212957 A JP7212957 A JP 7212957A JP 21295795 A JP21295795 A JP 21295795A JP H0940954 A JPH0940954 A JP H0940954A
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- polymer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 吸湿によるコントラストの低下が防止され、
高いコントラストを有する液晶/高分子複合膜を用いた
光変調素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 液晶粒子が高分子マトリックス中に分散
してなる液晶/高分子複合膜を用いた光変調素子におい
て、高分子マトリックスが架橋剤によって架橋されてい
ることを特徴とする光変調素子、及び液晶粒子、マトリ
ックス形成高分子及び高分子の架橋剤を含む分散液を基
板上に塗布して液晶/高分子複合膜を形成させ、マトリ
ックス高分子を架橋させることを特徴とする光変調素子
の製造方法。
高いコントラストを有する液晶/高分子複合膜を用いた
光変調素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 液晶粒子が高分子マトリックス中に分散
してなる液晶/高分子複合膜を用いた光変調素子におい
て、高分子マトリックスが架橋剤によって架橋されてい
ることを特徴とする光変調素子、及び液晶粒子、マトリ
ックス形成高分子及び高分子の架橋剤を含む分散液を基
板上に塗布して液晶/高分子複合膜を形成させ、マトリ
ックス高分子を架橋させることを特徴とする光変調素子
の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電界や熱応答性を有
し、情報の表示や記録を行うことが出来、高分子マトリ
ックス中に液晶を分散させた液晶/高分子複合膜を使用
した光変調素子及びその製造方法に関する。本発明の光
変調素子は、書き換え可能表示・記録媒体(カード、O
HP等)に幅広く用いることが出来る。
し、情報の表示や記録を行うことが出来、高分子マトリ
ックス中に液晶を分散させた液晶/高分子複合膜を使用
した光変調素子及びその製造方法に関する。本発明の光
変調素子は、書き換え可能表示・記録媒体(カード、O
HP等)に幅広く用いることが出来る。
【0002】従来、液晶ディスプレイは、低消費電力、
軽量、薄型等の特徴を有している為、文字や画像の表示
媒体として、腕時計、電卓、パソコン、テレビ等に幅広
く用いられている。一般的なTN及びSTN液晶ディス
プレイは、透明電極を有するガラス板間に所定のシール
等が施された液晶セル中に液晶を封入し、更に両面から
偏光板でサンドイッチされたものである。しかしなが
ら、上記ディスプレイは、(1)2枚の偏光板が必要で
ある為、視野角が狭く、又、輝度が不足している為、高
消費電力のバックライトが必要である、(2)セル厚依
存性が大きく、大面積化が困難である、(3)構造が複
雑で、セルへの液晶の封入が困難な為、製造コストが高
い等の問題があり、液晶ディスプレイの軽量化、薄型
化、大面積化、低消費電力化、低コスト化等には限界が
ある。
軽量、薄型等の特徴を有している為、文字や画像の表示
媒体として、腕時計、電卓、パソコン、テレビ等に幅広
く用いられている。一般的なTN及びSTN液晶ディス
プレイは、透明電極を有するガラス板間に所定のシール
等が施された液晶セル中に液晶を封入し、更に両面から
偏光板でサンドイッチされたものである。しかしなが
ら、上記ディスプレイは、(1)2枚の偏光板が必要で
ある為、視野角が狭く、又、輝度が不足している為、高
消費電力のバックライトが必要である、(2)セル厚依
存性が大きく、大面積化が困難である、(3)構造が複
雑で、セルへの液晶の封入が困難な為、製造コストが高
い等の問題があり、液晶ディスプレイの軽量化、薄型
化、大面積化、低消費電力化、低コスト化等には限界が
ある。
【0003】この様な問題点を解決する液晶表示媒体と
して、液晶粒子を高分子マトリックス中に分散させた液
晶/高分子複合膜を用いた光散乱機構に基づく光変調素
子への応用が期待され、その研究開発が活発化してき
た。既に、上記の如き液晶/高分子複合膜を製造する方
法は多数開示されている。例えば、(1)高分子多孔質
体に液晶を含浸させる方法、(2)液晶をポリビニルア
ルコール(PVA)等の水溶性高分子中に分散させたエ
マルジョンから作製する方法(特表昭58−50163
1号公報参照)、(3)液晶及び高分子を共通溶剤に溶
解した溶液をキャストし、溶剤の除去に伴って液晶と高
分子を相分離させる方法(特表昭61−502128号
公報参照)、(4)液晶とモノマーを混合した状態でモ
ノマーを重合させ、液晶と高分子の相分離構造を得る方
法(特表昭61−502128号公報参照)等がある。
これらの方法の中では、(2)の方法が製造上簡便であ
り、構造の制御及び膜厚の制御が容易で、且つ大面積化
が可能であるという利点があり、調光用のガラス等の製
造において既に実用化されている。
して、液晶粒子を高分子マトリックス中に分散させた液
晶/高分子複合膜を用いた光散乱機構に基づく光変調素
子への応用が期待され、その研究開発が活発化してき
た。既に、上記の如き液晶/高分子複合膜を製造する方
法は多数開示されている。例えば、(1)高分子多孔質
体に液晶を含浸させる方法、(2)液晶をポリビニルア
ルコール(PVA)等の水溶性高分子中に分散させたエ
マルジョンから作製する方法(特表昭58−50163
1号公報参照)、(3)液晶及び高分子を共通溶剤に溶
解した溶液をキャストし、溶剤の除去に伴って液晶と高
分子を相分離させる方法(特表昭61−502128号
公報参照)、(4)液晶とモノマーを混合した状態でモ
ノマーを重合させ、液晶と高分子の相分離構造を得る方
法(特表昭61−502128号公報参照)等がある。
これらの方法の中では、(2)の方法が製造上簡便であ
り、構造の制御及び膜厚の制御が容易で、且つ大面積化
が可能であるという利点があり、調光用のガラス等の製
造において既に実用化されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上の如き液晶/高分
子複合膜を用いた光変調素子には、表示特性としてのコ
ントラスト、駆動電圧−光透過性の曲線の急峻性、視認
性、耐熱性、耐湿性等の特性が要求される。これらの特
性の中で、耐熱性や耐湿性は、用いるマトリックス形成
高分子の特性と密接な関係がある。上記の様な方法
(2)で製造される液晶/高分子複合膜を用いた光変調
素子は、マトリックス形成高分子として使用する水溶性
高分子が水分を吸収し易い為、空気中の水分を吸収(吸
湿)して複合膜が膨潤し、その為に液晶の配向が乱され
てコントラストが低下するという問題がある。又、吸湿
しない場合においても、吸熱し易く、吸熱によってマト
リックス形成高分子の主鎖及び側鎖の運動が激しくな
り、その為に液晶の配向が乱されてコントラストが低下
するという問題がある。従って、本発明の目的は、吸湿
又は吸熱によるコントラストの低下が防止され、高いコ
ントラストを有する液晶/高分子複合膜を用いた光変調
素子を提供することである。
子複合膜を用いた光変調素子には、表示特性としてのコ
ントラスト、駆動電圧−光透過性の曲線の急峻性、視認
性、耐熱性、耐湿性等の特性が要求される。これらの特
性の中で、耐熱性や耐湿性は、用いるマトリックス形成
高分子の特性と密接な関係がある。上記の様な方法
(2)で製造される液晶/高分子複合膜を用いた光変調
素子は、マトリックス形成高分子として使用する水溶性
高分子が水分を吸収し易い為、空気中の水分を吸収(吸
湿)して複合膜が膨潤し、その為に液晶の配向が乱され
てコントラストが低下するという問題がある。又、吸湿
しない場合においても、吸熱し易く、吸熱によってマト
リックス形成高分子の主鎖及び側鎖の運動が激しくな
り、その為に液晶の配向が乱されてコントラストが低下
するという問題がある。従って、本発明の目的は、吸湿
又は吸熱によるコントラストの低下が防止され、高いコ
ントラストを有する液晶/高分子複合膜を用いた光変調
素子を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は以下の本発明
によって達せられる。即ち、本発明は、液晶粒子が高分
子マトリックス中に分散してなる液晶/高分子複合膜を
用いた光変調素子において、高分子マトリックスが架橋
剤によって架橋されていることを特徴とする光変調素子
及びその製造方法である。
によって達せられる。即ち、本発明は、液晶粒子が高分
子マトリックス中に分散してなる液晶/高分子複合膜を
用いた光変調素子において、高分子マトリックスが架橋
剤によって架橋されていることを特徴とする光変調素子
及びその製造方法である。
【0006】
【発明の実施形態】次に発明の実施形態を挙げて本発明
を更に詳細に説明する。本発明の光変調素子は、導電性
基板上に形成した液晶/高分子複合膜中の高分子が、そ
の架橋剤によって架橋されていることが特徴であり、吸
湿又は吸熱によって光変調素子のコントラストが低下し
ない等の優れた効果を有している。
を更に詳細に説明する。本発明の光変調素子は、導電性
基板上に形成した液晶/高分子複合膜中の高分子が、そ
の架橋剤によって架橋されていることが特徴であり、吸
湿又は吸熱によって光変調素子のコントラストが低下し
ない等の優れた効果を有している。
【0007】本発明で使用される好ましい液晶は、スメ
クチック液晶であり、従来公知のいずれのスメクチック
液晶も使用することが出来る。スメクチック液晶は、ネ
マチック相を示す温度範囲が広いものが好ましく、本発
明においてはこの温度範囲が1℃以上のスメクチック液
晶を使用することによって、液晶/高分子複合膜を透明
状態にする際の駆動電圧を低下させることが出来る。
クチック液晶であり、従来公知のいずれのスメクチック
液晶も使用することが出来る。スメクチック液晶は、ネ
マチック相を示す温度範囲が広いものが好ましく、本発
明においてはこの温度範囲が1℃以上のスメクチック液
晶を使用することによって、液晶/高分子複合膜を透明
状態にする際の駆動電圧を低下させることが出来る。
【0008】又、光変調素子のコントラスト比の向上や
着色等を目的として、液晶中に二色性色素を含有させる
ことも出来る。二色性色素を添加した場合には、散乱−
透過型の複合膜としてばかりでなく、色素のゲスト−ホ
スト効果により、光吸収(着色)−透明状態でスイッチ
ングする複合膜として使用することも出来る。二色性色
素は、光変調素子に要求される色調やコントラスト比の
向上に適したものであれば特に限定されず、例えば、ア
ゾ系、ペリレン系或いはアントラキノン系等の色素が、
液晶、壁材料(液晶をマイクロカプセル化して使用する
場合)との組み合わせで使用される。二色性色素の使用
量は、その使用目的が達せられる量であれば特に限定さ
れないが、通常、液晶100重量部当たり1〜10重量
部である。
着色等を目的として、液晶中に二色性色素を含有させる
ことも出来る。二色性色素を添加した場合には、散乱−
透過型の複合膜としてばかりでなく、色素のゲスト−ホ
スト効果により、光吸収(着色)−透明状態でスイッチ
ングする複合膜として使用することも出来る。二色性色
素は、光変調素子に要求される色調やコントラスト比の
向上に適したものであれば特に限定されず、例えば、ア
ゾ系、ペリレン系或いはアントラキノン系等の色素が、
液晶、壁材料(液晶をマイクロカプセル化して使用する
場合)との組み合わせで使用される。二色性色素の使用
量は、その使用目的が達せられる量であれば特に限定さ
れないが、通常、液晶100重量部当たり1〜10重量
部である。
【0009】本発明で使用される複合膜のマトリックス
を形成し、液晶粒子を固定する高分子材料としては、液
晶と相溶性がなく、透明性及び被膜形成性に優れた高分
子材料であればいずれも使用可能であるが、水溶性高分
子材料が特に好ましい。水溶性高分子材料としては、例
えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポ
リエチレンオキサイド、ポリビニルピロリドン、カルボ
キシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、
ヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。
を形成し、液晶粒子を固定する高分子材料としては、液
晶と相溶性がなく、透明性及び被膜形成性に優れた高分
子材料であればいずれも使用可能であるが、水溶性高分
子材料が特に好ましい。水溶性高分子材料としては、例
えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポ
リエチレンオキサイド、ポリビニルピロリドン、カルボ
キシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、
ヒドロキシプロピルセルロース等が挙げられる。
【0010】本発明においては上記の液晶と高分子材料
から形成された液晶/高分子複合膜中の高分子を架橋さ
せる。架橋剤は、高分子材料が有する官能基と反応して
高分子材料を架橋させることが出来るものであれば、い
ずれも使用することが出来る。特に、高分子材料が水溶
性の高分子の場合には、水溶性の架橋剤が好ましい。架
橋剤としては、例えば、水酸基、イミノ基、カルボキシ
ル基等の官能基と反応する官能基を有するものとして
は、アミノ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート類、
アミン類、カルボン酸類、酸無水物類、エポキシ化合
物、アルコール類、ビニル化合物類等の化合物が挙げら
れ、具体的には、イミノ基型メチル化メラミン、トリメ
チロールフェノール、2,4−トリレンジイソシアー
ト、ポリメチレンジアミン、エチレングリコールビスト
リメリテート、トリグリシジルイソシアネート、ポリカ
プロラクトンポリオール、ジアリルフタレート等の化合
物が使用される。架橋剤の使用量は、複合膜の性能を低
下させず、充分な耐湿性及び耐熱性(吸湿又は吸熱によ
るコントラスト低下防止性)が得られる架橋状態となる
量で使用される。
から形成された液晶/高分子複合膜中の高分子を架橋さ
せる。架橋剤は、高分子材料が有する官能基と反応して
高分子材料を架橋させることが出来るものであれば、い
ずれも使用することが出来る。特に、高分子材料が水溶
性の高分子の場合には、水溶性の架橋剤が好ましい。架
橋剤としては、例えば、水酸基、イミノ基、カルボキシ
ル基等の官能基と反応する官能基を有するものとして
は、アミノ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート類、
アミン類、カルボン酸類、酸無水物類、エポキシ化合
物、アルコール類、ビニル化合物類等の化合物が挙げら
れ、具体的には、イミノ基型メチル化メラミン、トリメ
チロールフェノール、2,4−トリレンジイソシアー
ト、ポリメチレンジアミン、エチレングリコールビスト
リメリテート、トリグリシジルイソシアネート、ポリカ
プロラクトンポリオール、ジアリルフタレート等の化合
物が使用される。架橋剤の使用量は、複合膜の性能を低
下させず、充分な耐湿性及び耐熱性(吸湿又は吸熱によ
るコントラスト低下防止性)が得られる架橋状態となる
量で使用される。
【0011】以上の各原料成分を用いて液晶/高分子複
合膜を形成するが、液晶又は二色性色素が添加された液
晶は、マイクロカプセル化して使用することも出来る。
二色性色素が添加された液晶も、該色素が添加されてい
ない液晶と全く同じ方法でマイクロカプセル化すること
が出来るので、以下では両者を単に液晶と総称して説明
する。液晶をマイクロカプセル化する方法としては、従
来公知の化学的作製法及び物理化学的作製法を利用する
ことが出来、特に限定されない。以下に化学的方法によ
る好ましいマイクロカプセル化法の例を示す。
合膜を形成するが、液晶又は二色性色素が添加された液
晶は、マイクロカプセル化して使用することも出来る。
二色性色素が添加された液晶も、該色素が添加されてい
ない液晶と全く同じ方法でマイクロカプセル化すること
が出来るので、以下では両者を単に液晶と総称して説明
する。液晶をマイクロカプセル化する方法としては、従
来公知の化学的作製法及び物理化学的作製法を利用する
ことが出来、特に限定されない。以下に化学的方法によ
る好ましいマイクロカプセル化法の例を示す。
【0012】先ず、ラジカル反応性界面活性剤、水溶性
保護コロイド或いはラジカル反応性保護コロイドの1種
或いは2種以上の混合物を用いて水媒体中に液晶を乳化
分散させる。次いで、水相又は液晶相中にラジカル重合
開始剤を溶解又は分散させ、乳化分散液の温度をラジカ
ル重合開始剤の分解温度又はそれ以上に上げ、重合を行
わせてカプセル壁膜を形成させる。又、他の方法として
は、水媒体中にラジカル重合性モノマーと液晶とを、水
溶性保護コロイドを用いて乳化分散させ、その後の操作
は上記と同様にしてカプセル壁膜を形成させることも出
来る。
保護コロイド或いはラジカル反応性保護コロイドの1種
或いは2種以上の混合物を用いて水媒体中に液晶を乳化
分散させる。次いで、水相又は液晶相中にラジカル重合
開始剤を溶解又は分散させ、乳化分散液の温度をラジカ
ル重合開始剤の分解温度又はそれ以上に上げ、重合を行
わせてカプセル壁膜を形成させる。又、他の方法として
は、水媒体中にラジカル重合性モノマーと液晶とを、水
溶性保護コロイドを用いて乳化分散させ、その後の操作
は上記と同様にしてカプセル壁膜を形成させることも出
来る。
【0013】上記の方法で使用するラジカル反応性界面
活性剤としては、市販のイオン性、ノニオン性の界面活
性剤を用いることが出来る。例えば、スチレンスルホン
酸ソーダ、ポリエチレングリコールモノ又はジアクリレ
ート、ポリプロピレングリコールモノ又はジアクリレー
ト、ポリテトラメチレングリコールモノ又はジアクリレ
ート等が挙げられるが、2官能以上の界面活性剤を混合
して使用することが好ましい。
活性剤としては、市販のイオン性、ノニオン性の界面活
性剤を用いることが出来る。例えば、スチレンスルホン
酸ソーダ、ポリエチレングリコールモノ又はジアクリレ
ート、ポリプロピレングリコールモノ又はジアクリレー
ト、ポリテトラメチレングリコールモノ又はジアクリレ
ート等が挙げられるが、2官能以上の界面活性剤を混合
して使用することが好ましい。
【0014】水溶性保護コロイドとしては、部分鹸化ポ
リビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、ポ
リエチレングリコール等が挙げられる。ラジカル反応性
保護コロイドとしては、親水性基を有するポリマー鎖の
側鎖にラジカル反応性基を導入したもの等、例えば、
(部分鹸化)ポリビニルアルコールの水酸基にアクリロ
イル基を導入したもの等の如く、ラジカル反応性基とし
て付加重合性二重結合を有するものであればいずれも使
用することが出来る。
リビニルアルコール、ヒドロキシエチルセルロース、ポ
リエチレングリコール等が挙げられる。ラジカル反応性
保護コロイドとしては、親水性基を有するポリマー鎖の
側鎖にラジカル反応性基を導入したもの等、例えば、
(部分鹸化)ポリビニルアルコールの水酸基にアクリロ
イル基を導入したもの等の如く、ラジカル反応性基とし
て付加重合性二重結合を有するものであればいずれも使
用することが出来る。
【0015】カプセル化方法としては、液晶中にラジカ
ル重合性モノマーを溶解し、これを前記の如く水性媒体
中に分散させて、上記モノマーを重合させる方法も利用
することが出来る。液晶中に溶解させるラジカル重合性
モノマーとしては、スチレン、酢酸ビニル、(メタ)ア
クリル酸エステル等の液晶と相溶性を有するモノマー等
が挙げられるが、これらとトリメチロールプロパントリ
(メタ)アクリレート等の2官能以上のモノマーとを混
合して使用することが好ましい。
ル重合性モノマーを溶解し、これを前記の如く水性媒体
中に分散させて、上記モノマーを重合させる方法も利用
することが出来る。液晶中に溶解させるラジカル重合性
モノマーとしては、スチレン、酢酸ビニル、(メタ)ア
クリル酸エステル等の液晶と相溶性を有するモノマー等
が挙げられるが、これらとトリメチロールプロパントリ
(メタ)アクリレート等の2官能以上のモノマーとを混
合して使用することが好ましい。
【0016】ラジカル重合開始剤としては、親油性、親
水性等の従来公知のラジカル重合開始剤がいずれも用い
ることが出来る。重合温度を上げることが不都合な場合
には、レドックス重合開始剤を使用することが出来る。
又、γ線や電子線等の電離性放射線を用いて重合するこ
とも出来る。
水性等の従来公知のラジカル重合開始剤がいずれも用い
ることが出来る。重合温度を上げることが不都合な場合
には、レドックス重合開始剤を使用することが出来る。
又、γ線や電子線等の電離性放射線を用いて重合するこ
とも出来る。
【0017】上記構成のマイクロカプセル化液晶におい
ては、壁材料として使用される高分子材料は、芯物質で
あるスメクチック液晶100重量部当たり5〜25重量
部の範囲で使用することが好ましい。壁材料の使用量が
5重量部未満では、壁厚が薄く液晶の滲み出しを防止す
ることが難しくなり、25重量部を超えると壁厚が厚く
なりすぎ、二色性色素を使用した場合には壁への該色素
の移行が増加して壁が着色される為、電圧印加時の反射
濃度が充分に低くならない等の問題が生じるので好まし
くない。カプセルの壁厚は、使用する液晶材料、高分子
材料、カプセル化方法等によって変化するが、一般的に
は10〜100nm程度である。
ては、壁材料として使用される高分子材料は、芯物質で
あるスメクチック液晶100重量部当たり5〜25重量
部の範囲で使用することが好ましい。壁材料の使用量が
5重量部未満では、壁厚が薄く液晶の滲み出しを防止す
ることが難しくなり、25重量部を超えると壁厚が厚く
なりすぎ、二色性色素を使用した場合には壁への該色素
の移行が増加して壁が着色される為、電圧印加時の反射
濃度が充分に低くならない等の問題が生じるので好まし
くない。カプセルの壁厚は、使用する液晶材料、高分子
材料、カプセル化方法等によって変化するが、一般的に
は10〜100nm程度である。
【0018】液晶粒子/高分子複合膜を製造する方法
は、前記の方法やその他の公知のいずれの方法も用いる
ことが出来るが、最も有用な方法は、液晶(マイクロカ
プセル化した液晶も含む)をPVA等の水溶液のエマル
ジョンとし、該エマルジョンを用いて成膜するエマルジ
ョン法である。以下にエマルジョン法を例に複合膜の製
造について説明する。
は、前記の方法やその他の公知のいずれの方法も用いる
ことが出来るが、最も有用な方法は、液晶(マイクロカ
プセル化した液晶も含む)をPVA等の水溶液のエマル
ジョンとし、該エマルジョンを用いて成膜するエマルジ
ョン法である。以下にエマルジョン法を例に複合膜の製
造について説明する。
【0019】エマルジョン法は、必要に応じて界面活性
剤や保護コロイドを含む水を主体とする媒体に液晶を乳
化分散させ、得られた乳化分散液にPVA、ゼラチン、
アクリル酸系重合体や水溶性アルキッド樹脂等の水溶性
又は水分散性のマトリックス形成高分子材料及びこれら
の高分子材料の架橋剤を加えた乳化分散液を、適当な基
板上に所定の乾燥厚となる様に塗布及び乾燥して膜を形
成する方法であり、本方法によれば、形成された膜中に
液晶粒子が均一に分散された液晶/高分子複合膜が形成
される。
剤や保護コロイドを含む水を主体とする媒体に液晶を乳
化分散させ、得られた乳化分散液にPVA、ゼラチン、
アクリル酸系重合体や水溶性アルキッド樹脂等の水溶性
又は水分散性のマトリックス形成高分子材料及びこれら
の高分子材料の架橋剤を加えた乳化分散液を、適当な基
板上に所定の乾燥厚となる様に塗布及び乾燥して膜を形
成する方法であり、本方法によれば、形成された膜中に
液晶粒子が均一に分散された液晶/高分子複合膜が形成
される。
【0020】上記の高分子材料(マトリックス形成)及
び架橋剤の水溶液又は分散液に液晶を均一に分散させる
方法としては、超音波分散法、各種攪拌機を用いて機械
的に混合・分散させる機械的分散法や膜乳化法〔中島忠
夫、清水政高、PHARMATECH.JAPAN 第
4巻、第10号、(1988年)参照〕等の方法が有効
である。得られる液晶エマルジョン粒子の粒子径は、マ
トリックス内或いはカプセル内での液晶分子の配向を容
易にする為に、体積分布における直径が1μm以下の液
晶粒子の割合が全液晶粒子中で10%以下であることが
望ましい。
び架橋剤の水溶液又は分散液に液晶を均一に分散させる
方法としては、超音波分散法、各種攪拌機を用いて機械
的に混合・分散させる機械的分散法や膜乳化法〔中島忠
夫、清水政高、PHARMATECH.JAPAN 第
4巻、第10号、(1988年)参照〕等の方法が有効
である。得られる液晶エマルジョン粒子の粒子径は、マ
トリックス内或いはカプセル内での液晶分子の配向を容
易にする為に、体積分布における直径が1μm以下の液
晶粒子の割合が全液晶粒子中で10%以下であることが
望ましい。
【0021】この様な液晶の分散状態は、例えば、多孔
質ガラス(MPG)膜乳化システムを用いて液晶のO/
Wエマルジョンを調製する場合には、MPGの平均細孔
径(直径)を0.3μm以上にすることによって得るこ
とが出来る。又、機械分散法を用いる場合には、回転数
を1,000rpmとし、1分間以上攪拌することによ
って得られる。
質ガラス(MPG)膜乳化システムを用いて液晶のO/
Wエマルジョンを調製する場合には、MPGの平均細孔
径(直径)を0.3μm以上にすることによって得るこ
とが出来る。又、機械分散法を用いる場合には、回転数
を1,000rpmとし、1分間以上攪拌することによ
って得られる。
【0022】この様にして得られた液晶粒子分散液か
ら、液晶/高分子複合膜を形成する方法としては、基板
上に上記液晶粒子分散液を塗布及び乾燥する方法が好ま
しい。塗装方法としては、例えば、電着方法、スクリー
ンコーティング、ブレードコーティング、ナイフコーテ
ィング、スライドコーティング、イクストルージョンコ
ーティング、ファウンテンコーティング等が挙げられ
る。この様にして得られる複合膜の厚みは3〜23μm
程度が好適である。膜厚が薄すぎると加熱時の散乱(濁
度)が不足し、厚すぎると多大な駆動電圧を必要とする
ので好ましくない。
ら、液晶/高分子複合膜を形成する方法としては、基板
上に上記液晶粒子分散液を塗布及び乾燥する方法が好ま
しい。塗装方法としては、例えば、電着方法、スクリー
ンコーティング、ブレードコーティング、ナイフコーテ
ィング、スライドコーティング、イクストルージョンコ
ーティング、ファウンテンコーティング等が挙げられ
る。この様にして得られる複合膜の厚みは3〜23μm
程度が好適である。膜厚が薄すぎると加熱時の散乱(濁
度)が不足し、厚すぎると多大な駆動電圧を必要とする
ので好ましくない。
【0023】液晶の使用量としては、通常、マトリック
ス形成高分子材料/液晶の混合比(重量比)が55/4
5〜35/65の範囲が望ましい。液晶の使用量が少な
すぎると、電圧印加時の透明性が不足するだけでなく、
膜を透明状態にするために多大の電圧を必要とする等の
点で不十分であり、一方、液晶の使用量が多すぎると、
加熱時の散乱(濁度)が不足するだけでなく、膜の強度
が低下したりするので好ましくない。
ス形成高分子材料/液晶の混合比(重量比)が55/4
5〜35/65の範囲が望ましい。液晶の使用量が少な
すぎると、電圧印加時の透明性が不足するだけでなく、
膜を透明状態にするために多大の電圧を必要とする等の
点で不十分であり、一方、液晶の使用量が多すぎると、
加熱時の散乱(濁度)が不足するだけでなく、膜の強度
が低下したりするので好ましくない。
【0024】次に、上記で得られた液晶/高分子複合膜
中の高分子マトリックスを架橋させる。架橋方法は使用
する架橋剤の種類によって決定され、例えば、加熱、紫
外線照射或いは電子線照射等が用いられる。複合膜の性
能を悪化させない範囲で充分な耐湿性(吸湿又は吸熱に
よって光変調素子の反射濃度等が変化しない)及び耐熱
性(吸熱によって光変調素子の反射濃度が変化しない)
が得られる状態に架橋することが望ましい。尚、マトリ
ックス形成高分子の架橋は、複合膜が得られた時点で
も、その後に行ってもよく、更に必要により複合膜面上
に保護層を形成させる時に行うことも出来る。
中の高分子マトリックスを架橋させる。架橋方法は使用
する架橋剤の種類によって決定され、例えば、加熱、紫
外線照射或いは電子線照射等が用いられる。複合膜の性
能を悪化させない範囲で充分な耐湿性(吸湿又は吸熱に
よって光変調素子の反射濃度等が変化しない)及び耐熱
性(吸熱によって光変調素子の反射濃度が変化しない)
が得られる状態に架橋することが望ましい。尚、マトリ
ックス形成高分子の架橋は、複合膜が得られた時点で
も、その後に行ってもよく、更に必要により複合膜面上
に保護層を形成させる時に行うことも出来る。
【0025】本発明で使用される液晶/架橋高分子複合
膜を形成する基板としては、従来公知の液晶表示素子や
光変調素子において電極基板として用いられているもの
を使用することが出来る。例えば、ITO、SnO
2系、ZnO系等の様な透明導電性材料を透明基板に付
着させたものでもよい。付着方法としては、導電性材料
を蒸着する方法、スパッタリングする方法、或いは導電
性材料を樹脂に分散させたインクを塗布する方法等が挙
げられる。透明基板はガラス基板以外にも、高分子フイ
ルム、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリアリレート、ポリエーテルスルホンの様な樹
脂からなる透明フイルムであってもよい。一方、不透明
導電性基板の場合には、その電極が反射板としての機能
も要求される為、例えば、アルミニウム反射電極を設け
た基板が好ましい。勿論、その基板自体はガラスでも高
分子フイルムでも、その他のものであってもよい。又、
ITO、SnO2系、ZnO系等の様な透明導電性材料
を白PETフイルム等の様な反射板に付着させてもよ
い。或いは、透明導電性基板の複合膜とは反対の面に、
ガラスや高分子フイルム等にAl2O3、TiO2、Zn
O等の白色顔料を付着させて形成した反射板を貼り合わ
せてもよい。
膜を形成する基板としては、従来公知の液晶表示素子や
光変調素子において電極基板として用いられているもの
を使用することが出来る。例えば、ITO、SnO
2系、ZnO系等の様な透明導電性材料を透明基板に付
着させたものでもよい。付着方法としては、導電性材料
を蒸着する方法、スパッタリングする方法、或いは導電
性材料を樹脂に分散させたインクを塗布する方法等が挙
げられる。透明基板はガラス基板以外にも、高分子フイ
ルム、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PE
T)、ポリアリレート、ポリエーテルスルホンの様な樹
脂からなる透明フイルムであってもよい。一方、不透明
導電性基板の場合には、その電極が反射板としての機能
も要求される為、例えば、アルミニウム反射電極を設け
た基板が好ましい。勿論、その基板自体はガラスでも高
分子フイルムでも、その他のものであってもよい。又、
ITO、SnO2系、ZnO系等の様な透明導電性材料
を白PETフイルム等の様な反射板に付着させてもよ
い。或いは、透明導電性基板の複合膜とは反対の面に、
ガラスや高分子フイルム等にAl2O3、TiO2、Zn
O等の白色顔料を付着させて形成した反射板を貼り合わ
せてもよい。
【0026】本発明の一実施形態では、透明又は反射性
導電性基板上に形成した液晶/架橋高分子複合膜を導電
性基板で挟持する。この場合には、従来公知の液晶表示
素子において電極基板として用いられているものを使用
することが出来、例えば、ITO、SnO2系、ZnO
系等の様な透明導電性材料を高分子フイルム等の透明基
板に付着させた電極基板等である。
導電性基板上に形成した液晶/架橋高分子複合膜を導電
性基板で挟持する。この場合には、従来公知の液晶表示
素子において電極基板として用いられているものを使用
することが出来、例えば、ITO、SnO2系、ZnO
系等の様な透明導電性材料を高分子フイルム等の透明基
板に付着させた電極基板等である。
【0027】本発明の別の実施形態では、透明又は反射
性導電性基板上に形成した液晶/架橋高分子複合膜の表
面に、透明保護層が形成される。保護層を形成する高分
子材料としては、液晶/架橋高分子複合膜との接着性に
優れ、透明な被膜を形成し得るものであれば、いずれの
高分子材料も用いることが出来る。例えば、マトリック
ス形成高分子材料としてPVAを使用した場合には、好
ましい保護層形成高分子材料としては、トリメチロール
プロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラ(メタ)アクリレート等の多官能モノマーか
らなる架橋重合体等が挙げられる。これらのモノマーは
単独で、又は2種以上混合して、更に他の共重合性モノ
マーと混合して用いることが出来る。
性導電性基板上に形成した液晶/架橋高分子複合膜の表
面に、透明保護層が形成される。保護層を形成する高分
子材料としては、液晶/架橋高分子複合膜との接着性に
優れ、透明な被膜を形成し得るものであれば、いずれの
高分子材料も用いることが出来る。例えば、マトリック
ス形成高分子材料としてPVAを使用した場合には、好
ましい保護層形成高分子材料としては、トリメチロール
プロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラ(メタ)アクリレート等の多官能モノマーか
らなる架橋重合体等が挙げられる。これらのモノマーは
単独で、又は2種以上混合して、更に他の共重合性モノ
マーと混合して用いることが出来る。
【0028】上記保護層は、保護層の表面が平滑で、且
つ保護層の屈折率と高分子マトリックスの屈折率との差
が0.05以下であることが望ましい。屈折率の差が
0.05を超えると、電圧印加時に液晶と保護層の屈折
率の差が大きくなる為に、光の散乱が大きくなり、コン
トラストが低下してしまう。更に好ましくは、屈折率の
差は0.03以下である。又、保護層の平均粗さ(R
a)は0.1μm未満であることが好ましい。平均粗さ
が0.1μm以上になると光が保護層表面で散乱してし
まい、コントラストが低下してしまう。
つ保護層の屈折率と高分子マトリックスの屈折率との差
が0.05以下であることが望ましい。屈折率の差が
0.05を超えると、電圧印加時に液晶と保護層の屈折
率の差が大きくなる為に、光の散乱が大きくなり、コン
トラストが低下してしまう。更に好ましくは、屈折率の
差は0.03以下である。又、保護層の平均粗さ(R
a)は0.1μm未満であることが好ましい。平均粗さ
が0.1μm以上になると光が保護層表面で散乱してし
まい、コントラストが低下してしまう。
【0029】保護層は、保護層形成高分子材料を液晶/
架橋高分子複合膜を膨潤乃至溶解しない溶剤の溶液とし
て、或いは適当な媒体のエマルジョンとして前記の複合
膜の形成方法と同様な方法で複合膜面に成膜することが
出来る。又、別の方法として、重合によって高分子被膜
を形成する前記のモノマーを複合膜面に所定の厚さに塗
布後、適当な手段(加熱、電子線照射等)によってモノ
マーを重合体に転化させると共に硬化させる方法によっ
ても成膜することが出来る。更には、離型シート上に別
に保護層又はモノマー層を形成しておき、これらの層を
複合膜面に転写ラミネートする方法(モノマー層の場合
には転写後に重合硬化させる)等によって保護層を形成
することが出来る。形成される保護層の厚さは、1〜5
μmの範囲が好ましい。
架橋高分子複合膜を膨潤乃至溶解しない溶剤の溶液とし
て、或いは適当な媒体のエマルジョンとして前記の複合
膜の形成方法と同様な方法で複合膜面に成膜することが
出来る。又、別の方法として、重合によって高分子被膜
を形成する前記のモノマーを複合膜面に所定の厚さに塗
布後、適当な手段(加熱、電子線照射等)によってモノ
マーを重合体に転化させると共に硬化させる方法によっ
ても成膜することが出来る。更には、離型シート上に別
に保護層又はモノマー層を形成しておき、これらの層を
複合膜面に転写ラミネートする方法(モノマー層の場合
には転写後に重合硬化させる)等によって保護層を形成
することが出来る。形成される保護層の厚さは、1〜5
μmの範囲が好ましい。
【0030】以上の如きスメクチック液晶/架橋高分子
複合膜を、2枚の導電性基板或いは導電性基板と保護層
で挟持したシート状の本発明の薄型光変調素子は、サー
マルヘッド等の加熱手段を用いて加熱することによって
液晶の配向が乱れて複合膜が散乱状態となり、サーマル
ヘッドにより情報を記録及び表示することが出来る。液
晶中に二色性色素を用いた場合には、複合膜の加熱領域
はその該色素の色調を示し、カラー記録及び表示が行わ
れる。又、これらの記録及び表示は、複合膜に適当な温
度で電圧を印加すると、全体の液晶が配向して複合膜全
体が透明になり、前記記録及び表示を消去することが出
来る。一方、複合膜を加熱によって全体的に不透明と
し、この状態で画像状に電圧を印加することによって、
電圧印加部分が透明画像となり記録及び表示がなされ
る。この様に、本発明の光変調素子は、電圧印加或いは
加熱のいずれか一方によって書き込みを行い、他方によ
って消去することが出来る。電圧の印加は、上下の電極
或いは導電性基板が1枚である場合には、コロナ帯電を
用いて行うことが出来る。又、加熱は、例えば、サーマ
ルヘッド、赤外レーザー光線、熱ペン等任意の方法で行
うことが出来る。
複合膜を、2枚の導電性基板或いは導電性基板と保護層
で挟持したシート状の本発明の薄型光変調素子は、サー
マルヘッド等の加熱手段を用いて加熱することによって
液晶の配向が乱れて複合膜が散乱状態となり、サーマル
ヘッドにより情報を記録及び表示することが出来る。液
晶中に二色性色素を用いた場合には、複合膜の加熱領域
はその該色素の色調を示し、カラー記録及び表示が行わ
れる。又、これらの記録及び表示は、複合膜に適当な温
度で電圧を印加すると、全体の液晶が配向して複合膜全
体が透明になり、前記記録及び表示を消去することが出
来る。一方、複合膜を加熱によって全体的に不透明と
し、この状態で画像状に電圧を印加することによって、
電圧印加部分が透明画像となり記録及び表示がなされ
る。この様に、本発明の光変調素子は、電圧印加或いは
加熱のいずれか一方によって書き込みを行い、他方によ
って消去することが出来る。電圧の印加は、上下の電極
或いは導電性基板が1枚である場合には、コロナ帯電を
用いて行うことが出来る。又、加熱は、例えば、サーマ
ルヘッド、赤外レーザー光線、熱ペン等任意の方法で行
うことが出来る。
【0031】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に
具体的に説明する。尚、文中の部又は%とあるのは重量
基準である。 実施例1 スメクチック液晶(メルク・リミッテド社製 SCE−
9:ネマチック相を示す温度範囲91.0〜115.0
℃)100部と二色性色素(三井東圧化学社製S−42
8)2部とを反応容器に添加し、120℃で30分間攪
拌した。この混合溶液にメチルメタクリレート11.6
部と2,2′−アゾビスイソブチロニトリル2部を入
れ、室温で4時間攪拌した。この混合溶液にPVA(日
本合成化学社製 EG−05:重合度500、鹸化度8
6.5〜89.0)の5%水溶液252.8部を添加
し、孔径(直径)1.10μmの多孔質ガラス膜管(伊
勢化学工業社製)を用いて膜乳化方法で分散させた。次
いで、窒素雰囲気下、70℃で6時間静置重合し、液晶
をマイクロカプセル化した。得られたマイクロカプセル
の平均粒子径(直径)は7.5μmであり、且つ1μm
以下の粒子の割合は1.2%であった。尚、粒径は、粒
度分布計(LEED &NORTHRUP社製 マイク
ロトラックMK−IISPA)を用いて測定した体積分
布から求めた値である。
具体的に説明する。尚、文中の部又は%とあるのは重量
基準である。 実施例1 スメクチック液晶(メルク・リミッテド社製 SCE−
9:ネマチック相を示す温度範囲91.0〜115.0
℃)100部と二色性色素(三井東圧化学社製S−42
8)2部とを反応容器に添加し、120℃で30分間攪
拌した。この混合溶液にメチルメタクリレート11.6
部と2,2′−アゾビスイソブチロニトリル2部を入
れ、室温で4時間攪拌した。この混合溶液にPVA(日
本合成化学社製 EG−05:重合度500、鹸化度8
6.5〜89.0)の5%水溶液252.8部を添加
し、孔径(直径)1.10μmの多孔質ガラス膜管(伊
勢化学工業社製)を用いて膜乳化方法で分散させた。次
いで、窒素雰囲気下、70℃で6時間静置重合し、液晶
をマイクロカプセル化した。得られたマイクロカプセル
の平均粒子径(直径)は7.5μmであり、且つ1μm
以下の粒子の割合は1.2%であった。尚、粒径は、粒
度分布計(LEED &NORTHRUP社製 マイク
ロトラックMK−IISPA)を用いて測定した体積分
布から求めた値である。
【0032】上記の分散液にマトリックス形成高分子材
料としてPVA(日本合成化学社製KH−20:重合度
2000、ケン化度78.5〜81.5)の10%水溶
液と、架橋剤としてのイミノ基型メチル化メラミン(三
井サイテック社製 サイメル−701)をSCE−9/
PVA(EG−05+KH−20)/サイメル−701
が7/5/2(重量比)となる様に添加して攪拌した。
料としてPVA(日本合成化学社製KH−20:重合度
2000、ケン化度78.5〜81.5)の10%水溶
液と、架橋剤としてのイミノ基型メチル化メラミン(三
井サイテック社製 サイメル−701)をSCE−9/
PVA(EG−05+KH−20)/サイメル−701
が7/5/2(重量比)となる様に添加して攪拌した。
【0033】得られた分散液をITO蒸着白ポリエチレ
ンテレフタレートフイルム(東レ社製)のITO面上
に、ドクターブレードを用いて塗布し、乾燥させて成膜
を行った。次いで、120℃で2時間加熱して架橋反応
を行った。得られたスメクチック液晶/架橋高分子複合
膜の膜厚は10.0μmであった。複合膜のマトリック
スを形成する高分子〔PVA(EG−05及びKH−2
0)〕の屈折率は1.51であった。尚、屈折率は屈折
率計(溝尻光学工業社製 DVA−36L)を用いて測
定した。
ンテレフタレートフイルム(東レ社製)のITO面上
に、ドクターブレードを用いて塗布し、乾燥させて成膜
を行った。次いで、120℃で2時間加熱して架橋反応
を行った。得られたスメクチック液晶/架橋高分子複合
膜の膜厚は10.0μmであった。複合膜のマトリック
スを形成する高分子〔PVA(EG−05及びKH−2
0)〕の屈折率は1.51であった。尚、屈折率は屈折
率計(溝尻光学工業社製 DVA−36L)を用いて測
定した。
【0034】液晶/架橋高分子複合膜面上に保護層形成
する為に、ポリエチレンテレフタレートフイルム製離形
フイルム(麗光社製 MC−19)に、ドクターブレー
ドを用いてトリメチルプロパントリアクリレート(大日
精化社製 EXG−40−8)を塗布し、乾燥させて
2.0μmの厚さに成膜した。この膜面と上記の複合膜
面とをラミネートした後、4Mradの電子線を照射し
て上記アクリレートを重合及び硬化させ、離形フイルム
を剥した。平均粗さ(Ra)が0.01μmの平滑な保
護層が形成された。別に作製した同じ膜厚のトリメチル
プロパントリアクリレートの硬化重合体の屈折率は1.
50(上記の屈折率計で測定した)であった。
する為に、ポリエチレンテレフタレートフイルム製離形
フイルム(麗光社製 MC−19)に、ドクターブレー
ドを用いてトリメチルプロパントリアクリレート(大日
精化社製 EXG−40−8)を塗布し、乾燥させて
2.0μmの厚さに成膜した。この膜面と上記の複合膜
面とをラミネートした後、4Mradの電子線を照射し
て上記アクリレートを重合及び硬化させ、離形フイルム
を剥した。平均粗さ(Ra)が0.01μmの平滑な保
護層が形成された。別に作製した同じ膜厚のトリメチル
プロパントリアクリレートの硬化重合体の屈折率は1.
50(上記の屈折率計で測定した)であった。
【0035】この様にして作製した本発明の光変調素子
に、−6.5KVの電圧をコロナワイヤーに印加してコ
ロナ帯電を行ったところ、反射濃度は0.28であっ
た。次いで、任意の文字を表示させる為にサーマルヘッ
ドによって加熱を行った結果、加熱部分の反射濃度は
0.85であった。この部分加熱した光変調素子に、再
度上記と同様にコロナ帯電を行った結果、反射濃度は
0.28であった。更に、同様にして部分加熱した結
果、加熱部分の反射濃度は0.85であった。この様な
コロナ帯電と部分加熱の操作を1,000回繰り返して
も、コロナ帯電時及び部分加熱時の反射濃度の値には変
化は認められなかった。尚、反射濃度は色濃度計(Ma
cbeth社製 RD914−S)を用いて測定した。
に、−6.5KVの電圧をコロナワイヤーに印加してコ
ロナ帯電を行ったところ、反射濃度は0.28であっ
た。次いで、任意の文字を表示させる為にサーマルヘッ
ドによって加熱を行った結果、加熱部分の反射濃度は
0.85であった。この部分加熱した光変調素子に、再
度上記と同様にコロナ帯電を行った結果、反射濃度は
0.28であった。更に、同様にして部分加熱した結
果、加熱部分の反射濃度は0.85であった。この様な
コロナ帯電と部分加熱の操作を1,000回繰り返して
も、コロナ帯電時及び部分加熱時の反射濃度の値には変
化は認められなかった。尚、反射濃度は色濃度計(Ma
cbeth社製 RD914−S)を用いて測定した。
【0036】上記のコロナ帯電後に部分加熱する温度を
変化させた時の、各部分加熱温度における反射濃度を測
定し、反射濃度変化率を求めた。結果を図1に示す。反
射濃度変化率(Rc )(%)は下記の式から求めた。 Rc =(Rt −Re )/(Rw −Re )×100 Rw :部分加熱温度が110℃の時の反射濃度 Rt :部分加熱温度がt℃の時の反射濃度 Re :コロナ帯電後の反射濃度
変化させた時の、各部分加熱温度における反射濃度を測
定し、反射濃度変化率を求めた。結果を図1に示す。反
射濃度変化率(Rc )(%)は下記の式から求めた。 Rc =(Rt −Re )/(Rw −Re )×100 Rw :部分加熱温度が110℃の時の反射濃度 Rt :部分加熱温度がt℃の時の反射濃度 Re :コロナ帯電後の反射濃度
【0037】本発明の上記の光変調素子の吸湿による影
響を確認する為に、上記と同様にしてコロナ帯電させた
光変調素子を、温度が30℃、湿度が90%の恒温・恒
湿槽に放置し、各放置時間における反射濃度を測定し、
反射濃度変化率を求めた。結果を図2に示す。反射濃度
変化率(Rc ′)(%)は、下記の式から求めた。 Rc ′=(Rh −Re )/(Rw −Re )×100 Rh :恒温・恒湿槽にh時間放置後の反射濃度
響を確認する為に、上記と同様にしてコロナ帯電させた
光変調素子を、温度が30℃、湿度が90%の恒温・恒
湿槽に放置し、各放置時間における反射濃度を測定し、
反射濃度変化率を求めた。結果を図2に示す。反射濃度
変化率(Rc ′)(%)は、下記の式から求めた。 Rc ′=(Rh −Re )/(Rw −Re )×100 Rh :恒温・恒湿槽にh時間放置後の反射濃度
【0038】比較例1 実施例と同様にして作成したマイクロカプセルの分散液
にマトリックス形成高分子材料としてPVA(日本合成
化学社製KH−20:重合度2000、ケン化度78.
5〜81.5)の10%水溶液をSCE−9/PVA
(EG−05+KH−20)が1/1(重量比)となる
様に添加して攪拌した。以下実施例と同様にして比較例
の光変調素子を得た。
にマトリックス形成高分子材料としてPVA(日本合成
化学社製KH−20:重合度2000、ケン化度78.
5〜81.5)の10%水溶液をSCE−9/PVA
(EG−05+KH−20)が1/1(重量比)となる
様に添加して攪拌した。以下実施例と同様にして比較例
の光変調素子を得た。
【0039】上記の比較例の光変調素子は、実施例1の
光変調素子と同様なコントラストを示した。又、実施例
1と同様にして、コロナ帯電後に部分加熱する温度を変
化させた時の、各部分加熱温度における反射濃度を測定
し、反射濃度変化率を求めた。結果を図3に示す。更
に、上記の光変調素子の吸湿による影響を実施例1と同
様にして確認した。結果を図4に示す。
光変調素子と同様なコントラストを示した。又、実施例
1と同様にして、コロナ帯電後に部分加熱する温度を変
化させた時の、各部分加熱温度における反射濃度を測定
し、反射濃度変化率を求めた。結果を図3に示す。更
に、上記の光変調素子の吸湿による影響を実施例1と同
様にして確認した。結果を図4に示す。
【0040】
【発明の効果】以上の本発明によれば、吸湿又は吸熱に
よるコントラストの低下が防止され、高いコントラスト
を有する光変調素子が提供される。本発明の光変調素子
は、カード、OHP等の書き換え可能な表示・記録媒体
として幅広く使用することが出来る。
よるコントラストの低下が防止され、高いコントラスト
を有する光変調素子が提供される。本発明の光変調素子
は、カード、OHP等の書き換え可能な表示・記録媒体
として幅広く使用することが出来る。
【図1】 実施例1の加熱温度と反射濃度変化率の関係
を示す。
を示す。
【図2】 実施例1の吸湿時間と反射濃度変化率の関係
を示す。
を示す。
【図3】 比較例1の加熱温度と反射濃度変化率の関係
を示す。
を示す。
【図4】 比較例1の吸湿時間と反射濃度変化率の関係
を示す。
を示す。
Claims (5)
- 【請求項1】 液晶粒子が高分子マトリックス中に分散
してなる液晶/高分子複合膜を用いた光変調素子におい
て、高分子マトリックスが架橋剤によって架橋されてい
ることを特徴とする光変調素子。 - 【請求項2】 高分子マトリックスが水溶性高分子であ
り、架橋剤が該高分子マトリックスの官能基と反応する
基を有する水溶性化合物である請求項1に記載の光変調
素子。 - 【請求項3】 液晶粒子、マトリックス形成高分子及び
該高分子の架橋剤を含む分散液を基板上に塗布して液晶
/高分子複合膜を形成させ、マトリックス高分子を架橋
させることを特徴とする光変調素子の製造方法。 - 【請求項4】 マトリックス形成高分子が水溶性高分子
であり、架橋剤が該マトリックス形成高分子の官能基と
反応する基を有する水溶性化合物である請求項3に記載
の光変調素子の製造方法。 - 【請求項5】 加熱、紫外線照射又は電子線照射によっ
てマトリックス形成高分子を架橋させる請求項3に記載
の光変調素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212957A JPH0940954A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 光変調素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212957A JPH0940954A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 光変調素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940954A true JPH0940954A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16631098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7212957A Pending JPH0940954A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 光変調素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0940954A (ja) |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP7212957A patent/JPH0940954A/ja active Pending
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