JPH0943356A - Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus - Google Patents

Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus

Info

Publication number
JPH0943356A
JPH0943356A JP7196350A JP19635095A JPH0943356A JP H0943356 A JPH0943356 A JP H0943356A JP 7196350 A JP7196350 A JP 7196350A JP 19635095 A JP19635095 A JP 19635095A JP H0943356 A JPH0943356 A JP H0943356A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radiation
light
manufacturing
conversion element
radiation conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7196350A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukio Nishikawa
幸男 西川
Shinichi Mizuguchi
信一 水口
Junichi Hibino
純一 日比野
Yasuichi Oomori
康以知 大森
Yasuhiko Makaji
康彦 眞梶
Takeshi Abe
健 阿部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7196350A priority Critical patent/JPH0943356A/en
Publication of JPH0943356A publication Critical patent/JPH0943356A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高解像度・高感度の放射線撮像装置を高速か
つ容易に製造することができる優れた放射線変換素子と
その製造方法及び放射線撮像装置を提供する。 【構成】 光を映像信号に変換する光検出パネル2の画
素3を少なくとも1つ含む大きさに、X線、放射線の光
変換素子のシンチレータ1を格子状に分割し、その分割
面と光検出パネルを相対させ、素子の分割領域内に光検
出パネルの画素を少なくとも一つ含むように接着し、格
子状の加工は素子上にパターニングされた保護層を形成
し、粒子または粒子線を照射し、保護層間の露出する素
子部分を除去するか、素子上に収束した粒子線を相対的
に移動照射するか、粒子線を線状のマスクパターンを通
過させ、素子上にマスクパターンを結像させることで、
格子状の分離層を設けてクロストークを防ぎ、広い面積
の高速加工を可能とする。
(57) [Abstract] [PROBLEMS] To provide an excellent radiation conversion element capable of manufacturing a high-resolution and high-sensitivity radiation imaging apparatus at high speed and easily, a manufacturing method thereof, and a radiation imaging apparatus. A scintillator 1, which is an X-ray and radiation photo-conversion device, is divided into a grid shape to a size including at least one pixel 3 of a photo-detection panel 2 that converts light into an image signal, and the division surface and the photo-detection. The panels are made to face each other and bonded so that at least one pixel of the photodetection panel is included in the divided region of the element, and the grid-like processing forms a patterned protective layer on the element and irradiates with particles or particle beams. , Remove the exposed element portion between the protective layers, relatively move and irradiate the focused particle beam on the element, or pass the particle beam through a linear mask pattern to form an image of the mask pattern on the element By that,
A lattice-shaped separation layer is provided to prevent crosstalk and enable high-speed processing over a wide area.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はX線または放射線等を光
に変換する放射線変換素子とその製造方法および放射線
変換素子を用いた放射線撮像装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation conversion element for converting X-rays or radiation into light, a method for manufacturing the same, and a radiation image pickup apparatus using the radiation conversion element.

【0002】[0002]

【従来の技術】放射線撮像装置はX線または放射線を光
に変換する素子(以下シンチレータと呼ぶ)と光検出パ
ネルを組み合わせて構成される。このような従来技術と
して、光検出パネルの全面にシンチレータを付けたもの
がある。シンチレータの材料としては、CsIや酸硫化
イットリウム・テルビウムなどがある。しかし、全面に
シンチレータを付けただけでは、シンチレータのクロス
トークにより解像度が低下し、また光検出パネルに損傷
を与えやすい欠点がある。
2. Description of the Related Art A radiation image pickup apparatus is constructed by combining an element for converting X-rays or radiation into light (hereinafter referred to as a scintillator) and a light detection panel. As such a conventional technique, there is one in which a scintillator is attached to the entire surface of the light detection panel. Materials for the scintillator include CsI and yttrium terbium oxysulfide. However, if only the scintillator is attached to the entire surface, there are drawbacks that the resolution decreases due to the crosstalk of the scintillator and the photodetection panel is easily damaged.

【0003】これに対して、光ファイバプレートの上部
にシンチレータを付け、光ファイバプレートを通った光
を光検出パネルで受光する放射線撮像装置も知られてい
る。しかし、光ファイバプレートは高価であり、装置が
大型である。また、検出効率を上げるためにシンチレー
タを厚くすると解像度が低下しやすい。
On the other hand, there is also known a radiation imaging apparatus in which a scintillator is attached to the upper part of an optical fiber plate and the light passing through the optical fiber plate is received by a photodetection panel. However, the optical fiber plate is expensive and the device is large. Further, if the scintillator is made thick to increase the detection efficiency, the resolution is likely to be lowered.

【0004】これらの欠点を克服するものとして、光フ
ァイバプレートの表面にエッチングで多数の凸凹を形成
し、突出したコアにシンチレータを成長させる方法が、
例えば特開昭61−185844号公報および特開昭6
1−225684号公報に示されている。
In order to overcome these drawbacks, a method of forming a large number of irregularities on the surface of an optical fiber plate by etching and growing a scintillator on the protruding core is known.
For example, JP-A-61-185844 and JP-A-6-185844
No. 1-225684.

【0005】しかし、これらの方法は画素とコアを正確
に位置合わせして光結合することが困難であるとして、
光検出パネルの画素上に凸状パターンを形成し、その凸
状パターンの上面にシンチレータの柱状結晶を成長させ
る方法が、例えば図9に示すように特開平5−9378
0号公報において述べられている。図9において、40
は画素、41は凸状パターン、42はマスク、43は反
射膜、44はシンチレータの柱状結晶、45はコーティ
ング膜、46は2次元光センサである。まず、ガラス基
板上に薄膜プロセスにより画素40を配置した2次元光
検出パネルを形成する。光検出パネルの画素40上に凸
状パターン41を形成し、さらに凸状パターン41の上
面にのみマスク42を設け、凸状パターン41の側面に
光反射膜43を形成する。次に、マスク42を除去し、
蒸着によりシンチレータの柱状結晶44を凸状パターン
41の上面に結晶成長させる。
However, in these methods, it is difficult to accurately align the pixel and the core to optically couple them.
A method of forming a convex pattern on the pixels of the light detection panel and growing columnar crystals of a scintillator on the upper surface of the convex pattern is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9378/1993.
No. 0 publication. In FIG. 9, 40
Is a pixel, 41 is a convex pattern, 42 is a mask, 43 is a reflective film, 44 is a scintillator columnar crystal, 45 is a coating film, and 46 is a two-dimensional photosensor. First, a two-dimensional photodetection panel in which the pixels 40 are arranged is formed on a glass substrate by a thin film process. A convex pattern 41 is formed on the pixels 40 of the light detection panel, a mask 42 is provided only on the upper surface of the convex pattern 41, and a light reflection film 43 is formed on the side surface of the convex pattern 41. Next, the mask 42 is removed,
The columnar crystals 44 of the scintillator are grown on the upper surface of the convex pattern 41 by vapor deposition.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、蒸着によりシンチレータを結晶成長させ
るため、工程時間が長く、光検出パネルの不必要な部分
にも蒸着されたり、結晶同士が適切な間隔を保って成長
するのが困難であるという問題点を有していた。
However, in the above-mentioned conventional structure, since the scintillator is crystal-grown by vapor deposition, the process time is long, vapor is vapor-deposited on unnecessary portions of the photodetection panel, and the crystals are not properly separated from each other. It has a problem that it is difficult to grow at a certain distance.

【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、高解像度・高感度の放射線撮像装置を高速かつ容易
に製造することのできる放射線変換素子とその製造方法
および放射線撮像装置を提供することを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and provides a radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus capable of manufacturing a radiation imaging apparatus of high resolution and high sensitivity at high speed and easily. The purpose is to

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の第1の放射線変換素子とその製造方法および
放射線撮像装置は、X線または放射線を光に変換する素
子と、前記素子により変換された光を映像信号に変換す
る光検出パネルを有し、前記光検出パネルの画素を少な
くとも1つ含む大きさに前記素子を格子状に分割し、前
記素子の分割面と前記光検出パネルとを相対させ、前記
素子の分割領域内に光検出パネルの画素を少なくとも一
つ含むように両者を組み立てるものである。
To achieve this object, a first radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus according to the present invention include an element for converting X-rays or radiation into light, and the element. A photodetection panel for converting the converted light into a video signal is provided, the element is divided into a lattice shape into a size including at least one pixel of the photodetection panel, and the division surface of the element and the photodetection panel. And are assembled so that at least one pixel of the photodetection panel is included in the divided region of the element.

【0009】上記構成において、前記素子は個片には分
割されないことが好ましい。また、前記素子と前記光検
出パネルとを接着することが好ましい。
In the above structure, it is preferable that the element is not divided into individual pieces. Further, it is preferable to bond the element and the light detection panel.

【0010】また、接着剤は前記素子により変換された
光に対して透明であることが好ましい。
The adhesive is preferably transparent to the light converted by the device.

【0011】本発明の第2の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、X線または放射線を透過
する基板上に、X線または放射線を光に変換する層を形
成し、前記光変換層を格子状に加工するものである。
A second radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus of the present invention form a layer for converting X-rays or radiation into light on a substrate that transmits X-rays or radiation, and perform the above-mentioned light conversion. The layer is processed into a lattice shape.

【0012】上記構成において、前記光変換層を厚膜印
刷法を用い、前記基板上に形成することが好ましい。
In the above structure, it is preferable that the light conversion layer is formed on the substrate by a thick film printing method.

【0013】本発明の第3の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、X線または放射線を光に
変換する素子上にパターニングされた保護層を形成し、
前記素子上に粒子または粒子線を照射し、保護層間から
露出する素子部分を除去するものである。
A third radiation conversion element, a method for manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus of the present invention form a patterned protective layer on an element for converting X-rays or radiation into light,
The element is irradiated with particles or particle beams to remove the element portion exposed from the protective layer.

【0014】上記構成において、前記保護層の材料は照
射される粒子または粒子線に対して耐久性があり、かつ
不透過性であることが好ましい。
In the above structure, it is preferable that the material of the protective layer is durable and impermeable to irradiated particles or particle beams.

【0015】また、前記保護層の材料としてフォトレジ
ストを用い、フォトリソグラフィー法によってパターニ
ングを行うことが好ましい。
Further, it is preferable to use a photoresist as a material of the protective layer and perform patterning by a photolithography method.

【0016】また、前記保護層は前記光変換層により変
換された光を透過することが好ましい。
Further, it is preferable that the protective layer transmits the light converted by the light conversion layer.

【0017】また、素子部分を除去後、保護層を除去す
ることが好ましい。また、保護層を剥離剤を用いて除去
することが好ましい。
Further, it is preferable to remove the protective layer after removing the element portion. Further, it is preferable to remove the protective layer using a release agent.

【0018】また、焼成によって保護層を分解除去する
ことが好ましい。本発明の第4の放射線変換素子とその
製造方法および放射線撮像装置は、X線または放射線を
光に変換する素子上に収束した粒子線を照射し、前記素
子を格子状に加工するものである。
Further, it is preferable to decompose and remove the protective layer by firing. A fourth radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus of the present invention irradiate a focused particle beam on an element that converts X-rays or radiation into light, and process the element into a lattice shape. .

【0019】上記構成において、粒子線はレーザ光であ
ることが好ましい。また、前記レーザ光はパルス光であ
ることが好ましい。
In the above arrangement, the particle beam is preferably laser light. The laser light is preferably pulsed light.

【0020】本発明の第5の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、X線または放射線を光に
変換する粉体材料を両面から基板で挟んだ三層構造の素
子に対し、一方の面からレーザ光を照射して前記素子を
格子状に加工するものである。
A fifth radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus according to the present invention are provided with a three-layer structure in which a powder material for converting X-rays or radiation into light is sandwiched between substrates on one side. The laser light is radiated from the surface to process the element into a lattice shape.

【0021】上記構成において、前記三層構造の素子の
うち、少なくともレーザ光を照射する基板は有機フィル
ムであることが好ましい。
In the above structure, at least the substrate to be irradiated with laser light in the element having the three-layer structure is preferably an organic film.

【0022】また、レーザ光の波長は0.3〜5μmで
あることが好ましい。また、前記三層構造の素子のう
ち、前記レーザ光照射面裏側の基板は、前記レーザ光を
透過することが好ましい。
The wavelength of the laser light is preferably 0.3-5 μm. Further, in the element having the three-layer structure, it is preferable that the substrate on the back side of the laser light irradiation surface transmits the laser light.

【0023】本発明の第6の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、粒子線を線状のマスクパ
ターンを通過させ、X線または放射線を光に変換する素
子上に前記マスクパターンを結像させ、つぎに前記パタ
ーンと直交させて前記線状のマスクパターンを結像させ
た粒子線を照射し、前記素子を格子状に加工するもので
ある。
A sixth radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus according to the present invention allow a particle beam to pass through a linear mask pattern to form the mask pattern on an element for converting X-rays or radiation into light. The element is processed into a lattice shape by forming an image and then irradiating with a particle beam in which the linear mask pattern is formed so as to be orthogonal to the pattern.

【0024】本発明の第7の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、レーザ発振器と、前記レ
ーザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、X線または放射線を光に変換する素子を保持するた
めに前記レーザ光に対して透過性の高い材料で作られた
治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に
移動させながら加工するものである。
A seventh radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus according to the present invention include a laser oscillator, an optical device for converging laser light emitted from the laser oscillator, and X-ray or radiation conversion into light. A jig made of a material having a high transparency to the laser light is provided to hold the element, and processing is performed while moving the laser light irradiation part and the element relatively.

【0025】上記構成において、レーザ光に対して透過
性の高い材料はガラスであることが好ましい。
In the above structure, the material having high transparency to laser light is preferably glass.

【0026】本発明の第8の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、レーザ発振器と、前記レ
ーザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、X線または放射線を光に変換する素子を空中に保持
する治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対
的に移動させながら加工するものである。
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a radiation conversion element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus, which include a laser oscillator, an optical device for converging laser light emitted from the laser oscillator, and X-rays or radiation to light. A jig for holding the element in the air is provided, and processing is performed while moving the laser light irradiation section and the element relatively.

【0027】上記構成において、前記素子の保持治具は
移動機構によって格子状に移動することが好ましい。
In the above structure, it is preferable that the jig for holding the element is moved in a lattice shape by a moving mechanism.

【0028】また、前記レーザ光は前記素子上を格子状
に走査されることが好ましい。
Further, it is preferable that the laser beam is scanned in a grid pattern on the element.

【0029】[0029]

【作用】この構成によって、シンチレータに格子状の分
離層を設けることでクロストークを防ぎ、高解像度・高
感度の放射線撮像装置を提供できる。しかも、粒子また
は粒子線を照射する方式により、広い面積を高速に加工
できるため、高い生産性を実現することができる。
With this structure, by providing the scintillator with the lattice-shaped separation layer, crosstalk can be prevented and a high-resolution and high-sensitivity radiation imaging apparatus can be provided. Moreover, since a large area can be processed at high speed by the method of irradiating particles or particle beams, high productivity can be realized.

【0030】[0030]

【実施例】【Example】

(実施例1)本発明の放射線変換素子とその製造方法お
よび放射線撮像装置の第1の実施例を図1と図2を参照
しながら説明する。図1は格子状に分割されたX線また
は放射線を光に変換する素子(以下シンチレータと呼
ぶ)の外観である。
(Embodiment 1) A first embodiment of a radiation converting element, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is an appearance of an element (hereinafter referred to as a scintillator) that converts X-rays or radiation that is divided into a lattice shape into light.

【0031】図1において、1はシンチレータで、板状
の焼結体である。シンチレータ1には焼結時または焼結
後に加工して格子状の溝1aが形成されている。しか
し、シンチレータ1は溝1aによって個片には分割され
ず、底面でつながっている。
In FIG. 1, 1 is a scintillator, which is a plate-shaped sintered body. The scintillator 1 has lattice-shaped grooves 1a formed during or after sintering. However, the scintillator 1 is not divided into individual pieces by the groove 1a, but is connected at the bottom surface.

【0032】図2は、シンチレータと光検出パネルの組
み立ての概念図である。(a)は組み立て前、(b)は
組み立て後である。2は光検出パネル、3は光検出パネ
ル2の画素、4は接着剤である。シンチレータ1の格子
状の分割部の大きさは画素3を含むことができるもので
ある。複数本の溝1aによって表面が分割されたシンチ
レータ1の分割面と光検出パネル2の画素3とを対応さ
せ、接着する。接着剤4がシンチレータ1によって変換
された光に対して透明であれば、深さ方向に直進する光
については画素3に到達する。しかし斜め方向に進む光
については、シンチレータ1に形成された溝1aの面1
b(側面)で反射され、隣の画素には到達できずクロス
トークを防ぐことができる。
FIG. 2 is a conceptual diagram of the assembly of the scintillator and the light detection panel. (A) is before assembly, (b) is after assembly. Reference numeral 2 is a light detection panel, 3 is a pixel of the light detection panel 2, and 4 is an adhesive. The size of the grid-shaped division of the scintillator 1 can include the pixels 3. The divided surface of the scintillator 1 whose surface is divided by the plurality of grooves 1a and the pixels 3 of the photodetection panel 2 are made to correspond to each other and bonded. If the adhesive 4 is transparent to the light converted by the scintillator 1, the light going straight in the depth direction reaches the pixel 3. However, for light traveling in an oblique direction, the surface 1 of the groove 1a formed in the scintillator 1
It is reflected by b (side surface), and the adjacent pixel cannot be reached, so that crosstalk can be prevented.

【0033】(実施例2)本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第2の実施例を図3
を参照しながら説明する。図3は、サンドブラスト法に
よるシンチレータの加工の工程概念図である。
(Embodiment 2) A second embodiment of the radiation converting element, the method of manufacturing the same, and the radiation imaging apparatus according to the present invention is shown in FIG.
Will be described with reference to. FIG. 3 is a conceptual diagram of a process of processing a scintillator by the sandblast method.

【0034】(a)は加工前のシンチレータ、(b)は
パターニングされた保護層を形成したシンチレータ、
(c)はサンドブラスト法で加工中の構成図である。本
実施例で用いたシンチレータはX線または放射線を透過
するガラス基板5上に、X線または放射線を光に変換す
る層6を厚膜印刷法で形成したものである。基板は有機
フィルムであっても良い。(b)の保護層の形成工程で
は、サンドブラスト耐性を有するレジスト7として東京
応化工業(株)製OSBR−82Rと称されるネガ型液
状レジストを用いている。このレジスト7をスピンコー
ト法により光変換層6の上に約15〜20μm程度の膜
厚で塗布する。レジスト塗布後70℃の温度で15分間
乾燥する。
(A) is a scintillator before processing, (b) is a scintillator on which a patterned protective layer is formed,
(C) is a block diagram during processing by the sandblast method. The scintillator used in this example is one in which a layer 6 for converting X-rays or radiation into light is formed by a thick film printing method on a glass substrate 5 which transmits X-rays or radiation. The substrate may be an organic film. In the step (b) of forming the protective layer, a negative type liquid resist called OSBR-82R manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used as the resist 7 having sandblast resistance. The resist 7 is applied on the light conversion layer 6 by a spin coating method so as to have a film thickness of about 15 to 20 μm. After applying the resist, it is dried at a temperature of 70 ° C. for 15 minutes.

【0035】次にサンドブラストで除去する格子状のパ
ターン以外が露光できるフォトマスクを密着させ、15
mJ/cm2の露光量で露光後、0.2重量%炭酸ナト
リウム水溶液をスプレーで吹き付けて現像し、純水で洗
浄するとパターンが得られる。
Next, a photomask capable of exposing parts other than the grid-like pattern to be removed by sandblasting is brought into close contact, and 15
After exposure with an exposure amount of mJ / cm 2 , a 0.2 wt% sodium carbonate aqueous solution is sprayed for development, followed by development and washing with pure water to obtain a pattern.

【0036】(c)のサンドブラスト工程では、シリカ
(SiO2)粒子8をサンドブラストマシーン(アルプ
スエンジニアリング社製)により、レジストパターン7
を形成した光変換層6上にブラスト圧力2kgf/cm
2で吹き付け、レジスト7で被覆されていない部分を切
削する。レジスト7はサンドブラストに対して耐久性が
あり、かつ粒子を透過しないため、パターン下の光変換
層6は加工されない。シリカの粒子径を10μm以下に
することで、光検出パネルの画素の間隔に対応した狭い
溝幅の加工が可能となる。切削後、レジストパターン7
をモノエタノールアミン系のレジスト剥離剤を用いて除
去すると図4のような構造となる。
In the sandblasting step (c), the resist pattern 7 is formed by using silica (SiO 2 ) particles 8 with a sandblasting machine (manufactured by Alps Engineering Co., Ltd.).
Blast pressure 2 kgf / cm on the light conversion layer 6 on which
Spray with 2 , and cut the part not covered with resist 7. Since the resist 7 is durable against sandblast and does not pass through particles, the light conversion layer 6 under the pattern is not processed. By setting the particle size of silica to 10 μm or less, it is possible to process a narrow groove width corresponding to the interval between pixels of the photodetection panel. After cutting, resist pattern 7
Is removed using a monoethanolamine-based resist stripping agent, the structure shown in FIG. 4 is obtained.

【0037】サンドブラスト耐性を有するレジストとし
て東京応化工業(株)製ORDYL−BF205と称さ
れるネガ型ドライフィルムレジストを用いた場合にも、
同様の工程で切削が可能である。なお、除去の方法は剥
離剤を用いた方法に限定されるものではなく、例えばレ
ジストパターンを除去せず、焼成により燃焼させて除去
することも可能である。
When a negative type dry film resist called ORDYL-BF205 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is used as a resist having sandblast resistance,
Cutting is possible in the same process. The removing method is not limited to the method using a stripping agent, and for example, the resist pattern may be removed by burning and burning without removing the resist pattern.

【0038】これらの実施例では、サンドブラストのマ
スクとしてフォトレジストを利用した。微細パターニン
グにはフォトレジストが最も望ましいが、サンドブラス
トで除去する溝状のパターン以外に、サンドブラスト耐
性がある例えばポリメタクリル酸メチルなどを溶解しペ
ースト状にした液体を、スクリーン印刷法などによって
塗布し、乾燥したものをサンドブラスト用マスクとして
利用しても同様の加工が可能である。
In these examples, photoresist was used as a sandblast mask. Although photoresist is most desirable for fine patterning, in addition to the groove-shaped pattern to be removed by sandblasting, a liquid having a sandblasting resistance such as polymethylmethacrylate dissolved in a paste form is applied by a screen printing method or the like, The same processing can be performed by using the dried product as a sandblasting mask.

【0039】保護層7の材料として、光変換層6により
変換された光を透過する材料を用いれば、保護層7を除
去せずに、そのまま光検出パネルと組み立てることも可
能である。
If a material that transmits the light converted by the light conversion layer 6 is used as the material of the protective layer 7, it is possible to assemble the light detection panel as it is without removing the protective layer 7.

【0040】また、加工手段として、イオン照射やプラ
ズマを用いたドライエッチングなどの方法を用いれば、
加工速度は遅いが、より一層微細な高精度加工が可能と
なる。
If a method such as ion irradiation or dry etching using plasma is used as the processing means,
The processing speed is slow, but finer and higher precision processing is possible.

【0041】(実施例3)本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第3の実施例を図5
を参照しながら説明する。図5は、シンチレータのレー
ザ加工装置の構成図である。
(Embodiment 3) A third embodiment of the radiation converting element, the method of manufacturing the same, and the radiation imaging apparatus according to the present invention is shown in FIG.
Will be described with reference to. FIG. 5 is a configuration diagram of a laser processing apparatus for a scintillator.

【0042】図5において、11はYAGレーザ発振
器、12はレーザ光、13はコリメータ、14は反射
鏡、15はレンズ、16はシンチレータ、17はガラス
板、18は移動機構である。レーザ発振器11から出射
したレーザ光12は、コリメータ13により拡大され、
反射鏡14によりレンズ15に誘導され、シンチレータ
16上に集光される。移動機構18を移動させること
で、シンチレータ16を格子状に加工することができ
る。しかし、例えば、シンチレータ16にCsIの板状
焼結体を用いると、レーザ光12はシンチレータ16を
通過できる。そのため、シンチレータ16下にレーザ光
12を反射したり吸収する材料を接触させると、反射レ
ーザ光または噴出物によりシンチレータ16の裏面が再
加工され、表面状態は悪くなる。本実施例では、シンチ
レータ16を保持するガラス板17上は、波長1.06
μmのレーザ光をほとんど反射せず、また、ガラス板1
7下の移動機構が加工された場合の噴出物にもさらされ
ないため、シンチレータ16の再加工を防ぐことができ
る。
In FIG. 5, 11 is a YAG laser oscillator, 12 is a laser beam, 13 is a collimator, 14 is a reflecting mirror, 15 is a lens, 16 is a scintillator, 17 is a glass plate, and 18 is a moving mechanism. The laser beam 12 emitted from the laser oscillator 11 is expanded by the collimator 13,
The light is guided to the lens 15 by the reflecting mirror 14 and focused on the scintillator 16. By moving the moving mechanism 18, the scintillator 16 can be processed into a lattice shape. However, for example, if a CsI plate-shaped sintered body is used for the scintillator 16, the laser light 12 can pass through the scintillator 16. Therefore, when a material that reflects or absorbs the laser light 12 is brought into contact with the bottom of the scintillator 16, the back surface of the scintillator 16 is reworked by the reflected laser light or ejected matter, and the surface condition deteriorates. In this embodiment, the glass plate 17 holding the scintillator 16 has a wavelength of 1.06.
Almost no reflection of μm laser light, and glass plate 1
Since the moving mechanism under 7 is not exposed to the ejected substances when it is processed, the reprocessing of the scintillator 16 can be prevented.

【0043】本実施例は、レーザ光の照射部とシンチレ
ータの相対的な移動を移動機構により行う方式である
が、レーザ光を反射鏡などで走査する方式でもよい。
In the present embodiment, the relative movement between the laser light irradiation section and the scintillator is carried out by the moving mechanism, but the laser light may be scanned by a reflecting mirror or the like.

【0044】(実施例4)本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第4の実施例を図6
を参照しながら説明する。図6はシンチレータの加工状
態の概念図である。(a)は加工前、(b)は加工後で
ある。第4の実施例が第3の実施例と異なる点はシンチ
レータとして、酸硫化イットリウム・テルビウム粉体の
光変換材料19を基板20と21で挟んだ三層構造とし
たことである。
(Embodiment 4) A fourth embodiment of the radiation converting element, the method of manufacturing the same, and the radiation imaging apparatus according to the present invention is shown in FIG.
Will be described with reference to. FIG. 6 is a conceptual diagram of a processed state of the scintillator. (A) is before processing, (b) is after processing. The difference between the fourth embodiment and the third embodiment is that the scintillator has a three-layer structure in which a light conversion material 19 of yttrium terbium oxysulfide powder is sandwiched between substrates 20 and 21.

【0045】三層構造とすることで、粉体材料の使用も
可能となる。この三層構造のシンチレータの一方の面か
らレンズ15で集光したレーザ光12を照射する。照射
側の基板20に、例えばポリエチレン・テレフタレート
(PET)のような有機フィルムを用いると、波長0.
3〜5μmのレーザ光を透過するため、微細加工に適し
たYAGレーザ光を照射すると、光変換材料19に吸収
される。光変換材料9のレーザ照射部は高温になり、噴
出する。
With a three-layer structure, it is possible to use a powder material. The laser light 12 focused by the lens 15 is emitted from one surface of the scintillator having the three-layer structure. When an organic film such as polyethylene terephthalate (PET) is used for the substrate 20 on the irradiation side, the wavelength of 0.
Since the laser light of 3 to 5 μm is transmitted, when the YAG laser light suitable for microfabrication is irradiated, it is absorbed by the light conversion material 19. The laser irradiation portion of the light conversion material 9 becomes hot and jets out.

【0046】基板20は有機フィルムなので、噴出物に
よって容易に基板20は破られ、深さ方向に加工が進
む。レーザ光12はパルス光であれば、レーザ強度が高
いため、一層容易に加工が進み、裏側の基板21の損傷
も小さい。裏側の基板21は有機フィルムやガラスであ
ればレーザ光を透過するため、光変換材料19を通過し
たレーザ光12より受ける損傷も小さい。
Since the substrate 20 is an organic film, the substrate 20 is easily broken by the ejected matter, and the processing proceeds in the depth direction. If the laser light 12 is pulsed light, since the laser intensity is high, the processing proceeds more easily, and the damage to the substrate 21 on the back side is small. If the substrate 21 on the back side is an organic film or glass, the laser light is transmitted therethrough, so that the substrate 21 on the back side is less damaged by the laser light 12 that has passed through the light conversion material 19.

【0047】なお、レーザ光を照射する基板20がレー
ザ光12の吸収体であっても良いことは言うまでもな
い。
It goes without saying that the substrate 20 for irradiating the laser light may be an absorber of the laser light 12.

【0048】(実施例5)本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第5の実施例を図7
を参照しながら説明する。第5の実施例が第4の実施例
と異なる点はシンチレータ16を保持治具22によって
空中に保持したことである。この方式でも、第4の実施
例と同様に反射レーザ光または噴出物によるシンチレー
タ16の再加工を防ぐことができる。
(Embodiment 5) A fifth embodiment of the radiation converting element, the method of manufacturing the same, and the radiation imaging apparatus according to the present invention is shown in FIG.
Will be described with reference to. The difference between the fifth embodiment and the fourth embodiment is that the scintillator 16 is held in the air by a holding jig 22. Also in this method, reprocessing of the scintillator 16 due to the reflected laser light or ejected matter can be prevented as in the fourth embodiment.

【0049】(実施例6)本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第6の実施例を図8
を参照しながら説明する。第6の実施例が第4あるいは
第5の実施例と異なる点は、線状のパターンを有するマ
スク23を通過したレーザ光12をシンチレータ16上
に縮小結像投影することである。これにより、まず線状
の加工が施される。つぎに前記パターンと直交する線状
パターンを有するマスク24を回転機構25により交換
し、パターンを結像させる。シンチレータ16を移動さ
せ、これらの加工を繰り返すことでシンチレータ16上
に格子状の加工を施すことができる。縮小投影法では、
複雑な微細パターンの加工も可能となる。
(Sixth Embodiment) A sixth embodiment of the radiation converting element, the method for manufacturing the same, and the radiation imaging apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.
Will be described with reference to. The sixth embodiment differs from the fourth or fifth embodiment in that the laser light 12 that has passed through the mask 23 having a linear pattern is reduced and image-projected onto the scintillator 16. Thereby, first, linear processing is performed. Next, the mask 24 having a linear pattern orthogonal to the above pattern is replaced by the rotating mechanism 25, and the pattern is imaged. By moving the scintillator 16 and repeating these processes, a lattice-shaped process can be performed on the scintillator 16. In reduced projection,
It is also possible to process complicated fine patterns.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上のように本発明は、X線または放射
線を光に変換する素子と、前記素子により変換された光
を映像信号に変換する光検出パネルとから構成され、前
記光検出パネルの画素を少なくとも1つ含む大きさに前
記素子を格子状に分割し、前記素子の分割面と前記光検
出パネルとを相対させ、前記素子の分割領域内に光検出
パネルの画素を少なくとも一つ含むように両者を組み立
てるか、X線または放射線を透過する基板上に、X線ま
たは放射線を光に変換する層を形成し、前記光変換層を
格子状に加工するか、X線または放射線を光に変換する
素子上にパターニングされた保護層を形成し、前記素子
上に粒子または粒子線を照射し、保護層間から露出する
素子部分を除去するか、X線または放射線を光に変換す
る素子上に収束した粒子線を照射し、前記素子を格子状
に加工するか、X線または放射線を光に変換する粉体材
料を両面から基板で挟んだ三層構造の素子に対し、一方
の面からレーザ光を照射して前記素子を格子状に加工す
るか、粒子線を線状のマスクパターンを通過させ、X線
または放射線を光に変換する素子上に前記マスクパター
ンを結像させ、つぎに前記パターンと直交させて前記線
状のマスクパターンを結像させた粒子線を照射し、前記
素子を格子状に加工するか、レーザ発振器と、前記レー
ザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、X線または放射線を光に変換する素子を保持するた
めに前記レーザ光に対して透過性の高い材料で作られた
治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に
移動させながら加工するか、レーザ発振器と、前記レー
ザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、X線または放射線を光に変換する素子を空中に保持
する治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対
的に移動させながら加工することにより、高解像度・高
感度の放射線撮像装置を高速かつ容易に製造することが
できる優れた放射線変換素子とその製造方法および放射
線撮像装置を実現できるものである。
As described above, the present invention comprises an element for converting X-rays or radiation into light and a light detection panel for converting the light converted by the element into an image signal. The element is divided into a lattice shape in a size including at least one pixel, the division surface of the element and the photodetection panel are made to face each other, and at least one pixel of the photodetection panel is provided in the division region of the element. Assembling them so as to include them, or forming a layer that converts X-rays or radiation into light on a substrate that transmits X-rays or radiation, and processing the light conversion layer into a lattice shape, or A device for forming a patterned protective layer on a device for converting to light and irradiating the device with particles or particle beams to remove a device portion exposed from the protective layer, or a device for converting X-rays or radiation into light. Converge on By irradiating a particle beam and processing the element into a lattice shape, or for a three-layer structure element in which a powder material that converts X-rays or radiation into light is sandwiched between substrates on both sides, laser light is emitted from one side. The element is irradiated to process the element into a lattice shape, or a particle beam is passed through a linear mask pattern to form an image of the mask pattern on an element that converts X-rays or radiation into light. X-rays are irradiated with a particle beam in which the linear mask pattern is imaged to process the element into a lattice shape, or a laser oscillator and an optical device for converging laser light emitted from the laser oscillator; A jig made of a material having high transparency to the laser light for holding an element that converts a line or radiation into light is provided, and while moving the laser light irradiation unit and the element relatively. Process or laser Device, an optical device for converging the laser light emitted from the laser oscillator, and a jig for holding an element for converting X-rays or radiation into light in the air. It is possible to realize an excellent radiation conversion element capable of manufacturing a high-resolution and high-sensitivity radiation imaging apparatus at high speed and easily, a method of manufacturing the same, and a radiation imaging apparatus by processing while moving the radiation imaging apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるシンチレータの外観
FIG. 1 is an external view of a scintillator according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a),(b)は同シンチレータと光検出パネルの組
み立ての概念図
2 (a) and 2 (b) are conceptual diagrams of the assembly of the scintillator and the light detection panel.

【図3】(a)〜(c)は同サンドブラスト法によるシンチレ
ータの加工の工程概念図
3 (a) to (c) are conceptual diagrams of scintillator processing by the sandblasting method.

【図4】同サンドブラスト後のシンチレータを示す図FIG. 4 is a view showing a scintillator after the sandblasting.

【図5】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図FIG. 5 is a configuration diagram of a laser processing device of the scintillator.

【図6】(a),(b)は同三層構造のシンチレータの加工状
態の概念図
6 (a) and 6 (b) are conceptual diagrams of the processed state of the scintillator having the same three-layer structure.

【図7】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図FIG. 7 is a block diagram of a laser processing device of the scintillator.

【図8】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図FIG. 8 is a configuration diagram of a laser processing device of the scintillator.

【図9】(a)〜(d)は従来のシンチレータの結晶成長法の
工程概念図
9 (a) to 9 (d) are process conceptual diagrams of a conventional scintillator crystal growth method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 シンチレータ 2 光検出パネル 3 光検出パネルの画素 4 接着剤 5 基板 6 光変換層 7 レジスト 8 シリカ粒子 11 YAGレーザ発振器 15 レンズ 16 シンチレータ 17 ガラス板 18 移動機構 19 光変換材料 20 有機フィルム 21 基板 22 保持治具 23 マスク 24 マスク 1 Scintillator 2 Photodetection panel 3 Pixel of photodetection panel 4 Adhesive 5 Substrate 6 Photoconversion layer 7 Resist 8 Silica particle 11 YAG laser oscillator 15 Lens 16 Scintillator 17 Glass plate 18 Moving mechanism 19 Photoconversion material 20 Organic film 21 Substrate 22 Holding jig 23 Mask 24 Mask

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 康以知 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 眞梶 康彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 阿部 健 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasutoshi Omori 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Company (72) Inventor Ken Abe 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】X線または放射線を光に変換する素子と、
前記素子により変換された光を映像信号に変換する光検
出パネルを有し、前記光検出パネルの画素を少なくとも
1つ含む大きさに前記素子を格子状に分割し、前記素子
の分割面と前記光検出パネルとを相対させ、前記素子の
分割領域内に光検出パネルの画素を少なくとも一つ含む
ように両者を組み立てられたことを特徴とする放射線撮
像装置。
1. An element for converting X-rays or radiation into light,
A light detection panel for converting the light converted by the element into a video signal, and dividing the element in a grid shape to include at least one pixel of the light detection panel, A radiation imaging apparatus characterized in that both are assembled so that they are opposed to each other and at least one pixel of the photodetection panel is included in a divided region of the element.
【請求項2】前記素子は個片には分割されないことを特
徴とする請求項1記載の放射線撮像装置。
2. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the element is not divided into individual pieces.
【請求項3】前記素子と前記光検出パネルとを接着する
ことを特徴とする請求項1記載の放射線撮像装置。
3. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein the element and the light detection panel are bonded to each other.
【請求項4】X線または放射線を光に変換する素子であ
って、表面に複数の溝によって分割された分割面を有す
る放射線変換素子。
4. A radiation conversion element for converting X-rays or radiation into light, which has a dividing surface divided by a plurality of grooves on the surface.
【請求項5】X線または放射線を透過する基板上に、X
線または放射線を光に変換する層を形成し、前記光変換
層を格子状に加工することを特徴とする放射線変換素子
の製造方法。
5. An X-ray or a radiation-transparent substrate is provided with X-rays.
A method for manufacturing a radiation conversion element, comprising forming a layer for converting rays or radiation into light and processing the light conversion layer into a lattice shape.
【請求項6】前記光変換層を厚膜印刷法を用い、前記基
板上に形成することを特徴とする請求項5記載の放射線
変換素子の製造方法。
6. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 5, wherein the light conversion layer is formed on the substrate by a thick film printing method.
【請求項7】X線または放射線を光に変換する素子上に
パターニングされた保護層を形成し、前記素子上に粒子
または粒子線を照射し、保護層間から露出する素子部分
を除去することを特徴とする放射線変換素子の製造方
法。
7. A method of forming a patterned protective layer on an element for converting X-rays or radiation into light, irradiating the element with particles or a particle beam, and removing an element portion exposed from the protective layer. A method of manufacturing a radiation conversion element having a feature.
【請求項8】前記保護層の材料は照射される粒子または
粒子線に対して耐久性があり、かつ不透過性であること
を特徴とする請求項7記載の放射線変換素子の製造方
法。
8. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 7, wherein the material of the protective layer is durable and opaque to irradiated particles or particle beams.
【請求項9】前記保護層の材料としてフォトレジストを
用い、フォトリソグラフィー法によってパターニングを
行うことを特徴とする請求項8記載の放射線変換素子の
製造方法。
9. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 8, wherein a photoresist is used as a material of the protective layer, and patterning is performed by a photolithography method.
【請求項10】前記保護層は前記光変換層により変換さ
れた光を透過することを特徴とする請求項7記載の放射
線変換素子の製造方法。
10. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 7, wherein the protective layer transmits the light converted by the light conversion layer.
【請求項11】素子部分を除去後、保護層を除去するこ
とを特徴とする請求項7記載の放射線変換素子の製造方
法。
11. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 7, wherein the protective layer is removed after removing the element portion.
【請求項12】保護層を剥離剤を用いて除去することを
特徴とする請求項11記載の放射線変換素子の製造方
法。
12. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 11, wherein the protective layer is removed by using a release agent.
【請求項13】焼成によって保護層を分解除去すること
を特徴とする請求項11記載の放射線変換素子の製造方
法。
13. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 11, wherein the protective layer is decomposed and removed by firing.
【請求項14】X線または放射線を光に変換する素子上
に収束した粒子線を照射し、前記素子を格子状に加工す
ることを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
14. A method of manufacturing a radiation conversion element, which comprises irradiating an element for converting X-rays or radiation to light with a convergent particle beam and processing the element into a lattice shape.
【請求項15】粒子線はレーザ光であることを特徴とす
る請求項14記載の放射線変換素子の製造方法。
15. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 14, wherein the particle beam is laser light.
【請求項16】前記レーザ光はパルス光であることを特
徴とする請求項15記載の放射線変換素子の製造方法。
16. The method for manufacturing a radiation conversion element according to claim 15, wherein the laser light is pulsed light.
【請求項17】X線または放射線を光に変換する粉体材
料を両面から基板で挟んだ三層構造の素子に対し、一方
の面からレーザ光を照射して前記素子を格子状に加工す
ることを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
17. A device having a three-layer structure in which a powder material for converting X-rays or radiation into light is sandwiched between substrates on both sides, and a laser beam is irradiated from one face to process the device into a lattice shape. A method of manufacturing a radiation conversion element, comprising:
【請求項18】前記三層構造の素子のうち、少なくとも
レーザ光を照射する基板は有機フィルムであることを特
徴とする請求項17記載の放射線変換素子の製造方法。
18. The method for manufacturing a radiation conversion element according to claim 17, wherein among the elements having the three-layer structure, at least the substrate irradiated with laser light is an organic film.
【請求項19】レーザ光の波長は0.3〜5μmである
ことを特徴とする請求項18記載の放射線変換素子の製
造方法。
19. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 18, wherein the wavelength of the laser light is 0.3 to 5 μm.
【請求項20】前記三層構造の素子のうち、前記レーザ
光照射面裏側の基板は、前記レーザ光を透過することを
特徴とする請求項17記載の放射線変換素子の製造方
法。
20. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 17, wherein among the elements having the three-layer structure, the substrate on the back side of the laser light irradiation surface transmits the laser light.
【請求項21】粒子線を線状のマスクパターンを通過さ
せ、X線または放射線を光に変換する素子上に前記マス
クパターンを結像させ、つぎに前記パターンと直交させ
て前記線状のマスクパターンを結像させた粒子線を照射
し、前記素子を格子状に加工することを特徴とする放射
線変換素子の製造方法。
21. The linear mask is formed by passing a particle beam through a linear mask pattern to form an image of the mask pattern on an element for converting X-rays or radiation into light, and then making the mask orthogonal to the pattern. A method for manufacturing a radiation conversion element, which comprises irradiating a particle beam on which a pattern is imaged and processing the element into a lattice shape.
【請求項22】レーザ発振器と、前記レーザ発振器より
出射するレーザ光を収束させる光学装置と、X線または
放射線を光に変換する素子を保持するために前記レーザ
光に対して透過性の高い材料で作られた治具とを備え、
レーザ光の照射部と前記素子を相対的に移動させながら
加工することを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
22. A material having high transparency to the laser light for holding a laser oscillator, an optical device for converging laser light emitted from the laser oscillator, and an element for converting X-rays or radiation into light. Equipped with a jig made in
A method for manufacturing a radiation conversion element, characterized in that the radiation conversion section and the element are processed while relatively moving.
【請求項23】前記レーザ光に対して透過性の高い材料
はガラスであることを特徴とする請求項22記載の放射
線変換素子の製造方法。
23. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 22, wherein the material having high transparency to the laser light is glass.
【請求項24】レーザ発振器と、前記レーザ発振器より
出射するレーザ光を収束させる光学装置と、X線または
放射線を光に変換する素子を空中に保持する治具とを備
え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に移動させな
がら加工することを特徴とする放射線変換素子の製造方
法。
24. A laser beam irradiator, comprising a laser oscillator, an optical device for converging a laser beam emitted from the laser oscillator, and a jig for holding an element for converting X-rays or radiation into light in the air. And a method for manufacturing a radiation conversion element, which comprises processing while moving the element relatively.
【請求項25】前記素子の保持治具は移動機構によって
格子状に移動することを特徴とする請求項22または2
4記載の放射線変換素子の製造方法。
25. The holding jig for holding the element is moved in a lattice by a moving mechanism.
4. The method for manufacturing the radiation conversion element according to 4.
【請求項26】前記レーザ光は前記素子上を格子状に走
査されることを特徴とする請求項22または24記載の
放射線変換素子の製造方法。
26. The method of manufacturing a radiation conversion element according to claim 22, wherein the laser beam scans the element in a grid pattern.
JP7196350A 1995-08-01 1995-08-01 Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus Pending JPH0943356A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7196350A JPH0943356A (en) 1995-08-01 1995-08-01 Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7196350A JPH0943356A (en) 1995-08-01 1995-08-01 Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0943356A true JPH0943356A (en) 1997-02-14

Family

ID=16356386

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7196350A Pending JPH0943356A (en) 1995-08-01 1995-08-01 Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0943356A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452186B1 (en) 1999-07-23 2002-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Detector for the detection for electromagnetic radiation
JP2023177097A (en) * 2022-06-01 2023-12-13 Tdk株式会社 Electronic component manufacturing equipment and electronic component manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452186B1 (en) 1999-07-23 2002-09-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Detector for the detection for electromagnetic radiation
JP2023177097A (en) * 2022-06-01 2023-12-13 Tdk株式会社 Electronic component manufacturing equipment and electronic component manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5956382A (en) X-ray imaging array detector and laser micro-milling method for fabricating array
TW594846B (en) EUV-transparent interface structure
EP1654111B1 (en) Method for fabrication of a detector component using laser technology
KR0164246B1 (en) Radiation detector
US5492861A (en) Process for applying structured layers using laser transfer
TWI411487B (en) Laser processing of gallium arsenide wafers
JPH11186189A5 (en) Laser irradiation apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP2003164985A (en) Method and apparatus for simultaneous simultaneous melting of materials by laser light
US3984680A (en) Soft X-ray mask alignment system
KR20040022395A (en) Method for producting and applying an antiscatter grid or collimator to an x-ray or gamma detector
TW200811587A (en) Method and tool for patterning thin films on moving substrates
JPH10258383A (en) Linear laser beam optical system
US4231657A (en) Light-reflection type pattern forming system
JPH04348020A (en) Reflective X-ray exposure mask
JPH0943356A (en) Radiation conversion element, manufacturing method thereof, and radiation imaging apparatus
EP0342207A1 (en) Target positioning for minimum debris
JP2003167354A (en) Optical fabrication device and optical fabrication method for fabrication of inorganic transparent material by light-patterning
JPH0666251B2 (en) X-ray mask and method of manufacturing the same
EP0342208B1 (en) X-ray lithography system comprising a thin target
JP2002532895A (en) EUV irradiation system
JPH0961536A (en) Semiconductor radiation detection apparatus and manufacturing method thereof
JP2008264843A (en) Fine processing method that eliminates the influence of fine processing powder
CA1224839A (en) X-ray lithography
JP7601553B2 (en) Radiation detector and method for manufacturing the same
JPH0786559B2 (en) Optical element and microscope using the same