JPH0943356A

JPH0943356A - 放射線変換素子とその製造方法および放射線撮像装置

Info

Publication number: JPH0943356A
Application number: JP7196350A
Authority: JP
Inventors: Yukio Nishikawa; 幸男西川; Shinichi Mizuguchi; 信一水口; Junichi Hibino; 純一日比野; Yasuichi Oomori; 康以知大森; Yasuhiko Makaji; 康彦眞梶; Takeshi Abe; 健阿部
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-08-01
Filing date: 1995-08-01
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【目的】高解像度・高感度の放射線撮像装置を高速か
つ容易に製造することができる優れた放射線変換素子と
その製造方法及び放射線撮像装置を提供する。【構成】光を映像信号に変換する光検出パネル２の画
素３を少なくとも１つ含む大きさに、Ｘ線、放射線の光
変換素子のシンチレータ１を格子状に分割し、その分割
面と光検出パネルを相対させ、素子の分割領域内に光検
出パネルの画素を少なくとも一つ含むように接着し、格
子状の加工は素子上にパターニングされた保護層を形成
し、粒子または粒子線を照射し、保護層間の露出する素
子部分を除去するか、素子上に収束した粒子線を相対的
に移動照射するか、粒子線を線状のマスクパターンを通
過させ、素子上にマスクパターンを結像させることで、
格子状の分離層を設けてクロストークを防ぎ、広い面積
の高速加工を可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＸ線または放射線等を光
に変換する放射線変換素子とその製造方法および放射線
変換素子を用いた放射線撮像装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】放射線撮像装置はＸ線または放射線を光
に変換する素子（以下シンチレータと呼ぶ）と光検出パ
ネルを組み合わせて構成される。このような従来技術と
して、光検出パネルの全面にシンチレータを付けたもの
がある。シンチレータの材料としては、ＣｓＩや酸硫化
イットリウム・テルビウムなどがある。しかし、全面に
シンチレータを付けただけでは、シンチレータのクロス
トークにより解像度が低下し、また光検出パネルに損傷
を与えやすい欠点がある。

【０００３】これに対して、光ファイバプレートの上部
にシンチレータを付け、光ファイバプレートを通った光
を光検出パネルで受光する放射線撮像装置も知られてい
る。しかし、光ファイバプレートは高価であり、装置が
大型である。また、検出効率を上げるためにシンチレー
タを厚くすると解像度が低下しやすい。

【０００４】これらの欠点を克服するものとして、光フ
ァイバプレートの表面にエッチングで多数の凸凹を形成
し、突出したコアにシンチレータを成長させる方法が、
例えば特開昭６１−１８５８４４号公報および特開昭６
１−２２５６８４号公報に示されている。

【０００５】しかし、これらの方法は画素とコアを正確
に位置合わせして光結合することが困難であるとして、
光検出パネルの画素上に凸状パターンを形成し、その凸
状パターンの上面にシンチレータの柱状結晶を成長させ
る方法が、例えば図９に示すように特開平５−９３７８
０号公報において述べられている。図９において、４０
は画素、４１は凸状パターン、４２はマスク、４３は反
射膜、４４はシンチレータの柱状結晶、４５はコーティ
ング膜、４６は２次元光センサである。まず、ガラス基
板上に薄膜プロセスにより画素４０を配置した２次元光
検出パネルを形成する。光検出パネルの画素４０上に凸
状パターン４１を形成し、さらに凸状パターン４１の上
面にのみマスク４２を設け、凸状パターン４１の側面に
光反射膜４３を形成する。次に、マスク４２を除去し、
蒸着によりシンチレータの柱状結晶４４を凸状パターン
４１の上面に結晶成長させる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、蒸着によりシンチレータを結晶成長させ
るため、工程時間が長く、光検出パネルの不必要な部分
にも蒸着されたり、結晶同士が適切な間隔を保って成長
するのが困難であるという問題点を有していた。

【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、高解像度・高感度の放射線撮像装置を高速かつ容易
に製造することのできる放射線変換素子とその製造方法
および放射線撮像装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の第１の放射線変換素子とその製造方法および
放射線撮像装置は、Ｘ線または放射線を光に変換する素
子と、前記素子により変換された光を映像信号に変換す
る光検出パネルを有し、前記光検出パネルの画素を少な
くとも１つ含む大きさに前記素子を格子状に分割し、前
記素子の分割面と前記光検出パネルとを相対させ、前記
素子の分割領域内に光検出パネルの画素を少なくとも一
つ含むように両者を組み立てるものである。

【０００９】上記構成において、前記素子は個片には分
割されないことが好ましい。また、前記素子と前記光検
出パネルとを接着することが好ましい。

【００１０】また、接着剤は前記素子により変換された
光に対して透明であることが好ましい。

【００１１】本発明の第２の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、Ｘ線または放射線を透過
する基板上に、Ｘ線または放射線を光に変換する層を形
成し、前記光変換層を格子状に加工するものである。

【００１２】上記構成において、前記光変換層を厚膜印
刷法を用い、前記基板上に形成することが好ましい。

【００１３】本発明の第３の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、Ｘ線または放射線を光に
変換する素子上にパターニングされた保護層を形成し、
前記素子上に粒子または粒子線を照射し、保護層間から
露出する素子部分を除去するものである。

【００１４】上記構成において、前記保護層の材料は照
射される粒子または粒子線に対して耐久性があり、かつ
不透過性であることが好ましい。

【００１５】また、前記保護層の材料としてフォトレジ
ストを用い、フォトリソグラフィー法によってパターニ
ングを行うことが好ましい。

【００１６】また、前記保護層は前記光変換層により変
換された光を透過することが好ましい。

【００１７】また、素子部分を除去後、保護層を除去す
ることが好ましい。また、保護層を剥離剤を用いて除去
することが好ましい。

【００１８】また、焼成によって保護層を分解除去する
ことが好ましい。本発明の第４の放射線変換素子とその
製造方法および放射線撮像装置は、Ｘ線または放射線を
光に変換する素子上に収束した粒子線を照射し、前記素
子を格子状に加工するものである。

【００１９】上記構成において、粒子線はレーザ光であ
ることが好ましい。また、前記レーザ光はパルス光であ
ることが好ましい。

【００２０】本発明の第５の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、Ｘ線または放射線を光に
変換する粉体材料を両面から基板で挟んだ三層構造の素
子に対し、一方の面からレーザ光を照射して前記素子を
格子状に加工するものである。

【００２１】上記構成において、前記三層構造の素子の
うち、少なくともレーザ光を照射する基板は有機フィル
ムであることが好ましい。

【００２２】また、レーザ光の波長は０．３〜５μｍで
あることが好ましい。また、前記三層構造の素子のう
ち、前記レーザ光照射面裏側の基板は、前記レーザ光を
透過することが好ましい。

【００２３】本発明の第６の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、粒子線を線状のマスクパ
ターンを通過させ、Ｘ線または放射線を光に変換する素
子上に前記マスクパターンを結像させ、つぎに前記パタ
ーンと直交させて前記線状のマスクパターンを結像させ
た粒子線を照射し、前記素子を格子状に加工するもので
ある。

【００２４】本発明の第７の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、レーザ発振器と、前記レ
ーザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、Ｘ線または放射線を光に変換する素子を保持するた
めに前記レーザ光に対して透過性の高い材料で作られた
治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に
移動させながら加工するものである。

【００２５】上記構成において、レーザ光に対して透過
性の高い材料はガラスであることが好ましい。

【００２６】本発明の第８の放射線変換素子とその製造
方法および放射線撮像装置は、レーザ発振器と、前記レ
ーザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、Ｘ線または放射線を光に変換する素子を空中に保持
する治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対
的に移動させながら加工するものである。

【００２７】上記構成において、前記素子の保持治具は
移動機構によって格子状に移動することが好ましい。

【００２８】また、前記レーザ光は前記素子上を格子状
に走査されることが好ましい。

【００２９】

【作用】この構成によって、シンチレータに格子状の分
離層を設けることでクロストークを防ぎ、高解像度・高
感度の放射線撮像装置を提供できる。しかも、粒子また
は粒子線を照射する方式により、広い面積を高速に加工
できるため、高い生産性を実現することができる。

【００３０】

【実施例】

（実施例１）本発明の放射線変換素子とその製造方法お
よび放射線撮像装置の第１の実施例を図１と図２を参照
しながら説明する。図１は格子状に分割されたＸ線また
は放射線を光に変換する素子（以下シンチレータと呼
ぶ）の外観である。

【００３１】図１において、１はシンチレータで、板状
の焼結体である。シンチレータ１には焼結時または焼結
後に加工して格子状の溝１ａが形成されている。しか
し、シンチレータ１は溝１ａによって個片には分割され
ず、底面でつながっている。

【００３２】図２は、シンチレータと光検出パネルの組
み立ての概念図である。（ａ）は組み立て前、（ｂ）は
組み立て後である。２は光検出パネル、３は光検出パネ
ル２の画素、４は接着剤である。シンチレータ１の格子
状の分割部の大きさは画素３を含むことができるもので
ある。複数本の溝１ａによって表面が分割されたシンチ
レータ１の分割面と光検出パネル２の画素３とを対応さ
せ、接着する。接着剤４がシンチレータ１によって変換
された光に対して透明であれば、深さ方向に直進する光
については画素３に到達する。しかし斜め方向に進む光
については、シンチレータ１に形成された溝１ａの面１
ｂ（側面）で反射され、隣の画素には到達できずクロス
トークを防ぐことができる。

【００３３】（実施例２）本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第２の実施例を図３
を参照しながら説明する。図３は、サンドブラスト法に
よるシンチレータの加工の工程概念図である。

【００３４】（ａ）は加工前のシンチレータ、（ｂ）は
パターニングされた保護層を形成したシンチレータ、
（ｃ）はサンドブラスト法で加工中の構成図である。本
実施例で用いたシンチレータはＸ線または放射線を透過
するガラス基板５上に、Ｘ線または放射線を光に変換す
る層６を厚膜印刷法で形成したものである。基板は有機
フィルムであっても良い。（ｂ）の保護層の形成工程で
は、サンドブラスト耐性を有するレジスト７として東京
応化工業（株）製ＯＳＢＲ−８２Ｒと称されるネガ型液
状レジストを用いている。このレジスト７をスピンコー
ト法により光変換層６の上に約１５〜２０μｍ程度の膜
厚で塗布する。レジスト塗布後７０℃の温度で１５分間
乾燥する。

【００３５】次にサンドブラストで除去する格子状のパ
ターン以外が露光できるフォトマスクを密着させ、１５
ｍＪ／ｃｍ²の露光量で露光後、０．２重量％炭酸ナト
リウム水溶液をスプレーで吹き付けて現像し、純水で洗
浄するとパターンが得られる。

【００３６】（ｃ）のサンドブラスト工程では、シリカ
（ＳｉＯ₂）粒子８をサンドブラストマシーン（アルプ
スエンジニアリング社製）により、レジストパターン７
を形成した光変換層６上にブラスト圧力２ｋｇｆ／ｃｍ
²で吹き付け、レジスト７で被覆されていない部分を切
削する。レジスト７はサンドブラストに対して耐久性が
あり、かつ粒子を透過しないため、パターン下の光変換
層６は加工されない。シリカの粒子径を１０μｍ以下に
することで、光検出パネルの画素の間隔に対応した狭い
溝幅の加工が可能となる。切削後、レジストパターン７
をモノエタノールアミン系のレジスト剥離剤を用いて除
去すると図４のような構造となる。

【００３７】サンドブラスト耐性を有するレジストとし
て東京応化工業（株）製ＯＲＤＹＬ−ＢＦ２０５と称さ
れるネガ型ドライフィルムレジストを用いた場合にも、
同様の工程で切削が可能である。なお、除去の方法は剥
離剤を用いた方法に限定されるものではなく、例えばレ
ジストパターンを除去せず、焼成により燃焼させて除去
することも可能である。

【００３８】これらの実施例では、サンドブラストのマ
スクとしてフォトレジストを利用した。微細パターニン
グにはフォトレジストが最も望ましいが、サンドブラス
トで除去する溝状のパターン以外に、サンドブラスト耐
性がある例えばポリメタクリル酸メチルなどを溶解しペ
ースト状にした液体を、スクリーン印刷法などによって
塗布し、乾燥したものをサンドブラスト用マスクとして
利用しても同様の加工が可能である。

【００３９】保護層７の材料として、光変換層６により
変換された光を透過する材料を用いれば、保護層７を除
去せずに、そのまま光検出パネルと組み立てることも可
能である。

【００４０】また、加工手段として、イオン照射やプラ
ズマを用いたドライエッチングなどの方法を用いれば、
加工速度は遅いが、より一層微細な高精度加工が可能と
なる。

【００４１】（実施例３）本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第３の実施例を図５
を参照しながら説明する。図５は、シンチレータのレー
ザ加工装置の構成図である。

【００４２】図５において、１１はＹＡＧレーザ発振
器、１２はレーザ光、１３はコリメータ、１４は反射
鏡、１５はレンズ、１６はシンチレータ、１７はガラス
板、１８は移動機構である。レーザ発振器１１から出射
したレーザ光１２は、コリメータ１３により拡大され、
反射鏡１４によりレンズ１５に誘導され、シンチレータ
１６上に集光される。移動機構１８を移動させること
で、シンチレータ１６を格子状に加工することができ
る。しかし、例えば、シンチレータ１６にＣｓＩの板状
焼結体を用いると、レーザ光１２はシンチレータ１６を
通過できる。そのため、シンチレータ１６下にレーザ光
１２を反射したり吸収する材料を接触させると、反射レ
ーザ光または噴出物によりシンチレータ１６の裏面が再
加工され、表面状態は悪くなる。本実施例では、シンチ
レータ１６を保持するガラス板１７上は、波長１．０６
μｍのレーザ光をほとんど反射せず、また、ガラス板１
７下の移動機構が加工された場合の噴出物にもさらされ
ないため、シンチレータ１６の再加工を防ぐことができ
る。

【００４３】本実施例は、レーザ光の照射部とシンチレ
ータの相対的な移動を移動機構により行う方式である
が、レーザ光を反射鏡などで走査する方式でもよい。

【００４４】（実施例４）本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第４の実施例を図６
を参照しながら説明する。図６はシンチレータの加工状
態の概念図である。（ａ）は加工前、（ｂ）は加工後で
ある。第４の実施例が第３の実施例と異なる点はシンチ
レータとして、酸硫化イットリウム・テルビウム粉体の
光変換材料１９を基板２０と２１で挟んだ三層構造とし
たことである。

【００４５】三層構造とすることで、粉体材料の使用も
可能となる。この三層構造のシンチレータの一方の面か
らレンズ１５で集光したレーザ光１２を照射する。照射
側の基板２０に、例えばポリエチレン・テレフタレート
（ＰＥＴ）のような有機フィルムを用いると、波長０．
３〜５μｍのレーザ光を透過するため、微細加工に適し
たＹＡＧレーザ光を照射すると、光変換材料１９に吸収
される。光変換材料９のレーザ照射部は高温になり、噴
出する。

【００４６】基板２０は有機フィルムなので、噴出物に
よって容易に基板２０は破られ、深さ方向に加工が進
む。レーザ光１２はパルス光であれば、レーザ強度が高
いため、一層容易に加工が進み、裏側の基板２１の損傷
も小さい。裏側の基板２１は有機フィルムやガラスであ
ればレーザ光を透過するため、光変換材料１９を通過し
たレーザ光１２より受ける損傷も小さい。

【００４７】なお、レーザ光を照射する基板２０がレー
ザ光１２の吸収体であっても良いことは言うまでもな
い。

【００４８】（実施例５）本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第５の実施例を図７
を参照しながら説明する。第５の実施例が第４の実施例
と異なる点はシンチレータ１６を保持治具２２によって
空中に保持したことである。この方式でも、第４の実施
例と同様に反射レーザ光または噴出物によるシンチレー
タ１６の再加工を防ぐことができる。

【００４９】（実施例６）本発明の放射線変換素子とそ
の製造方法および放射線撮像装置の第６の実施例を図８
を参照しながら説明する。第６の実施例が第４あるいは
第５の実施例と異なる点は、線状のパターンを有するマ
スク２３を通過したレーザ光１２をシンチレータ１６上
に縮小結像投影することである。これにより、まず線状
の加工が施される。つぎに前記パターンと直交する線状
パターンを有するマスク２４を回転機構２５により交換
し、パターンを結像させる。シンチレータ１６を移動さ
せ、これらの加工を繰り返すことでシンチレータ１６上
に格子状の加工を施すことができる。縮小投影法では、
複雑な微細パターンの加工も可能となる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように本発明は、Ｘ線または放射
線を光に変換する素子と、前記素子により変換された光
を映像信号に変換する光検出パネルとから構成され、前
記光検出パネルの画素を少なくとも１つ含む大きさに前
記素子を格子状に分割し、前記素子の分割面と前記光検
出パネルとを相対させ、前記素子の分割領域内に光検出
パネルの画素を少なくとも一つ含むように両者を組み立
てるか、Ｘ線または放射線を透過する基板上に、Ｘ線ま
たは放射線を光に変換する層を形成し、前記光変換層を
格子状に加工するか、Ｘ線または放射線を光に変換する
素子上にパターニングされた保護層を形成し、前記素子
上に粒子または粒子線を照射し、保護層間から露出する
素子部分を除去するか、Ｘ線または放射線を光に変換す
る素子上に収束した粒子線を照射し、前記素子を格子状
に加工するか、Ｘ線または放射線を光に変換する粉体材
料を両面から基板で挟んだ三層構造の素子に対し、一方
の面からレーザ光を照射して前記素子を格子状に加工す
るか、粒子線を線状のマスクパターンを通過させ、Ｘ線
または放射線を光に変換する素子上に前記マスクパター
ンを結像させ、つぎに前記パターンと直交させて前記線
状のマスクパターンを結像させた粒子線を照射し、前記
素子を格子状に加工するか、レーザ発振器と、前記レー
ザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、Ｘ線または放射線を光に変換する素子を保持するた
めに前記レーザ光に対して透過性の高い材料で作られた
治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に
移動させながら加工するか、レーザ発振器と、前記レー
ザ発振器より出射するレーザ光を収束させる光学装置
と、Ｘ線または放射線を光に変換する素子を空中に保持
する治具とを備え、レーザ光の照射部と前記素子を相対
的に移動させながら加工することにより、高解像度・高
感度の放射線撮像装置を高速かつ容易に製造することが
できる優れた放射線変換素子とその製造方法および放射
線撮像装置を実現できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるシンチレータの外観
図

【図２】(a),(b)は同シンチレータと光検出パネルの組
み立ての概念図

【図３】(a)〜(c)は同サンドブラスト法によるシンチレ
ータの加工の工程概念図

【図４】同サンドブラスト後のシンチレータを示す図

【図５】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図

【図６】(a),(b)は同三層構造のシンチレータの加工状
態の概念図

【図７】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図

【図８】同シンチレータのレーザ加工装置の構成図

【図９】(a)〜(d)は従来のシンチレータの結晶成長法の
工程概念図

【符号の説明】

１シンチレータ２光検出パネル３光検出パネルの画素４接着剤５基板６光変換層７レジスト８シリカ粒子１１ＹＡＧレーザ発振器１５レンズ１６シンチレータ１７ガラス板１８移動機構１９光変換材料２０有機フィルム２１基板２２保持治具２３マスク２４マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大森康以知大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者眞梶康彦大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者阿部健大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ線または放射線を光に変換する素子と、
前記素子により変換された光を映像信号に変換する光検
出パネルを有し、前記光検出パネルの画素を少なくとも
１つ含む大きさに前記素子を格子状に分割し、前記素子
の分割面と前記光検出パネルとを相対させ、前記素子の
分割領域内に光検出パネルの画素を少なくとも一つ含む
ように両者を組み立てられたことを特徴とする放射線撮
像装置。
【請求項２】前記素子は個片には分割されないことを特
徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項３】前記素子と前記光検出パネルとを接着する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項４】Ｘ線または放射線を光に変換する素子であ
って、表面に複数の溝によって分割された分割面を有す
る放射線変換素子。
【請求項５】Ｘ線または放射線を透過する基板上に、Ｘ
線または放射線を光に変換する層を形成し、前記光変換
層を格子状に加工することを特徴とする放射線変換素子
の製造方法。
【請求項６】前記光変換層を厚膜印刷法を用い、前記基
板上に形成することを特徴とする請求項５記載の放射線
変換素子の製造方法。
【請求項７】Ｘ線または放射線を光に変換する素子上に
パターニングされた保護層を形成し、前記素子上に粒子
または粒子線を照射し、保護層間から露出する素子部分
を除去することを特徴とする放射線変換素子の製造方
法。
【請求項８】前記保護層の材料は照射される粒子または
粒子線に対して耐久性があり、かつ不透過性であること
を特徴とする請求項７記載の放射線変換素子の製造方
法。
【請求項９】前記保護層の材料としてフォトレジストを
用い、フォトリソグラフィー法によってパターニングを
行うことを特徴とする請求項８記載の放射線変換素子の
製造方法。
【請求項１０】前記保護層は前記光変換層により変換さ
れた光を透過することを特徴とする請求項７記載の放射
線変換素子の製造方法。
【請求項１１】素子部分を除去後、保護層を除去するこ
とを特徴とする請求項７記載の放射線変換素子の製造方
法。
【請求項１２】保護層を剥離剤を用いて除去することを
特徴とする請求項１１記載の放射線変換素子の製造方
法。
【請求項１３】焼成によって保護層を分解除去すること
を特徴とする請求項１１記載の放射線変換素子の製造方
法。
【請求項１４】Ｘ線または放射線を光に変換する素子上
に収束した粒子線を照射し、前記素子を格子状に加工す
ることを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
【請求項１５】粒子線はレーザ光であることを特徴とす
る請求項１４記載の放射線変換素子の製造方法。
【請求項１６】前記レーザ光はパルス光であることを特
徴とする請求項１５記載の放射線変換素子の製造方法。
【請求項１７】Ｘ線または放射線を光に変換する粉体材
料を両面から基板で挟んだ三層構造の素子に対し、一方
の面からレーザ光を照射して前記素子を格子状に加工す
ることを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
【請求項１８】前記三層構造の素子のうち、少なくとも
レーザ光を照射する基板は有機フィルムであることを特
徴とする請求項１７記載の放射線変換素子の製造方法。
【請求項１９】レーザ光の波長は０．３〜５μｍである
ことを特徴とする請求項１８記載の放射線変換素子の製
造方法。
【請求項２０】前記三層構造の素子のうち、前記レーザ
光照射面裏側の基板は、前記レーザ光を透過することを
特徴とする請求項１７記載の放射線変換素子の製造方
法。
【請求項２１】粒子線を線状のマスクパターンを通過さ
せ、Ｘ線または放射線を光に変換する素子上に前記マス
クパターンを結像させ、つぎに前記パターンと直交させ
て前記線状のマスクパターンを結像させた粒子線を照射
し、前記素子を格子状に加工することを特徴とする放射
線変換素子の製造方法。
【請求項２２】レーザ発振器と、前記レーザ発振器より
出射するレーザ光を収束させる光学装置と、Ｘ線または
放射線を光に変換する素子を保持するために前記レーザ
光に対して透過性の高い材料で作られた治具とを備え、
レーザ光の照射部と前記素子を相対的に移動させながら
加工することを特徴とする放射線変換素子の製造方法。
【請求項２３】前記レーザ光に対して透過性の高い材料
はガラスであることを特徴とする請求項２２記載の放射
線変換素子の製造方法。
【請求項２４】レーザ発振器と、前記レーザ発振器より
出射するレーザ光を収束させる光学装置と、Ｘ線または
放射線を光に変換する素子を空中に保持する治具とを備
え、レーザ光の照射部と前記素子を相対的に移動させな
がら加工することを特徴とする放射線変換素子の製造方
法。
【請求項２５】前記素子の保持治具は移動機構によって
格子状に移動することを特徴とする請求項２２または２
４記載の放射線変換素子の製造方法。
【請求項２６】前記レーザ光は前記素子上を格子状に走
査されることを特徴とする請求項２２または２４記載の
放射線変換素子の製造方法。