JPH0944773A - ガス異常監視装置 - Google Patents
ガス異常監視装置Info
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- JPH0944773A JPH0944773A JP7191696A JP19169695A JPH0944773A JP H0944773 A JPH0944773 A JP H0944773A JP 7191696 A JP7191696 A JP 7191696A JP 19169695 A JP19169695 A JP 19169695A JP H0944773 A JPH0944773 A JP H0944773A
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- Japan
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- gas
- pressure
- pressure sensor
- diaphragm
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガス設備内の微少なガスの漏洩監視機能、圧
力調整器の圧力調整機能の異常の有無等の判断機能を長
期間保証する。 【構成】 ガス異常監視装置の圧力検出手段として、高
吸水性樹脂からなる吸水部37を経由し、圧力センサ素
子のダイアフラム32に被測定気体を導入する圧力セン
サを用いている。これによって水分による経時変化を小
さくして長期間の信頼性を確保することができる。
力調整器の圧力調整機能の異常の有無等の判断機能を長
期間保証する。 【構成】 ガス異常監視装置の圧力検出手段として、高
吸水性樹脂からなる吸水部37を経由し、圧力センサ素
子のダイアフラム32に被測定気体を導入する圧力セン
サを用いている。これによって水分による経時変化を小
さくして長期間の信頼性を確保することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガス圧等の流体の圧力変
化を検知する手段として、小型・高性能・高信頼性の静
電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサを用いたガ
ス異常監視装置に関する。
化を検知する手段として、小型・高性能・高信頼性の静
電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサを用いたガ
ス異常監視装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、都市ガスあるいはLPガス設備の
安全性を向上するために、例えばガスメータについて
は、ガスメータから下流側で異常事態が発生した場合、
ガスの供給を自動的に遮断するガス異常監視装置をガス
メータの中に組み込むことが検討されている。また圧力
調整器については、圧力調整手段の調整圧異常やLPガ
スボンベからガスメータまでのガス漏洩検出等を安全管
理のチェックを自動的に行えるガス異常監視装置の組み
込みについて検討されている。LPガスの圧力調整器の
圧力調整機能が正常に動作している場合、ガス器具使用
状態ではガスの供給圧力は230〜330mmH2Oの間
に保たれており、ガス供給圧が正常であるかを圧力セン
サで監視している。またガス設備内でガス漏れ等の異常
がある場合、例えば遮断弁を動作させてガス配管を閉じ
ると、ガス圧がガス漏れによって徐々に低下(数mmH2
O〜数10mmH2O)するので、このガス圧低下を監視
することによってガス設備にガス漏れ等の異常が起こっ
ているかどうかを検知できる。
安全性を向上するために、例えばガスメータについて
は、ガスメータから下流側で異常事態が発生した場合、
ガスの供給を自動的に遮断するガス異常監視装置をガス
メータの中に組み込むことが検討されている。また圧力
調整器については、圧力調整手段の調整圧異常やLPガ
スボンベからガスメータまでのガス漏洩検出等を安全管
理のチェックを自動的に行えるガス異常監視装置の組み
込みについて検討されている。LPガスの圧力調整器の
圧力調整機能が正常に動作している場合、ガス器具使用
状態ではガスの供給圧力は230〜330mmH2Oの間
に保たれており、ガス供給圧が正常であるかを圧力セン
サで監視している。またガス設備内でガス漏れ等の異常
がある場合、例えば遮断弁を動作させてガス配管を閉じ
ると、ガス圧がガス漏れによって徐々に低下(数mmH2
O〜数10mmH2O)するので、このガス圧低下を監視
することによってガス設備にガス漏れ等の異常が起こっ
ているかどうかを検知できる。
【0003】圧力センサが組み込まれるこれらの装置
は、低温(−30℃)から高温(70℃)の温度や高湿
度(95%RH)や結露等の過酷な雰囲気に暴露される
ので、長期間(約10年間)にわたって電池で駆動する
ことができ、その間センサ特性が変動しないことが要求
される。
は、低温(−30℃)から高温(70℃)の温度や高湿
度(95%RH)や結露等の過酷な雰囲気に暴露される
ので、長期間(約10年間)にわたって電池で駆動する
ことができ、その間センサ特性が変動しないことが要求
される。
【0004】このような特性を満足できる圧力センサと
して、静電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサが
有望視されている。静電容量式圧力センサは、圧力によ
ってダイアフラムが変形し、電極間距離が変化すること
によって電極間に生ずる静電容量が変化することを利用
したものである。従来の静電容量式圧力センサ素子は、
下部電極3を形成した基板2及び上に加熱分解性物質を
コーティングし、上部電極4となる金属膜を形成したダ
イアフラム1と前記の基板2とを接着層5を介して加熱
接合する。真空中で加熱して加熱分解性物質を微細孔6
から除去することで特定の間隔を隔てた一対の電極が形
成されたもの(特開昭63−298130号公報)であ
った。
して、静電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサが
有望視されている。静電容量式圧力センサは、圧力によ
ってダイアフラムが変形し、電極間距離が変化すること
によって電極間に生ずる静電容量が変化することを利用
したものである。従来の静電容量式圧力センサ素子は、
下部電極3を形成した基板2及び上に加熱分解性物質を
コーティングし、上部電極4となる金属膜を形成したダ
イアフラム1と前記の基板2とを接着層5を介して加熱
接合する。真空中で加熱して加熱分解性物質を微細孔6
から除去することで特定の間隔を隔てた一対の電極が形
成されたもの(特開昭63−298130号公報)であ
った。
【0005】また半導体式圧力センサは、シリコンダイ
アフラム8が基台9に固定され、拡散抵抗7が表面に形
成されたシリコンダイアフラム8が圧力によって変形す
ると、ピエゾ抵抗効果によって拡散抵抗が変化すること
を利用したものである。従来の半導体式圧力センサは、
拡散抵抗体をガス中に含まれる水分や不純物から保護す
るためにゲル状の膜10でセンサチップの表面を被覆さ
れたもの(特開昭57−59389号公報)であった。
アフラム8が基台9に固定され、拡散抵抗7が表面に形
成されたシリコンダイアフラム8が圧力によって変形す
ると、ピエゾ抵抗効果によって拡散抵抗が変化すること
を利用したものである。従来の半導体式圧力センサは、
拡散抵抗体をガス中に含まれる水分や不純物から保護す
るためにゲル状の膜10でセンサチップの表面を被覆さ
れたもの(特開昭57−59389号公報)であった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来、ガ
スメータ及び圧力調整器等のガス異常監視装置に用いる
ことが可能なほどに、ガス圧力を高精度に検出できるこ
と、そして精度が長期間にわたって変化しないことを満
足できる、高性能・高信頼性の圧力センサがなかった。
すなわち、ガス中に含まれる水分や不純物の混入あるい
は配管継手からの水分や異物の混入によって、ガス配管
内部には水分や異物や不純物が存在しているために、こ
れらが圧力センサの感圧部であるダイアフラムに付着す
ると、ダイアフラム表面で結露したり低温時には凍結し
て、圧力センサーが急激に劣化するという課題があっ
た。
スメータ及び圧力調整器等のガス異常監視装置に用いる
ことが可能なほどに、ガス圧力を高精度に検出できるこ
と、そして精度が長期間にわたって変化しないことを満
足できる、高性能・高信頼性の圧力センサがなかった。
すなわち、ガス中に含まれる水分や不純物の混入あるい
は配管継手からの水分や異物の混入によって、ガス配管
内部には水分や異物や不純物が存在しているために、こ
れらが圧力センサの感圧部であるダイアフラムに付着す
ると、ダイアフラム表面で結露したり低温時には凍結し
て、圧力センサーが急激に劣化するという課題があっ
た。
【0007】静電容量式圧力センサで被測定気体と大気
圧との差圧(ゲージ圧)を検知する必要があり、大気導
入のための微細孔から水蒸気を含んだ気体の出入りがあ
った。微細孔から大気中の水分が電極間に拡散侵入する
と、電極間の容量が変化したり、対向した電極間の微小
なギャップで結露すると異常な特性を示すといった現象
があり、長期間にわたって圧力センサの精度を確保する
のが難しいという課題があった。
圧との差圧(ゲージ圧)を検知する必要があり、大気導
入のための微細孔から水蒸気を含んだ気体の出入りがあ
った。微細孔から大気中の水分が電極間に拡散侵入する
と、電極間の容量が変化したり、対向した電極間の微小
なギャップで結露すると異常な特性を示すといった現象
があり、長期間にわたって圧力センサの精度を確保する
のが難しいという課題があった。
【0008】また半導体式圧力センサも、大気中の水分
に含まれる微量のアルカリイオンなどが拡散抵抗体に付
着すると、拡散抵抗体の抵抗値を変化させるのでこのこ
とを防止するためにゲル状の膜をコーティングするが、
このゲル状の膜が温度変化で膨張・収縮することによっ
てヒステリシスが発生するために圧力センサの精度が悪
くなるという課題があった。
に含まれる微量のアルカリイオンなどが拡散抵抗体に付
着すると、拡散抵抗体の抵抗値を変化させるのでこのこ
とを防止するためにゲル状の膜をコーティングするが、
このゲル状の膜が温度変化で膨張・収縮することによっ
てヒステリシスが発生するために圧力センサの精度が悪
くなるという課題があった。
【0009】ガス異常監視装置でガス設備内のガス漏れ
等の異常を検知する方法として、ガス漏れがあると、ガ
スの圧力が徐々に低下するので、そのガス圧低下を監視
してガス圧の低下量が所定の値より大きければガス設備
にガス漏れ等の異常が起こっていると判断する方法があ
る。この場合圧力センサの精度が低いとガス圧の低下量
を大きくする(=長時間圧力低下を監視する)必要があ
るので、圧力測定及び正常・異常の判定時間が長くなり
ガス漏れの際にただちに対応できないという課題があっ
た。
等の異常を検知する方法として、ガス漏れがあると、ガ
スの圧力が徐々に低下するので、そのガス圧低下を監視
してガス圧の低下量が所定の値より大きければガス設備
にガス漏れ等の異常が起こっていると判断する方法があ
る。この場合圧力センサの精度が低いとガス圧の低下量
を大きくする(=長時間圧力低下を監視する)必要があ
るので、圧力測定及び正常・異常の判定時間が長くなり
ガス漏れの際にただちに対応できないという課題があっ
た。
【0010】さらに圧力センサの精度が低いと、ガス設
備内のガス漏れ等の異常を検知する時、圧力測定及び正
常・異常の判定時間が長くする必要があり、圧力センサ
が測定している間に圧力センサが消費する消費電力が大
きくなって電池の消耗が早いという課題があった。
備内のガス漏れ等の異常を検知する時、圧力測定及び正
常・異常の判定時間が長くする必要があり、圧力センサ
が測定している間に圧力センサが消費する消費電力が大
きくなって電池の消耗が早いという課題があった。
【0011】そして長期間動作させている間に圧力セン
サの特性が変動すると、定期的に圧力センサの特性を校
正・調整する必要があるので、圧力センサの校正・調整
に多大の労力とコストがかかり、ガス異常監視装置が非
常に高価になるという課題があった。
サの特性が変動すると、定期的に圧力センサの特性を校
正・調整する必要があるので、圧力センサの校正・調整
に多大の労力とコストがかかり、ガス異常監視装置が非
常に高価になるという課題があった。
【0012】本発明は、このような従来の課題を解決す
るもので、ガス異常監視装置において、ガス設備内のガ
ス圧を検出する圧力検出手段の精度を向上し、ガス設備
内のガス漏れ等の異常を判定する時間を短縮することを
第1の目的としたものである。
るもので、ガス異常監視装置において、ガス設備内のガ
ス圧を検出する圧力検出手段の精度を向上し、ガス設備
内のガス漏れ等の異常を判定する時間を短縮することを
第1の目的としたものである。
【0013】また第2の目的は、圧力検出手段の精度を
向上して、圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗
を抑制し、少ない電池で駆動させてガス異常監視装置の
小型化と低コスト化を実現することである。
向上して、圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗
を抑制し、少ない電池で駆動させてガス異常監視装置の
小型化と低コスト化を実現することである。
【0014】また第3の目的は、長期間の信頼性を確保
して、定期的な圧力センサの校正・調整を不要にするこ
とである。
して、定期的な圧力センサの校正・調整を不要にするこ
とである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸水
部と、表面に第一の電極が形成された電気絶縁性材料か
らなる固定基板と、第二の電極が表面に形成された電気
絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第一の電
極と前記第二の電極とが対向配置し前記第一の電極と前
記第二の電極との少なくとも一方の周縁部に接着層を形
成して前記固定基板とダイアフラムとを接合し、被測定
気体を前記吸水部を経由して前記ダイアフラムに導入す
る静電容量式圧力センサと、前記静電容量式圧力センサ
によってガス圧が検出されるガス設備と、前記ガス設備
のガス流量を検出する流量検出手段と、前記静電容量式
圧力センサと前記流量検出手段からの電気信号で前記ガ
ス設備の異常を判定する判定手段と、前記判定手段から
の信号により動作する動作手段とを備えたガス異常監視
装置である。
するために、高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸水
部と、表面に第一の電極が形成された電気絶縁性材料か
らなる固定基板と、第二の電極が表面に形成された電気
絶縁性弾性材料からなるダイアフラムと、前記第一の電
極と前記第二の電極とが対向配置し前記第一の電極と前
記第二の電極との少なくとも一方の周縁部に接着層を形
成して前記固定基板とダイアフラムとを接合し、被測定
気体を前記吸水部を経由して前記ダイアフラムに導入す
る静電容量式圧力センサと、前記静電容量式圧力センサ
によってガス圧が検出されるガス設備と、前記ガス設備
のガス流量を検出する流量検出手段と、前記静電容量式
圧力センサと前記流量検出手段からの電気信号で前記ガ
ス設備の異常を判定する判定手段と、前記判定手段から
の信号により動作する動作手段とを備えたガス異常監視
装置である。
【0016】また、上記ガス異常監視装置において、圧
力センサとして高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸
水部を備えた半導体式圧力センサを用いたものである。
力センサとして高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸
水部を備えた半導体式圧力センサを用いたものである。
【0017】また、上記の静電容量式圧力センサを用い
たガス異常監視装置において、ガス設備の内部にガス圧
を所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたものであ
る。
たガス異常監視装置において、ガス設備の内部にガス圧
を所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたものであ
る。
【0018】また、上記の半導体式圧力センサを用いた
ガス異常監視装置において、ガス設備の内部にガス圧を
所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたものであ
る。
ガス異常監視装置において、ガス設備の内部にガス圧を
所定の圧力に調整する圧力調整手段を備えたものであ
る。
【0019】
【作用】本発明は上記構成によって下記の作用を有す
る。
る。
【0020】ガス設備のガス圧と流量の変化を静電容量
式圧力センサ及び流量検出手段で絶えずモニターしてい
る。通常のガスの使用パターンとは異なったガス圧と流
量が検知され、それらの値が所定の値より大きければ、
ガス設備(例えばガス配管またはガス器具に異常ありと
判定手段が判断し、動作手段24を動作させる。例えば
遮断弁を動作させてガスの供給をストップする。)ここ
で用いる静電容量式圧力センサには、高吸水性樹脂の通
気性を有する吸水部が設けられており、被測定気体はこ
の吸収部を介してダイアフラムに作用しているため、水
分によるセンサ特性の経時変化が小さい。
式圧力センサ及び流量検出手段で絶えずモニターしてい
る。通常のガスの使用パターンとは異なったガス圧と流
量が検知され、それらの値が所定の値より大きければ、
ガス設備(例えばガス配管またはガス器具に異常ありと
判定手段が判断し、動作手段24を動作させる。例えば
遮断弁を動作させてガスの供給をストップする。)ここ
で用いる静電容量式圧力センサには、高吸水性樹脂の通
気性を有する吸水部が設けられており、被測定気体はこ
の吸収部を介してダイアフラムに作用しているため、水
分によるセンサ特性の経時変化が小さい。
【0021】すなわち、ガス設備内のガス圧を検出する
静電容量式圧力センサ(又は半導体式圧力センサ)にお
いて、圧力センサ素子の水分を長期間にわたって確実に
除去することで、センサの精度を向上するとともに、長
期間の信頼性を確保する。
静電容量式圧力センサ(又は半導体式圧力センサ)にお
いて、圧力センサ素子の水分を長期間にわたって確実に
除去することで、センサの精度を向上するとともに、長
期間の信頼性を確保する。
【0022】したがってこの圧力センサの精度向上は、
ガス設備内のガス漏れ等の異常の判定時間を短縮し、ま
た圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗を抑制
し、さらに、定期的な圧力センサの校正・調整を不要に
する。
ガス設備内のガス漏れ等の異常の判定時間を短縮し、ま
た圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗を抑制
し、さらに、定期的な圧力センサの校正・調整を不要に
する。
【0023】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例を図1、図2、
および図3を参照しながら説明する。
および図3を参照しながら説明する。
【0024】図1において、12は圧力調整器、13は
ガス異常監視装置、14はガス設備である。ガス異常監
視装置13は、静電容量式圧力センサ21と流量検出手
段22(例えば流量計)と判定手段23(例えばマイコ
ン)と動作手段24(例えば遮断弁)とで構成されてい
る。
ガス異常監視装置、14はガス設備である。ガス異常監
視装置13は、静電容量式圧力センサ21と流量検出手
段22(例えば流量計)と判定手段23(例えばマイコ
ン)と動作手段24(例えば遮断弁)とで構成されてい
る。
【0025】また図2において、ガスの漏洩検出は、動
作手段24(例えば遮断弁)を動作して、ガス設備14
を使用していない時の流量及び圧力変動の有無を流量検
出手段22及び静電容量式圧力センサ21で検出し、判
定手段23で判断することによって行う。すなわち微量
のガスが漏洩しているのであれば、ガス流量が0のとき
配管内のガス圧は時間と共にわずかずつ低下する。この
ガス圧のわずかな変化の状態を静電容量式圧力センサ2
1でモニターし、マイコン等の判定手段23で判定し、
圧力低下が所定の値より大きければ、ガス漏洩ありと判
断して、動作手段24(遮断弁)を動作させる。また判
定手段23がガス漏洩がないと判定したときは再び動作
手段24と静電容量式圧力センサ21と流量検出手段2
2とを動作させてガス設備14の圧力と流量を測定して
長期間のガス漏れをモニターする。
作手段24(例えば遮断弁)を動作して、ガス設備14
を使用していない時の流量及び圧力変動の有無を流量検
出手段22及び静電容量式圧力センサ21で検出し、判
定手段23で判断することによって行う。すなわち微量
のガスが漏洩しているのであれば、ガス流量が0のとき
配管内のガス圧は時間と共にわずかずつ低下する。この
ガス圧のわずかな変化の状態を静電容量式圧力センサ2
1でモニターし、マイコン等の判定手段23で判定し、
圧力低下が所定の値より大きければ、ガス漏洩ありと判
断して、動作手段24(遮断弁)を動作させる。また判
定手段23がガス漏洩がないと判定したときは再び動作
手段24と静電容量式圧力センサ21と流量検出手段2
2とを動作させてガス設備14の圧力と流量を測定して
長期間のガス漏れをモニターする。
【0026】次に静電容量式圧力センサ21を図3に基
づいて説明する。図3において、表面に第一の電極33
が形成された電気絶縁性材料の固定基板31と、第二の
電極34が表面に形成された電気絶縁性弾性材料からな
るダイアフラム32と、第一の電極33と第二の電極3
4との少なくとも一方の周縁部に形成した接着層35を
備え、第一の電極33と第二の電極34とが対向配置
し、かつ接着層35を介して固定基板31とダイアフラ
ム32とを接合してセンサ素子を作製する。高吸水性樹
脂を充填した吸水部37を設けたケース36をシール部
材38によりシーリングして、センサ素子を気密性の高
い容器に収納している。被測定気体を高吸水性樹脂から
なる吸水部37を経由してシール部材38でシールされ
たダイアフラム32に導入し、またもう一方の被測定気
体を高吸水性樹脂からなる吸水部37を経由してシール
部材38でシールされた固定基板31の圧力導入口40
を通してダイアフラム32に導入すると、双方の圧力差
に応じたダイアフラム32のたわみが発生する。このダ
イアフラム32のたわみによる固定基板31とダイアフ
ラム32間の容量変化は回路39を通すことで電気信号
として外部に取り出される。
づいて説明する。図3において、表面に第一の電極33
が形成された電気絶縁性材料の固定基板31と、第二の
電極34が表面に形成された電気絶縁性弾性材料からな
るダイアフラム32と、第一の電極33と第二の電極3
4との少なくとも一方の周縁部に形成した接着層35を
備え、第一の電極33と第二の電極34とが対向配置
し、かつ接着層35を介して固定基板31とダイアフラ
ム32とを接合してセンサ素子を作製する。高吸水性樹
脂を充填した吸水部37を設けたケース36をシール部
材38によりシーリングして、センサ素子を気密性の高
い容器に収納している。被測定気体を高吸水性樹脂から
なる吸水部37を経由してシール部材38でシールされ
たダイアフラム32に導入し、またもう一方の被測定気
体を高吸水性樹脂からなる吸水部37を経由してシール
部材38でシールされた固定基板31の圧力導入口40
を通してダイアフラム32に導入すると、双方の圧力差
に応じたダイアフラム32のたわみが発生する。このダ
イアフラム32のたわみによる固定基板31とダイアフ
ラム32間の容量変化は回路39を通すことで電気信号
として外部に取り出される。
【0027】ここで高吸水性樹脂からなる吸水部37
は、吸水して膨張しても被測定気体が通気できる間隙が
確保されるものが好ましく、例えば粒状のもの(図3に
図示)、繊維状のもの、あるいは繊維の間に粒状の樹脂
を充填したものが好ましく、ポリアクリル酸塩系、ポリ
ビニルアルコール系、イソブチレン−無水マレイン酸共
重合体系、ポリエーテル系などがある。また第二の電極
34の形状は、図3のように全面電極のものでもよい
し、電極を測定用電極(内側の電極)と参照用電極(外
側の電極)とに分離したものでもよい。
は、吸水して膨張しても被測定気体が通気できる間隙が
確保されるものが好ましく、例えば粒状のもの(図3に
図示)、繊維状のもの、あるいは繊維の間に粒状の樹脂
を充填したものが好ましく、ポリアクリル酸塩系、ポリ
ビニルアルコール系、イソブチレン−無水マレイン酸共
重合体系、ポリエーテル系などがある。また第二の電極
34の形状は、図3のように全面電極のものでもよい
し、電極を測定用電極(内側の電極)と参照用電極(外
側の電極)とに分離したものでもよい。
【0028】上記の静電容量式圧力センサ21をガス異
常監視装置13に組み込み、ガス配管からわずかな漏れ
があるように疑似的に作製したガス配管システムを用い
て、経過時間とガス圧との関係を調べた。すなわちガス
設備14の実際のガス圧が200mmH2O(別の基準の
圧力センサで測定)であったものを、ガス設備14のコ
ックと動作手段24としての遮断弁を閉にしてガス流量
を0にした状態でガス異常監視装置13とガス設備14
との間のガス配管の圧力変化を調べた結果、ガス圧が約
10秒で3mmH2O低下したことが測定でき、ガス配管
からのわずかな漏れの有無を短時間で検知することがで
きた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別することが
できたので、ガス異常監視装置の消費電力を低減するこ
とができ、電池を10年間交換する必要がなかった。ま
た高温高湿試験(温度60℃、湿度95%RH、100
0時間)とサイクル試験(温度70℃*1時間保持、温
度−30℃*1時間保持を1サイクルとしトータル50
0サイクル)を行った後も、正常に動作した。さらに寒
冷地及び高温多湿地で実地テストを行った結果、同様に
10年間以上正常に動作し、定期的な圧力センサの校正
を必要としなかったのでランニングコストを低減するこ
とができた。
常監視装置13に組み込み、ガス配管からわずかな漏れ
があるように疑似的に作製したガス配管システムを用い
て、経過時間とガス圧との関係を調べた。すなわちガス
設備14の実際のガス圧が200mmH2O(別の基準の
圧力センサで測定)であったものを、ガス設備14のコ
ックと動作手段24としての遮断弁を閉にしてガス流量
を0にした状態でガス異常監視装置13とガス設備14
との間のガス配管の圧力変化を調べた結果、ガス圧が約
10秒で3mmH2O低下したことが測定でき、ガス配管
からのわずかな漏れの有無を短時間で検知することがで
きた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別することが
できたので、ガス異常監視装置の消費電力を低減するこ
とができ、電池を10年間交換する必要がなかった。ま
た高温高湿試験(温度60℃、湿度95%RH、100
0時間)とサイクル試験(温度70℃*1時間保持、温
度−30℃*1時間保持を1サイクルとしトータル50
0サイクル)を行った後も、正常に動作した。さらに寒
冷地及び高温多湿地で実地テストを行った結果、同様に
10年間以上正常に動作し、定期的な圧力センサの校正
を必要としなかったのでランニングコストを低減するこ
とができた。
【0029】次に本発明の第2の実施例を図1、図2、
及び図4を用いて説明する。ガス異常監視装置13で、
圧力センサとして半導体式圧力センサ21Aを用いたこ
とが第1の実施例との相違点であり、その他の構成、動
作は第1の実施例と同じである。
及び図4を用いて説明する。ガス異常監視装置13で、
圧力センサとして半導体式圧力センサ21Aを用いたこ
とが第1の実施例との相違点であり、その他の構成、動
作は第1の実施例と同じである。
【0030】図4は図1の静電容量式圧力センサ21の
代わりに用いた半導体式圧力センサ21Aの断面図であ
る。
代わりに用いた半導体式圧力センサ21Aの断面図であ
る。
【0031】図4において、センサ素子は拡散抵抗43
が表面に形成されたシリコンダイアフラム41と、拡散
抵抗43に被測定気体の圧力を伝える圧力導入口50を
有し、シリコンダイアフラム41と陽極接合してシリコ
ンダイアフラム41を支持する基台42とを備えてい
る。高吸水性樹脂を充填した吸水部を設けたケース46
をシール部材48によりシーリングして、センサ素子を
気密性の高い容器に収納した。被測定気体を高吸水性樹
脂からなる吸水部47を経由してシール部材48でシー
ルされたダイアフラム41に導入し、またもう一方の被
測定気体を高吸水性樹脂からなる吸水部47を経由して
シール部材48でシールされた基台42の圧力導入口4
0を通してダイアフラム41に導入すると、双方の圧力
差に応じたダイアフラム41のたわみが発生する。この
ダイアフラム41のたわみによる拡散抵抗43の抵抗変
化は、ダイアフラム41の周辺に形成された回路49を
通すことで電気信号として外部に取り出される。ここで
高吸水性樹脂からなる吸水部47は、吸水して膨張して
も被測定気体が通気できる間隙が確保されるものが好ま
しく、例えば粒状のもの(図4に図示)や繊維状のもの
を充填することが好ましい。
が表面に形成されたシリコンダイアフラム41と、拡散
抵抗43に被測定気体の圧力を伝える圧力導入口50を
有し、シリコンダイアフラム41と陽極接合してシリコ
ンダイアフラム41を支持する基台42とを備えてい
る。高吸水性樹脂を充填した吸水部を設けたケース46
をシール部材48によりシーリングして、センサ素子を
気密性の高い容器に収納した。被測定気体を高吸水性樹
脂からなる吸水部47を経由してシール部材48でシー
ルされたダイアフラム41に導入し、またもう一方の被
測定気体を高吸水性樹脂からなる吸水部47を経由して
シール部材48でシールされた基台42の圧力導入口4
0を通してダイアフラム41に導入すると、双方の圧力
差に応じたダイアフラム41のたわみが発生する。この
ダイアフラム41のたわみによる拡散抵抗43の抵抗変
化は、ダイアフラム41の周辺に形成された回路49を
通すことで電気信号として外部に取り出される。ここで
高吸水性樹脂からなる吸水部47は、吸水して膨張して
も被測定気体が通気できる間隙が確保されるものが好ま
しく、例えば粒状のもの(図4に図示)や繊維状のもの
を充填することが好ましい。
【0032】上記の半導体式圧力センサ21Aをガス異
常監視装置13に組み込み、ガス配管からわずかな漏れ
があるように疑似的に作製したガス配管システムを用い
て、経過時間とガス圧との関係を調べた。すなわちガス
異常監視装置13の実際のガス圧が200mmH2O(別
の基準の圧力センサで測定)であったものを、ガス設備
14のコックと動作手段24としての遮断弁を閉にして
ガス流量を0にした状態でガス異常監視装置13とガス
設備14との間のガス配管の圧力変化を調べた結果、ガ
ス圧が約15秒で3mmH2O低下したことが測定でき、
ガス配管からのわずかな漏れの有無を短時間で検知する
ことができた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別す
ることができたので、ガス異常監視装置の消費電力を低
減することができ、電池を10年間交換する必要がなか
った。また高温高湿試験(温度60℃、湿度95%R
H、1000時間)とサイクル試験(温度70℃*1時
間保持、温度−30℃*1時間保持を1サイクルとしト
ータル500サイクル)を行った後も、正常に動作し
た。さらに寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った
結果、同様に10年間以上正常に動作し、定期的な圧力
センサの校正を必要としなかったのでランニングコスト
を低減することができた。上記の半導体式圧力センサ2
1Aを用いた場合、回路49をダイアフラム周辺に形成
することができるので圧力センサを小型にすることがで
き、ガス異常監視装置をさらに小型化することができ
た。
常監視装置13に組み込み、ガス配管からわずかな漏れ
があるように疑似的に作製したガス配管システムを用い
て、経過時間とガス圧との関係を調べた。すなわちガス
異常監視装置13の実際のガス圧が200mmH2O(別
の基準の圧力センサで測定)であったものを、ガス設備
14のコックと動作手段24としての遮断弁を閉にして
ガス流量を0にした状態でガス異常監視装置13とガス
設備14との間のガス配管の圧力変化を調べた結果、ガ
ス圧が約15秒で3mmH2O低下したことが測定でき、
ガス配管からのわずかな漏れの有無を短時間で検知する
ことができた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別す
ることができたので、ガス異常監視装置の消費電力を低
減することができ、電池を10年間交換する必要がなか
った。また高温高湿試験(温度60℃、湿度95%R
H、1000時間)とサイクル試験(温度70℃*1時
間保持、温度−30℃*1時間保持を1サイクルとしト
ータル500サイクル)を行った後も、正常に動作し
た。さらに寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った
結果、同様に10年間以上正常に動作し、定期的な圧力
センサの校正を必要としなかったのでランニングコスト
を低減することができた。上記の半導体式圧力センサ2
1Aを用いた場合、回路49をダイアフラム周辺に形成
することができるので圧力センサを小型にすることがで
き、ガス異常監視装置をさらに小型化することができ
た。
【0033】次に、本発明の第3の実施例を図3、図5
および図6を参照しながら説明する。
および図6を参照しながら説明する。
【0034】図5において、11はガス供給源、13は
ガス異常監視装置、14はガス設備である。ガス異常監
視装置13は、圧力調整手段20、静電容量式圧力セン
サ21と流量検出手段22(例えば流量計)と判定手段
23(例えばマイコン)と動作手段24(例えば遮断
弁)とで構成されている。
ガス異常監視装置、14はガス設備である。ガス異常監
視装置13は、圧力調整手段20、静電容量式圧力セン
サ21と流量検出手段22(例えば流量計)と判定手段
23(例えばマイコン)と動作手段24(例えば遮断
弁)とで構成されている。
【0035】また図6において、本装置がスタートして
いる状態では、ガス供給源11から供給され圧力調整手
段20で調圧されたガス圧は静電容量式圧力センサ21
で測定され(ステップ1)、流量検出手段22で流量を
測定してガス流量があることを確認して(ステップ
2)、通常のガスの使用パターンをマイコン等の判定手
段23に記憶させる。ガス圧と流量の変化を静電容量式
圧力センサ21及び流量検出手段22で絶えずモニター
し、通常のガスの使用パターンとは異なったガス圧と流
量が検知されると、それらの値が所定の値より大きけれ
ば、ガス異常監視装置13の圧力調整手段20に異常あ
りと判定手段23が判断する(ステップ3)。ガス設備
に異常あり判断すると、動作手段24(例えば遮断弁)
を動作させてガス供給をストップする(ステップ4)。
またガス設備を点検して異常を取り除くかあるいは異常
がないことが確認されれば、再び圧力測定動作(ステッ
プ1)に戻り、継続して測定・判定を行うことにより、
ガス異常監視装置13の圧力調整手段20の長期間の変
化をモニターする。
いる状態では、ガス供給源11から供給され圧力調整手
段20で調圧されたガス圧は静電容量式圧力センサ21
で測定され(ステップ1)、流量検出手段22で流量を
測定してガス流量があることを確認して(ステップ
2)、通常のガスの使用パターンをマイコン等の判定手
段23に記憶させる。ガス圧と流量の変化を静電容量式
圧力センサ21及び流量検出手段22で絶えずモニター
し、通常のガスの使用パターンとは異なったガス圧と流
量が検知されると、それらの値が所定の値より大きけれ
ば、ガス異常監視装置13の圧力調整手段20に異常あ
りと判定手段23が判断する(ステップ3)。ガス設備
に異常あり判断すると、動作手段24(例えば遮断弁)
を動作させてガス供給をストップする(ステップ4)。
またガス設備を点検して異常を取り除くかあるいは異常
がないことが確認されれば、再び圧力測定動作(ステッ
プ1)に戻り、継続して測定・判定を行うことにより、
ガス異常監視装置13の圧力調整手段20の長期間の変
化をモニターする。
【0036】図5において第1の実施例と同じ静電容量
式圧力センサ21を用いた場合、圧力調整手段20によ
る調整圧が315mmH2O(別の基準の圧力センサで測
定)であったものを、1mmH2O以下の精度で測定で
き、調整圧に異常がないことを約30秒で判定すること
ができた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別するこ
とができたので、ガス異常監視装置としての消費電力を
低減することができ、電池を10年間交換する必要がな
かった。また高温高湿試験(温度60℃、湿度95%R
H、1000時間)とサイクル試験(温度70℃*1時
間保持、温度−30℃*1時間保持を1サイクルとしト
ータル500サイクル)を行った後も、正常に動作し
た。さらに寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った
結果、同様に10年間以上正常に動作し、定期的な圧力
センサの校正を必要としなかったのでランニングコスト
を低減することができた。
式圧力センサ21を用いた場合、圧力調整手段20によ
る調整圧が315mmH2O(別の基準の圧力センサで測
定)であったものを、1mmH2O以下の精度で測定で
き、調整圧に異常がないことを約30秒で判定すること
ができた。短時間でガスの圧力変動を検知・判別するこ
とができたので、ガス異常監視装置としての消費電力を
低減することができ、電池を10年間交換する必要がな
かった。また高温高湿試験(温度60℃、湿度95%R
H、1000時間)とサイクル試験(温度70℃*1時
間保持、温度−30℃*1時間保持を1サイクルとしト
ータル500サイクル)を行った後も、正常に動作し
た。さらに寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った
結果、同様に10年間以上正常に動作し、定期的な圧力
センサの校正を必要としなかったのでランニングコスト
を低減することができた。
【0037】次に本発明の第4の実施例を図4、図5及
び図6を用いて説明する。ガス異常監視装置で、圧力セ
ンサとして半導体式圧力センサ21Aを用いたことが第
3の実施例との相違点であり、その他の構成、動作は第
3の実施例と同じである。
び図6を用いて説明する。ガス異常監視装置で、圧力セ
ンサとして半導体式圧力センサ21Aを用いたことが第
3の実施例との相違点であり、その他の構成、動作は第
3の実施例と同じである。
【0038】図4は図5の静電容量式圧力センサ21の
代わりに用いた半導体式圧力センサ21Aの断面図であ
る。
代わりに用いた半導体式圧力センサ21Aの断面図であ
る。
【0039】上記の半導体式圧力センサ21Aを用いた
場合、回路49をダイアフラム周辺に形成することがで
きるので圧力センサを小型にすることができ、ガス異常
監視装置をさらに小型化することができた。また、圧力
調整手段20による調整圧が305mmH2O(別の基準
の圧力センサで測定)であったものを、1mmH2O以下
の精度で測定でき、調整圧に異常がないことを約40秒
で判定することができた。短時間でガスの圧力変動を検
知・判別することができたので、圧力センサ及びガス異
常監視装置の消費電力を低減することができ、電池を1
0年間交換する必要がなかった。また高温高湿試験(温
度60℃、湿度95%RH、1000時間)とサイクル
試験(温度70℃*1時間保持、温度−30℃*1時間
保持を1サイクルとしトータル500サイクル)を行っ
た後も、正常に動作した。さらに寒冷地及び高温多湿地
で実地テストを行った結果、同様に10年間以上正常に
動作し、定期的な圧力センサの校正を必要としなかった
のでランニングコストを低減することができた。
場合、回路49をダイアフラム周辺に形成することがで
きるので圧力センサを小型にすることができ、ガス異常
監視装置をさらに小型化することができた。また、圧力
調整手段20による調整圧が305mmH2O(別の基準
の圧力センサで測定)であったものを、1mmH2O以下
の精度で測定でき、調整圧に異常がないことを約40秒
で判定することができた。短時間でガスの圧力変動を検
知・判別することができたので、圧力センサ及びガス異
常監視装置の消費電力を低減することができ、電池を1
0年間交換する必要がなかった。また高温高湿試験(温
度60℃、湿度95%RH、1000時間)とサイクル
試験(温度70℃*1時間保持、温度−30℃*1時間
保持を1サイクルとしトータル500サイクル)を行っ
た後も、正常に動作した。さらに寒冷地及び高温多湿地
で実地テストを行った結果、同様に10年間以上正常に
動作し、定期的な圧力センサの校正を必要としなかった
のでランニングコストを低減することができた。
【0040】次に比較例として、吸水部37がない静電
容量式圧力センサ21を用いたガス異常監視装置につい
て図7を用いて説明する。
容量式圧力センサ21を用いたガス異常監視装置につい
て図7を用いて説明する。
【0041】セラミックからなる固定基板2及びダイア
フラム1を用意し、固定基板2とダイアフラム1に第一
の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金レジネートを
スクリーン印刷法で形成後、脱脂・焼成して作製した。
固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融点のガラ
スフリットを印刷して固定基板1に接着層5を形成し、
第一の電極3と第二の電極4とが対向するように配置し
た状態で、加熱荷重成形を行って、接着層5を介して固
定基板2とダイアフラム1とを一体接合したセンサ素子
を作製した。高吸水性樹脂からなる吸水部を設けずに、
センサ素子に直接ガスが当たるようにしたケースに装填
して高温高湿試験を100時間行うと、初期容量が5
5.435pFであったものが、56.814pFと大
きく変化した。また初期容量が54.794pFであっ
たセンサを温度70℃を1時間保持し、温度−30℃を
1時間保持するのを1サイクルとするサイクル試験を1
00回繰り返すと56.123pFであり、大きく変化
した。
フラム1を用意し、固定基板2とダイアフラム1に第一
の電極3と第二の電極4としてそれぞれ金レジネートを
スクリーン印刷法で形成後、脱脂・焼成して作製した。
固定基板とほとんど同じ熱膨張係数をもつ低融点のガラ
スフリットを印刷して固定基板1に接着層5を形成し、
第一の電極3と第二の電極4とが対向するように配置し
た状態で、加熱荷重成形を行って、接着層5を介して固
定基板2とダイアフラム1とを一体接合したセンサ素子
を作製した。高吸水性樹脂からなる吸水部を設けずに、
センサ素子に直接ガスが当たるようにしたケースに装填
して高温高湿試験を100時間行うと、初期容量が5
5.435pFであったものが、56.814pFと大
きく変化した。また初期容量が54.794pFであっ
たセンサを温度70℃を1時間保持し、温度−30℃を
1時間保持するのを1サイクルとするサイクル試験を1
00回繰り返すと56.123pFであり、大きく変化
した。
【0042】そして第3の実施例と同じガス異常監視装
置にこの静電容量式圧力センサを組み込んだ場合、同様
の高温高湿試験(温度60℃、湿度95%RH、100
0時間)とサイクル試験(温度70℃*1時間保持、温
度−30℃*1時間保持を1サイクルとしトータル50
0サイクル)を行った後、圧力調整器の実際の調整圧が
315mmH2O(別の基準の圧力センサで測定)である
にも関わらず圧力調整手段が異常であると判断した。ま
た寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った結果、約
5年経過したときに異常な動作をした。
置にこの静電容量式圧力センサを組み込んだ場合、同様
の高温高湿試験(温度60℃、湿度95%RH、100
0時間)とサイクル試験(温度70℃*1時間保持、温
度−30℃*1時間保持を1サイクルとしトータル50
0サイクル)を行った後、圧力調整器の実際の調整圧が
315mmH2O(別の基準の圧力センサで測定)である
にも関わらず圧力調整手段が異常であると判断した。ま
た寒冷地及び高温多湿地で実地テストを行った結果、約
5年経過したときに異常な動作をした。
【0043】なお本発明のガス異常監視装置において、
静電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサの各種材
料(ダイアフラム、固定基板、電極等)、センサ形状
(径、電極パターン、厚み、ギャップ、ダイアフラム
等)、吸水部の材料や設置場所、回路構成、測定圧力、
各種信頼性試験方法、ガス異常監視装置の構成等は本実
施例に限定されるものではない。
静電容量式圧力センサ及び半導体式圧力センサの各種材
料(ダイアフラム、固定基板、電極等)、センサ形状
(径、電極パターン、厚み、ギャップ、ダイアフラム
等)、吸水部の材料や設置場所、回路構成、測定圧力、
各種信頼性試験方法、ガス異常監視装置の構成等は本実
施例に限定されるものではない。
【0044】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
ガス異常監視装置によれば次の効果が得られる。
ガス異常監視装置によれば次の効果が得られる。
【0045】本発明のガス異常監視装置において、ガス
設備内のガス圧を検出する、静電容量式圧力センサ及び
半導体式圧力センサにおいて、被測定気体を高吸水性樹
脂からなる吸水部を経由してセンサ素子のダイアフラム
に導入することで、圧力センサ素子の水分を長期間にわ
たって確実に除去することで、センサの精度を向上する
とともに、水分によるセンサ特性の経時変化を小さくし
て長期間の信頼性を確保することができる。
設備内のガス圧を検出する、静電容量式圧力センサ及び
半導体式圧力センサにおいて、被測定気体を高吸水性樹
脂からなる吸水部を経由してセンサ素子のダイアフラム
に導入することで、圧力センサ素子の水分を長期間にわ
たって確実に除去することで、センサの精度を向上する
とともに、水分によるセンサ特性の経時変化を小さくし
て長期間の信頼性を確保することができる。
【0046】圧力検出手段の精度が向上することで、ガ
ス設備内のガス漏れ等の異常の判定時間を短縮すること
ができる。
ス設備内のガス漏れ等の異常の判定時間を短縮すること
ができる。
【0047】また圧力検出手段の精度が向上すること
で、圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗を抑制
し、少ない電池で駆動させてガス異常監視装置の小型化
と低コスト化を実現することができる。
で、圧力センサの動作時間を短くして電池の消耗を抑制
し、少ない電池で駆動させてガス異常監視装置の小型化
と低コスト化を実現することができる。
【0048】また圧力検出手段の長期間の信頼性が確保
されることで、定期的な圧力センサの校正・調整を不要
にすることができる。
されることで、定期的な圧力センサの校正・調整を不要
にすることができる。
【図1】本発明の第1又は第2の実施例のガス異常監視
装置を示すブロック図
装置を示すブロック図
【図2】同装置のフローチャート
【図3】同装置に用いた静電容量式圧力センサの断面図
【図4】同装置に用いた半導体式圧力センサの断面図
【図5】本発明の第3又は第4の実施例のガス異常監視
装置を示すブロック図
装置を示すブロック図
【図6】同装置のフローチャート
【図7】従来の静電容量式圧力センサの断面図
【図8】従来の半導体式圧力センサの断面図
12 圧力調整器 13 ガス異常監視装置 14 ガス設備 20 圧力調整手段 21 静電容量式圧力センサ 21A 半導体式圧力センサ 22 流量検出手段 23 判定手段 24 動作手段 31 固定基板 32 ダイアフラム 33 第一の電極 34 第二の電極 35 接着層 37 吸水部 40 圧力導入口 41 シリコンダイアフラム 42 基台
Claims (4)
- 【請求項1】高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸水
部、表面に第一の電極が形成された電気絶縁性材料から
なる固定基板及び第二の電極が表面に形成された電気絶
縁性弾性材料からなるダイアフラムを有し、前記第一の
電極と前記第二の電極とが対向配置し前記第一の電極と
前記第二の電極との少なくとも一方の周縁部に接着層を
形成して前記固定基板とダイアフラムとを接合し、被測
定気体を前記吸水部を経由して前記ダイアフラムに導入
する静電容量式圧力センサと、前記静電容量式圧力セン
サによってガス圧が検出されるガス設備と、前記ガス設
備のガス流量を検出する流量検出手段と、前記静電容量
式圧力センサと前記流量検出手段からの電気信号で前記
ガス設備の異常を判定する判定手段と、前記判定手段か
らの信号により動作する動作手段とを備えたガス異常監
視装置。 - 【請求項2】高吸水性樹脂からなり通気性を有した吸水
部、拡散抵抗が表面に形成されたシリコンダイアフラム
及び前記シリコンダイアフラムと陽極接合して前記シリ
コンダイアフラムを支持すると共にこのシリコンダイア
フラムに圧力を伝える圧力導入口を設けた基台を有し、
被測定気体を前記吸水部を経由して前記ダイアフラムに
導入する半導体式圧力センサと、前記半導体式圧力セン
サによってガス圧が検出されるガス設備と、前記ガス設
備のガス流量を検出する流量検出手段と、前記半導体式
圧力センサと前記流量検出手段からの電気信号で前記ガ
ス設備の異常を判定する判定手段と、前記判定手段から
の信号により動作する動作手段とを備えたガス異常監視
装置。 - 【請求項3】ガス設備の内部にガス圧を所定の圧力に調
整する圧力調整手段を備えた請求項1記載のガス異常監
視装置。 - 【請求項4】ガス設備の内部にガス圧を所定の圧力に調
整する圧力調整手段を備えた請求項2記載のガス異常監
視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191696A JPH0944773A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ガス異常監視装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191696A JPH0944773A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ガス異常監視装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944773A true JPH0944773A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16278956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7191696A Pending JPH0944773A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | ガス異常監視装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944773A (ja) |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP7191696A patent/JPH0944773A/ja active Pending
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