JPH0944835A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低コストで、高い生産性を図りながら、ベー
スフィルムの平滑化と低摩擦化を両立させ、しかも、目
的とする電磁変換特性が得られる磁気記録媒体を提供し
ようとするものである。 【解決手段】 非磁性支持体１上に球状粒子２を有する
結合剤３からなる塗布皮膜である下塗り層が形成され、
この下塗り層上に強磁性金属薄膜が真空薄膜形成技術に
より形成される磁気記録媒体に適用される。そして、球
状粒子２の直径が５０ｎｍ以上、或いは、１００ｎｍ以
上、５００ｎｍ以下であり、且つ、球状粒子２のガラス
転移点Ｔｇが１４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着、スパッタ等
の真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を磁性層とし
て非磁性支持体上に形成したいわゆる薄膜型の磁気記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、酸化
物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩
化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、
ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を非磁性支持体上に塗布、乾燥する
ことにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く使用
されている。

【０００３】これに対して、ビデオテープレコーダー
（ＶＴＲ）等の分野においては、高画質化を図るため
に、高密度磁気記録化が一層強く要求されており、これ
に対応する磁気記録媒体として、Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ−Ｏ系等の金属磁性材料を、メッ
キや真空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング
法、イオンプレーティング法等）によってポリエステル
フィルムやポリアミド、ポリイミドフィルム等の非磁性
支持体上に磁性層として直接被着した、いわゆる強磁性
金属薄膜塗布型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。

【０００４】この強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体は、
保磁力や角形比及び短波長領域における電磁変換特性に
優れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるため
に記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、
磁性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要が
ないために磁性材料の充填密度を高くできる等、数々の
利点を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記蒸着等
の真空薄膜形成技術を用いて強磁性磁気記録用薄膜を形
成する磁気記録媒体において、非磁性支持体であるベー
スフィルムは、良好な電磁変換特性を得るためにその表
面が極めて平滑であることが必要である。ただし、平滑
すぎると、摩擦係数が大きくなり凝着現象（いわゆる貼
り付き）等の不都合を生じる。

【０００６】このため、従来の強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体においては、ベースフィルムの表面に、ＳｉＯ
₂ 等の無機物や、蒸着等の熱の負荷の高い製造工程で突
起高さを高く維持するようなガラス転移点Ｔｇの比較的
高い有機物を用い、これら球状粒子と結合剤を含有する
下塗り層を塗布して、ベースフィルムの平滑さと磁気記
録媒体として必要な低摩擦化を両立させていた。

【０００７】しかしながら、ＳｉＯ₂ 等の無機物は、材
料費として高く、高コストとなる。このため、ガラス転
移点Ｔｇの比較的高い有機物を用いた球状粒子を有する
下塗り層が使用されるが、この場合は、その表面粒子が
小さい平滑性のために摩擦等が高く、ベースフィルムの
量産性が問題となる。したがって、磁気記録媒体の製作
が高コストなものとならざるを得なかった。

【０００８】特に、最近の高密度記録の進展に伴い、電
磁変換特性の高い磁気記録媒体の要求が強まるにつれ
て、本質的に短記録波長における出力について有利な金
属薄膜媒体は、その低コスト化が待望されている。しか
し、磁気記録媒体の製作が高コストとなることは、その
高密度記録の進展の実現が困難なものとなる。

【０００９】そこで、本発明は、低コストで、高い生産
性を図りながら、ベースフィルムの平滑化と低摩擦化を
両立させ、しかも、目的とする電磁変換特性が得られる
磁気記録媒体を提供しようとするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、非磁性支持体上に
球状粒子と結合剤とを含有する下塗り層が形成され、こ
の下塗り層上に強磁性金属薄膜が蒸着等の真空薄膜形成
技術により形成される磁気記録媒体において、製造過程
に着目し、球状粒子のガラス転移点Ｔｇを選択すると、
真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成される際
の熱の負荷が、球状粒子の表面高さを適度な高さに抑え
ることができ、このことが生産性に優れるとともに、目
的とする電磁変換特性が得られることを見い出した。

【００１１】そこで、本発明は、非磁性支持体上に球状
粒子と結合剤とを含有する下塗り層が形成され、この下
塗り層上に強磁性金属薄膜が真空薄膜形成技術により形
成される磁気記録媒体において、球状粒子の直径が５０
ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、且つ、球状粒子のガ
ラス転移点Ｔｇが１４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下であ
ることを特徴とする記球状粒子のガラス転移点Ｔｇが１
４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下であることを特徴とす
る。

【００１２】また、球状粒子の直径が、１００ｎｍ以
上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする。

【００１３】さらに、球状粒子の表面密度が、０．５万
個／ｍｍ² 以上、２．０万個／ｍｍ² 以下であることを
特徴とする。

【００１４】本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上
に、球状粒子と結合剤よりなる下塗り層、強磁性金属薄
膜が真空薄膜形成技術により形成されるものである。

【００１５】上記金属磁性層は、強磁性金属材料を被着
することにより形成されるものであるが、該強磁性金属
材料は、通常の蒸着テ−プに使用されるものであれば如
何なるものであってもよい。例示すれば、Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉなどの強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ａｕ，
Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃｒ，Ｃ
ｏ−Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金があげ
られる。金属磁性層は、これらの単層膜であってもよい
し多層膜であってもよい。さらに多層膜の場合には、各
層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、中間
層を設けてもよい。また、磁性層表面近傍が耐蝕性改善
等のために酸化物となっていてもよい。

【００１６】金属磁性層形成の手段としては、真空下で
強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着さ
せる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行
うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰
囲気中でグロー放電を越こし生じたアルゴンイオンでタ
ーゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆ
るＰＶＤ技術によればよい。

【００１７】また、上記非磁性支持体としては、通常こ
の種の磁気記録媒体の非磁性支持体として用いられるも
のであれば何れも使用可能であり、例示すれば、ポリエ
ステル類，ポリアミド類，ポリオレフィン類，ビニル系
樹脂，ポリイミド類，ポリアミド類，ポリカーボネート
等が挙げられる。

【００１８】さらに、下塗り層は、球状粒子を有する結
合剤からなる。球状粒子としては、ポリエチレン、ポリ
メチルメタクリレート等の有機質球状粒子等が好まし
い。また、結合剤としては、ポリエステル樹脂、フェノ
ール樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。

【００１９】このように、非磁性支持体であるベースフ
ィルム上に形成される球状粒子の直径が５０ｎｍ以上、
５００ｎｍ以下であり、好ましくは、１００ｎｍ以上、
５００ｎｍ以下である。

【００２０】球状粒子の直径が上記以外の場合には、真
空薄膜形成技術による成膜時、或いは、ロール状に巻き
取る時にガイドロール等との接触面積を低減せしめるこ
とができず、その結果、良好な低摩擦効果が得られず、
ベースフィルムの量産性が低下する。

【００２１】ただし、前記球状粒子は、ガラス転移点Ｔ
ｇが１４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下である必要があ
る。

【００２２】球状粒子のガラス転移点Ｔｇが１４０°Ｃ
よりも小さいと、強磁性金属薄膜を蒸着等の真空薄膜形
成技術により形成する際の熱の負荷により、球状粒子の
形状が維持されず磁気記録媒体に適度な表面粗さを与え
ることができず充分な耐久性を付与することができな
い。

【００２３】他方、球状粒子のガラス転移点Ｔｇが４０
０°Ｃよりも大きいと、強磁性金属薄膜を真空薄膜形成
技術により形成する際の熱の負荷によっても、球状粒子
の形状がそのまま維持されて表面高さが高くなるため
に、磁気記録媒体の平滑性が損なわれ、スペーシングロ
スが発生し易く、電磁変換特性の低下の原因となる。

【００２４】このように、本発明によれば、球状粒子の
直径が５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であり、好ましく
は、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることから、
真空薄膜形成技術による成膜時、或いは、ロール状に巻
き取る時にガイドロール等との接触面積を低減せしめる
ことができ、その結果、ベースフィルムの状態であって
も良好な低摩擦効果が得られ、高い生産性が得られる。

【００２５】しかも、球状粒子のガラス転移点Ｔｇを選
択することで、真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜
を形成せしめると、非磁性支持体の表面には高い熱の負
荷が加わり、表面の突起もガラス転移点Ｔｇを超える熱
の負荷によってその表面の高さが低くなる。

【００２６】したがって、低コスト、高い生産性を図り
ながら、球状粒子の突起高さを抑えるという効果によっ
て、目的とされる電磁変換特性を得られる。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明するが、本発明はこの実施例に限定
されるものではない。

【００２８】本実施例の磁気記録媒体は、図１に示すよ
うに、非磁性支持体であるベースフィルム１上に塗布皮
膜である下塗り層が形成されている。この非磁性支持体
であるベースフィルム１としては、厚さ１０ｎｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いた。

【００２９】また、下塗り層は、球状粒子２を有する。
この球状粒子２は、ベースフィルム１の表面に磁気記録
媒体として必要とされる耐久性を満たすために形成され
るものである。本実施例では、球状粒子２にポリスチレ
ンを使用した。また、前記結合剤３としては、ポリエス
テル樹脂を使用した。

【００３０】本実施例の球状粒子２の高さは、５０ｎｍ
以上、５００ｎｍ以下であり、０．５万個／ｍｍ² 以
上、２．０万個／ｍｍ² 以下の表面密度で形成されてい
る。また、結合剤３の塗布膜の厚さは、１０ｎｍ以上、
１００ｎｍ以下である。

【００３１】ところで、図２に示すように、非磁性支持
体上に磁性層として直接被着した、いわゆる強磁性金属
薄膜塗布型の磁気記録媒体の製造方法としては、ロール
状に巻かれた非磁性支持体であるベースフィルム１が送
り出される巻き出し、ルツボ４のなかの合金を電子ビー
ムで加熱し蒸発させ、ローラ６により回転されるベース
フィルム１の表面に磁性層を形成する蒸着膜の成膜、そ
して、磁気記録媒体が巻き取られる巻き取りがガイドロ
ール５を介して行われる。

【００３２】なお、強磁性金属薄膜の成膜は、蒸着等の
真空薄膜形成技術で使用した金属は、Ｃｏ−Ｎｉの合
金、成膜時に酸素を導入することで磁気記録媒体として
適当な磁性体になるようにした。この強磁性金属薄膜の
成膜後、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布す
る。

【００３３】このような製造工程において、上記球状粒
子２の高さが５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であるよう
なベースフィルム１は、表面に多数の粒子が突起として
存在し、真空薄膜形成技術による成膜、或いは、ロール
状に巻き取る時にガイドロール等との接触面積を低減せ
しめ、その結果、ベースフィルム１の状態であっても良
好な低摩擦効果のため、高い生産性が得られる。

【００３４】しかし、上記非磁性支持体は、上記のよう
な球状粒子の高さ、密度では金属薄膜媒体のベースフィ
ルムとして用いた場合には、表面の突起によっていわゆ
るスペーシングロスが発生し必要とする電磁変換特性が
得られない。

【００３５】ところが、本実施例によれば、特に、非磁
性支持体であるベースフィルム１上に形成される球状粒
子２のガラス転移点Ｔｇは２００°Ｃであるものが使用
されている。

【００３６】このような磁気記録媒体は、上記真空薄膜
形成技術により強磁性金属薄膜を形成せしめると、非磁
性支持体の表面には高い熱の負荷が加わり、表面の突起
もガラス転移点Ｔｇを超える熱の負荷によってその表面
の高さが低くなる。

【００３７】このように、本実施例は、強磁性金属薄膜
の成膜方法に着目し、これを巧みに利用したものあり、
したがって、低コストで生産性が良好で、しかも、摩耗
特性、電磁変換特性に優れる磁気記録媒体を提供するこ
とができる。

【００３８】実施例２ 実施例１と同じように、球状粒子２はポリスチレンであ
り、ガラス転移点Ｔｇは２００°Ｃである。しかし、実
施例１と異なり、球状粒子２の直径が２００ｎｍであ
り、球状粒子２の表面密度が２．０万個／ｍｍ² であ
る。その他の条件は、実施例１と同様である。

【００３９】そして、上記実施例１，２について、実験
により、後述する比較例１〜５とともに電磁変換特性、
摩擦、生産性を評価した。

【００４０】実施例１，２によれば、蒸着等の真空薄膜
形成技術により強磁性金属薄膜を形成せしめると、非磁
性支持体の表面には高い熱の負荷が加わり、表面の突起
もガラス転移点Ｔｇを超える熱の負荷によってその表面
の高さが低くなる。

【００４１】この実施例１，２においては、真空薄膜形
成技術における熱の負荷により球状粒子の高さは、磁性
薄膜層を形成する以前に比べると低くなる。すなわち、
表面の突起もガラス転移点Ｔｇを超える熱の負荷によっ
てその表面の高さが１／２以下に低くなった。

【００４２】したがって、従来のように、ＳｉＯ₂ 等の
無機物や、蒸着等の熱の負荷の高いプロセスで突起高さ
を維持するようなガラス転移点Ｔｇの比較的高い有機物
を用いた球状粒子２が表面に塗布されたものを下塗り層
として使用する場合と異なり、その平滑性から摩擦等が
高くなって、その製作に困難を伴うことがない。

【００４３】実験 本実験においては、本発明を適用した上記実施例１，２
と、電磁変換特性、摩擦、生産性を比較するために比較
例１〜５を用意した。そして、両者の比較から、後述す
るように、球状粒子２のガラス転移点Ｔｇ、球状粒子２
の直径、球状粒子２の表面密度等を考察実験した。その
結果を表１、表２に示す。

【００４４】ここに、表１は、塗布皮膜である下塗り層
が形成された状態の非磁性支持体であるベースフィルム
１の生産性を示したものであり、この表１のうちの生産
性の良好なサンプル２〜４のベースフィルム１を使って
表２の各磁気記録媒体を作成した。

【００４５】

【表１】

【００４６】表１の上記サンプル２〜４は、上記実施例
１，２の球状粒子２を塗布したものであり、表面の突起
が適度に大きいために摩擦低減効果が大きく、従って、
生産性が良好である。

【００４７】

【表２】

【００４８】比較例１ 球状粒子２にＳｉＯ₂を使用した。また、球状粒子２の
直径が３０ｎｍであり、球状粒子２の表面密度が１．０
万個／ｍｍ² である。その他の条件は、実施例１と同様
である。

【００４９】比較例２ 比較例１と同様、球状粒子２はＳｉＯ₂ を使用した。し
かし、球状粒子２の直径が８０ｎｍであり、球状粒子２
の表面密度が２．０万個／ｍｍ² である。その他の条件
は、実施例１と同様である。

【００５０】比較例３ 実施例１と同様、球状粒子２はポリスチレンであり、ガ
ラス転移点Ｔｇ２００°Ｃを使用した。また、実施例１
と同様、球状粒子２の表面密度が０．５万個／ｍｍ² で
ある。しかし、球状粒子２の直径が６００ｎｍである。
その他の条件は、実施例１と同様である。

【００５１】比較例４ 球状粒子２はポリスチレンであるが、実施例１と異な
り、ガラス転移点Ｔｇ１３０°Ｃを使用した。また、実
施例１と同様、球状粒子２の直径が４００ｎｍであり、
球状粒子２の表面密度が０．５万個／ｍｍ² である。そ
の他の条件は、実施例１と同様である。

【００５２】比較例５ 球状粒子２はポリスチレンであるが、実施例１と異な
り、ガラス転移点Ｔｇ５００°Ｃのものを使用した。ま
た、実施例１と同様、球状粒子２の直径が４００ｎｍで
あり、球状粒子２の表面密度が０．５万個／ｍｍ² であ
る。その他の条件は、実施例１と同様である。

【００５３】実験結果 まず、表１から明らかなように、実施例１，２では、上
記蒸着等の熱の負荷による表面平滑化の効果によって、
目的とする電磁変換特性が得られた。特に、実施例１
は、０ｄＢという良好な値を示した。このとき使用した
ベースフィルム１の量産性が極めて高く、ベースフィル
ム１のコストを大きく低減せしめる。

【００５４】これら実施例１，２は、ガラス転移点Ｔｇ
２００°Ｃという低い材料を使っており、蒸着等の真空
薄膜形成技術における熱の負荷により、球状粒子２の突
起高さが適度に低くなって、良好な電磁変換特性が得ら
れている。

【００５５】そこで、次に上記実施例１，２と比較例１
から５を比較して、以下の実験結果を得た。

【００５６】（１）まず、球状粒子２のガラス転移点Ｔ
ｇについて考察する。

【００５７】表２から明らかなように、球状粒子２のガ
ラス転移点Ｔｇが１３０°という低い比較例４では、ベ
ースフィルム１の量産性が良いが、非磁性支持体上に真
空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成するに際し
て、このガラス転移点Ｔｇ以上の温度がかかるため、粒
子の形状が維持されず、磁気記録媒体としての低摩擦化
が図られない。すなわち、球状粒子の直径が小さくなり
過ぎる。

【００５８】一方、球状粒子２のガラス転移点Ｔｇが５
００°という高い比較例５では、非磁性支持体上に真空
薄膜形成技術により強磁性金属薄膜を形成するに際して
も、球状粒子の形状がそのままで粒子の高さが低下しな
い。すなわち、球状粒子の直径が１／２以下にならな
い。

【００５９】したがって、上記球状粒子２のガラス転移
点Ｔｇは、１４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下であり、し
かも、強磁性金属薄膜を形成するに際の球状粒子の直径
が１／２以下であることが好ましいことが分かる。

【００６０】（２）次に、球状粒子２の直径について考
察する。

【００６１】比較例３では、ガラス転移点Ｔｇが実施例
１と同様であるが、球状粒子２の直径が６００ｎｍと大
きいために、電磁変換特性が低下している。すなわち、
この比較例３は、摩擦低減の効果も生産性も良いが、重
要な電磁変換特性が低下しており好ましくない。したが
って、球状粒子２の直径の上限は、５００ｎｍ以下が好
ましいことが分かる。

【００６２】一方、球状粒子２の直径が３０ｎｍである
比較例１の場合のベースフィルム１の量産性が良くな
い。したがって、球状粒子２の直径の下限は、５０ｎｍ
以上が好ましいことが分かる。

【００６３】さらに、比較例３の球状粒子２の直径が８
０ｎｍである場合は、電磁変換特性は良好であるが、ベ
ースフィルム１の量産性が良くないため、好ましくな
い。したがって、球状粒子の直径が１００ｎｍ以上が好
ましいことが分かる。

【００６４】よって、球状粒子の直径が５０ｎｍ以上、
５００ｎｍ以下であり、好ましくは、１００ｎｍ以上、
５００ｎｍ以下であることが分かる。

【００６５】（３）次いで、球状粒子２の種類は、無機
物であるＳｉＯ₂ を球状粒子２として使用した比較例
１、比較例２では、生産性が悪い。なお、比較例２で
は、球状粒子２が大きく摩擦等は改善されるものの、ベ
ースフィルム１の量産性という面で好ましくない。

【００６６】（４）また、球状粒子２の表面密度は、上
記実施例１，２から、０．５万個／ｍｍ² 以上であり
２．０万個／ｍｍ² 以下であることが好ましい。

【００６７】（５）さらに、球状粒子２の直径が３０ｎ
ｍである場合の比較例１の量産性が良くない。したがっ
て、球状粒子２の直径の下限は、５０ｎｍ以上が好まし
いことが分かる。

【００６８】（６）最後に、表１から明らかなように、
結合剤３の塗布皮膜の厚さは、１０ｎｍ以上であり１０
０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００６９】

【発明の効果】上述したように、本発明にかかる磁気記
録媒体は、球状粒子の直径が５０ｎｍ以上、或いは、１
００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることから、ベース
フィルムの表面に多数の粒子が適度な突起高さとして維
持されるために、良好な低摩擦効果のため、高い生産性
が得られる。

【００７０】しかも、球状粒子のガラス転移点Ｔｇが１
４０°Ｃ以上、４００°Ｃ以下であることから、真空薄
膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成される際の熱の
負荷が、球状粒子の表面突起高さを適度抑えることがで
き、摩耗特性、電磁変換特性の向上も図ることができ
る。

【００７１】したがって、本発明にかかる磁気記録媒体
は、低コストで、高い生産性を図りながら、ベースフィ
ルムの平滑化と低摩擦化を両立させ、しかも、目的とす
る電磁変換特性が得られる磁気記録媒体を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一の実施の形態を示すもので、ベース
フィルム上に下塗り層を形成する状態を模式的に示す断
面図である。

【図２】蒸着装置の一例を示す模式図である。

【符号の説明】

１ 非磁性支持体（ベースフィルム） ２ 球状粒子 ３ 結合剤

フロントページの続き (72)発明者 松村 伸一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に球状粒子と結合剤とを
   含有する下塗り層が形成され、この下塗り層上に強磁性
   金属薄膜が真空薄膜形成技術により形成される磁気記録
   媒体において、 球状粒子の直径が５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であ
   り、且つ、球状粒子のガラス転移点Ｔｇが１４０°Ｃ以
   上、４００°Ｃ以下であることを特徴とする磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】 球状粒子の直径が、１００ｎｍ以上、５
   ００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁
   気記録媒体。
3. 【請求項３】 球状粒子の表面密度が、０．５万個／ｍ
   ｍ² 以上、２．０万個／ｍｍ² 以下であることを特徴と
   する請求項１記載の磁気記録媒体。