JPH0836750A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 苛酷な仕様下においても満足な耐錆性、耐久
性を実現することが可能な磁気記録媒体の製造方法を提
供する。 【構成】 非磁性支持体１０２上に真空蒸着により磁性
層として形成された金属磁性薄膜上にスパッタリングに
より保護膜を形成するに際し、スパッタ時に真空槽１０
１内に導入されるアルゴンガス流量Ｌ_in（sccm）、排気
流量Ｌ_out （sccm）及び上記真空槽の容量Ｖ（cc）を、
Ｌ_out ／Ｖ 0.3 （min ^-1）、且つ2.0×10^-4 Ｌ_in／
Ｌ_out 2.0 ×10^-3とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属磁性薄膜を磁性層
とする磁気記録媒体の製造方法に関し、特に耐錆性に優
れた磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、非磁
性支持体上に酸化物磁性粉末或いは合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリ
エステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の有
機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布、乾燥す
ることにより製造される、所謂塗布型の磁気記録媒体が
広く使用されている。

【０００３】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｏ合金等の合金からなる金属磁性材料をメッキや真空
薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオン
プレーティング法等）によりポリエステルフィルムやポ
リアミドフィルム、ポリイミドフィルム等からなる非磁
性支持体上に直接被着せしめて磁性層を形成する、所謂
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案され注目を集めて
いる。

【０００４】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、短波長域における電磁変換特性
に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄くでき
るため記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと
や、磁性層中に非磁性材料であるバインダー等を混入す
る必要がないため磁性材料の充填密度を高めることがで
きること等、数々の利点を有する。

【０００５】かかる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体にお
いては、電磁変換特性の向上を図り、より大きな出力を
得ることを可能とするために、磁気記録媒体の磁性層を
形成する際に、金属磁性材料の蒸気を非磁性支持体の表
面に対して斜め方向から蒸着させる、所謂斜方蒸着法が
採用されている。この斜方蒸着法により磁性層が形成さ
れてなる磁気記録媒体は、磁性層の構造に起因してリン
グヘッドによる記録がしやすく、また記録減磁が少ない
という優れた特徴を有する。

【０００６】ところが、上述のような磁気記録媒体で
は、磁性層が金属材料からなっているため、耐錆性に問
題があると言われており、これまでにコーティングによ
る潤滑剤や防錆剤等の有機材料の検討や、微粒子を磁性
層形成前に予め非磁性支持体上に塗布する、所謂下塗り
技術の検討がなされている。

【０００７】しかしながら、上述のような方法では、特
殊な環境下における使用や業務用のような苛酷な仕様の
システムに利用される磁気記録媒体に対しては十分に満
足できる特性を得ることができず、新たな手法として真
空薄膜形成手段による表面保護膜の検討が行われてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、ス
パッタリング等の真空薄膜形成手段では、バックグラウ
ンド真空度、アルゴンガス導入量等の成膜条件が膜質に
大きく影響を及ぼし、バックグラウンド真空度は可能な
限り低いことが望ましく、アルゴンガス導入量は目的に
応じて最適量が存在することが知られている。

【０００９】また、保護膜においては、膜質は耐久性、
耐錆性といった実用特性を左右するものであり、不純物
を含まず、緻密な構造となることが重要である。

【００１０】しかしながら、これらの条件は、真空槽の
容量や排気ポンプの性能、コンダクタンス調整法の種類
といったスパッタ装置の性能に依存するものであり、い
ずれの装置を選択するかによって自ずと実現化能である
範囲が決まってしまう。

【００１１】従って、使用する装置の能力範囲内におい
て、アルゴンガスの導入量及び排気量を最適化すること
が重要となるが、これらの有効範囲を真空槽の容量まで
を含めて定量化した報告は未だない。

【００１２】そこで、本発明は、この問題を解決するこ
とを目的として提案されたものであり、苛酷な仕様下に
おいても満足な耐錆性、耐久性を実現することが可能な
磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体の
製造方法は、上述の目的を達成するために提案されたも
のである。

【００１４】即ち、本発明は、非磁性支持体上に真空蒸
着により金属磁性薄膜を形成した後、スパッタリングに
より保護膜を形成する磁気記録媒体の製造方法におい
て、上記スパッタリングを行うに際し、真空槽内に導入
されるアルゴンガス流量Ｌ_in（sccm）、排気流量Ｌ_out
（sccm）及び上記真空槽の容量Ｖ（cc）が、 Ｌ_out ／Ｖ≧0.3 （min ^-1）、且つ2.0 ×10^-4≦Ｌ_in／
Ｌ_out ≦2.0 ×10^-3 となることを特徴とするものである。

【００１５】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁
性支持体上に強磁性金属材料からなる金属磁性薄膜を磁
性層として形成した後、この金属磁性薄膜上にスパッタ
リングにより保護膜を形成するものである。

【００１６】上記非磁性支持体上には、強磁性金属材料
が直接被着されることにより金属磁性薄膜が磁性層とし
て形成されるが、ここで使用される強磁性金属材料とし
ては、通常の蒸着テープに使用されるものであれば如何
なるものであっても良い。

【００１７】例示するならば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強
磁性金属、Ｆｅ−Ｃｕ，Ｃｏ−Ｃｕ，Ｆｅ−Ｃｏ，Ｃｏ
−Ｎｉ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ，Ｃｏ−
Ａｕ，Ｃｏ−Ｐｔ，Ｍｎ−Ｂｉ，Ｍｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｃ
ｒ，Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ，
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ，Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ等の面内磁化記録強磁性
合金や、Ｃｏ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｔａ，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ，
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｖ，Ｃｏ−Ｏ等の垂直磁化記録強磁性合金
等が挙げられる。

【００１８】特に、面内磁化記録強磁性合金を使用する
場合には、予め非磁性支持体上にＢｉ，Ｓｂ，Ｐｂ，Ｓ
ｎ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｔｉ等の低融点非磁性材料から
なる下地膜を形成しておき、上記強磁性金属材料を垂直
方向から蒸着あるいはスパッタし、金属磁性薄膜中にこ
れらの低融点磁性材料を拡散せしめ、配向性を解消して
面内等方性を確保するとともに抗磁力を向上するように
しても良い。

【００１９】このような金属磁性薄膜の成膜方法として
は、真空下ディスク強磁性金属材料を加熱蒸発させ非磁
性支持体上に沈着させる真空蒸着法やアルゴンを主成分
とする雰囲気中でグロー放電を起こし生じたアルゴンイ
オンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタリング
法、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレー
ティング法等の所謂真空薄膜形成技術が使用可能である
が、これに限定されるものではない。

【００２０】上記磁性層は、これら強磁性金属材料から
なる金属磁性薄膜の単層膜であっても良いし、多層膜で
あっても良い。更には、非磁性支持体と金属磁性薄膜
間、或いは多層膜の場合には、各層間の付着力向上、並
びに抗磁力の制御等のため、下地層又は中間層を設けて
も良い。また、例えば磁性層表面近傍が耐蝕性改善等の
ために酸化物となっていても良い。

【００２１】この磁性層上には、スパッタリング法によ
り保護膜が形成される。

【００２２】このスパッタリングを行うに際し、真空槽
内に導入されるアルゴンガス流量Ｌ_in（sccm）、排気流
量Ｌ_out （sccm）及び上記真空槽の容量Ｖ（cc）が下記
式（１），（２）に示す関係を満たすようにする。

【００２３】 Ｌ_out ／Ｖ≧0.3 （min ^-1） ・・・（１） 且つ 2.0 ×10^-4≦Ｌ_in／Ｌ_out ≦2.0 ×10^-3 ・・・（２） これにより、不純物含有量の少ない、ち密な構造を有す
る保護膜が得られ、著しく耐錆性が向上する。

【００２４】但し、上記真空槽内が複数の成膜室に区分
され、それぞれに対して排気ポンプを有する場合、上記
排気流量Ｌ_out 及び上記真空槽の容量Ｖは、各成膜室毎
の値とする。

【００２５】ここで、上記保護膜の構成材料としては、
通常この種の磁気記録媒体において使用される保護膜材
料がいずれも使用可能であり、特に限定されない。例示
すればカーボン、Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＣｒＯ₂ ，ＳｉＯ₂ ，Ｓ
ｉ₃ Ｎ₄ ，ＳｉＮ_x ，ＳｉＮ_x −ＳｉＯ₂ ，ＢＮ，Ｚｒ
Ｏ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＭｏＳ₂ ，ＳｉＣ，ＴｉＣ，ＴｉＮ，
Ｃｏ酸化物，ＭｇＯ等が挙げられる。

【００２６】なお、このような保護膜は、単層膜であっ
ても良いし、多層膜であっても良い。

【００２７】以上のような磁気記録媒体の構成は、これ
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲での変更、例えば必要に応じてバックコート層を形
成したり、非磁性支持体表面に下塗層を形成したり、或
いは潤滑剤層、防錆剤層等の各種機能層を形成すること
は何等差支えない。この場合、バックコート層に含まれ
る非磁性顔料、樹脂結合剤、或いは潤滑剤層、防錆剤層
に含まれる材料としては従来公知のものがいずれも使用
可能である。

【００２８】上記非磁性支持体としては、この種の磁気
記録媒体において通常使用されている材料であれば特に
限定されず、具体的に例示するならばポリエステル類、
ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、
ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネート等に代
表されるような高分子材料により形成される高分子支持
体等がいずれも使用可能である。

【００２９】

【作用】非磁性支持体上に形成された金属磁性薄膜から
なる磁性層上にスパッタリングにより保護膜を形成する
際に、アルゴンガスの導入量及び排気量を真空槽の容量
との関係において所定の条件を満たすように最適化する
ことにより、不純物を含まず、緻密な構造を有する保護
膜が得られる。この結果、著しく耐錆性が向上する。

【００３０】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて、図面や実験結果をもとに詳細に説明する。

【００３１】本実施例は、デジタルＶＴＲ用として好適
な蒸着テープを作製するに際し、通常の斜め蒸着法によ
り金属磁性薄膜からなる磁性層を形成した後、アルゴン
ガスの導入量及び排気量を真空槽の容量との関係におい
て所定の条件下に制御してスパッタリングを行って保護
膜を形成した例である。

【００３２】先ず、下記に示すように予め下塗りが施さ
れたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる非
磁性支持体上に、図１に示すような真空蒸着装置を用い
て酸素雰囲気中で下記の条件にてＣｏを斜め蒸着し、膜
厚０．２μｍの金属磁性薄膜を磁性層として被着形成し
た。

【００３３】＜使用した非磁性支持体＞ 材質 ：ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ） 下塗り ：アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテ
ックスを塗布（密度 １０００万個／ｍｍ² ） ＜蒸着条件＞ インゴット ：Ｃｏ₁₀₀ （数値は重量％を表す。） 入射角 ：４５〜９０° テープ速度 ：２５ｍ／分 磁性層の膜厚 ：０．２μｍ 酸素導入量 ：６００ｓｃｃｍ 蒸着時真空度 ：２．０×１０^-2Ｐａ ここで使用した真空蒸着装置においては、図１に示すよ
うに、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口９５から
排気されて内部が真空状態となされた真空槽８１内に、
図中の反時計廻り方向に定速回転する送りロール８３と
図中の時計廻り方向に定速回転する巻取りロール８４と
が設けられ、これら送りロール８３から巻取りロール８
４にテープ状の非磁性支持体８２が順次走行するように
なされている。

【００３４】上記送りロール８３から巻取りロール８４
側に上記非磁性支持体８２が走行する中途部には、各ロ
ール８３，８４よりも大径となされた冷却キャン８５が
設けられている。

【００３５】この冷却キャン８５は、上記非磁性支持体
８２を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計
廻り方向に定速回転する構成とされる。

【００３６】なお、上記送りロール８３、巻取りロール
８４及び冷却キャン８５は、それぞれ上記非磁性支持体
８２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすものであ
り、上記冷却キャン８５には、内部に図示しない冷却装
置が設けられ、上記非磁性支持体８２の温度上昇による
変形等を抑制し得るようになされている。

【００３７】従って、上記非磁性支持体８２は、上記送
りロール８３から順次送り出され、上記冷却キャン８５
の周面を通過して、更に上記巻取りロール８４に巻き取
られていくようになされている。

【００３８】なお、上記送りロール８３と上記冷却キャ
ン８５との間及び該冷却キャン８５と上記巻取りロール
８４との間には、それぞれガイドロール８６，８７が配
設され、上記送りロール８３から上記冷却キャン８５及
び該冷却キャン８５から上記巻取りロール８４に亘って
走行する上記非磁性支持体８２に所定のテンションをか
け、該非磁性支持体８２が円滑に走行するようになされ
ている。

【００３９】また、上記真空槽８１内には、上記冷却キ
ャン８５の下方にルツボ８８が設けられ、このルツボ８
８内に金属磁性材料８９が充填されている。

【００４０】上記ルツボ８８は、上記冷却キャン８５の
長手方向の幅と略同一の幅を有してなる。

【００４１】一方、上記真空槽８１の側壁部には、上記
ルツボ８８内に充填された金属磁性材料８９を加熱蒸発
させるための電子銃９０が取り付けられている。この電
子銃９０は、該電子銃９０より放出される電子線Ｘが上
記ルツボ８８内の金属磁性材料８９に照射されるような
位置に配設される。

【００４２】そして、この電子銃９０によって蒸発した
金属磁性材料９０が上記冷却キャン８５の周面を定速走
行する上記非磁性支持体８２上に磁性層として被着形成
されるようになっている。

【００４３】また、上記冷却キャン８５と上記ルツボ８
８との間にあって該冷却キャン８５の近傍には、シャッ
タ９３が配設されている。このシャッタ９３は、上記冷
却キャン８５の周面を定速走行する上記非磁性支持体８
２の所定領域を覆う形で形成され、該シャッタ９３によ
り上記蒸発せしめられた金属磁性材料８９が上記非磁性
支持体８２に対して所定の角度範囲で斜めに蒸着される
ようになっている。

【００４４】更に、このような蒸着に際し、上記真空槽
８１の側壁部を貫通して設けられる酸素ガス導入口９４
を介して上記非磁性支持体８２の表面に酸素ガスが供給
され、磁気特性、耐久性及び耐候性の向上が図られてい
る。

【００４５】従って、このような構成を有する真空蒸着
装置においては、上記送りロール８３より送り出された
上記非磁性支持体８２を上記冷却キャン８５の周面に沿
って走行させるとともに、上記金属磁性材料８８を上記
電子銃９０からの電子線Ｘによって加熱蒸発せしめるこ
とにより、上記非磁性支持体８２上に金属磁性薄膜が被
着形成されるようになされている。

【００４６】なお、ここでは上記金属磁性材料８８とし
てＣｏ₁₀₀ （数値は組成比を示す。）を使用したが、こ
れに限定されるものではない。

【００４７】次に、上記蒸着終了直後、図２に示すスパ
ッタ装置を用いて下記のような条件にてスパッタリング
を行って上記磁性層上に保護膜を形成し、続いてバック
コート、トップコートを施し、更に所定のテープ幅（ス
リット幅：８ｍｍ幅）に裁断してサンプルテープを作製
した。

【００４８】＜スパッタ時の条件＞ 方式 ：ＤＣマグネトロンスパッタ
方式 ターゲット材 ：カーボン 投入電力 ：１．４Ｗ／ｃｍ² 使用ガス ：Ａｒガス バックグラウンド真空度 ：５．０×１０^-3Ｐａ テープ速度 ：４．０ｍ／分 保護膜の膜厚 ：０．０１２μｍ ＜バックコート条件＞ 構成材料 ：カーボンとウレタンバインダーを混合し
たもの 塗布厚 ：０．６μｍ ＜トップコート条件＞ 構成材料 ：パーフルオロポリエーテル 以下に、上記保護膜の成膜に際して使用したスパッタ装
置の構成について説明する。

【００４９】即ち、このスパッタ装置は、図２に示すよ
うに、頭部と底部にそれぞれ設けられた排気口１１５か
ら排気されて内部が真空状態となされた真空槽１０１内
に、図中の反時計廻り方向に定速回転する送りロール１
０３と図中の時計廻り方向に定速回転する巻取りロール
１０４とが設けられ、これら送りロール１０３から巻取
りロール１０４にテープ状の非磁性支持体１０２が順次
走行するようになされている。

【００５０】上記送りロール１０３から巻取りロール１
０４側に上記非磁性支持体１０２が走行する中途部に
は、各ロール１０３，１０４よりも大径となされた円筒
キャン１０５が設けられている。

【００５１】この円筒キャン１０５は、上記非磁性支持
体１０２を図中下方に引き出すように設けられ、図中の
時計廻り方向に定速回転する構成とされる。

【００５２】なお、上記送りロール１０３、巻取りロー
ル１０４及び円筒キャン１０５は、それぞれ上記非磁性
支持体１０２の幅と略同じ長さからなる円筒状をなすも
のであり、上記円筒キャン１０５には、内部に図示しな
い冷却装置が設けられ、上記非磁性支持体１０２の温度
上昇による変形等を抑制し得るようになされている。

【００５３】従って、上記非磁性支持体１０２は、上記
送りロール１０３から順次送り出され、上記円筒キャン
１０５の周面を通過して、更に上記巻取りロール１０４
に巻き取られていくようになされている。

【００５４】なお、上記送りロール１０３と上記円筒キ
ャン１０５との間及び該円筒キャン１０５と上記巻取り
ロール１０４との間には、それぞれガイドロール１０
６，１０７が配設され、上記送りロール１０３から上記
円筒キャン１０５及び該円筒キャン１０５から上記巻取
りロール１０４に亘って走行する上記非磁性支持体１０
２に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体１０２が
円滑に走行するようになされている。

【００５５】また、上記真空槽８１内には、上記円筒キ
ャン１０５の下方にカソードターゲット１０８が設けら
れ、このカソードターゲット１０８表面に保護膜材料１
０９が接着されている。

【００５６】上記カソードターゲット１０８は、上記円
筒キャン１０５の長手方向の幅と略同一の幅を有してな
る。

【００５７】なお、本実施例では、上記円筒キャン１０
５は冷却されているが、保護膜と磁性層との接着強度を
改善するために適宜加熱した状態でも良い。

【００５８】また、スパッタ時に導入されるアルゴンガ
ス流量は、マスフローコントローラ１１７、排気流量は
コンダクタンスバルブ１１８によりそれぞれ制御され
る。

【００５９】そこで、上記保護膜の成膜時におけるスパ
ッタ条件を変化させ、得られたサンプルテープについ
て、スチル耐久性及び耐錆性を評価した。

【００６０】スチル耐久性の評価としては、ソニー社製
のビデオテープレコーダ（ＶＴＲ），ＥＶ−Ｓ９００改
造機（商品名）により初期の出力レベルから３ｄＢ出力
が減衰するまでの時間を測定して得られた値を用いた。

【００６１】耐錆性は、ガス腐食試験機を用い、ＳＯ₂
ガス０．３ｐｐｍを含む温度３０℃、相対湿度９０％の
雰囲気中で２４時間保存した後の初期値からの総磁束量
の劣化量Δφｓを調べ、下記数１により求めた。

【００６２】

【数１】

【００６３】なお、スチル耐久性は２４時間以上である
ことが実用上望ましく、耐錆性は５％以下であることが
望ましい。

【００６４】また、スパッタ時のプラズマの安定性も併
せて調べ、安定度の高い順から○、△、×として３段階
評価を行った。

【００６５】この結果を下記の表１に示す。

【００６６】なお、表１中真空槽の容量Ｖは、上記図２
に示す真空槽（成膜室）１０１の底部の容量でＶ＝１．
５×１０⁶ （ｃｃ）であり、パラメータＬ_out ／Ｖ及び
Ｌ_in／Ｌ_out はアルゴン導入流量Ｌ_in及び上記真空槽１
０１の底部側における排気流量Ｌ_out でそれぞれ制御し
た。

【００６７】

【表１】

【００６８】この結果、表１に示すように、Ｌ_out ／Ｖ
＝０．２の場合（比較例１〜３）では、Ｌ_in／Ｌ_out の
値に関わらず、プラズマの安定性は良好であったが、ス
チル耐久性、耐錆性がいずれも実用レベルに満たなかっ
た。これは、排気流量が不十分であり、真空槽中の残留
ガスの影響を受けているためと思われる。従って、前記
残留ガスの影響を避けるためには、Ｌ_out ／Ｖを０．２
よりも大きい値とすることが必要であることが判った。

【００６９】また、比較例４では、Ｌ_out ／Ｖ＝０．３
であり、スチル耐久性、耐錆性共に上記比較例１〜３に
比べて若干改善が見られるものの、やはり実用レベルに
は達しておらず、プラズマの安定性も悪かった。これ
は、排気流量Ｌ_out に対してアルゴン導入流量Ｌ_inが少
ないためであり、プラズマを安定させるためには、Ｌ_in
／Ｌ_out を１．３×１０^-4よりも大きくすることが必要
であることが判った。

【００７０】これに対して、Ｌ_in／Ｌ_out を２．７×１
０^-3とした実施例１では、プラズマはやや不安定である
ものの、スチル耐久性、耐錆性は良好であり、実用性を
確保することができた。

【００７１】また、比較例５は、Ｌ_in／Ｌ_out ＝２．７
×１０^-3とした場合であるが、耐錆性が実施例１〜５に
比べて劣化した。これは、アルゴン導入流量Ｌ_inが増加
することで膜の構造が疎となるためと考えられる。この
ことから、良好な耐錆性を得るためには、Ｌ_in／Ｌ_out
を２．７×１０^-3より小さくすることが必要であること
が判った。

【００７２】これに対して、Ｌ_in／Ｌ_out ＝２．０×１
０^-3とした実施例５では、良好なスチル耐久性、プラズ
マの安定性が得られ、十分有効であると判断できる。

【００７３】以上の結果より、保護膜を成膜する際のス
パッタ時に導入されるアルゴンガス流量Ｌ_in（ｓｃｃ
ｍ）、排気流量Ｌ_out （ｓｃｃｍ）及び真空槽の容量Ｖ
（ｃｃ）を、Ｌ_out ／Ｖ≧０．３且つ２．０×１０^-4≦
Ｌ_in／Ｌ_out ≦２．０×１０^-3とすることにより、良
好な耐久性、耐錆性が得られることが判った。特に、Ｌ
_out ／Ｖ＝０．３、Ｌ_in／Ｌ_out ＝４．３×１０^-4〜
９．３×１０^-4の範囲においては、最も優れた耐久性、
耐錆性を確保することができた。

【００７４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
においては、非磁性支持体上に設けられた金属磁性薄膜
からなる磁性層上にスパッタリングにより保護膜を形成
する際に、スパッタ時に導入するアルゴンガス流量、排
気流量及び真空槽の容量を最適化しているので、良好な
保護膜を成膜することができ、耐久性、耐錆性を著しく
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明において磁性層を形成する際に使用した
真空蒸着装置の一構成例を示す模式図である。

【図２】本発明において保護膜を形成する際に使用した
スパッタ装置の一構成例を示す模式図である。

【符号の説明】

１０１ 真空槽 １０２ 非磁性支持体 １０３ 送りロール １０４ 巻取りロール １０５ 円筒キャン １０８ カソードターゲット １０９ 保護膜材料 １１７ マスフローコントローラ １１８ コンダクタンスバルブ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に真空蒸着により金属磁
   性薄膜を形成した後、スパッタリングにより保護膜を形
   成する磁気記録媒体の製造方法において、 上記スパッタリングを行うに際し、真空槽内に導入され
   るアルゴンガス流量Ｌ_in（sccm）、排気流量Ｌ_out （sc
   cm）及び上記真空槽の容量Ｖ（cc）が、 Ｌ_out ／Ｖ≧0.3 （min ^-1）、且つ2.0 ×10^-4≦Ｌ_in／
   Ｌ_out ≦2.0 ×10^-3 となることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。