JPH0945865A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
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- JPH0945865A JPH0945865A JP7195087A JP19508795A JPH0945865A JP H0945865 A JPH0945865 A JP H0945865A JP 7195087 A JP7195087 A JP 7195087A JP 19508795 A JP19508795 A JP 19508795A JP H0945865 A JPH0945865 A JP H0945865A
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- Japan
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- resistor
- opening
- resistance element
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/20—Modifications of basic electric elements for use in electric measuring instruments; Structural combinations of such elements with such instruments
- G01R1/203—Resistors used for electric measuring, e.g. decade resistors standards, resistors for comparators, series resistors, shunts
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流検出などに用いられる抵抗が備えられた
混成集積回路装置の改善に関する。 【解決手段】 基体１上に絶縁膜２を介して抵抗体３が
形成され、前記抵抗体３の中央を貫通して形成された開
口を有する抵抗素子RBが厚膜基板17上に形成され、かつ
前記開口内に、モノリシックＩＣ14が形成されたこと。
混成集積回路装置の改善に関する。 【解決手段】 基体１上に絶縁膜２を介して抵抗体３が
形成され、前記抵抗体３の中央を貫通して形成された開
口を有する抵抗素子RBが厚膜基板17上に形成され、かつ
前記開口内に、モノリシックＩＣ14が形成されたこと。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は混成集積回路装置に
関し、更に詳しく言えば、電流検出などに用いられる抵
抗が備えられた混成集積回路装置の改善に関する。
関し、更に詳しく言えば、電流検出などに用いられる抵
抗が備えられた混成集積回路装置の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下で、従来例に係る混成集積回路装置
について説明する。この混成集積回路装置は、電流検出
抵抗を搭載したものである。例えばモータの駆動回路を
搭載した混成集積回路装置では、モータに過電流が流れ
た場合にはモータを保護するために回路の駆動を停止し
てしまうなどというように、モータに流れる電流を検出
しつつ、駆動制御を行うことが多い。
について説明する。この混成集積回路装置は、電流検出
抵抗を搭載したものである。例えばモータの駆動回路を
搭載した混成集積回路装置では、モータに過電流が流れ
た場合にはモータを保護するために回路の駆動を停止し
てしまうなどというように、モータに流れる電流を検出
しつつ、駆動制御を行うことが多い。
【０００３】この場合には、モータの接続端子に電流検
出抵抗を接続し、モータに流れる電流を電流検出抵抗で
電圧変換し、アンプで増幅したのちに制御回路に帰還さ
せることにより、モータに流れる電流を検出するという
方法が用いられていた。このような電流検出に用いる抵
抗素子（ＲＢ）として、図４に示すようにシリコン基体
（１）の上にシリコン酸化膜（２）が形成され、その上
に銅とマンガンの合金材であるマンガニン材等の合金材
からなる抵抗体（３）が形成され、かつその中央部に開
口が形成された抵抗素子（以下これを中空構造の抵抗素
子と称する）が用いられてきている。
出抵抗を接続し、モータに流れる電流を電流検出抵抗で
電圧変換し、アンプで増幅したのちに制御回路に帰還さ
せることにより、モータに流れる電流を検出するという
方法が用いられていた。このような電流検出に用いる抵
抗素子（ＲＢ）として、図４に示すようにシリコン基体
（１）の上にシリコン酸化膜（２）が形成され、その上
に銅とマンガンの合金材であるマンガニン材等の合金材
からなる抵抗体（３）が形成され、かつその中央部に開
口が形成された抵抗素子（以下これを中空構造の抵抗素
子と称する）が用いられてきている。
【０００４】この抵抗体（３）の材料となる合金材は、
温度上昇による抵抗値の変動が少なく、抵抗値のばらつ
きも少なく、かつ低抵抗なので、高精度が要求される電
流検出抵抗の抵抗体として用いるには非常に適した材質
である。また、この抵抗素子（ＲＢ）は、中央部に開口
が形成され、その両端から電流（Ｉ）を供給すると、図
５に示すように電流（Ｉ）は抵抗体（３）の内部でほぼ
均一に流れ、抵抗体（３）の一部で局所的に電流が流れ
て発熱することを抑止できるので、均熱性に優れた特性
をもつ抵抗である。
温度上昇による抵抗値の変動が少なく、抵抗値のばらつ
きも少なく、かつ低抵抗なので、高精度が要求される電
流検出抵抗の抵抗体として用いるには非常に適した材質
である。また、この抵抗素子（ＲＢ）は、中央部に開口
が形成され、その両端から電流（Ｉ）を供給すると、図
５に示すように電流（Ｉ）は抵抗体（３）の内部でほぼ
均一に流れ、抵抗体（３）の一部で局所的に電流が流れ
て発熱することを抑止できるので、均熱性に優れた特性
をもつ抵抗である。
【０００５】図６に、このような中空構造の抵抗を電流
検出抵抗として用いた混成集積回路装置の一部を示す。
この混成集積回路装置は図６に示すように、アルミ基板
（７）上に酸化アルミニウム膜（８）が形成されてなる
厚膜基板上に、抵抗素子（ＲＢ）、銅箔からなる回路配
線（５，６）、ＩＣアンプ（４）が形成されている。
検出抵抗として用いた混成集積回路装置の一部を示す。
この混成集積回路装置は図６に示すように、アルミ基板
（７）上に酸化アルミニウム膜（８）が形成されてなる
厚膜基板上に、抵抗素子（ＲＢ）、銅箔からなる回路配
線（５，６）、ＩＣアンプ（４）が形成されている。
【０００６】回路配線（５，６）は、この抵抗（ＲＢ）
への電流供給用の端子であって、抵抗体（３）の一端と
回路配線（５）とはボンディングワイヤ（９Ａ）で接続
され、抵抗体（３）の他端と回路配線（６）とはボンデ
ィングワイヤ（９Ｂ）で接続されている。また、抵抗体
（３）の両端とＩＣアンプ（４）とはボンディングワイ
ヤ（９Ｃ，９Ｄ）で接続されている。
への電流供給用の端子であって、抵抗体（３）の一端と
回路配線（５）とはボンディングワイヤ（９Ａ）で接続
され、抵抗体（３）の他端と回路配線（６）とはボンデ
ィングワイヤ（９Ｂ）で接続されている。また、抵抗体
（３）の両端とＩＣアンプ（４）とはボンディングワイ
ヤ（９Ｃ，９Ｄ）で接続されている。
【０００７】抵抗（ＲＢ）に電流を供給すると、その電
流は回路配線（５）→ボンディングワイヤ（９Ａ）→抵
抗体（３）→ボンディングワイヤ（９Ｂ）→回路配線
（６）といった経路で流れ、抵抗体（３）の両端にかか
る電位差がボンディングワイヤ（９Ｃ，９Ｄ）でＩＣア
ンプ（４）に伝達される。抵抗体（３）は非常に低抵抗
でその両端にかかる電圧は微小なので、この微小な電圧
がＩＣアンプ（４）で増幅され、ボンディングワイヤ
（９Ｅ，９Ｆ）で不図示の制御回路に伝達されて電流が
検出される。
流は回路配線（５）→ボンディングワイヤ（９Ａ）→抵
抗体（３）→ボンディングワイヤ（９Ｂ）→回路配線
（６）といった経路で流れ、抵抗体（３）の両端にかか
る電位差がボンディングワイヤ（９Ｃ，９Ｄ）でＩＣア
ンプ（４）に伝達される。抵抗体（３）は非常に低抵抗
でその両端にかかる電圧は微小なので、この微小な電圧
がＩＣアンプ（４）で増幅され、ボンディングワイヤ
（９Ｅ，９Ｆ）で不図示の制御回路に伝達されて電流が
検出される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の混成集積回路装置では、図５に示すように、開口構
造の抵抗素子（ＲＢ）と、その検出電圧を増幅するＩＣ
アンプ（４）とは別の領域に形成されており、開口構造
の抵抗素子（ＲＢ）内の開口部にはなにも形成されてい
なかったので、この開口の領域の有効活用が図れずに集
積化の妨げになるという問題が生じていた。
来の混成集積回路装置では、図５に示すように、開口構
造の抵抗素子（ＲＢ）と、その検出電圧を増幅するＩＣ
アンプ（４）とは別の領域に形成されており、開口構造
の抵抗素子（ＲＢ）内の開口部にはなにも形成されてい
なかったので、この開口の領域の有効活用が図れずに集
積化の妨げになるという問題が生じていた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点
に鑑み成されたもので、図１に例示するように、基体上
に絶縁膜を介して抵抗体が形成され、前記抵抗体の中央
を貫通して形成された開口が形成され、かつ前記開口内
に、モノリシックＩＣが配置されたことにより、従来活
用できなかった開口の領域の有効活用を図り、集積化が
可能となる混成集積回路装置の提供を目的とする。
に鑑み成されたもので、図１に例示するように、基体上
に絶縁膜を介して抵抗体が形成され、前記抵抗体の中央
を貫通して形成された開口が形成され、かつ前記開口内
に、モノリシックＩＣが配置されたことにより、従来活
用できなかった開口の領域の有効活用を図り、集積化が
可能となる混成集積回路装置の提供を目的とする。
【００１０】以下で本発明の作用について説明する。本
発明によれば図１に例示するように、従来使用していな
かった抵抗素子の開口内にモノリシックＩＣが配置され
ているので、開口の領域を有効に活用でき、モノリシッ
クＩＣの形成領域の分だけ集積化が可能になる。なお、
本発明において抵抗素子は、電流検出用の抵抗であっ
て、かつモノリシックＩＣは抵抗素子に電流を流すこと
で生じる電圧を増幅するアンプであることが望ましい。
発明によれば図１に例示するように、従来使用していな
かった抵抗素子の開口内にモノリシックＩＣが配置され
ているので、開口の領域を有効に活用でき、モノリシッ
クＩＣの形成領域の分だけ集積化が可能になる。なお、
本発明において抵抗素子は、電流検出用の抵抗であっ
て、かつモノリシックＩＣは抵抗素子に電流を流すこと
で生じる電圧を増幅するアンプであることが望ましい。
【００１１】抵抗素子とアンプとの結線が長くなると、
抵抗素子に電流を流して得られる微小電圧に外部からの
ノイズが混入しやすくなり、これがアンプで増幅される
ことで電流の検出精度が低下するので、抵抗素子とアン
プとはなるべく近い位置に配置し、両者の結線を短くす
ることが望まれるが、本発明では抵抗素子の開口内にア
ンプを配置しており結線は非常に短くてすむため、電流
検出精度が低下することを抑止することができ、本発明
において特に有効な効果を奏する。
抵抗素子に電流を流して得られる微小電圧に外部からの
ノイズが混入しやすくなり、これがアンプで増幅される
ことで電流の検出精度が低下するので、抵抗素子とアン
プとはなるべく近い位置に配置し、両者の結線を短くす
ることが望まれるが、本発明では抵抗素子の開口内にア
ンプを配置しており結線は非常に短くてすむため、電流
検出精度が低下することを抑止することができ、本発明
において特に有効な効果を奏する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下で、本発明の一実施形態に係
る混成集積回路装置について図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施形態の混成集積回路装置の要部を説明
する図であって、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
この混成集積回路装置は、モータの駆動回路を搭載し、
モータに流れる電流を検出する電流検出抵抗を搭載した
ものであって、その電流検出抵抗の抵抗体としては図４
に示すように、基体の一例であるシリコン基体（１）の
上に絶縁膜の一例であるシリコン酸化膜（２）が形成さ
れ、その上に銅とマンガンの合金材であるマンガニン材
からなる抵抗体（３）が形成され、かつその中央のＳｉ
基材（１）上に開口が形成された抵抗素子（以下これを
開口構造の抵抗素子と称する）が用いられている。
る混成集積回路装置について図面を参照しながら説明す
る。図１は本実施形態の混成集積回路装置の要部を説明
する図であって、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。
この混成集積回路装置は、モータの駆動回路を搭載し、
モータに流れる電流を検出する電流検出抵抗を搭載した
ものであって、その電流検出抵抗の抵抗体としては図４
に示すように、基体の一例であるシリコン基体（１）の
上に絶縁膜の一例であるシリコン酸化膜（２）が形成さ
れ、その上に銅とマンガンの合金材であるマンガニン材
からなる抵抗体（３）が形成され、かつその中央のＳｉ
基材（１）上に開口が形成された抵抗素子（以下これを
開口構造の抵抗素子と称する）が用いられている。
【００１３】本実施形態に係る混成集積回路装置は図１
に示すように、アルミ基板（１７）上に酸化アルミニウ
ム膜（１８）が形成された厚膜基板上に、開口を有する
抵抗素子（ＲＢ）、銅箔からなる回路配線（１５Ａ，１
５Ｂ）が形成され、モノリシックＩＣの一例であるＩＣ
アンプ（１４）が抵抗素子（ＲＢ）の開口内に形成され
ている。ここで回路配線（１５Ａ，１５Ｂ）や銅箔より
成るランドは、接着剤で固定、または全面に貼られた樹
脂と熱圧着されている。従って抵抗素子はランド上に半
田を介して固定されている。
に示すように、アルミ基板（１７）上に酸化アルミニウ
ム膜（１８）が形成された厚膜基板上に、開口を有する
抵抗素子（ＲＢ）、銅箔からなる回路配線（１５Ａ，１
５Ｂ）が形成され、モノリシックＩＣの一例であるＩＣ
アンプ（１４）が抵抗素子（ＲＢ）の開口内に形成され
ている。ここで回路配線（１５Ａ，１５Ｂ）や銅箔より
成るランドは、接着剤で固定、または全面に貼られた樹
脂と熱圧着されている。従って抵抗素子はランド上に半
田を介して固定されている。
【００１４】回路配線（１５Ａ，１５Ｂ）は、この抵抗
（ＲＢ）への電流供給用の端子であって、抵抗体（３）
の一端と回路配線（１５Ａ）とはボンディングワイヤ
（１９Ａ）で接続され、抵抗体（３）の他端と回路配線
（１５Ｂ）とはボンディングワイヤ（１９Ｂ）で接続さ
れている。また、抵抗体（３）の両端とＩＣアンプ（１
４）とはボンディングワイヤ（１９Ｃ，１９Ｄ）で接続
されている。
（ＲＢ）への電流供給用の端子であって、抵抗体（３）
の一端と回路配線（１５Ａ）とはボンディングワイヤ
（１９Ａ）で接続され、抵抗体（３）の他端と回路配線
（１５Ｂ）とはボンディングワイヤ（１９Ｂ）で接続さ
れている。また、抵抗体（３）の両端とＩＣアンプ（１
４）とはボンディングワイヤ（１９Ｃ，１９Ｄ）で接続
されている。
【００１５】抵抗（ＲＢ）に電流を供給すると、その電
流は回路配線（１５Ａ）→ボンディングワイヤ（１９
Ａ）→抵抗体（３）→ボンディングワイヤ（１９Ｂ）→
回路配線（１５Ｂ）といった経路で流れ、抵抗体（３）
の両端にかかる電圧がボンディングワイヤ（１９Ｃ，１
９Ｄ）でＩＣアンプ（１４）に伝達される。抵抗体
（３）は非常に低抵抗でその両端にかかる電位差は微小
なので、この微小な電位差がＩＣアンプ（１４）で増幅
され、ボンディングワイヤ（１９Ｅ，１９Ｆ）で不図示
の制御回路に伝達されることで電流が検出される。
流は回路配線（１５Ａ）→ボンディングワイヤ（１９
Ａ）→抵抗体（３）→ボンディングワイヤ（１９Ｂ）→
回路配線（１５Ｂ）といった経路で流れ、抵抗体（３）
の両端にかかる電圧がボンディングワイヤ（１９Ｃ，１
９Ｄ）でＩＣアンプ（１４）に伝達される。抵抗体
（３）は非常に低抵抗でその両端にかかる電位差は微小
なので、この微小な電位差がＩＣアンプ（１４）で増幅
され、ボンディングワイヤ（１９Ｅ，１９Ｆ）で不図示
の制御回路に伝達されることで電流が検出される。
【００１６】上記の混成集積回路装置によれば、図１，
図２に示すように抵抗素子（ＲＢ）に形成された開口内
にＩＣアンプ（１４）が配置されているので、従来使用
していなかった抵抗素子の開口の領域を有効に活用する
ことができ、ＩＣアンプ（１４）の形成領域の分だけの
集積化が可能になる。また、抵抗素子（ＲＢ）とＩＣア
ンプ（１４）とのボンディングワイヤ（１９Ｃ，１９
Ｄ）が長くなると、そこから外部のノイズが混入しやす
くなり、抵抗素子（ＲＢ）に電流を流して得られる微小
電圧にノイズが乗り、これがＩＣアンプ（１４）で増幅
されることで電流の検出精度が低下するので、このよう
な場合に抵抗素子（ＲＢ）とＩＣアンプ（１４）とはな
るべく近い位置に配置することが望まれるが、本発明で
は抵抗素子の開口内にアンプを配置しており、ボンディ
ングワイヤ（１９Ｃ，１９Ｄ）は非常に短くてすむの
で、電流検出精度が低下することを抑止でき、有効であ
る。
図２に示すように抵抗素子（ＲＢ）に形成された開口内
にＩＣアンプ（１４）が配置されているので、従来使用
していなかった抵抗素子の開口の領域を有効に活用する
ことができ、ＩＣアンプ（１４）の形成領域の分だけの
集積化が可能になる。また、抵抗素子（ＲＢ）とＩＣア
ンプ（１４）とのボンディングワイヤ（１９Ｃ，１９
Ｄ）が長くなると、そこから外部のノイズが混入しやす
くなり、抵抗素子（ＲＢ）に電流を流して得られる微小
電圧にノイズが乗り、これがＩＣアンプ（１４）で増幅
されることで電流の検出精度が低下するので、このよう
な場合に抵抗素子（ＲＢ）とＩＣアンプ（１４）とはな
るべく近い位置に配置することが望まれるが、本発明で
は抵抗素子の開口内にアンプを配置しており、ボンディ
ングワイヤ（１９Ｃ，１９Ｄ）は非常に短くてすむの
で、電流検出精度が低下することを抑止でき、有効であ
る。
【００１７】なお、本形態では抵抗素子の中央を開口し
た抵抗素子を用いているが、本発明はこれに限らず、例
えば図３に示すように、Ｓｉ基材の上にＩＣアンプを設
けずに、Ｓｉ基材の中にＩＣアンプ（１４）を設けて
も、同様の効果を奏する。また、本形態では抵抗体
（３）の材料としてマンガニン材等の合金材を用いてい
るが本発明はこれに限らず、カーボンやセラミックなど
を用いた、一般的な抵抗体を用いても同様の効果を奏す
る。
た抵抗素子を用いているが、本発明はこれに限らず、例
えば図３に示すように、Ｓｉ基材の上にＩＣアンプを設
けずに、Ｓｉ基材の中にＩＣアンプ（１４）を設けて
も、同様の効果を奏する。また、本形態では抵抗体
（３）の材料としてマンガニン材等の合金材を用いてい
るが本発明はこれに限らず、カーボンやセラミックなど
を用いた、一般的な抵抗体を用いても同様の効果を奏す
る。
【００１８】また、本形態では電流検出抵抗として用い
る際の抵抗素子について説明しているが本発明はこれに
限らず、他の箇所に用いられる抵抗に適用しても、同様
の効果を奏する。さらに、本形態ではモノリシックＩＣ
としてＩＣアンプ（１４）を例にとって説明しているが
本発明はこれに限らず、例えばコンパレータなどのモノ
リシックＩＣならばどのようなものであっても同様の効
果を奏する。
る際の抵抗素子について説明しているが本発明はこれに
限らず、他の箇所に用いられる抵抗に適用しても、同様
の効果を奏する。さらに、本形態ではモノリシックＩＣ
としてＩＣアンプ（１４）を例にとって説明しているが
本発明はこれに限らず、例えばコンパレータなどのモノ
リシックＩＣならばどのようなものであっても同様の効
果を奏する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る混成集
積回路装置によれば、基体上に絶縁膜を介して抵抗体が
形成され、前記基体，絶縁膜及び抵抗体の中央を貫通す
る開口が形成されてなる抵抗素子を備え、開口内に、モ
ノリシックＩＣが配置されているので、従来使用してい
なかった抵抗素子の開口の形成領域を有効活用すること
ができ、モノリシックＩＣの形成領域の分だけ集積化が
可能になる。
積回路装置によれば、基体上に絶縁膜を介して抵抗体が
形成され、前記基体，絶縁膜及び抵抗体の中央を貫通す
る開口が形成されてなる抵抗素子を備え、開口内に、モ
ノリシックＩＣが配置されているので、従来使用してい
なかった抵抗素子の開口の形成領域を有効活用すること
ができ、モノリシックＩＣの形成領域の分だけ集積化が
可能になる。
【００２０】なお、本発明において抵抗素子は、電流を
流して電流検出する抵抗であって、かつモノリシックＩ
Ｃは抵抗素子に電流を流すことで生じる電位差を増幅す
るアンプであることが望ましい。抵抗素子とアンプとは
なるべく近い位置に配置し、結線を短くすることが望ま
れるが、本発明では抵抗素子の開口内にアンプを配置し
ているので結線は非常に短くてすむので、電流検出精度
が低下することもなく、本発明は特に有効である。
流して電流検出する抵抗であって、かつモノリシックＩ
Ｃは抵抗素子に電流を流すことで生じる電位差を増幅す
るアンプであることが望ましい。抵抗素子とアンプとは
なるべく近い位置に配置し、結線を短くすることが望ま
れるが、本発明では抵抗素子の開口内にアンプを配置し
ているので結線は非常に短くてすむので、電流検出精度
が低下することもなく、本発明は特に有効である。
【図１】本発明の一実施形態に係る混成集積回路装置を
説明する図である。
説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る混成集積回路装置を
説明する第１の断面図である。
説明する第１の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る混成集積回路装置を
説明する第２の断面図である。
説明する第２の断面図である。
【図４】中空構造の抵抗を説明する第１の図面である。
【図５】中空構造の抵抗を説明する第２の図面である。
【図６】従来例に係る混成集積回路装置を説明する図で
ある。
ある。
【符号の説明】 （１） シリコン基体（基体） （２） シリコン酸化膜（絶縁膜） （３） マンガニン材（抵抗体） （１４） ＩＣアンプ（モノリシックＩＣ） （１５Ａ） 第１の回路配線 （１５Ｂ） 第２の回路配線 （１５Ｃ） 第３の回路配線 （１６） 銅板 （１７） アルミ基板 （１８） アルミ酸化膜 （１９Ａ，１９Ｂ）ボンディングワイヤ （１９Ｃ，１９Ｄ）ボンディングワイヤ （１９Ｅ，１９Ｆ）ボンディングワイヤ （ＲＢ） 抵抗素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/18
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性または絶縁処理された基板に、金
属より成る配線および／またはランドが設けられ、この
配線および／またはランドに受動素子および能動素子が
電気的に接続されて、所定の回路を達成する混成集積回
路装置に於いて前記受動素子の中の抵抗体は、基体上に
絶縁膜を介して形成され、前記抵抗体の中央を貫通して
形成された開口であり、且つ前記基体上にモノリシック
ＩＣが形成され、前記モノリシックＩＣと抵抗体の電気
的接続が、実質基体上で達成されることを特徴とする混
成集積回路装置。 - 【請求項２】 前記基体はシリコンからなり、前記絶縁
膜はシリコン酸化膜からなることを特徴とする請求項１
記載の混成集積回路装置。 - 【請求項３】 前記抵抗素子は、電流検出用の抵抗であ
って、かつ前記モノリシックＩＣは前記抵抗素子に電流
を流すことで生じる電圧を増幅するアンプであることを
特徴とする請求項１または請求項２記載の混成集積回路
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195087A JPH0945865A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7195087A JPH0945865A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945865A true JPH0945865A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16335333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7195087A Pending JPH0945865A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945865A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002086919A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Sanken Electric Co., Ltd. | Solenoid drive apparatus and drive method |
| JP2004022710A (ja) * | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Dowa Mining Co Ltd | 金属−セラミックス接合体およびその製造方法 |
| US7573274B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-08-11 | Denso Corporation | Current sensor |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP7195087A patent/JPH0945865A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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