JPS6236835A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6236835A JPS6236835A JP60176217A JP17621785A JPS6236835A JP S6236835 A JPS6236835 A JP S6236835A JP 60176217 A JP60176217 A JP 60176217A JP 17621785 A JP17621785 A JP 17621785A JP S6236835 A JPS6236835 A JP S6236835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pads
- common
- connecting lead
- connection lead
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/482—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes for individual devices provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00, e.g. for power transistors
- H10W20/484—Interconnections having extended contours, e.g. pads having mesh shape or interconnections comprising connected parallel stripes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07553—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature changes in shapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/926—Multiple bond pads having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は共通の外部接続リードに対して互いに独立した
複数のパッドを有する集積回路装置に関する。
複数のパッドを有する集積回路装置に関する。
(ロ)従来の技術
第4図は集積回路装置に組み込まれる一般的な増幅回路
を示し、(1)は集積回路装置に組み込まれる増幅回路
、(2)は入力端子、(3)は出力端子、(4)は電源
端子、(5)は接地端子、Q、 、Q、は前段増幅回路
11を構成するNPNトランジスタで、トランジスタQ
1 のベースは入力端子(2)K、トランジスタQ2の
エミッタは電源端子(4)に夫々接続される。
を示し、(1)は集積回路装置に組み込まれる増幅回路
、(2)は入力端子、(3)は出力端子、(4)は電源
端子、(5)は接地端子、Q、 、Q、は前段増幅回路
11を構成するNPNトランジスタで、トランジスタQ
1 のベースは入力端子(2)K、トランジスタQ2の
エミッタは電源端子(4)に夫々接続される。
Q3、Q4、・Q、は複合PNP型トランジスタ(7)
を構成するトランジスタで、Q、はPNP型、Q4、Q
、はNPN型のトランジスタである。トランジスタQ、
のベースはトランジスタQ2のコレクタに接続されてい
る。Qa 、Q7は複合NPN型トランジスタ(8)で
、トランジスタQ6のベースは抵抗R8を介して電源端
子(4)・に接続されている。複合トランジスタ(7)
(6)はコレクタ接地コンプリメンタリ型の後段増幅回
路(9)を構成し、これはB級段として動作する。トラ
ンジスタQ、のコレクタ、トランジスタQ7のエミッタ
は出力端子(3)に接続されており、トランジスタQ、
のエミッタは接地端子(5)K、 )ランジスタQ、
のコレクタは電源端子(4)K夫々接続される。R,、
R,は帰還抵抗である。
を構成するトランジスタで、Q、はPNP型、Q4、Q
、はNPN型のトランジスタである。トランジスタQ、
のベースはトランジスタQ2のコレクタに接続されてい
る。Qa 、Q7は複合NPN型トランジスタ(8)で
、トランジスタQ6のベースは抵抗R8を介して電源端
子(4)・に接続されている。複合トランジスタ(7)
(6)はコレクタ接地コンプリメンタリ型の後段増幅回
路(9)を構成し、これはB級段として動作する。トラ
ンジスタQ、のコレクタ、トランジスタQ7のエミッタ
は出力端子(3)に接続されており、トランジスタQ、
のエミッタは接地端子(5)K、 )ランジスタQ、
のコレクタは電源端子(4)K夫々接続される。R,、
R,は帰還抵抗である。
そして斯る回路、を集積回路装置罠組み込む場合、トラ
ンジスタQ* 、Q−の各エミッタを共通のアルミニウ
ム蒸着配線で接続するとそこに存在する寄生抵抗が大で
あるために問題が生じる。この配線は引き回しが長くな
ることと幅20μ、厚さ1.5μ前後に設計されること
が多いため、その寄生抵抗は数Ωに達することがあり、
これがトランジスタQt 、Qsの各エミッタと接地電
位との間に共通インピーダンスR4として介在すること
になり、後段増幅回路(9)で増幅された信号電流がそ
こに流れることにより生じる電圧降下が前段増幅回路(
6)に帰還され、不要な発振を誘発するのである。
ンジスタQ* 、Q−の各エミッタを共通のアルミニウ
ム蒸着配線で接続するとそこに存在する寄生抵抗が大で
あるために問題が生じる。この配線は引き回しが長くな
ることと幅20μ、厚さ1.5μ前後に設計されること
が多いため、その寄生抵抗は数Ωに達することがあり、
これがトランジスタQt 、Qsの各エミッタと接地電
位との間に共通インピーダンスR4として介在すること
になり、後段増幅回路(9)で増幅された信号電流がそ
こに流れることにより生じる電圧降下が前段増幅回路(
6)に帰還され、不要な発振を誘発するのである。
第を図は斯る不具合を解決した例であり、αυは集積回
路チップ、(12a)(12b)は互いKfi立したグ
ランドパッド、(12c)は他のパッド、 (13a
)(13b)は外部接続リード、Q4Iは内部接続リー
ドである。グランドパッド(14a)(12b)はそれ
ぞれチップαυ上を延在するアルミニウム蒸着配線によ
りトランジスタQ* 、 Q4の各エミッタに接続され
、 ′且つ別々の内部接続リードQ41により共通の外
部接続リード(13a)に接続されている。斯る構造に
よれば、トランジスタQ2、Qrの各エミッタが共通に
接続されるのは外部接続リード(13a)上であり、共
通インピーダンスR3として介在するのは外部接続リー
ド(13a)の抵抗分のみになるので、その値を充分小
さくして不要な歪、発振を防止できるのであるC特公昭
52〜5228号公報に詳しい)。
路チップ、(12a)(12b)は互いKfi立したグ
ランドパッド、(12c)は他のパッド、 (13a
)(13b)は外部接続リード、Q4Iは内部接続リー
ドである。グランドパッド(14a)(12b)はそれ
ぞれチップαυ上を延在するアルミニウム蒸着配線によ
りトランジスタQ* 、 Q4の各エミッタに接続され
、 ′且つ別々の内部接続リードQ41により共通の外
部接続リード(13a)に接続されている。斯る構造に
よれば、トランジスタQ2、Qrの各エミッタが共通に
接続されるのは外部接続リード(13a)上であり、共
通インピーダンスR3として介在するのは外部接続リー
ド(13a)の抵抗分のみになるので、その値を充分小
さくして不要な歪、発振を防止できるのであるC特公昭
52〜5228号公報に詳しい)。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のものではグランドパッド(12a
)(12b)各々にボンディングするために、夫々を相
当な距離だけ離間しなければならないので必然的にチッ
プ面積が大になるという欠点があった。更にまた、内部
接続リード(141本数が増加するのでワイヤボンディ
ング工程が煩雑になるという欠点があった。
)(12b)各々にボンディングするために、夫々を相
当な距離だけ離間しなければならないので必然的にチッ
プ面積が大になるという欠点があった。更にまた、内部
接続リード(141本数が増加するのでワイヤボンディ
ング工程が煩雑になるという欠点があった。
に)問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、回路の歪、発振
を防止しながら構造を簡単なものとした集積回路装置を
得ることを目的とし、各々のグランドパッド(12a)
(12b)を極く近接して配設し、七の双方に跨るよう
にボンディングした共通の内部接続リードa4により夫
々のグランドパッド(12a)(12b)と共通の外部
接続リード(13a)とを電気的に接続したことを特徴
とする。
を防止しながら構造を簡単なものとした集積回路装置を
得ることを目的とし、各々のグランドパッド(12a)
(12b)を極く近接して配設し、七の双方に跨るよう
にボンディングした共通の内部接続リードa4により夫
々のグランドパッド(12a)(12b)と共通の外部
接続リード(13a)とを電気的に接続したことを特徴
とする。
(ホ)作用
本発明によれば、個別に設けたグランドパッド(12a
)(12b)を共通の内部接続リードIを介して外部接
続リード(13a)と接続したので、内部接続リードQ
41を一本に省略できる他、グランドパッド(12a)
(12b)を極く近接して配置するのでチップ面積を縮
小することができる。
)(12b)を共通の内部接続リードIを介して外部接
続リード(13a)と接続したので、内部接続リードQ
41を一本に省略できる他、グランドパッド(12a)
(12b)を極く近接して配置するのでチップ面積を縮
小することができる。
(へ)実施例
以下本発明による一実施例を図面を参照しながら詳細に
説明する。
説明する。
第1図及び第2図は本発明による集積回路装置の要部を
示し、aυはその表面に第4図の増幅回路を形成した集
積回路チップ、(12a)(12b)は極く近接して配
設したグランドパッド、(12c)は他のパッド、(1
3a)(13b)は外部接続リード、(141は内部接
続リード、a9は内部接続り〜ドロ4先端に形成したボ
ール部である。グランドパッド(12a)(12b)は
夫々チップaυ上を延在するアルミニウム蒸着配線によ
りトランジスタQ= 、Qiの各エミッタと接続され、
且つそれらの間には近接したことにより生ずる狭いスリ
ット部QBを有する。外部接続リード(13a)(13
b)は周知の如くリードフレームを用いて構成する。内
部接続リードIは金細線をワイヤボンディングすること
により構成し、グランドパッド(12a)(12b)に
おいてはボール部四がスリット部(IF5を跨ぐように
ボンディングすることKより夫々のグランドパッド(1
2a)(12b)と共通の本発明の最も特徴とする点は
、夫々のグランドパッド(12a)(12b)を極く近
接して配設し、その双方に跨がるようにボンディングし
た共通の内部接続リードQ41により夫々のグランドパ
ッド(12a)(12b)と共通の外部接続リード(1
3a)とを接続した点にある。この構造によれば、以下
に説明する共通のインピーダンスR4を充分に小としな
がらもその構造を簡略化できる。共通のインピーダンス
R4はトランジスタQ= 、Qiの各エミッタが共通に
接続された場所(ボール部05になる)から接地電位が
印加される端子までの寄生抵抗であるから、本構造では
内部接続リードIと外部接続リード(13a)の寄生抵
抗の和になる。内部接続リード041の寄生抵抗は例え
ば直径25μ、長さ0.3 ctnの金細線を用いると
約0,15Ω、外部接続リード(13a)の寄生抵抗は
例えば幅4m、長さ10+m。
示し、aυはその表面に第4図の増幅回路を形成した集
積回路チップ、(12a)(12b)は極く近接して配
設したグランドパッド、(12c)は他のパッド、(1
3a)(13b)は外部接続リード、(141は内部接
続リード、a9は内部接続り〜ドロ4先端に形成したボ
ール部である。グランドパッド(12a)(12b)は
夫々チップaυ上を延在するアルミニウム蒸着配線によ
りトランジスタQ= 、Qiの各エミッタと接続され、
且つそれらの間には近接したことにより生ずる狭いスリ
ット部QBを有する。外部接続リード(13a)(13
b)は周知の如くリードフレームを用いて構成する。内
部接続リードIは金細線をワイヤボンディングすること
により構成し、グランドパッド(12a)(12b)に
おいてはボール部四がスリット部(IF5を跨ぐように
ボンディングすることKより夫々のグランドパッド(1
2a)(12b)と共通の本発明の最も特徴とする点は
、夫々のグランドパッド(12a)(12b)を極く近
接して配設し、その双方に跨がるようにボンディングし
た共通の内部接続リードQ41により夫々のグランドパ
ッド(12a)(12b)と共通の外部接続リード(1
3a)とを接続した点にある。この構造によれば、以下
に説明する共通のインピーダンスR4を充分に小としな
がらもその構造を簡略化できる。共通のインピーダンス
R4はトランジスタQ= 、Qiの各エミッタが共通に
接続された場所(ボール部05になる)から接地電位が
印加される端子までの寄生抵抗であるから、本構造では
内部接続リードIと外部接続リード(13a)の寄生抵
抗の和になる。内部接続リード041の寄生抵抗は例え
ば直径25μ、長さ0.3 ctnの金細線を用いると
約0,15Ω、外部接続リード(13a)の寄生抵抗は
例えば幅4m、長さ10+m。
厚さ0.3 amの銅板を用いると約0.00015Ω
になるので、それらの和は約0.15Ωであり、この値
は共通のインピーダンスR,として充分に小であると言
えるので、不要な発振を防止できる。
になるので、それらの和は約0.15Ωであり、この値
は共通のインピーダンスR,として充分に小であると言
えるので、不要な発振を防止できる。
即ち、本発明は外部接続リード(13a)(13b)の
みならず内部接続リードa4の寄生抵抗も充分に小であ
ることに基き、グランドパッド(12a)(12b)個
々に内部接続リードα4をボンディングするのではなく
、共通の内部接続リードIでボンディングすることによ
りその構造を簡略化するものである。
みならず内部接続リードa4の寄生抵抗も充分に小であ
ることに基き、グランドパッド(12a)(12b)個
々に内部接続リードα4をボンディングするのではなく
、共通の内部接続リードIでボンディングすることによ
りその構造を簡略化するものである。
ここでグランドパッド(12a)(12b)の双方を合
わせた大きさが他のパッド(12c)の面積と等しいか
またはやや大きいものとし、スリット部OeO幅を数μ
に設計しておけば、ボール部051の大きさが約80μ
前後になるのでボンダビリティには全く影響しない。更
にまた、スリット部0eの形状を第3図に示す如く櫛歯
状とし:′G115けば、より信頼度を増す。
わせた大きさが他のパッド(12c)の面積と等しいか
またはやや大きいものとし、スリット部OeO幅を数μ
に設計しておけば、ボール部051の大きさが約80μ
前後になるのでボンダビリティには全く影響しない。更
にまた、スリット部0eの形状を第3図に示す如く櫛歯
状とし:′G115けば、より信頼度を増す。
以上本発明を一般的な増幅回路のグランドバラ
。
。
ド(12a)(12b)について説明してきたが、本発
明は共通の外部接続リード(13a)に接続すべき2個
以上のパッドを有するものであれば、例えば電子ボリュ
ーム回路においてその左右の回路で独立したグランドパ
ッドを設けたものでも実施可能である。
明は共通の外部接続リード(13a)に接続すべき2個
以上のパッドを有するものであれば、例えば電子ボリュ
ーム回路においてその左右の回路で独立したグランドパ
ッドを設けたものでも実施可能である。
(ト)発明の詳細
な説明した如く、本発明によればグランドパッド(12
a)(12b)を極く近接して配設し、しかも双方合わ
せた面積が他のパッド(12c)と略等しい面積にする
ので、チ・ンプ面積を縮小できるという利点を有する。
a)(12b)を極く近接して配設し、しかも双方合わ
せた面積が他のパッド(12c)と略等しい面積にする
ので、チ・ンプ面積を縮小できるという利点を有する。
さらに複数のパッドに対して1本の内部接続リード(+
41で済むので、構造が簡略化され、ボンディング工程
の時間の短縮、コストダウンが計れるという利点を有す
る。そして特に第2の実施例においては、スリット部+
16)を櫛歯状としてあり、パターン認識する時に双方
のグランドパッド(12a)(12b)を単一のパッド
として認識させることができるので、現状の機器をその
まま流用できるという利点をも有する。
41で済むので、構造が簡略化され、ボンディング工程
の時間の短縮、コストダウンが計れるという利点を有す
る。そして特に第2の実施例においては、スリット部+
16)を櫛歯状としてあり、パターン認識する時に双方
のグランドパッド(12a)(12b)を単一のパッド
として認識させることができるので、現状の機器をその
まま流用できるという利点をも有する。
第1乃至第3図はそれぞれ本発明を説明するための平面
図、断面図、平面図、第4図及び第5図はそれぞれ従来
例を説明するための回路図、平面図である。 主な図番の説明 (6)は前段増幅回路、 (2)は後段増幅回路、 0
1)は集積回路チップ、 (12a)(12b)はグ
ランドパッド、 (12c)はその他のパッド、
(13a)(13b)は外部接続リード、 (14+は
内部接続リード、側はスリット部である。 第1図 第2図 第3図 第4図 r”−”−−−=−−−” 4 臣【− ■ 第5図
図、断面図、平面図、第4図及び第5図はそれぞれ従来
例を説明するための回路図、平面図である。 主な図番の説明 (6)は前段増幅回路、 (2)は後段増幅回路、 0
1)は集積回路チップ、 (12a)(12b)はグ
ランドパッド、 (12c)はその他のパッド、
(13a)(13b)は外部接続リード、 (14+は
内部接続リード、側はスリット部である。 第1図 第2図 第3図 第4図 r”−”−−−=−−−” 4 臣【− ■ 第5図
Claims (1)
- (1)共通の外部接続リードに対して互いに独立した複
数のパッドを有する集積回路装置において、前記夫々の
パッドを極く近接して配設し、その双方に跨がるように
ボンディングした共通の内部接続リードにより前記夫々
のパッドと前記共通の外部接続リードとを電気的に接続
したことを特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176217A JPS6236835A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60176217A JPS6236835A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236835A true JPS6236835A (ja) | 1987-02-17 |
Family
ID=16009668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60176217A Pending JPS6236835A (ja) | 1985-08-09 | 1985-08-09 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236835A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0946980A4 (en) * | 1996-08-23 | 2001-04-18 | Micro Devices Corp California | IMPROVED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR FACILITATING THE ACCURATE MEASUREMENT OF THE IC DEVICES |
| JP2008298159A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Jatco Ltd | 流量制御構造および弁体 |
-
1985
- 1985-08-09 JP JP60176217A patent/JPS6236835A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0946980A4 (en) * | 1996-08-23 | 2001-04-18 | Micro Devices Corp California | IMPROVED INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE AND METHOD FOR FACILITATING THE ACCURATE MEASUREMENT OF THE IC DEVICES |
| JP2008298159A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Jatco Ltd | 流量制御構造および弁体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6331105B2 (ja) | ||
| JPH06186254A (ja) | 電流検出用チップ形抵抗体 | |
| JP2924910B2 (ja) | 差動増幅器のオフセット・トリム回路 | |
| JPS6236835A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP3019918B2 (ja) | 半導体集積回路及びその電源供給回路 | |
| JP3386144B2 (ja) | 4つのトランジスタを備えたフルブリッジ集積回路 | |
| JP2824360B2 (ja) | 電流検出用半導体装置 | |
| JPH04349640A (ja) | アナログ・デジタル混在集積回路装置実装体 | |
| JP3179211B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3158078B2 (ja) | フィルタ回路 | |
| JPS6043682B2 (ja) | 信号増幅器 | |
| JPS6415949A (en) | Semiconductor integrated circuit for audio amplification | |
| JPS63124458A (ja) | 受光素子 | |
| JP3067311B2 (ja) | 出力端子の電位の制御に応じて複数の入力信号の1つを選択する方法及び出力回路 | |
| JPS6141249Y2 (ja) | ||
| JPS5910253A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH063840B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0548003A (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPH0945865A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2811740B2 (ja) | 集積回路 | |
| JPS5873213A (ja) | カレントミラ−回路 | |
| JPS63204187A (ja) | 半導体放射線検出装置 | |
| JPS6230701B2 (ja) | ||
| JPH0646694B2 (ja) | 積分回路 | |
| JPH0637253A (ja) | 半導体集積回路 |