JPH0945975A - 半導体磁気センサ - Google Patents
半導体磁気センサInfo
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- JPH0945975A JPH0945975A JP7198527A JP19852795A JPH0945975A JP H0945975 A JPH0945975 A JP H0945975A JP 7198527 A JP7198527 A JP 7198527A JP 19852795 A JP19852795 A JP 19852795A JP H0945975 A JPH0945975 A JP H0945975A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 この発明は、半導体磁気抵抗素子を利用した
半導体磁気センサに関し、半導体抵抗膜、電極膜を保護
することを目的とするものである。 【構成】 本発明の半導体磁気センサは、基板１の表面
に形成した半導体磁気抵抗膜２及び短絡電極３および半
導体磁気抵抗膜の電気信号取り出し用の電極部４を、電
極部４上のみを残して基板１上に形成した保護膜６によ
り被覆したものである。
半導体磁気センサに関し、半導体抵抗膜、電極膜を保護
することを目的とするものである。 【構成】 本発明の半導体磁気センサは、基板１の表面
に形成した半導体磁気抵抗膜２及び短絡電極３および半
導体磁気抵抗膜の電気信号取り出し用の電極部４を、電
極部４上のみを残して基板１上に形成した保護膜６によ
り被覆したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気検出あるいは磁気
回転検出等に使用される半導体磁気抵抗素子からなる半
導体磁気センサに関するものである。
回転検出等に使用される半導体磁気抵抗素子からなる半
導体磁気センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＳｂ，ＩｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡ
ｓ等のキャリヤ移動度が高い半導体は、磁界を作用させ
たとき抵抗値が変化するという性質を有しており、この
性質を利用したものが半導体磁気センサである。
ｓ等のキャリヤ移動度が高い半導体は、磁界を作用させ
たとき抵抗値が変化するという性質を有しており、この
性質を利用したものが半導体磁気センサである。
【０００３】図５に半導体磁気センサを使用している一
般的な磁気検出器の構造を示す。磁気検出器は、図５に
示すように４つのパーツにより構成されている。図中、
３１は半導体磁気センサ、３２は前記半導体磁気センサ
３１の電気信号の取り出し部（リード取り出し）、３３
はバイアス磁石であり、ベース３６の表裏に前記半導体
磁気センサ３１とバイアス磁石３３を配し、電磁シール
ドを兼ねた金属製の保護ケース３４内に収納されてい
る。
般的な磁気検出器の構造を示す。磁気検出器は、図５に
示すように４つのパーツにより構成されている。図中、
３１は半導体磁気センサ、３２は前記半導体磁気センサ
３１の電気信号の取り出し部（リード取り出し）、３３
はバイアス磁石であり、ベース３６の表裏に前記半導体
磁気センサ３１とバイアス磁石３３を配し、電磁シール
ドを兼ねた金属製の保護ケース３４内に収納されてい
る。
【０００４】この磁気検出器は、半導体磁気センサ３１
上の保護ケース３４の表面を被検出の磁気材が圧接移動
する。圧接により保護ケース３４がたわむこともあるの
で、半導体磁気センサ３１と保護ケース３４間にはエア
ーギャップ（空隙）３５が設けられ、半導体磁気センサ
３１の応力歪みによる抵抗変化の発生（以降、ピエゾ抵
抗効果と呼ぶ）及び磁気感度低下を防止すると共に保護
ケース３４と半導体磁気センサ３１の電気信号の取り出
し部との絶縁をも兼ねている。
上の保護ケース３４の表面を被検出の磁気材が圧接移動
する。圧接により保護ケース３４がたわむこともあるの
で、半導体磁気センサ３１と保護ケース３４間にはエア
ーギャップ（空隙）３５が設けられ、半導体磁気センサ
３１の応力歪みによる抵抗変化の発生（以降、ピエゾ抵
抗効果と呼ぶ）及び磁気感度低下を防止すると共に保護
ケース３４と半導体磁気センサ３１の電気信号の取り出
し部との絶縁をも兼ねている。
【０００５】図６，７に従来の半導体磁気センサの構成
を示す。２１は基板、２２は前記基板上に設けた半導体
磁気抵抗膜、２３は前記半導体磁気抵抗膜２２上に設け
た短絡電極、２４は前記半導体磁気抵抗膜２２に設けた
出力取り出し電極である。
を示す。２１は基板、２２は前記基板上に設けた半導体
磁気抵抗膜、２３は前記半導体磁気抵抗膜２２上に設け
た短絡電極、２４は前記半導体磁気抵抗膜２２に設けた
出力取り出し電極である。
【０００６】図８には半導体磁気センサからのリード取
り出し例を示す。図中、２６はリード取り出し端子、２
７は保護膜であり、保護膜２７はリード取り出し端子２
６を前記出力取り出し電極２４に接続した後に形成した
ものである。
り出し例を示す。図中、２６はリード取り出し端子、２
７は保護膜であり、保護膜２７はリード取り出し端子２
６を前記出力取り出し電極２４に接続した後に形成した
ものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、半導体
磁気抵抗膜２２及び短絡電極２３上の保護膜２７は、リ
ード取り出し端子２６の接続後に形成されるものである
ため、リード取り出し端子２６の実装時に半導体磁気抵
抗膜２２及び短絡電極２３、特に半導体磁気抵抗膜２２
は非常に柔らかく取り扱いが非常に難しい。特に、半導
体磁気センサへのリード取り出し端子２６の接続及び磁
気検出器としての組立工程で、素子面等に傷や素子破壊
の恐れがあり、取り扱いに注意を要する。
磁気抵抗膜２２及び短絡電極２３上の保護膜２７は、リ
ード取り出し端子２６の接続後に形成されるものである
ため、リード取り出し端子２６の実装時に半導体磁気抵
抗膜２２及び短絡電極２３、特に半導体磁気抵抗膜２２
は非常に柔らかく取り扱いが非常に難しい。特に、半導
体磁気センサへのリード取り出し端子２６の接続及び磁
気検出器としての組立工程で、素子面等に傷や素子破壊
の恐れがあり、取り扱いに注意を要する。
【０００８】本発明は上記課題を解消し得る半導体磁気
センサを提供することを目的とする。
センサを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の半導体磁気センサは、基板の表面に形成した
半導体磁気抵抗膜及び前記半導体磁気抵抗膜の電気信号
取り出し用の電極部を、前記電極部上のみを残して前記
基板上に形成した保護膜により保護するように構成した
ことを特徴としている。
の本発明の半導体磁気センサは、基板の表面に形成した
半導体磁気抵抗膜及び前記半導体磁気抵抗膜の電気信号
取り出し用の電極部を、前記電極部上のみを残して前記
基板上に形成した保護膜により保護するように構成した
ことを特徴としている。
【００１０】
【作用】以上の構成にすれば、磁気センサへのリード取
り出し端子の接続及び磁気検出器にするための組立工程
での取り扱いにて、非常に柔らかい半導体磁気抵抗膜や
短絡電極膜を傷つけず、素子を破壊等から防止すること
が出来る。
り出し端子の接続及び磁気検出器にするための組立工程
での取り扱いにて、非常に柔らかい半導体磁気抵抗膜や
短絡電極膜を傷つけず、素子を破壊等から防止すること
が出来る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図に基づき説
明する。
明する。
【００１２】図１，２は本発明の半導体磁気センサの一
実施例を示す。図中、１はＳｉやガラス等の基板、２は
ＩｎＳｂ，ＩｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等のキャリヤ
移動度が高い半導体磁気抵抗膜であり、前記基板１上に
設けられている。３は短絡電極であり、前記半導体磁気
抵抗膜２上に設けられている。４は半導体磁気抵抗膜２
の電気信号取り出し電極部であり、前記半導体磁気抵抗
膜２上に設けられている。前記短絡電極３及び電極部４
は、Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒ等の２層構造
として構成されている場合と、Ｉｎ等の単層構造として
構成されている場合とがある。尚、前記短絡電極３と電
極部４とを同一材料で形成すると工程が簡略化される。
６は前記半導体磁気抵抗膜２と短絡電極３を保護するポ
リイミド、ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜であり、電極部
４上を残して基板１上に形成されている。７は素子から
の電気信号取り出し用のリード端子で、前記電極部４と
接続されている。ここで、前記電極部４がＣｕ／Ｔｉ，
Ｃｕ／Ｃｒ，Ｉｎ等で構成される場合には半田付けにて
接続され、電極部４がＡｌ／Ｃｒ等で構成される場合に
は熱加熱により接続されている。前記保護膜６は、前記
リード端子７を電極部４に接続前に形成するため、保護
膜６には、熱加圧等によりリード端子７を電極部４に接
続する時に発生する高熱が伝導される。例えば半田にて
接続する場合、３００〜３５０℃の高温が伝導され保護
膜６として耐熱性が要求されるため、ポリイミドが適し
ている。
実施例を示す。図中、１はＳｉやガラス等の基板、２は
ＩｎＳｂ，ＩｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等のキャリヤ
移動度が高い半導体磁気抵抗膜であり、前記基板１上に
設けられている。３は短絡電極であり、前記半導体磁気
抵抗膜２上に設けられている。４は半導体磁気抵抗膜２
の電気信号取り出し電極部であり、前記半導体磁気抵抗
膜２上に設けられている。前記短絡電極３及び電極部４
は、Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒ等の２層構造
として構成されている場合と、Ｉｎ等の単層構造として
構成されている場合とがある。尚、前記短絡電極３と電
極部４とを同一材料で形成すると工程が簡略化される。
６は前記半導体磁気抵抗膜２と短絡電極３を保護するポ
リイミド、ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜であり、電極部
４上を残して基板１上に形成されている。７は素子から
の電気信号取り出し用のリード端子で、前記電極部４と
接続されている。ここで、前記電極部４がＣｕ／Ｔｉ，
Ｃｕ／Ｃｒ，Ｉｎ等で構成される場合には半田付けにて
接続され、電極部４がＡｌ／Ｃｒ等で構成される場合に
は熱加熱により接続されている。前記保護膜６は、前記
リード端子７を電極部４に接続前に形成するため、保護
膜６には、熱加圧等によりリード端子７を電極部４に接
続する時に発生する高熱が伝導される。例えば半田にて
接続する場合、３００〜３５０℃の高温が伝導され保護
膜６として耐熱性が要求されるため、ポリイミドが適し
ている。
【００１３】本実施例で素子実装工程及び磁気検出器と
するための組立工程を行った結果、素子面への傷、素子
破壊の発生は見られなかった。また、半導体磁気抵抗膜
は、素子面上に歪みを加えるとピエゾ抵抗効果が発生す
る特性があり、保護膜の形成膜に半導体磁気抵抗膜へ作
用する応力に注意する必要がある。このため保護膜によ
り発生する応力を小さく形成することが望ましい。Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等の保護膜は、形成条件にて応力調整が出
来、素子特性への影響を低減出来るもので、実際条件に
より小さく形成できた。ポリイミド保護膜は、Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等の保護膜に比べ膜応力がやや大きく形成
されたが、磁気特性を調べた結果、影響は少ないことが
確認された。ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜は、一般的に
真空装置により基板１上の全面に形成され、電極部４上
の保護膜をフォトリソおよびエッチング工程にて除去し
て形成される。それに比べてポリイミド保護膜は、フォ
トリソ工程のみで形成されるために工程の簡略化及び安
価に形成出来る特徴を有している。さらに、５×１０-5
／℃以下の線膨張係数を有するポリイミドを用いると、
ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜の作用する応力と同等また
はそれ以下に形成することが出来、さらに有利である。
するための組立工程を行った結果、素子面への傷、素子
破壊の発生は見られなかった。また、半導体磁気抵抗膜
は、素子面上に歪みを加えるとピエゾ抵抗効果が発生す
る特性があり、保護膜の形成膜に半導体磁気抵抗膜へ作
用する応力に注意する必要がある。このため保護膜によ
り発生する応力を小さく形成することが望ましい。Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等の保護膜は、形成条件にて応力調整が出
来、素子特性への影響を低減出来るもので、実際条件に
より小さく形成できた。ポリイミド保護膜は、Ｓｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等の保護膜に比べ膜応力がやや大きく形成
されたが、磁気特性を調べた結果、影響は少ないことが
確認された。ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜は、一般的に
真空装置により基板１上の全面に形成され、電極部４上
の保護膜をフォトリソおよびエッチング工程にて除去し
て形成される。それに比べてポリイミド保護膜は、フォ
トリソ工程のみで形成されるために工程の簡略化及び安
価に形成出来る特徴を有している。さらに、５×１０-5
／℃以下の線膨張係数を有するポリイミドを用いると、
ＳｉＯ2，ＳｉＮ等の保護膜の作用する応力と同等また
はそれ以下に形成することが出来、さらに有利である。
【００１４】図３に本発明の半導体磁気センサの第２の
実施例を示す。図３に示すように、第１の実施例の場合
のように電極部４を半導体磁気抵抗膜２上に形成するの
ではなく、電極部４を基板１上に形成し、基板１上に設
けた半導体磁気抵抗膜２に形成したものである。この実
施例では、電極部４として、Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，
Ａｌ／Ｃｒの２層構造のものが利用され、電極部４と基
板１との剥離強度が約１．５倍向上した。第１の実施例
の構成では、リード端子７を電極部４に接続する際に熱
加熱等で発生する高熱と圧接により電極部４と電極部４
下の半導体磁気抵抗膜２とが拡散されさらに応力も加わ
り、基板１と磁気抵抗膜２の強度の低下が見られたが、
この第２の実施例では、電極部４が直接基板１上に形成
されているために、磁気抵抗膜２との拡散や応力の発生
が少ない。この第２の実施例により、基板１と電極部４
との接続の信頼性をさらに向上することが出来るもので
ある。
実施例を示す。図３に示すように、第１の実施例の場合
のように電極部４を半導体磁気抵抗膜２上に形成するの
ではなく、電極部４を基板１上に形成し、基板１上に設
けた半導体磁気抵抗膜２に形成したものである。この実
施例では、電極部４として、Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，
Ａｌ／Ｃｒの２層構造のものが利用され、電極部４と基
板１との剥離強度が約１．５倍向上した。第１の実施例
の構成では、リード端子７を電極部４に接続する際に熱
加熱等で発生する高熱と圧接により電極部４と電極部４
下の半導体磁気抵抗膜２とが拡散されさらに応力も加わ
り、基板１と磁気抵抗膜２の強度の低下が見られたが、
この第２の実施例では、電極部４が直接基板１上に形成
されているために、磁気抵抗膜２との拡散や応力の発生
が少ない。この第２の実施例により、基板１と電極部４
との接続の信頼性をさらに向上することが出来るもので
ある。
【００１５】図４は本発明の半導体磁気センサの第３の
実施例を示す。図４に示すように、本実施例では、電極
部４としてＣｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒの２層
構造の第１の電極層８上にＡｕ／Ｎｉ，半田／Ｎｉ等の
２層構造の第２の電極層９を形成したものであり、第２
の電極層９を電界めっきにて形成することにより、電極
部４が保護膜６より高く形成されており、リード端子７
を接続したものである。電極部４を保護膜６より高く形
成することにより、リード端子７の形状や接続治工具、
またリード端子７の位置精度及び接続が簡単となる。ま
た第２の電極層９を電界めっきにより形成することによ
り、接続部材の選択範囲が拡大し接続の信頼性が向上す
る。バンプ形成は電極部４の材料や厚みの許容範囲が狭
く、また形成条件、管理が厳しく接続の信頼性の確保が
難しいが、他に第２の電極層９を形成する方法として
は、Ａｕ，Ａｌ等のバンプ形成がある。
実施例を示す。図４に示すように、本実施例では、電極
部４としてＣｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒの２層
構造の第１の電極層８上にＡｕ／Ｎｉ，半田／Ｎｉ等の
２層構造の第２の電極層９を形成したものであり、第２
の電極層９を電界めっきにて形成することにより、電極
部４が保護膜６より高く形成されており、リード端子７
を接続したものである。電極部４を保護膜６より高く形
成することにより、リード端子７の形状や接続治工具、
またリード端子７の位置精度及び接続が簡単となる。ま
た第２の電極層９を電界めっきにより形成することによ
り、接続部材の選択範囲が拡大し接続の信頼性が向上す
る。バンプ形成は電極部４の材料や厚みの許容範囲が狭
く、また形成条件、管理が厳しく接続の信頼性の確保が
難しいが、他に第２の電極層９を形成する方法として
は、Ａｕ，Ａｌ等のバンプ形成がある。
【００１６】この実施例によると、リードフレームやＴ
ＡＢ実装でのリード端子７の接続が容易になり、しかも
接続強度も向上するものである。尚、保護膜６は電極層
５をめっきにより形成する時のめっきマスクの役目を兼
ね備えており、工程の簡略化および安価にめっき形成出
来る特徴も兼ね備えている。
ＡＢ実装でのリード端子７の接続が容易になり、しかも
接続強度も向上するものである。尚、保護膜６は電極層
５をめっきにより形成する時のめっきマスクの役目を兼
ね備えており、工程の簡略化および安価にめっき形成出
来る特徴も兼ね備えている。
【００１７】リードフレームによる接続の場合には半田
／Ｎｉの第２電極層９とすると、接続強度が特に良好
で、第２の実施例（Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ電極部４）
に比べ約１．５倍以上の接続強度が得られた。ＴＡＢ実
装による接続の場合にはＡｕ／Ｎｉ，半田／Ｎｉの第２
の電極層９とすると接続強度が特に良好で、第２の実施
例（Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒ電極部４）に
比べ約２倍以上の接続強度が得られた。
／Ｎｉの第２電極層９とすると、接続強度が特に良好
で、第２の実施例（Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ電極部４）
に比べ約１．５倍以上の接続強度が得られた。ＴＡＢ実
装による接続の場合にはＡｕ／Ｎｉ，半田／Ｎｉの第２
の電極層９とすると接続強度が特に良好で、第２の実施
例（Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃｒ電極部４）に
比べ約２倍以上の接続強度が得られた。
【００１８】さらに本実施例の第２の電極層９を第１の
電極層８の領域より小さく形成することで、リード端子
７の接続により発生する応力が電極部４の形成領域の全
領域に加わらない。よって電極部４と基板１との接続部
に直接応力が加わらず、接続強度の信頼性がさらに強化
され、接続条件やリードの取り扱いを容易にすることが
出来る。
電極層８の領域より小さく形成することで、リード端子
７の接続により発生する応力が電極部４の形成領域の全
領域に加わらない。よって電極部４と基板１との接続部
に直接応力が加わらず、接続強度の信頼性がさらに強化
され、接続条件やリードの取り扱いを容易にすることが
出来る。
【００１９】尚、第３の実施例において、保護膜６とし
て耐熱性のポリイミドや線膨張係数が５×１０-5／℃以
下のポリイミドを使用することが出来ることは言うまで
もない。
て耐熱性のポリイミドや線膨張係数が５×１０-5／℃以
下のポリイミドを使用することが出来ることは言うまで
もない。
【００２０】他に、Ｃｕ／Ｔｉ，Ｃｕ／Ｃｒ，Ａｌ／Ｃ
ｒ等の短絡電極３及び電極部４の表面にＣｒ，Ｎｉ，Ｎ
ｉＣｒ等の材料でコーティングしてもよい。電極上には
保護膜６が形成されているが形成時にごみ等を巻き込ん
で欠陥の無い膜を形成することが出来にくく、現状の信
頼性には影響が無いが多少の酸化が生じている。本実施
例のような電極コーティングの構成とすることにより、
電極表面の酸化を確実に防止することが出来、高信頼性
を得ることが出来る。
ｒ等の短絡電極３及び電極部４の表面にＣｒ，Ｎｉ，Ｎ
ｉＣｒ等の材料でコーティングしてもよい。電極上には
保護膜６が形成されているが形成時にごみ等を巻き込ん
で欠陥の無い膜を形成することが出来にくく、現状の信
頼性には影響が無いが多少の酸化が生じている。本実施
例のような電極コーティングの構成とすることにより、
電極表面の酸化を確実に防止することが出来、高信頼性
を得ることが出来る。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基板の表
面に形成した半導体磁気抵抗膜及び、前記半導体磁気抵
抗膜の電気信号取り出し用の電極部を、前記電極部上の
みを残して前記基板に形成した保護膜により被覆してあ
るため、磁気センサへのリード取り出し端子の接続及び
磁気検出器とするための組立工程での取り扱いにて、非
常に柔らかい半導体磁気抵抗膜や短絡電極膜を傷つける
ことがなく、素子を破壊等から防止する事が出来るもの
である。
面に形成した半導体磁気抵抗膜及び、前記半導体磁気抵
抗膜の電気信号取り出し用の電極部を、前記電極部上の
みを残して前記基板に形成した保護膜により被覆してあ
るため、磁気センサへのリード取り出し端子の接続及び
磁気検出器とするための組立工程での取り扱いにて、非
常に柔らかい半導体磁気抵抗膜や短絡電極膜を傷つける
ことがなく、素子を破壊等から防止する事が出来るもの
である。
【図１】本発明の半導体磁気センサの一実施例を示す斜
視図
視図
【図２】同センサの断面図
【図３】第２の実施例を示す半導体磁気センサの断面図
【図４】第３の実施例を示す半導体磁気センサの断面図
【図５】従来の磁気検出器を示す概略断面図
【図６】従来の半導体磁気センサの斜視図
【図７】同センサの断面図
【図８】従来の半導体磁気センサリード取り出し構成を
示す断面図
示す断面図
１，２１ 基板 ２，２２ 半導体磁気抵抗膜 ３，２３ 短絡電極 ４，２４ 電極部 ５ 第２の電極層 ６，２７ 保護膜 ７，２６ リード端子 ８ ２層構造の第１の電極層 ９ ２層構造の第２の電極層 ３１ 半導体磁気センサ ３２ リード取り出し部 ３３ バイアス磁石 ３４ 保護ケース ３５ エアーギャップ ３６ ベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷川 秀之 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 松浦 昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 大内 智 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の表面に形成した半導体磁気抵抗膜
と、前記半導体磁気抵抗膜上に形成した短絡電極および
電気信号取り出し用の電極部と、前記電極部のみを残し
て前記基板上に前記半導体磁気抵抗膜および短絡電極を
覆うように形成した保護膜を備えた半導体磁気センサ。 - 【請求項２】 電極部は、基板上に形成され、半導体磁
気抵抗膜に接続したことを特徴とする請求項１記載の半
導体磁気センサ。 - 【請求項３】 保護膜は、耐熱性のあるポリイミド材で
構成したことを特徴とする請求項１または２記載の半導
体磁気センサ。 - 【請求項４】 保護膜はその線膨張係数が５×１０-5／
℃以下のポリイミド材であることを特徴とする請求項１
または２記載の半導体磁気センサ。 - 【請求項５】 電極部は、半導体磁気抵抗膜に接続され
た第１の電極層と、この第１の電極層上に形成した第２
の電極層とを備えており、保護膜の厚さより高く構成し
たことを特徴とする請求項１，２，３，４のいずれかに
記載の半導体磁気センサ。 - 【請求項６】 第２の電極層をメッキにより形成したこ
とを特徴とする請求項５記載の半導体磁気センサ。 - 【請求項７】 第２の電極層を、第１の電極層の領域よ
り小さく形成したことを特徴とする請求項５または６記
載の半導体磁気センサ。 - 【請求項８】 短絡電極および電極部の表面をＣｒ，Ｎ
ｉ，ＮｉＣｒ合金のいずれかでコーティングしたことを
特徴とする請求項１または２記載の半導体磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198527A JPH0945975A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198527A JPH0945975A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945975A true JPH0945975A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16392633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198527A Pending JPH0945975A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 半導体磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945975A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101162A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Asahi Kasei Denshi Kk | 小型磁電変換素子とその製造方法 |
| JP2014098611A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP7198527A patent/JPH0945975A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000101162A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Asahi Kasei Denshi Kk | 小型磁電変換素子とその製造方法 |
| JP2014098611A (ja) * | 2012-11-14 | 2014-05-29 | Nidec Sankyo Corp | 磁気センサ装置およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040427 |