JPH0945994A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH0945994A JPH0945994A JP21408895A JP21408895A JPH0945994A JP H0945994 A JPH0945994 A JP H0945994A JP 21408895 A JP21408895 A JP 21408895A JP 21408895 A JP21408895 A JP 21408895A JP H0945994 A JPH0945994 A JP H0945994A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- laser module
- flange
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザモジュールを固定した機器に加
えられた衝撃が半導体レーザモジュールに伝達される
と、半導体レーザや光学系に影響を与え、光学特性が劣
化される。 【解決手段】 半導体レーザペレット２を内装封止し、
その一部に集光用レンズ６が設けられた半導体レーザ１
と、この半導体レーザに固定されたホルダ８と、このホ
ルダに固定された光ファイバのピグテール１０と、半導
体レーザ１、ホルダ８、及びピグテール１０等を覆う保
護用のカバー部１３と、このカバー部と一体的に形成さ
れて機器等に対して固定されるフランジ部１４とを備え
ており、少なくともフランジ部１４を柔軟素材であるプ
ラスチック樹脂で形成し、機器に加えられた衝撃をフラ
ンジ部１４で緩和し、半導体レーザ１等への影響を回避
する。
えられた衝撃が半導体レーザモジュールに伝達される
と、半導体レーザや光学系に影響を与え、光学特性が劣
化される。 【解決手段】 半導体レーザペレット２を内装封止し、
その一部に集光用レンズ６が設けられた半導体レーザ１
と、この半導体レーザに固定されたホルダ８と、このホ
ルダに固定された光ファイバのピグテール１０と、半導
体レーザ１、ホルダ８、及びピグテール１０等を覆う保
護用のカバー部１３と、このカバー部と一体的に形成さ
れて機器等に対して固定されるフランジ部１４とを備え
ており、少なくともフランジ部１４を柔軟素材であるプ
ラスチック樹脂で形成し、機器に加えられた衝撃をフラ
ンジ部１４で緩和し、半導体レーザ１等への影響を回避
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は通信用半導体レーザ
モジュールに関し、特にモジュールを機器等に搭載固定
するためのフランジを有する半導体レーザモジュールに
関する。
モジュールに関し、特にモジュールを機器等に搭載固定
するためのフランジを有する半導体レーザモジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体レーザモジュールは、半
導体レーザ、集光用レンズ、光ファイバから成り、半導
体レーザからの出射光がレンズにより集光され、光ファ
イバに入射、結合する構造となっている。また、半導体
レーザモジュールを基板または金属ケースへ固定するた
めのフランジが取り付けられている場合が多い。図５
は、従来の半導体レーザモジュールの断面図である。半
導体レーザ１は、一般的に外形φ５．６ｍｍのパッケー
ジとして構成されている。パッケージ内部には、ＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰから成る半導体レーザペレット２が窒
化硼素（ＢＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の
リード３と一体のヒートシンク４上にマウントされ、さ
らに鉄等のステム５上にマウントされている。リード３
はステム１６の穴から突出される。そして、Ｔａｆ−３
やＢＫ−７から成る球レンズ３を保持するキャップ７に
よって封止され、パッケージ内部は乾燥窒素が充填され
る。
導体レーザ、集光用レンズ、光ファイバから成り、半導
体レーザからの出射光がレンズにより集光され、光ファ
イバに入射、結合する構造となっている。また、半導体
レーザモジュールを基板または金属ケースへ固定するた
めのフランジが取り付けられている場合が多い。図５
は、従来の半導体レーザモジュールの断面図である。半
導体レーザ１は、一般的に外形φ５．６ｍｍのパッケー
ジとして構成されている。パッケージ内部には、ＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰから成る半導体レーザペレット２が窒
化硼素（ＢＮ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の
リード３と一体のヒートシンク４上にマウントされ、さ
らに鉄等のステム５上にマウントされている。リード３
はステム１６の穴から突出される。そして、Ｔａｆ−３
やＢＫ−７から成る球レンズ３を保持するキャップ７に
よって封止され、パッケージ内部は乾燥窒素が充填され
る。
【０００３】この半導体レーザ１はステム５においてＳ
ＵＳ３０４等のステンレスから成るホルダ８に抵抗溶接
され、所望の光出力が得られるように、シングルモード
光ファイバ９が固定されているピグテール１０と光軸調
整を行った後、スライドリング１１を介して、ＹＡＧレ
ーザ溶接により固定される。スライドリング１１もＳＵ
Ｓ３０４等のステンレスから成る。さらに、半導体レー
ザモジュールを機器の基板あるいは金属ケース等に固定
するために、ＳＵＳ３０４等のステンレスから成るフラ
ンジ１７をＹＡＧレーザ溶接によりホルダ８に固定す
る。また、前記ピグテール１０等を覆うようにプラスチ
ック樹脂から成るカバー１８をホルダ８に固定する。
ＵＳ３０４等のステンレスから成るホルダ８に抵抗溶接
され、所望の光出力が得られるように、シングルモード
光ファイバ９が固定されているピグテール１０と光軸調
整を行った後、スライドリング１１を介して、ＹＡＧレ
ーザ溶接により固定される。スライドリング１１もＳＵ
Ｓ３０４等のステンレスから成る。さらに、半導体レー
ザモジュールを機器の基板あるいは金属ケース等に固定
するために、ＳＵＳ３０４等のステンレスから成るフラ
ンジ１７をＹＡＧレーザ溶接によりホルダ８に固定す
る。また、前記ピグテール１０等を覆うようにプラスチ
ック樹脂から成るカバー１８をホルダ８に固定する。
【０００４】ところで、この種の半導体レーザモジュー
ルでは、通常初期不良を除去するためのスクリーニング
や、電気および光学的特性の選別を行っている。光学的
特性の一つとして、衝撃に対する光出力の安定性を確認
する耐衝撃性試験が行われる。図３は耐衝撃性試験を説
明するための斜視図である。ここでは、半導体レーザモ
ジュールＭは送信モジュールＳＭの一部に取り付けられ
るものとする。この場合、モジュールＭはフランジ１７
がネジ１９により送信モジュールＳＭの外部に固定され
ているが、内部に固定用の部品があれば、送信用モジュ
ールＳＭの内部に固定される場合もある。半導体レーザ
モジュールＭはリードを介して送信用モジュールＳＭ内
部で電気的に接続され、駆動回路およびＡＰＣ（Ａｕｔ
ｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路等のＩＣ（Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって駆動され
る。つまり、送信用モジュールＳＭは、入力信号を電気
から光信号に変換する役割を果たす。
ルでは、通常初期不良を除去するためのスクリーニング
や、電気および光学的特性の選別を行っている。光学的
特性の一つとして、衝撃に対する光出力の安定性を確認
する耐衝撃性試験が行われる。図３は耐衝撃性試験を説
明するための斜視図である。ここでは、半導体レーザモ
ジュールＭは送信モジュールＳＭの一部に取り付けられ
るものとする。この場合、モジュールＭはフランジ１７
がネジ１９により送信モジュールＳＭの外部に固定され
ているが、内部に固定用の部品があれば、送信用モジュ
ールＳＭの内部に固定される場合もある。半導体レーザ
モジュールＭはリードを介して送信用モジュールＳＭ内
部で電気的に接続され、駆動回路およびＡＰＣ（Ａｕｔ
ｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）回路等のＩＣ（Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって駆動され
る。つまり、送信用モジュールＳＭは、入力信号を電気
から光信号に変換する役割を果たす。
【０００５】そして、送信時に何らかの要因により、外
部から衝撃が印加された場合、図４（ｂ）のように衝撃
印加時においても光ファイバ９からの光出力が変動しな
ければ、データを誤り無く、伝送することができる。し
かし、図４（ａ）のようにファイバ光出力がたとえ瞬時
でも変動した場合、データに誤りを生ずる場合がある。
このため、前記した耐衝撃性試験では、図３のように、
衝撃印加用ハンマーＨを用いて、送信用モジュールＳＭ
のある部分、衝撃印加箇所ＡやＢに衝撃を印加して、そ
のときにおけるファイバ光出力の変動を検出している。
この加えられた衝撃は、フランジ１７から、ＹＡＧ溶接
固定部を介し、ホルダ８、スライドリング１１、ピグテ
ール１０へと伝えられる。またホルダ８から抵抗溶接部
を介し、半導体レーザ１、球レンズ６へと伝えられる。
そして、半導体レーザペレット２および球レンズ６、ピ
グテール１０から成る光結合系において、これらが相対
的に約１度傾いた場合に、ファイバ光出力は、０．５ｄ
Ｂ変動する。
部から衝撃が印加された場合、図４（ｂ）のように衝撃
印加時においても光ファイバ９からの光出力が変動しな
ければ、データを誤り無く、伝送することができる。し
かし、図４（ａ）のようにファイバ光出力がたとえ瞬時
でも変動した場合、データに誤りを生ずる場合がある。
このため、前記した耐衝撃性試験では、図３のように、
衝撃印加用ハンマーＨを用いて、送信用モジュールＳＭ
のある部分、衝撃印加箇所ＡやＢに衝撃を印加して、そ
のときにおけるファイバ光出力の変動を検出している。
この加えられた衝撃は、フランジ１７から、ＹＡＧ溶接
固定部を介し、ホルダ８、スライドリング１１、ピグテ
ール１０へと伝えられる。またホルダ８から抵抗溶接部
を介し、半導体レーザ１、球レンズ６へと伝えられる。
そして、半導体レーザペレット２および球レンズ６、ピ
グテール１０から成る光結合系において、これらが相対
的に約１度傾いた場合に、ファイバ光出力は、０．５ｄ
Ｂ変動する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような耐衝撃性試
験を行った結果として、従来の半導体レーザモジュール
では、図４に示した特性において、同図（ａ）のような
ファイバ出力の変動が生じ易いことが判明した。この原
因として、従来の半導体レーザモジュールでは、フラン
ジ１７は、ホルダ８に対してＹＡＧ溶接固定するために
ＳＵＳ３０４等のステンレスから成り、その剛性が高い
ために、印加された衝撃をあまり和らげることなくホル
ダ８に伝え、その後、変位、傾きに敏感な光学系に衝撃
を伝えてしまうためである。
験を行った結果として、従来の半導体レーザモジュール
では、図４に示した特性において、同図（ａ）のような
ファイバ出力の変動が生じ易いことが判明した。この原
因として、従来の半導体レーザモジュールでは、フラン
ジ１７は、ホルダ８に対してＹＡＧ溶接固定するために
ＳＵＳ３０４等のステンレスから成り、その剛性が高い
ために、印加された衝撃をあまり和らげることなくホル
ダ８に伝え、その後、変位、傾きに敏感な光学系に衝撃
を伝えてしまうためである。
【０００７】このため、従来の半導体レーザモジュール
においては、フランジ１７を薄くし、かつ半導体レーザ
１の底部が送信用モジュールＳＭの金属ケースに接触し
ないような構造が提案されているが、これでも印加され
た衝撃を有効に緩和し、或いは衝撃の影響を回避するこ
とは困難であり、一部の半導体レーザモジュールでは図
４（ａ）のような特性を示し、衝撃に対して弱いものが
発生するという問題点があった。本発明の目的は、衝撃
を有効に緩和し、かつ衝撃の影響を回避することが可能
な半導体レーザモジュールを提供することにある。
においては、フランジ１７を薄くし、かつ半導体レーザ
１の底部が送信用モジュールＳＭの金属ケースに接触し
ないような構造が提案されているが、これでも印加され
た衝撃を有効に緩和し、或いは衝撃の影響を回避するこ
とは困難であり、一部の半導体レーザモジュールでは図
４（ａ）のような特性を示し、衝撃に対して弱いものが
発生するという問題点があった。本発明の目的は、衝撃
を有効に緩和し、かつ衝撃の影響を回避することが可能
な半導体レーザモジュールを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも半
導体レーザを内装し、その一部に機器等に固定するため
のフランジ部を有する半導体レーザモジュールにおい
て、フランジ部を柔軟性のある素材で形成したことを特
徴とする。この場合、半導体レーザを内装するカバー部
とフランジ部とがフランジカバーとして一体形成され、
かつフランジカバーは所要の機械的強度を有する柔軟な
素材で形成することが好ましい。さらに、機器等に接触
されるフランジ部の固定面に緩衝材が装着されているこ
とが好ましい。
導体レーザを内装し、その一部に機器等に固定するため
のフランジ部を有する半導体レーザモジュールにおい
て、フランジ部を柔軟性のある素材で形成したことを特
徴とする。この場合、半導体レーザを内装するカバー部
とフランジ部とがフランジカバーとして一体形成され、
かつフランジカバーは所要の機械的強度を有する柔軟な
素材で形成することが好ましい。さらに、機器等に接触
されるフランジ部の固定面に緩衝材が装着されているこ
とが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。図１は本発明の半導体レーザモ
ジュールの第１の実施形態の断面図である。半導体レー
ザ１は、外形φ５．６ｍｍのパッケージに納められてお
り、パッケージ内部には、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰから
成る半導体レーザペレット２が、窒化硼素（ＢＮ）また
は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、あるいは炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）等のリード３と一体のヒートシンク４上にマウン
トされ、さらに鉄あるいはコバール（鉄−ニッケル−コ
バルトの合金）等のステム５上にマウントされている。
リード３はステム５の穴を通して外部に突出されてい
る。
面を参照して説明する。図１は本発明の半導体レーザモ
ジュールの第１の実施形態の断面図である。半導体レー
ザ１は、外形φ５．６ｍｍのパッケージに納められてお
り、パッケージ内部には、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰから
成る半導体レーザペレット２が、窒化硼素（ＢＮ）また
は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、あるいは炭化珪素（Ｓ
ｉＣ）等のリード３と一体のヒートシンク４上にマウン
トされ、さらに鉄あるいはコバール（鉄−ニッケル−コ
バルトの合金）等のステム５上にマウントされている。
リード３はステム５の穴を通して外部に突出されてい
る。
【００１０】また、図には示されていないが、半導体レ
ーザペレット２の後方出射光をモニタするために、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＰから成るフォトダイオードも前記ステ
ム５上にマウントされている。そして、Ｔａｆ−３やＢ
Ｋ−７あるいはサファイヤ等のガラス材から成る球レン
ズ６を低融点ガラスによりその頂点位置の開口部内に固
定しているキャップ７を被せ、前記ステム５の周辺部に
封着することで、内部に乾燥窒素を充填した状態で前記
半導体レーザペレット２の封止を行っている。
ーザペレット２の後方出射光をモニタするために、Ｉｎ
ＧａＡｓ／ＩｎＰから成るフォトダイオードも前記ステ
ム５上にマウントされている。そして、Ｔａｆ−３やＢ
Ｋ−７あるいはサファイヤ等のガラス材から成る球レン
ズ６を低融点ガラスによりその頂点位置の開口部内に固
定しているキャップ７を被せ、前記ステム５の周辺部に
封着することで、内部に乾燥窒素を充填した状態で前記
半導体レーザペレット２の封止を行っている。
【００１１】さらに、前記半導体レーザ１は前記ステム
５の周縁部がＳＵＳ３０４等のステンレスから成るホル
ダ８に抵抗溶接される。そして、所望の光出力が得られ
るように、シングルモード光ファイバ９が固定されてい
るピグテール１０と光軸調整を行った後、このピグテー
ル１０とＳＵＳ３０４等のステンレスから成るスライド
リング１１をＹＡＧレーザ溶接により固定し、さらに再
度光軸調整を行った上で、スライドリング１１をホルダ
８に対してＹＡＧレーザで固定する。
５の周縁部がＳＵＳ３０４等のステンレスから成るホル
ダ８に抵抗溶接される。そして、所望の光出力が得られ
るように、シングルモード光ファイバ９が固定されてい
るピグテール１０と光軸調整を行った後、このピグテー
ル１０とＳＵＳ３０４等のステンレスから成るスライド
リング１１をＹＡＧレーザ溶接により固定し、さらに再
度光軸調整を行った上で、スライドリング１１をホルダ
８に対してＹＡＧレーザで固定する。
【００１２】さらに、プラスチック樹脂から成るフラン
ジカバー１２を前記ピグテール１０ないしホルダ８を覆
うように被せ、その内周面をホルダ８に固定する。前記
フランジカバー１２は、円筒状をしたカバー部１３と、
このカバー部１３の先端部において両側に突出された舌
片状のフランジ部１４とを一体に形成したものである。
このフランジ部１４には機器等に半導体レーザモジュー
ルを固定するためのネジ挿通穴１４ａが開設されてい
る。また、前記フランジカバー１２を構成するプラスチ
ック樹脂は、必要な機械的強度を確保した上でなるべく
軟らかい素材のものを採用する。
ジカバー１２を前記ピグテール１０ないしホルダ８を覆
うように被せ、その内周面をホルダ８に固定する。前記
フランジカバー１２は、円筒状をしたカバー部１３と、
このカバー部１３の先端部において両側に突出された舌
片状のフランジ部１４とを一体に形成したものである。
このフランジ部１４には機器等に半導体レーザモジュー
ルを固定するためのネジ挿通穴１４ａが開設されてい
る。また、前記フランジカバー１２を構成するプラスチ
ック樹脂は、必要な機械的強度を確保した上でなるべく
軟らかい素材のものを採用する。
【００１３】このような構成の半導体レーザモジュール
において、図３に示したような耐衝撃性試験を行うと、
図４（ｂ）のように衝撃印加時においても良好な特性と
なる。すなわち、この実施形態の半導体レーザモジュー
ルにおいては、取着した機器に加えられた衝撃は、ネジ
止めされているフランジカバー１２のフランジ部１４に
伝達されるが、フランジカバー１２が比較的柔らかいプ
ラスチック樹脂でできているため、フランジ部１４にお
いて衝撃が吸収ないし減衰されてホルダ８に伝わり難い
ものとなる。
において、図３に示したような耐衝撃性試験を行うと、
図４（ｂ）のように衝撃印加時においても良好な特性と
なる。すなわち、この実施形態の半導体レーザモジュー
ルにおいては、取着した機器に加えられた衝撃は、ネジ
止めされているフランジカバー１２のフランジ部１４に
伝達されるが、フランジカバー１２が比較的柔らかいプ
ラスチック樹脂でできているため、フランジ部１４にお
いて衝撃が吸収ないし減衰されてホルダ８に伝わり難い
ものとなる。
【００１４】また、フランジ部１４はカバー部１３まで
一体に形成されているため、フランジ部１４に伝達され
た衝撃はカバー部１３にまで内部を伝達され、カバー部
１３に至るまでの間に吸収ないし減衰されるため、半導
体レーザモジュール内部の半導体レーザ１、球レンズ
６、光ファイバ９から成る光学系にほとんど影響を与え
ることがない。また、このようにフランジ部１４とカバ
ー部１３とを一体に形成することで、半導体レーザモジ
ュールを構成する部品点数が削減でき、その組立工数も
低減でき、モジュールの低コスト化を図ることもでき
る。
一体に形成されているため、フランジ部１４に伝達され
た衝撃はカバー部１３にまで内部を伝達され、カバー部
１３に至るまでの間に吸収ないし減衰されるため、半導
体レーザモジュール内部の半導体レーザ１、球レンズ
６、光ファイバ９から成る光学系にほとんど影響を与え
ることがない。また、このようにフランジ部１４とカバ
ー部１３とを一体に形成することで、半導体レーザモジ
ュールを構成する部品点数が削減でき、その組立工数も
低減でき、モジュールの低コスト化を図ることもでき
る。
【００１５】図２は本発明の第２の実施形態の断面図で
あり、第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付し
てある。この実施形態では、フランジカバー１２のフラ
ンジ部１４の内面、すなわちフランジ部１４を機器等に
固定する側の面に板状の緩衝材１５を一体的に設けてい
る。この緩衝材１５は、例えばゴム等の衝撃を吸収する
材質が用いられる。したがって、この半導体レーザモジ
ュールを機器等に固定したときには、フランジ部１４と
機器表面との間に緩衝材１５が介挿された状態となる。
あり、第１の実施形態と等価な部分には同一符号を付し
てある。この実施形態では、フランジカバー１２のフラ
ンジ部１４の内面、すなわちフランジ部１４を機器等に
固定する側の面に板状の緩衝材１５を一体的に設けてい
る。この緩衝材１５は、例えばゴム等の衝撃を吸収する
材質が用いられる。したがって、この半導体レーザモジ
ュールを機器等に固定したときには、フランジ部１４と
機器表面との間に緩衝材１５が介挿された状態となる。
【００１６】この実施形態の半導体レーザモジュールに
対しても、図３に示すような耐衝撃性試験を行うと、機
器に加えられた衝撃をフランジ部１４において吸収、減
衰し、衝撃が半導体レーザ等に影響することを回避する
ことができる。また、この実施形態では、フランジ部１
４の内面に設けた緩衝材１５によっても衝撃を緩衝する
ために、第１の実施形態よりもさらに衝撃に対する強度
が増し、図４（ｂ）のような良好な特性となる。
対しても、図３に示すような耐衝撃性試験を行うと、機
器に加えられた衝撃をフランジ部１４において吸収、減
衰し、衝撃が半導体レーザ等に影響することを回避する
ことができる。また、この実施形態では、フランジ部１
４の内面に設けた緩衝材１５によっても衝撃を緩衝する
ために、第１の実施形態よりもさらに衝撃に対する強度
が増し、図４（ｂ）のような良好な特性となる。
【００１７】なお、前記各実施形態では、フランジカバ
ーをプラスチック樹脂で形成した例を示しているが、所
要の機械的強度を保持する一方で多少の柔軟性がある素
材であれば、他の素材で構成してもよい。また、フラン
ジ部とカバー部とを別素材で形成したものを接着或いは
溶着等によってフランジカバーとして一体化してもよ
い。さらに、第２の実施形態における緩衝材はゴム以外
の柔軟な樹脂を用いてもよい。
ーをプラスチック樹脂で形成した例を示しているが、所
要の機械的強度を保持する一方で多少の柔軟性がある素
材であれば、他の素材で構成してもよい。また、フラン
ジ部とカバー部とを別素材で形成したものを接着或いは
溶着等によってフランジカバーとして一体化してもよ
い。さらに、第２の実施形態における緩衝材はゴム以外
の柔軟な樹脂を用いてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザモジュールにおいては、フランジ部が比較的柔らか
い素材で形成されているため、機器等に加えられた衝撃
をフランジ部にて緩和でき、半導体レーザモジュール内
部の半導体レーザや光学系等に対して影響を与えること
が非常に小さくなり、耐衝撃性を改善することができ
る。因みに、本発明の半導体レーザモジュールは、耐衝
撃性試験における不良率を従来の約十分の一に低減でき
る。また、フランジとカバーを一体構造としたことによ
り、その組み立工数を２％削減することが可能となる。
ーザモジュールにおいては、フランジ部が比較的柔らか
い素材で形成されているため、機器等に加えられた衝撃
をフランジ部にて緩和でき、半導体レーザモジュール内
部の半導体レーザや光学系等に対して影響を与えること
が非常に小さくなり、耐衝撃性を改善することができ
る。因みに、本発明の半導体レーザモジュールは、耐衝
撃性試験における不良率を従来の約十分の一に低減でき
る。また、フランジとカバーを一体構造としたことによ
り、その組み立工数を２％削減することが可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態の断面図である。
【図３】耐衝撃性試験を説明するための概念図である。
【図４】衝撃特性を示す図である。
【図５】従来の半導体レーザモジュールの一例の断面図
である。
である。
１ 半導体レーザ ２ 半導体レーザペレット ５ ステム ６ 球レンズ ８ ホルダ ９ 光ファイバ １０ ピグテール １２ フランジカバー １３ カバー部 １４ フランジ部 １５ 緩衝材
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも半導体レーザ内装し、かつそ
の一部に機器等に固定するためのフランジ部を有する半
導体レーザモジュールにおいて、前記フランジ部を柔軟
性のある素材で形成したことを特徴とする半導体レーザ
モジュール。 - 【請求項２】 半導体レーザを内装するカバー部とフラ
ンジ部とがフランジカバーとして一体形成され、かつフ
ランジカバーは所要の機械的強度を有する柔軟な素材で
形成した請求項１の半導体レーザモジュール。 - 【請求項３】 機器等に接触されるフランジ部の固定面
に緩衝材が装着されている請求項１または２の半導体レ
ーザモジュール。 - 【請求項４】 半導体レーザペレットを内装封止し、そ
の一部に集光用レンズが設けられた半導体レーザと、前
記半導体レーザに固定されたホルダと、前記ホルダに固
定された光ファイバのピグテールと、前記半導体レー
ザ、ホルダ、及びピグテール等を覆う保護用のカバー部
と、前記カバーと一体的に形成されて機器等に対して固
定されるフランジ部とを備え、少なくとも前記フランジ
部をプラスチック樹脂で形成したことを特徴とする半導
体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21408895A JPH0945994A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21408895A JPH0945994A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945994A true JPH0945994A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16650036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21408895A Pending JPH0945994A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284699A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光通信機器および光モジュールの固定方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129122A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-30 | Fuji Electric Co Ltd | 真空バルブ |
| JPH0536407B2 (ja) * | 1988-03-15 | 1993-05-31 | Chuwa Intaanashonaru Kk | |
| JPH0645706A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JPH0682078A (ja) * | 1992-09-02 | 1994-03-22 | Sanden Corp | エアコンの制御装置 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP21408895A patent/JPH0945994A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0536407B2 (ja) * | 1988-03-15 | 1993-05-31 | Chuwa Intaanashonaru Kk | |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284699A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-10-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光通信機器および光モジュールの固定方法 |
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