JPH0949802A - パーティクルの検査方法 - Google Patents
パーティクルの検査方法Info
- Publication number
- JPH0949802A JPH0949802A JP7203189A JP20318995A JPH0949802A JP H0949802 A JPH0949802 A JP H0949802A JP 7203189 A JP7203189 A JP 7203189A JP 20318995 A JP20318995 A JP 20318995A JP H0949802 A JPH0949802 A JP H0949802A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- particle
- wafer
- map
- cleaning
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ、例えば、半導体ウェーハ上のパー
ティクル（実異物）とウェーハの結晶欠陥または表面異
常（キズ等）とを容易に判別することができ、ウェーハ
上のパーティクルを正確に測定することを可能としたパ
ーティクルの検査方法を提供する。 【解決手段】 検査対象となるウェーハ上のパーティク
ルを測定して第１パーティクルマップを作成する工程
と、該ウェーハからパーティクルを除去する処理を行な
う工程と、該パーティクル除去処理を受けたウェーハ上
のパーティクルを測定して第２パーティクルマップを作
成する工程と、上記第１及び第２パーティクルマップを
比較する工程とを有し、第１及び第２パーティクルマッ
プの双方において不動の位置に存在するパーティクルを
結晶欠陥または表面異常と判定し、第１パーティクルマ
ップには存在するが第２パーティクルマップに存在しな
くなったパーティクルを実異物と判定する。
ティクル（実異物）とウェーハの結晶欠陥または表面異
常（キズ等）とを容易に判別することができ、ウェーハ
上のパーティクルを正確に測定することを可能としたパ
ーティクルの検査方法を提供する。 【解決手段】 検査対象となるウェーハ上のパーティク
ルを測定して第１パーティクルマップを作成する工程
と、該ウェーハからパーティクルを除去する処理を行な
う工程と、該パーティクル除去処理を受けたウェーハ上
のパーティクルを測定して第２パーティクルマップを作
成する工程と、上記第１及び第２パーティクルマップを
比較する工程とを有し、第１及び第２パーティクルマッ
プの双方において不動の位置に存在するパーティクルを
結晶欠陥または表面異常と判定し、第１パーティクルマ
ップには存在するが第２パーティクルマップに存在しな
くなったパーティクルを実異物と判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ、例えば
半導体ウェーハ上の実異物としてのパーティクルを正確
に測定することができるパーティクルの検査方法に関す
る。
半導体ウェーハ上の実異物としてのパーティクルを正確
に測定することができるパーティクルの検査方法に関す
る。
【０００２】
【関連技術】ウェーハ上のパーティクルとは、本来何ら
かの実異物が付着したものであるが、半導体素子の製造
工程に悪影響を及ぼすことから厳しく管理する必要があ
る。従来のパーティクルの管理基準は粒径で０．３μｍ
程度であったが、半導体素子の微細化に伴い０．２μｍ
或いは０．１μｍ以下のパーティクルの管理が求められ
ている。このウェーハ上のパーティクルの測定は、通
常、光散乱方式のレーザーパーティクルカウンターを用
いて行なわれている。
かの実異物が付着したものであるが、半導体素子の製造
工程に悪影響を及ぼすことから厳しく管理する必要があ
る。従来のパーティクルの管理基準は粒径で０．３μｍ
程度であったが、半導体素子の微細化に伴い０．２μｍ
或いは０．１μｍ以下のパーティクルの管理が求められ
ている。このウェーハ上のパーティクルの測定は、通
常、光散乱方式のレーザーパーティクルカウンターを用
いて行なわれている。
【０００３】一方、通常使用されるＣＺ法により製造さ
れたシリコン単結晶中には結晶欠陥が多数存在する。こ
こで重要なことは、シリコン単結晶ウェーハ上のパーテ
ィクルを光散乱方式のパーティクルカウンターによって
測定すると、０．２μｍ以下の結晶欠陥はウェーハ上の
パーティクルとして検出されてしまうということであ
る。その数は通常ウェーハあたり５００〜１０００個程
度に上り、特殊な製造方法を用いても２０〜３０個程度
存在する。
れたシリコン単結晶中には結晶欠陥が多数存在する。こ
こで重要なことは、シリコン単結晶ウェーハ上のパーテ
ィクルを光散乱方式のパーティクルカウンターによって
測定すると、０．２μｍ以下の結晶欠陥はウェーハ上の
パーティクルとして検出されてしまうということであ
る。その数は通常ウェーハあたり５００〜１０００個程
度に上り、特殊な製造方法を用いても２０〜３０個程度
存在する。
【０００４】またエピタキシャル成長を行ったウェーハ
は、結晶欠陥が少ないことが知られているが、これにつ
いてもウェーハあたり数個の結晶欠陥が存在しており、
このウェーハ上のパーティクルを光散乱方式のパーティ
クルカウンターで測定すると、この結晶欠陥が０．１μ
ｍ〜０．２μｍ程度のパーティクルとして検出されてし
まう。さらに、ウェーハ表面には種々の原因によって発
生するキズ等の表面異常が存在するが、このウェーハ上
のパーティクルを光散乱方式のパーティクルカウンター
で測定しても、この表面異常がやはり０．２μｍ以下の
パーティクルとして検出されてしまう。
は、結晶欠陥が少ないことが知られているが、これにつ
いてもウェーハあたり数個の結晶欠陥が存在しており、
このウェーハ上のパーティクルを光散乱方式のパーティ
クルカウンターで測定すると、この結晶欠陥が０．１μ
ｍ〜０．２μｍ程度のパーティクルとして検出されてし
まう。さらに、ウェーハ表面には種々の原因によって発
生するキズ等の表面異常が存在するが、このウェーハ上
のパーティクルを光散乱方式のパーティクルカウンター
で測定しても、この表面異常がやはり０．２μｍ以下の
パーティクルとして検出されてしまう。
【０００５】このように、光散乱方式のレーザーパーテ
ィクルカウンターを用いるパーティクルの測定方法では
結晶欠陥や表面異常（キズ等）と実異物としてのパーテ
ィクルが混同されてしまうため、特に微小な（例えば、
０．２μｍ以下）パーティクルの測定は不正確とならざ
るをえなかった。
ィクルカウンターを用いるパーティクルの測定方法では
結晶欠陥や表面異常（キズ等）と実異物としてのパーテ
ィクルが混同されてしまうため、特に微小な（例えば、
０．２μｍ以下）パーティクルの測定は不正確とならざ
るをえなかった。
【０００６】そこで、ウェーハ上のパーティクルを測定
するにあたり、０．２μｍ以下のパーティクルを結晶欠
陥や表面異常（キズ等）と区別して正確に測定する手段
の出現が待たれているのが現状である。
するにあたり、０．２μｍ以下のパーティクルを結晶欠
陥や表面異常（キズ等）と区別して正確に測定する手段
の出現が待たれているのが現状である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記した事
情に鑑みなされたもので、ウェーハ、例えば、半導体ウ
ェーハ上のパーティクルとウェーハの結晶欠陥または表
面異常（キズ等）とを容易に判別することができ、ウェ
ーハ上のパーティクルを正確に測定することを可能とし
たパーティクルの検査方法を提供することを目的とす
る。
情に鑑みなされたもので、ウェーハ、例えば、半導体ウ
ェーハ上のパーティクルとウェーハの結晶欠陥または表
面異常（キズ等）とを容易に判別することができ、ウェ
ーハ上のパーティクルを正確に測定することを可能とし
たパーティクルの検査方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のパーティクルの検査方法は、検査対象とな
るウェーハ上のパーティクルを測定して第１パーティク
ルマップを作成する工程と、該ウェーハからパーティク
ルを除去する処理を行なう工程と、該パーティクル除去
処理を受けたウェーハ上のパーティクルを測定して第２
パーティクルマップを作成する工程と、上記第１及び第
２パーティクルマップを比較する工程とを有し、第１及
び第２パーティクルマップの双方において不動の位置に
存在するパーティクルを結晶欠陥または表面異常と判定
し、第１パーティクルマップには存在するが第２パーテ
ィクルマップに存在しなくなったパーティクルを実異物
と判定することを特徴とする。なお，ここでいうパーテ
ィクルマップとはウェーハ上のパーティクルの位置を示
すマップである。
に、本発明のパーティクルの検査方法は、検査対象とな
るウェーハ上のパーティクルを測定して第１パーティク
ルマップを作成する工程と、該ウェーハからパーティク
ルを除去する処理を行なう工程と、該パーティクル除去
処理を受けたウェーハ上のパーティクルを測定して第２
パーティクルマップを作成する工程と、上記第１及び第
２パーティクルマップを比較する工程とを有し、第１及
び第２パーティクルマップの双方において不動の位置に
存在するパーティクルを結晶欠陥または表面異常と判定
し、第１パーティクルマップには存在するが第２パーテ
ィクルマップに存在しなくなったパーティクルを実異物
と判定することを特徴とする。なお，ここでいうパーテ
ィクルマップとはウェーハ上のパーティクルの位置を示
すマップである。
【０００９】前記ウェーハからパーティクルを除去する
処理としては、アンモニア過酸化水素水洗浄及び／又は
ブラシ洗浄を用いるのが好適である。また、上記パーテ
ィクルの測定は光散乱方式のパーティクルカウンターで
行なえばよい。
処理としては、アンモニア過酸化水素水洗浄及び／又は
ブラシ洗浄を用いるのが好適である。また、上記パーテ
ィクルの測定は光散乱方式のパーティクルカウンターで
行なえばよい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明のパーティクルの検
査方法を添付図面とともに説明する。図１は本発明方法
の工程を示すフローチャートである。本発明方法は、第
１パーティクルマップ作成工程１２、パーティクル除去
処理工程１４、第２パーティクルマップ作成工程１６及
び該第１及び第２パーティクルマップの比較工程１８か
ら構成されている。
査方法を添付図面とともに説明する。図１は本発明方法
の工程を示すフローチャートである。本発明方法は、第
１パーティクルマップ作成工程１２、パーティクル除去
処理工程１４、第２パーティクルマップ作成工程１６及
び該第１及び第２パーティクルマップの比較工程１８か
ら構成されている。
【００１１】上記第１パーティクルマップ作成工程１２
においては、検査対象となるウェーハについてパーティ
クルをパーティクル測定手段を用いて測定し、第１パー
ティクルマップ（洗浄前パーティクルマップ）を作成す
る。当該パーティクル測定対象となるウェーハについて
は、半導体ウェーハ等のウェーハであればよく特別の制
限はないが、洗浄処理を含んだ各種の前処理を受けてい
るのが通常である。また、パーティクル測定手段として
は、光散乱式のパーティクルカウンターを用いればよ
い。
においては、検査対象となるウェーハについてパーティ
クルをパーティクル測定手段を用いて測定し、第１パー
ティクルマップ（洗浄前パーティクルマップ）を作成す
る。当該パーティクル測定対象となるウェーハについて
は、半導体ウェーハ等のウェーハであればよく特別の制
限はないが、洗浄処理を含んだ各種の前処理を受けてい
るのが通常である。また、パーティクル測定手段として
は、光散乱式のパーティクルカウンターを用いればよ
い。
【００１２】パーティクル除去処理工程１４は、当該ウ
ェーハ上のパーティクルを除去すればよいもので所望の
除去処理を行なってよいが、アンモニア過酸化水素水洗
浄またはブラシ洗浄等の洗浄処理を行なうのが好適であ
る。
ェーハ上のパーティクルを除去すればよいもので所望の
除去処理を行なってよいが、アンモニア過酸化水素水洗
浄またはブラシ洗浄等の洗浄処理を行なうのが好適であ
る。
【００１３】本発明の目的は、前述したごとく、ウェー
ハ上のパーティクルを正確に測定する方法を提供するこ
とであるが、本発明方法を適用することにより、上記洗
浄などの除去処理前後のウェーハ上のパーティクル数を
正確に測定することによってパーティクルの除去技術又
は洗浄技術の性能を判断できる利点がある。また、製造
工程のパーティクルレベルを正確にモニタリングするこ
とができる。
ハ上のパーティクルを正確に測定する方法を提供するこ
とであるが、本発明方法を適用することにより、上記洗
浄などの除去処理前後のウェーハ上のパーティクル数を
正確に測定することによってパーティクルの除去技術又
は洗浄技術の性能を判断できる利点がある。また、製造
工程のパーティクルレベルを正確にモニタリングするこ
とができる。
【００１４】第２パーティクルマップ作成工程１６にお
いては、パーティクル除去処理（洗浄処理など）を受け
たウェーハについてパーティクルを上記パーティクル測
定手段を用いて測定し、第２パーティクルマップ（洗浄
後パーティクルマップ）を作成する。
いては、パーティクル除去処理（洗浄処理など）を受け
たウェーハについてパーティクルを上記パーティクル測
定手段を用いて測定し、第２パーティクルマップ（洗浄
後パーティクルマップ）を作成する。
【００１５】第１及び第２パーティクルマップの比較工
程１８においては、第１及び第２パーティクルマップの
パーティクルの総数をそれぞれ測定する。例えば、第１
パーティクルマップのパーティクルの総数をＡ、第２パ
ーティクルマップのパーティクルの総数をＢとする。次
に、第１パーティクルマップと第２パーティクルマップ
を重ね合わせることによって、両者のマップでウェーハ
上の位置が全く変わらない不動パーティクルを検出し、
そのパーティクル数を測定し、Ｃとする。これらの不動
パーティクルは結晶欠陥又は表面異常、例えばキズ等の
実異物でないものである。
程１８においては、第１及び第２パーティクルマップの
パーティクルの総数をそれぞれ測定する。例えば、第１
パーティクルマップのパーティクルの総数をＡ、第２パ
ーティクルマップのパーティクルの総数をＢとする。次
に、第１パーティクルマップと第２パーティクルマップ
を重ね合わせることによって、両者のマップでウェーハ
上の位置が全く変わらない不動パーティクルを検出し、
そのパーティクル数を測定し、Ｃとする。これらの不動
パーティクルは結晶欠陥又は表面異常、例えばキズ等の
実異物でないものである。
【００１６】上記の場合には、ウェーハの結晶欠陥又は
表面異常がＣ個ある。パーティクル除去処理（洗浄）前
のウェーハ上の実異物としてのパーティクルはＡ−Ｃ個
であり、パーティクル除去処理（洗浄）後のウェーハ上
の実異物としてのパーティクルはＢ−Ｃ個である。パー
ティクル除去処理（洗浄）後のウェーハ上の実異物の存
在は、除去処理（洗浄）によって新たにウェーハ上に実
異物（パーティクル）が付着したものである。このよう
にして、ウェーハ上の実異物としてのパーティクルの測
定を正確に行なうことができる。
表面異常がＣ個ある。パーティクル除去処理（洗浄）前
のウェーハ上の実異物としてのパーティクルはＡ−Ｃ個
であり、パーティクル除去処理（洗浄）後のウェーハ上
の実異物としてのパーティクルはＢ−Ｃ個である。パー
ティクル除去処理（洗浄）後のウェーハ上の実異物の存
在は、除去処理（洗浄）によって新たにウェーハ上に実
異物（パーティクル）が付着したものである。このよう
にして、ウェーハ上の実異物としてのパーティクルの測
定を正確に行なうことができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明方法の実施例を図２〜図５とと
もに説明する。
もに説明する。
【００１８】（実施例１） 試料ウェーハ：ＣＺ ｐ型、結晶方位＜１００＞、１０
Ωｃｍ、２００ｍｍφ（結晶欠陥数２０〜３０個） 洗浄条件：アンモニア過酸化水素水洗浄〔アンモニア
水：過酸化水素水：水＝１：１：１０（体積比）、８０
℃、３分間、アンモニア水：２８〜３０％、過酸化水素
水：３０％〕
Ωｃｍ、２００ｍｍφ（結晶欠陥数２０〜３０個） 洗浄条件：アンモニア過酸化水素水洗浄〔アンモニア
水：過酸化水素水：水＝１：１：１０（体積比）、８０
℃、３分間、アンモニア水：２８〜３０％、過酸化水素
水：３０％〕
【００１９】洗浄処理を含む前処理を受けた試料ウェー
ハについてレーザーパーティクルカウンターＬＳ−６０
００（日立電子エンジニアリング株式会社製）を用いて
パーティクルの数及び位置の測定を行った。この測定に
より作成された第１パーティクルマップを図２に示す。
測定されたパーティクル数はウェーハあたり４４個（≧
０．１０μｍ）であった。
ハについてレーザーパーティクルカウンターＬＳ−６０
００（日立電子エンジニアリング株式会社製）を用いて
パーティクルの数及び位置の測定を行った。この測定に
より作成された第１パーティクルマップを図２に示す。
測定されたパーティクル数はウェーハあたり４４個（≧
０．１０μｍ）であった。
【００２０】このウェーハについて上記洗浄条件のアン
モニア過酸化水素水洗浄を行い再度パーティクル測定を
行ったところ、図３の第２パーティクルマップが得られ
た。測定されたパーティクル数はウェーハあたり３４個
（≧０．１０μｍ）であった。
モニア過酸化水素水洗浄を行い再度パーティクル測定を
行ったところ、図３の第２パーティクルマップが得られ
た。測定されたパーティクル数はウェーハあたり３４個
（≧０．１０μｍ）であった。
【００２１】次にこれらの２枚の第１及び第２パーティ
クルマップを重ね合わせたところ、図４及び図５に白丸
で示したごとく、測定されたパーティクルのうち２２個
がアンモニア過酸化水素水洗浄の前後でウェーハ上の位
置が全く変わっていないことが判明した。
クルマップを重ね合わせたところ、図４及び図５に白丸
で示したごとく、測定されたパーティクルのうち２２個
がアンモニア過酸化水素水洗浄の前後でウェーハ上の位
置が全く変わっていないことが判明した。
【００２２】図４及び図５において、不動パーティクル
は白丸、可動パーティクルは黒丸でそれぞれ示した。
は白丸、可動パーティクルは黒丸でそれぞれ示した。
【００２３】図４における不動パーティクル（白丸）、
即ち洗浄前後でウェーハ上の位置が変わらないパーティ
クルの数は２２個、可動パーティクル（黒丸）、即ち洗
浄後になくなったパーティクルの数は２２個である。図
５における不動パーティクル数（白丸）は図４と同じく
２２個、可動パーティクル（黒丸）、即ち洗浄後に新に
付着したパーティクルの数は１２個である。これらの位
置が変わらない不動パーティクル（白丸）は結晶欠陥で
あることが判っており、これらの不動パーティクル（白
丸）を除外した可動パーティクル数（図４に示した黒
丸、４４個中の２２個）が洗浄前にウェーハ上に存在し
ていた実際の異物の数であると判定できた。
即ち洗浄前後でウェーハ上の位置が変わらないパーティ
クルの数は２２個、可動パーティクル（黒丸）、即ち洗
浄後になくなったパーティクルの数は２２個である。図
５における不動パーティクル数（白丸）は図４と同じく
２２個、可動パーティクル（黒丸）、即ち洗浄後に新に
付着したパーティクルの数は１２個である。これらの位
置が変わらない不動パーティクル（白丸）は結晶欠陥で
あることが判っており、これらの不動パーティクル（白
丸）を除外した可動パーティクル数（図４に示した黒
丸、４４個中の２２個）が洗浄前にウェーハ上に存在し
ていた実際の異物の数であると判定できた。
【００２４】上記実施例では、ウェーハからパーティク
ルを除去する処理をアンモニア過酸化水素水洗浄のみで
行った例を示したが、ブラシ洗浄のみ又はアンモニア過
酸化水素洗浄とブラシ洗浄とを組み合わせることによっ
ても同様の結果が得られることを確認してある。
ルを除去する処理をアンモニア過酸化水素水洗浄のみで
行った例を示したが、ブラシ洗浄のみ又はアンモニア過
酸化水素洗浄とブラシ洗浄とを組み合わせることによっ
ても同様の結果が得られることを確認してある。
【００２５】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のパーティク
ルの検査方法によれば、洗浄工程等での汚染によるウェ
ーハ上の実異物の測定が可能になり、ウェーハの洗浄技
術等の開発が進展するという効果を奏する。また、製造
工程のパーティクルレベルを正確にモニタリングできる
という利点がある。
ルの検査方法によれば、洗浄工程等での汚染によるウェ
ーハ上の実異物の測定が可能になり、ウェーハの洗浄技
術等の開発が進展するという効果を奏する。また、製造
工程のパーティクルレベルを正確にモニタリングできる
という利点がある。
【図１】本発明方法の工程を示すフローチャートであ
る。
る。
【図２】実施例１における第１パーティクルマップを示
す図面である。
す図面である。
【図３】実施例１における第２パーティクルマップを示
す図面である。
す図面である。
【図４】第１パーティクルマップにおけるパーティクル
を不動パーティクルと可動パーティクルに区別して示し
た図面である。
を不動パーティクルと可動パーティクルに区別して示し
た図面である。
【図５】第２パーティクルマップにおけるパーティクル
を不動パーティクルと可動パーティクルに区別して示し
た図面である。
を不動パーティクルと可動パーティクルに区別して示し
た図面である。
１２ 第１パーティクルマップ作成工程 １４ パーティクル除去処理工程 １６ 第２パーティクルマップ作成工程 １８ 第１及び第２パーティクルマップの比較工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高松 広行 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内 (72)発明者 鈴木 盛江 福島県西白河郡西郷村大字小田倉字大平 150番地 信越半導体株式会社半導体白河 研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 検査対象となるウェーハ上のパーティク
ルを測定して第１パーティクルマップを作成する工程
と、該ウェーハからパーティクルを除去する処理を行な
う工程と、該パーティクル除去処理を受けたウェーハ上
のパーティクルを測定して第２パーティクルマップを作
成する工程と、上記第１及び第２パーティクルマップを
比較する工程とを有し、第１及び第２パーティクルマッ
プの双方において不動の位置に存在するパーティクルを
結晶欠陥または表面異常と判定し、第１パーティクルマ
ップには存在するが第２パーティクルマップに存在しな
くなったパーティクルを実異物と判定することを特徴と
するパーティクルの検査方法。 - 【請求項２】 前記ウェーハからパーティクルを除去す
る処理が、アンモニア過酸化水素水洗浄及び／又はブラ
シ洗浄であることを特徴とする請求項１記載のパーティ
クルの検査方法。 - 【請求項３】 前記パーティクルの測定を光散乱方式の
パーティクルカウンターで行なうことを特徴とする請求
項１又は２記載のパーティクルの検査方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203189A JPH0949802A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | パーティクルの検査方法 |
| US08/694,318 US5640238A (en) | 1995-08-09 | 1996-08-08 | Method of inspecting particles on wafers |
| EP96112903A EP0758147A3 (en) | 1995-08-09 | 1996-08-09 | Method of inspecting particles on wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7203189A JPH0949802A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | パーティクルの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949802A true JPH0949802A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16469945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7203189A Pending JPH0949802A (ja) | 1995-08-09 | 1995-08-09 | パーティクルの検査方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5640238A (ja) |
| EP (1) | EP0758147A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0949802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990052284A (ko) * | 1997-12-22 | 1999-07-05 | 윤종용 | 반도체 에피웨이퍼의 디팩트 평가방법 |
| JP2018054576A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 東海光学株式会社 | レンズ外観検査装置 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3320640B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
| US5870187A (en) * | 1997-08-08 | 1999-02-09 | Applied Materials, Inc. | Method for aligning semiconductor wafer surface scans and identifying added and removed particles resulting from wafer handling or processing |
| US6356653B2 (en) | 1998-07-16 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for combined particle location and removal |
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| DE10107150C2 (de) * | 2001-02-15 | 2003-02-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Freilegen von polykristallinen Bereichen auf beschädigten oder strukturell entarteten Oxidinseln in einem Halbleitersubstrat |
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