JPH0949865A - 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ - Google Patents
電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタInfo
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- JPH0949865A JPH0949865A JP7219710A JP21971095A JPH0949865A JP H0949865 A JPH0949865 A JP H0949865A JP 7219710 A JP7219710 A JP 7219710A JP 21971095 A JP21971095 A JP 21971095A JP H0949865 A JPH0949865 A JP H0949865A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電位波形を取得する際に電位波形観測時間の短
縮を達成するＥＢテスタの提供。 【解決手段】集積回路装置に電子ビームを照射する手段
と、集積回路装置から発生する２次電子線を検出する手
段と、２次電子線を２次元的にモニタ画面に電位像とし
て表示する手段と、集積回路装置上の任意の電位波形を
観測する測定ポイントの２次電子線を時間的にモニタ画
面に電位波形として表示する手段と、を少なくとも有す
るＥＢテスタにおいて、測定ポイントの電位波形を得る
際に、通常の電位像の走査範囲に対して、より少ない電
位像の走査範囲に制限し、好ましくはモニタ画面におけ
る２次元表示の縦方向及び／又は横方向の走査範囲を制
限する。
縮を達成するＥＢテスタの提供。 【解決手段】集積回路装置に電子ビームを照射する手段
と、集積回路装置から発生する２次電子線を検出する手
段と、２次電子線を２次元的にモニタ画面に電位像とし
て表示する手段と、集積回路装置上の任意の電位波形を
観測する測定ポイントの２次電子線を時間的にモニタ画
面に電位波形として表示する手段と、を少なくとも有す
るＥＢテスタにおいて、測定ポイントの電位波形を得る
際に、通常の電位像の走査範囲に対して、より少ない電
位像の走査範囲に制限し、好ましくはモニタ画面におけ
る２次元表示の縦方向及び／又は横方向の走査範囲を制
限する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
試験・故障解析に用いられる電子ビームテスタ（「ＥＢ
テスタ」という）に関し、特にＥＢテスタの電位波形の
取得技術に関する。
試験・故障解析に用いられる電子ビームテスタ（「ＥＢ
テスタ」という）に関し、特にＥＢテスタの電位波形の
取得技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＢテスタを用いて半導体集積回路装置
（「ＬＳＩ」という）の障害場所を特定化する場合、従
来、良品の電位像と不良品の電位像を取得した後に両者
を比較したり、電位波形を得ることにより障害場所の特
定化が行なわれている。
（「ＬＳＩ」という）の障害場所を特定化する場合、従
来、良品の電位像と不良品の電位像を取得した後に両者
を比較したり、電位波形を得ることにより障害場所の特
定化が行なわれている。
【０００３】従来のＥＢテスタについて以下に簡単に説
明する。図５に、ＥＢテスタの概略構成を示す。
明する。図５に、ＥＢテスタの概略構成を示す。
【０００４】図５を参照して、ＥＢテスタは、電子ビー
ム（ＥＢ）鏡筒部１１、電子ビーム発生部１２、被試験
対象であるＬＳＩ１３を載置しＬＳＩ１３の端子とＬＳ
Ｉテスタ１７との電気的接続を行なう所定の治具を具備
したテストボード１４、ＬＳＩ１３をＸＹ方向に移動自
在とするＸＹステージ１５、ＬＳＩ１３に電子ビームを
照射した際にＬＳＩ１３から発生する２次電子線を検出
する２次電子検出部１６、ＬＳＩ１３にテストボード１
４を介して電源電圧とテストパタンを与えるＬＳＩテス
タ１７、ＸＹステージ１５を駆動制御するＸＹステージ
駆動装置１８、電子ビーム発生部１２からの電子ビーム
の発生を制御するビームパルス制御装置１Ａ、検出した
２次電子を画像情報または波形情報へ処理したり、この
情報を蓄積したり、また画像データからビームパルス制
御装置１ＡやＸＹステージ駆動装置１８を制御するＣＰ
Ｕ１９、及び得られた電位像や各種情報を表示するＣＲ
Ｔ１Ｂを備えている。
ム（ＥＢ）鏡筒部１１、電子ビーム発生部１２、被試験
対象であるＬＳＩ１３を載置しＬＳＩ１３の端子とＬＳ
Ｉテスタ１７との電気的接続を行なう所定の治具を具備
したテストボード１４、ＬＳＩ１３をＸＹ方向に移動自
在とするＸＹステージ１５、ＬＳＩ１３に電子ビームを
照射した際にＬＳＩ１３から発生する２次電子線を検出
する２次電子検出部１６、ＬＳＩ１３にテストボード１
４を介して電源電圧とテストパタンを与えるＬＳＩテス
タ１７、ＸＹステージ１５を駆動制御するＸＹステージ
駆動装置１８、電子ビーム発生部１２からの電子ビーム
の発生を制御するビームパルス制御装置１Ａ、検出した
２次電子を画像情報または波形情報へ処理したり、この
情報を蓄積したり、また画像データからビームパルス制
御装置１ＡやＸＹステージ駆動装置１８を制御するＣＰ
Ｕ１９、及び得られた電位像や各種情報を表示するＣＲ
Ｔ１Ｂを備えている。
【０００５】次に、このＥＢテスタを用いてプロービン
グポイントにおける電位波形を得る手順を説明する。
グポイントにおける電位波形を得る手順を説明する。
【０００６】電位像等を表示するＣＲＴ１Ｂには、図４
（Ａ）に示すように、電位波形を観測する測定ポイント
であるプロービングポイントを含むようにＸＹステージ
１５等を制御し、必要な倍率に拡大されてなる電位像が
表示されている。
（Ａ）に示すように、電位波形を観測する測定ポイント
であるプロービングポイントを含むようにＸＹステージ
１５等を制御し、必要な倍率に拡大されてなる電位像が
表示されている。
【０００７】このときの電位像の横方向の表示画素数を
Ｘ0、縦方向の表示画素数をＹ0とすると、電位波形取得
時の電位像の横方向取得画素数Ｘ2と縦方向取得画素数
Ｙ2はそれぞれＸ0、Ｙ0に等しくなっている。
Ｘ0、縦方向の表示画素数をＹ0とすると、電位波形取得
時の電位像の横方向取得画素数Ｘ2と縦方向取得画素数
Ｙ2はそれぞれＸ0、Ｙ0に等しくなっている。
【０００８】また、図４（Ｂ）に示すように、ＣＲＴ１
Ｂにおける電位像は複数の画素をマトリックス状に並べ
てなるものであり、倍率を変更しても画素数は変化しな
いことから電位波形の測定時間には無関係である。
Ｂにおける電位像は複数の画素をマトリックス状に並べ
てなるものであり、倍率を変更しても画素数は変化しな
いことから電位波形の測定時間には無関係である。
【０００９】図３（Ａ）に、得られる電位波形（相対電
圧値）の一例を模式的に示す。図３（Ａ）には、時間が
０からｔ0，２ｔ0，３ｔ0、…と経過した時点での電圧
変化が示されている。
圧値）の一例を模式的に示す。図３（Ａ）には、時間が
０からｔ0，２ｔ0，３ｔ0、…と経過した時点での電圧
変化が示されている。
【００１０】これを、時間軸方向に２倍に拡大した測定
レンジにて測定すると、図３（Ｂ）に示すようなものと
なる。
レンジにて測定すると、図３（Ｂ）に示すようなものと
なる。
【００１１】ＥＢテスタのＣＰＵ１９の所定のメモリエ
リア内には、サンプリングした電圧値のデータがテーブ
ル形式で格納されており、ＥＢテスタに表示される電位
波形は、該データをＣＰＵ１９が処理してＣＲＴ１Ｂ上
に波形イメージとして出力してなるものである。
リア内には、サンプリングした電圧値のデータがテーブ
ル形式で格納されており、ＥＢテスタに表示される電位
波形は、該データをＣＰＵ１９が処理してＣＲＴ１Ｂ上
に波形イメージとして出力してなるものである。
【００１２】この電圧値のデータとして格納するメモリ
エリアは、観測する時間軸の時間単位（「タイムディビ
ジョン」という）Ｔ０によらず一定であることから、時
間軸方向の測定ポイント数は一定とされ、時間軸方向に
拡大した（時間軸方向に分解能を上げる）場合、拡大さ
れた時間倍率に応じて測定時間がかかることになる。
エリアは、観測する時間軸の時間単位（「タイムディビ
ジョン」という）Ｔ０によらず一定であることから、時
間軸方向の測定ポイント数は一定とされ、時間軸方向に
拡大した（時間軸方向に分解能を上げる）場合、拡大さ
れた時間倍率に応じて測定時間がかかることになる。
【００１３】これは、観測しているＬＳＩ１３に与える
テストパタンの繰り返し時間とタイムディビジョンＴ０
の比により、測定時間が決定されているからである。
テストパタンの繰り返し時間とタイムディビジョンＴ０
の比により、測定時間が決定されているからである。
【００１４】例えば、タイムディビジョンＴ０＝１μｓ
（マイクロ秒）の時に測定時間が１０ｓ（秒）であれ
ば、タイムディビジョンＴ０＝５００ｎｓ（ナノ秒）の
時には測定時間は２０ｓになり、従ってタイムディビジ
ョンＴ０をｎｓオーダにすると、非常に多大な測定時間
となる。
（マイクロ秒）の時に測定時間が１０ｓ（秒）であれ
ば、タイムディビジョンＴ０＝５００ｎｓ（ナノ秒）の
時には測定時間は２０ｓになり、従ってタイムディビジ
ョンＴ０をｎｓオーダにすると、非常に多大な測定時間
となる。
【００１５】そして、例えば不良解析においては、被試
験デバイスであるフリップフロップのクロックとデータ
入力の時間関係が原因で故障動作をしている等の場合、
一般的にタイムディビジョンＴ０をｎｓオーダと高時間
分解能に設定して、数ポイントから十ポイント程度、良
品及び不良品とも測定することになり、非常に多大な測
定時間が必要とされる。
験デバイスであるフリップフロップのクロックとデータ
入力の時間関係が原因で故障動作をしている等の場合、
一般的にタイムディビジョンＴ０をｎｓオーダと高時間
分解能に設定して、数ポイントから十ポイント程度、良
品及び不良品とも測定することになり、非常に多大な測
定時間が必要とされる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
従来のＥＢテスタにおいては、タイムディビジョンＴ０
を小さくする（時間倍率を上げる、すなわち時間分解能
を高くする）と、電位波形の観測時間が長大になるとい
う問題を有していた。
従来のＥＢテスタにおいては、タイムディビジョンＴ０
を小さくする（時間倍率を上げる、すなわち時間分解能
を高くする）と、電位波形の観測時間が長大になるとい
う問題を有していた。
【００１７】従って、本発明は、上記問題点を解消し、
ＥＢテスタを用いて電位波形を取得する際に、走査範囲
を制限して、取得する画素数を少なくすることにより、
電位波形観測時間の短縮を図ることを目的とする。
ＥＢテスタを用いて電位波形を取得する際に、走査範囲
を制限して、取得する画素数を少なくすることにより、
電位波形観測時間の短縮を図ることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、集積回路装置に電子ビームを照射する手
段と、該集積回路装置から発生する２次電子線を検出す
る手段と、該２次電子線を２次元的にモニタ画面に電位
像として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電
位波形を観測する測定ポイントの該２次電子線を時間的
にモニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少な
くとも有するＥＢテスタにおいて、前記測定ポイントの
電位波形を得る際に、通常の電位像の走査範囲に対し
て、より少ない電位像の走査範囲に制限したことを特徴
とするＥＢテスタを提供する。
め、本発明は、集積回路装置に電子ビームを照射する手
段と、該集積回路装置から発生する２次電子線を検出す
る手段と、該２次電子線を２次元的にモニタ画面に電位
像として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電
位波形を観測する測定ポイントの該２次電子線を時間的
にモニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少な
くとも有するＥＢテスタにおいて、前記測定ポイントの
電位波形を得る際に、通常の電位像の走査範囲に対し
て、より少ない電位像の走査範囲に制限したことを特徴
とするＥＢテスタを提供する。
【００１９】本発明のＥＢテスタにおいては、好ましく
は、前記モニタ画面における２次元表示の縦方向及び／
又は横方向の走査範囲を制限するようにしたことを特徴
とする。
は、前記モニタ画面における２次元表示の縦方向及び／
又は横方向の走査範囲を制限するようにしたことを特徴
とする。
【００２０】また、本発明のＥＢテスタにおいては、走
査範囲を制限する場合と走査範囲を制限しない場合とを
タイムシェアリング的に切り換えて電位波形観測時間を
短縮化するようにしてもよい。
査範囲を制限する場合と走査範囲を制限しない場合とを
タイムシェアリング的に切り換えて電位波形観測時間を
短縮化するようにしてもよい。
【００２１】本発明のＥＢテスタによれば、電位像エリ
アを全画素走査（フルスキャン）して測定ポイントを指
示し所望の電位波形を得るという前記従来例と相違し
て、測定ポイントの電位波形を取得する際に、前記測定
ポイントを含む予め定めた所定の近傍領域のみを走査範
囲とするように制限し、一走査当たりの取得画素数を減
少させ一走査当たりに要する時間を短縮化する（すなわ
ち単位時間当たりの前記測定ポイントに対する走査回数
を増大させる）ことにより、高時間分解能設定時におい
ても電位波形観測時間の短縮化を達成するものである。
アを全画素走査（フルスキャン）して測定ポイントを指
示し所望の電位波形を得るという前記従来例と相違し
て、測定ポイントの電位波形を取得する際に、前記測定
ポイントを含む予め定めた所定の近傍領域のみを走査範
囲とするように制限し、一走査当たりの取得画素数を減
少させ一走査当たりに要する時間を短縮化する（すなわ
ち単位時間当たりの前記測定ポイントに対する走査回数
を増大させる）ことにより、高時間分解能設定時におい
ても電位波形観測時間の短縮化を達成するものである。
【００２２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して以下に説明する。なお、ＥＢテスタの基本的構成と
しては前記従来例の説明にて参照した図５に示すものを
想定する。
して以下に説明する。なお、ＥＢテスタの基本的構成と
しては前記従来例の説明にて参照した図５に示すものを
想定する。
【００２３】
【実施形態１】図１（Ａ）は、本発明の一実施形態にお
いて、波形取得時の電位像の走査範囲を示す図である。
いて、波形取得時の電位像の走査範囲を示す図である。
【００２４】波形取得時の電位像の縦方向取得画素数Ｙ
1は、ＬＳＩ上の任意の電位波形を観測する測定ポイン
ト（「プロービングポイント」という）を含むように選
択し、且つＹ1＜Ｙ0（但し、Ｙ0は電位像の縦方向表示
の画素数）であるように選ぶ。
1は、ＬＳＩ上の任意の電位波形を観測する測定ポイン
ト（「プロービングポイント」という）を含むように選
択し、且つＹ1＜Ｙ0（但し、Ｙ0は電位像の縦方向表示
の画素数）であるように選ぶ。
【００２５】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例することによる。
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例することによる。
【００２６】より詳細には、単位時間当たりの走査回数
は、全画素走査型の従来例では、Ｚ／（Ｘ0×Ｙ0）（但
し、Ｚは所定の係数）であったものが、本実施形態で
は、Ｚ／（Ｘ0×Ｙ1）となり、前記従来例に対する走査
回数の比はＹ0／Ｙ1とされ、Ｙ1＜Ｙ0であることから、
本実施形態においては、単位時間当たりの走査回数は従
来例よりも大とされる。
は、全画素走査型の従来例では、Ｚ／（Ｘ0×Ｙ0）（但
し、Ｚは所定の係数）であったものが、本実施形態で
は、Ｚ／（Ｘ0×Ｙ1）となり、前記従来例に対する走査
回数の比はＹ0／Ｙ1とされ、Ｙ1＜Ｙ0であることから、
本実施形態においては、単位時間当たりの走査回数は従
来例よりも大とされる。
【００２７】そして、プロービングポイントに対する単
位時間当たりの走査回数が増加することは、それだけ電
位波形観測時間が短縮されることになる。例えば、Ｙ0
／Ｙ1＝２とした場合には、電位波形観測時間は従来の
電位波形観測時間の半分になる。
位時間当たりの走査回数が増加することは、それだけ電
位波形観測時間が短縮されることになる。例えば、Ｙ0
／Ｙ1＝２とした場合には、電位波形観測時間は従来の
電位波形観測時間の半分になる。
【００２８】
【実施形態２】図１（Ｂ）は、本発明の第２の実施形態
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。
【００２９】図１（Ｂ）を参照して、波形取得時の電位
像の横方向取得画素数Ｘ1は、プロービングポイントを
含むように選択し、且つＸ1＜Ｘ0（但し、Ｘ0は電位像
の横方向表示画素数）であるように選ぶ。
像の横方向取得画素数Ｘ1は、プロービングポイントを
含むように選択し、且つＸ1＜Ｘ0（但し、Ｘ0は電位像
の横方向表示画素数）であるように選ぶ。
【００３０】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査するべき
画素数の逆数に比例することによる。より詳細には、単
位時間当たりの走査回数は、前記従来例ではＺ／（Ｘ0
×Ｙ0）とされ、本実施形態ではＺ／（Ｘ1×Ｙ0）とな
り、その比はＸ0／Ｘ1とされ、Ｘ1＜Ｘ0であることから
から、比Ｘ0／Ｘ1は１よりも大となり、本実施形態にお
いては、単位時間当たりの走査回数は従来例よりも大と
される。
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査するべき
画素数の逆数に比例することによる。より詳細には、単
位時間当たりの走査回数は、前記従来例ではＺ／（Ｘ0
×Ｙ0）とされ、本実施形態ではＺ／（Ｘ1×Ｙ0）とな
り、その比はＸ0／Ｘ1とされ、Ｘ1＜Ｘ0であることから
から、比Ｘ0／Ｘ1は１よりも大となり、本実施形態にお
いては、単位時間当たりの走査回数は従来例よりも大と
される。
【００３１】すなわち、走査回数が増加することは、そ
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、Ｘ0／Ｘ1＝２とした場合、従
来の電位波形観測時間の半分になる。
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、Ｘ0／Ｘ1＝２とした場合、従
来の電位波形観測時間の半分になる。
【００３２】
【実施形態３】図１（Ｃ）は、本発明の第３の実施形態
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。
における波形取得時の電位像の走査範囲を示す図であ
る。
【００３３】波形取得時の電位像の横方向取得画素数Ｘ
1と電位像の縦方向取得画素数Ｙ1は、プロービングポイ
ントを含むように選択し、且つＸ1＜Ｘ0、Ｙ1＜Ｙ0であ
るように選ぶ。
1と電位像の縦方向取得画素数Ｙ1は、プロービングポイ
ントを含むように選択し、且つＸ1＜Ｘ0、Ｙ1＜Ｙ0であ
るように選ぶ。
【００３４】このように走査範囲を制限したことによ
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例するからであり、従来例では、Ｚ／
（Ｘ0×Ｙ0）、本実施形態では、Ｚ／（Ｘ1×Ｙ1）とな
り、その比は、Ｘ0×Ｙ0／（Ｘ1×Ｙ1）で、Ｘ1＜Ｘ0、
Ｙ1＜Ｙ0であることから、Ｘ0×Ｙ0／（Ｘ1×Ｙ1）は１
よりも大となり、本実施形態においては、単位時間当た
りの走査回数は従来例よりも大とされる。
り、プロービングポイントに対する単位時間当たりの走
査回数は増加する。これは、走査回数は、走査すべき画
素数の逆数に比例するからであり、従来例では、Ｚ／
（Ｘ0×Ｙ0）、本実施形態では、Ｚ／（Ｘ1×Ｙ1）とな
り、その比は、Ｘ0×Ｙ0／（Ｘ1×Ｙ1）で、Ｘ1＜Ｘ0、
Ｙ1＜Ｙ0であることから、Ｘ0×Ｙ0／（Ｘ1×Ｙ1）は１
よりも大となり、本実施形態においては、単位時間当た
りの走査回数は従来例よりも大とされる。
【００３５】すなわち、走査回数が増加することは、そ
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、Ｘ0／Ｘ1＝２、及びＹ0／Ｙ1
＝２とした場合、従来の電位波形観測時間の１／４にな
る。
れだけ電位波形観測時間が短縮されることになる。本実
施形態によれば、例えば、Ｘ0／Ｘ1＝２、及びＹ0／Ｙ1
＝２とした場合、従来の電位波形観測時間の１／４にな
る。
【００３６】
【実施形態４】図２（Ａ）は、本発明の第４の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。
を説明するためのタイムチャートである。
【００３７】本実施形態では、前記第１〜第３の実施形
態に従い走査範囲を制限して電位波形を取得する方法
（図中タイプＡ〜Ｃで示す）のうちの１つ（図ではタイ
プＡ）と、従来の走査範囲を制限しないで電位波形を取
得する方法（タイプＤ）をタイムシェアリング的（時分
割的）に切り替えることにより、電位波形観測時間の短
縮を図っている。
態に従い走査範囲を制限して電位波形を取得する方法
（図中タイプＡ〜Ｃで示す）のうちの１つ（図ではタイ
プＡ）と、従来の走査範囲を制限しないで電位波形を取
得する方法（タイプＤ）をタイムシェアリング的（時分
割的）に切り替えることにより、電位波形観測時間の短
縮を図っている。
【００３８】
【実施形態５】図２（Ｂ）は、本発明の第５の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。
を説明するためのタイムチャートである。
【００３９】本実施形態では、前記第１〜第３の実施形
態のうちの２つの走査範囲を制限する電位波形取得の方
法（図ではタイプＡとＢ）とをタイムシェアリング的に
切り替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図っ
ている。
態のうちの２つの走査範囲を制限する電位波形取得の方
法（図ではタイプＡとＢ）とをタイムシェアリング的に
切り替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図っ
ている。
【００４０】
【実施形態６】図２（Ｃ）は、本発明の第６の実施形態
を説明するためのタイムチャートである。
を説明するためのタイムチャートである。
【００４１】本実施形態では、前記第１〜第３の実施形
態の走査範囲を制限する電位波形取得の方法（タイプ
Ａ、Ｂ、Ｃ）や、従来の走査範囲を制限しない電位波形
取得の方法（タイプＤ）をタイムシェアリング的に切り
替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図ってい
る。
態の走査範囲を制限する電位波形取得の方法（タイプ
Ａ、Ｂ、Ｃ）や、従来の走査範囲を制限しない電位波形
取得の方法（タイプＤ）をタイムシェアリング的に切り
替えることにより、電位波形観測時間の短縮を図ってい
る。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＥＢテス
タによれば、電位波形観測時に取得する画素数を少なく
することにより、電位波形観測時間の短縮化を達成して
いる。
タによれば、電位波形観測時に取得する画素数を少なく
することにより、電位波形観測時間の短縮化を達成して
いる。
【図１】（Ａ）本発明の一実施形態に係るＥＢテスタに
おける波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の
関係を示す図である。 （Ｂ）本発明の第２の実施形態に係るＥＢテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。 （Ｃ）本発明の第３の実施形態に係るＥＢテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。
おける波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の
関係を示す図である。 （Ｂ）本発明の第２の実施形態に係るＥＢテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。 （Ｃ）本発明の第３の実施形態に係るＥＢテスタにおけ
る波形取得時の電位像の取得画素数と表示画素数の関係
を示す図である。
【図２】（Ａ）本発明の第４の実施形態を説明するため
のタイミング図である。 （Ｂ）本発明の第５の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。 （Ｃ）本発明の第６の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。
のタイミング図である。 （Ｂ）本発明の第５の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。 （Ｃ）本発明の第６の実施形態を説明するためのタイミ
ング図である。
【図３】（Ａ）ＥＢテスタで取得される電位波形を示し
た波形図である。 （Ｂ）図３（Ａ）の電位波形をタイムディビジョンＴ０
を２倍にして観測した場合の波形図である。
た波形図である。 （Ｂ）図３（Ａ）の電位波形をタイムディビジョンＴ０
を２倍にして観測した場合の波形図である。
【図４】（Ａ）従来のＥＢテスタにおける波形取得時の
電位像の取得画素数と表示画素数の関係を示す図であ
る。 （Ｂ）図４（Ａ）を拡大した図である。
電位像の取得画素数と表示画素数の関係を示す図であ
る。 （Ｂ）図４（Ａ）を拡大した図である。
【図５】ＥＢテスタの典型的な構成を示す図である。
１１ ＥＢの鏡筒部 １２ ＥＢ発生部 １３ ＬＳＩ １４ テストボード １５ ＸＹステージ １６ ２次電子検出部 １７ ＬＳＩテスタ １８ ＸＹステージ駆動装置 １９ ＣＰＵ １Ａ ビームパルス制御装置 １Ｂ ＣＲＴ
Claims (6)
- 【請求項１】集積回路装置に電子ビームを照射する手段
と、該集積回路装置から発生する２次電子線を検出する
手段と、該２次電子線を２次元的にモニタ画面に電位像
として表示する手段と、該集積回路装置上の任意の電位
波形を観測する測定ポイントの該２次電子線を時間的に
モニタ画面に電位波形として表示する手段と、を少なく
とも有するＥＢテスタにおいて、 前記測定ポイントの電位波形を得る際に、通常の電位像
の走査範囲に対して、より少ない電位像の走査範囲に制
限したことを特徴とするＥＢテスタ。 - 【請求項２】前記モニタ画面における２次元表示の縦方
向及び／又は横方向の走査範囲を制限するようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載のＥＢテスタ。 - 【請求項３】測定ポイントの電位波形を取得する際に、
前記測定ポイントを含む予め定めた所定の近傍領域のみ
を走査範囲とするように制限し、一走査当たりの取得画
素数を減少させて単位時間当たりの前記測定ポイントに
対する走査回数を増大するようにしたことを特徴とする
ＥＢテスタ。 - 【請求項４】走査範囲を制限する場合と走査範囲を制限
しない場合とをタイムシェアリング的に切り換えて電位
波形観測時間を短縮化することを特徴とする請求項１記
載のＥＢテスタ。 - 【請求項５】前記モニタ画面における２次元表示の、縦
方向への走査範囲の制限、横方向への走査範囲の制限、
及び縦方向と横方向の両方への走査範囲の制限のうちの
少なくとも一つにより走査範囲を制限する場合と、走査
範囲を制限しない場合とをタイムシェアリング的に切り
換えて電位波形観測時間を短縮化することを特徴とする
請求項２記載のＥＢテスタ。 - 【請求項６】前記モニタ画面における２次元表示の、縦
方向への走査範囲の制限、横方向への走査範囲の制限、
及び縦方向と横方向の両方への走査範囲の制限のうちの
少なくとも二つの走査範囲を制限する場合をタイムシェ
アリング的に切り換えて電位波形観測時間を短縮化する
ことを特徴とする請求項２記載のＥＢテスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219710A JP2917869B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219710A JP2917869B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949865A true JPH0949865A (ja) | 1997-02-18 |
| JP2917869B2 JP2917869B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=16739758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219710A Expired - Lifetime JP2917869B2 (ja) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | 電子ビームの走査範囲を制限するｅｂテスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917869B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321881A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | Ｌｓｉ診断装置 |
| JPH05240927A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Sharp Corp | 半導体素子解析装置 |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP7219710A patent/JP2917869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321881A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-30 | Fujitsu Ltd | Ｌｓｉ診断装置 |
| JPH05240927A (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | Sharp Corp | 半導体素子解析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917869B2 (ja) | 1999-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990323 |