JPH0950604A

JPH0950604A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0950604A
Application number: JP21972495A
Authority: JP
Inventors: Naoto Matono; 直人的野
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1995-08-04
Filing date: 1995-08-04
Publication date: 1997-02-18

Abstract

(57)【要約】【課題】基板１上に少なくとも１個のヘッド素子を具
え、該ヘッド素子は保護層16によって覆われ、ヘッド素
子から引き出された複数条のターミナル層14の先端部に
はバンプ層15が積層され、該バンプ層は前記保護層16を
垂直に貫通し、該バンプ層の表面には、メッキ処理の下
地として使用されたシード層11を介して、外部回路と接
続するためのパッド層12が形成されている薄膜磁気ヘッ
ドに於いて、シード層11に対するパッド層12の付着強度
を上げる。【解決手段】シード層11はパッド層12よりも広く形成
され、パッド層12の周囲には、パッド層12の側壁面とシ
ード層11の表面とを互いに接合する接合層19が形成され
ている。接合層19は、レジストなどの感光性有機物の焼
成体から形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘導型ヘッド素子
又は磁気抵抗効果型(ＭＲ)ヘッド素子を具えた薄膜磁気
ヘッド、或いはこれら２つのタイプのヘッド素子を一体
に具えた複合型の薄膜磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ハードディスクドライブ装置等
に装備されている浮動式の複合型薄膜磁気ヘッドは、図
８及び図９に示す如く、ヘッドスライダーとなる基板
(１)の側面に、信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、
信号再生用のＭＲヘッド素子Ｈ２とを具えており、該側
面には、両ヘッド素子を外部回路と接続するための４つ
のバンプ層(15)(15)(15)(15)が形成されている。各ヘッ
ド素子から伸びる一対の電極層(６)(６)と一対のバンプ
層(15)(15)とはターミナル層(14)(14)によって互いに接
続されている。又、両ヘッド素子やターミナル層(14)は
保護層(16)によって覆われている。

【０００３】更に、バンプ層(15)の表面には、図１０に
示す如くパッド層(17)が形成され、該パッド層(17)に対
してリード線(18)がボンディングされることになる。

【０００４】上記の如き複合型薄膜磁気ヘッドの製造工
程に於いては、基板(１)となるウエア上に多数のヘッド
ユニットが形成される。各ヘッドユニットの形成工程で
は、ウエハ上に、薄膜堆積法及びフォトリソグラフィ技
術を用いて、ＭＲヘッド素子Ｈ２及び誘導型ヘッド素子
Ｈ１を形成した後、ターミナル層(14)を所定パターンに
形成し、続いて該ターミナル層(14)の先端部に重ねてバ
ンプ層(15)を形成し、その後、保護層(16)を形成する。

【０００５】その後、保護層(16)からバンプ層(15)の表
面を露出させ、該バンプ層(15)の表面に金メッキを施し
て、パッド層(17)を形成するのである。

【０００６】図１１(ａ)(ｂ)(ｃ)は、従来のパッド層形
成工程を表わしている。図１１(ａ)の如くバンプ層(15)
及び保護層(16)を覆って、Ｎｉ系合金からなるシード層
(11)をスパッタリング、蒸着法等によって略５００乃至
３０００Åの厚さに形成する。そして、シード層(11)の
全面にレジストを塗布し、該レジストに露光、現像処理
を施すことにより、パッド層形成領域に開口(22a)を設
けて、レジストフレーム(22)を形成する。次に、レジス
トフレーム(22)の開口(22a)に対して金メッキを施し、
パッド層(17)を形成する。

【０００７】その後、図１１(ｂ)の如くレジストフレー
ム(22)を有機溶剤によって除去し、更に、シード層(11)
の表面に対し、イオンビームエッチング、或いは塩化鉄
水溶液等の薬液を用いたウエットエッチングを施して、
シード層(11)の内、パッド層(17)から外側に拡がるシー
ド層部分を除去する。この結果、図１１(ｃ)の如くパッ
ド層(17)下方のシード層部分のみが残存することにな
る。

【０００８】この様にしてウエハ上に形成された多数の
ヘッドユニットは、スライス工程によって個々に分断さ
れ、更に洗浄工程(超音波洗浄、布等による拭き取り洗
浄)を経て、複合型薄膜ヘッドが完成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜磁気ヘッドに於いては、図１１(ｂ)に示す如くパッ
ド層(17)の側壁面がシード層(11)の表面に対して略垂直
であるため、後の洗浄工程にて、パッド層(17)の側壁面
に対し、パッド層(17)をシード層(11)から剥がす方向に
大きな力が作用することになる。この結果、パッド層(1
7)がシード層(11)から剥離し、薄膜磁気ヘッド製造工程
の歩留まりが低下する問題があった。

【００１０】特に、図１１(ｃ)に示すエッチング工程で
は、図示の如く、薬液によるエッチングがパッド層(17)
の外周縁よりも更に内側まで進行し、シード層(11)はパ
ッド層(17)よりも外形が小さくなる。一般に金のパッド
層(17)は内部応力が高いため、パッド層(17)の外周部
は、シード層(11)による拘束から解放されることによっ
て、図示の如くカールＣが生じることになる。この結
果、パッド層(17)の付着強度が低下し、後の洗浄工程に
てパッド層(17)がシード層(11)から剥離し易くなる。

【００１１】本発明の目的は、シード層に対するパッド
層の付着強度を上げることの出来る薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供することである。

【００１２】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドは、基板上に少なくとも１個のヘッド素子を具え、該
ヘッド素子は保護層によって覆われている。信号の記録
及び／又は再生のためにヘッド素子から引き出された複
数条のターミナル層の先端部にはバンプ層が積層され、
該バンプ層は前記保護層を垂直に貫通している。更にバ
ンプ層の表面には、メッキ処理の下地として使用された
シード層を介して、外部回路と接続するためのパッド層
が形成されている。ここで、シード層はパッド層よりも
広く形成され、パッド層の周囲には、パッド層の側壁面
とシード層の表面とを互いに接合する接合層が形成され
ている。

【００１３】該薄膜磁気ヘッドに於いては、パッド層の
側壁面とシード層の表面とが接合層によって互いに接合
されているので、シード層に対するパッド層の付着強度
は、パッド層下面とシード層上面の間の接着力と、接合
層による接合力の合計値となる。従って、パッド層の側
壁面に対して、パッド層をシード層から剥がす方向の外
力が作用したとしても、接合層による接合力の補強によ
って、パッド層の剥離が阻止される。

【００１４】具体的には、接合層は感光性有機物の焼成
体から形成されている。この場合、感光性有機物は焼成
によって強度が高められるので、接合層は十分な接合力
を発揮する。

【００１５】又、具体的には、接合層は、その断面形状
が、パッド層の側壁面及びシード層の表面と接して互い
に略直交する２辺と、シード層の表面に対して傾斜する
斜辺とからなる略３角形を呈し、前記斜辺の傾斜角度は
６０°以下である。この場合、接合層に作用する外力
は、６０°以下の傾斜角度を有する斜面に作用すること
になるので、パッド層をシード層から剥がす方向の分力
が十分に小さくなり、接合層による接合力の補強と相俟
って、パッド層の剥離が確実に阻止される。

【００１６】又、具体的には、パッド層は、接合層の表
面に覆い被さるひさし部を有し、接合層は、該ひさし部
の裏面と、該裏面からシード層側へ伸びる側壁面に密着
している。これによって、接合層とパッド層の間の接合
面積が増大し、シード層に対するパッド層の接合強度が
高められる。

【００１７】更に具体的には、シード層及び接合層は、
感光性有機物の焼成体によって包囲され、該焼成体から
パッド層の表面が露出している。この場合、感光性有機
物の焼成体の表面とパッド層の表面とは略同一面に揃う
ことになる。従って、パッド層の側壁に対し、パッド層
をシード層から剥がす方向の力は作用せず、パッド層の
剥離が防止される。

【００１８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、基板上に少なくとも１個のヘッド素子を形成すると
共に、信号の記録及び／又は再生のためにヘッド素子か
ら伸びる複数条のターミナル層を形成する第１工程と、
該ターミナル層の先端部にバンプ層を積層すると共に、
該バンプ層の周囲に保護層を形成する第２工程と、バン
プ層の表面に、メッキ処理の下地となるシード層を形成
すると共に、該シード層の表面に外部回路との接続のた
めのパッド層を形成する第３工程とから構成される。前
記第３工程は、バンプ層及びその周辺の保護層を覆って
シード層を形成した後、該シード層の表面に、メッキに
よってパッド層を形成するメッキ工程と、シード層及び
パッド層を覆ってレジスト層を形成するレジスト塗布工
程と、レジスト層に露光及び現像処理を施して、パッド
層の周辺部にのみレジストを残存させ、該残存レジスト
を焼成することによって、パッド層の側壁面とシード層
の表面とを互いに接合する接合層を形成する接合工程
と、シード層の表面にエッチングを施して、シード層の
内、少なくとも接合層の外周縁よりも外側に拡がるシー
ド層部分を除去するエッチング工程とを有している。

【００１９】上記薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて、
第３工程では、シード層及びパッド層を覆ってレジスト
を塗布すると、レジスト層は、パッド層の側壁面とシー
ド層の表面が交叉する隅部にて最も厚さが大きくなる。
従って、その後、レジスト層に露光処理を施せば、前記
隅部のレジストには底部まで光が到達せず、現像処理に
よっても該底部のレジストは残存する。従って、該残存
レジストを焼成することによって、パッド層の側壁面と
シード層の表面とを互いに接合する強固な接合層が形成
される。その後、シード層の表面にエッチングを施し
て、少なくとも接合層の外周縁よりも外側に拡がるシー
ド層部分を除去する。この結果、上記本発明に係る薄膜
磁気ヘッドが完成する。

【００２０】具体的には、前記メッキ工程に於いて、シ
ード層の表面に、パッド層の形成領域が開口したレジス
トフレームを形成した後、該レジストフレームの開口部
に、レジストフレームよりも薄くメッキを施す。これに
よって、レジストフレームの開口部に対応する形状のパ
ッド層が形成されることになる。

【００２１】又、具体的には、前記メッキ工程に於い
て、シード層の表面に、パッド層の形成領域が開口した
レジストフレームを形成した後、該レジストフレームの
開口部に、レジストフレームよりも厚くメッキを施す。
これによって、メッキはレジストフレームの開口部より
も高く盛り上がり、その外周部は、接合層の表面へ向け
て拡大することとなる。この結果、接合層の表面に覆い
被さるひさし部を具えたパッド層が形成されることにな
る。

【００２２】又、具体的には、前記エッチング工程は、
薬液を用いたウエットエッチングによって行なわれる。
この結果、薬液によるエッチングがパッド層の外周縁よ
りも更に内側まで進行し、シード層は接合層よりも外形
が小さくなるが、パッド層の外周部はシード層の表面に
密着したままであり、パッド層がシード層による拘束か
ら解放されることはない。従って、パッド層の外周部に
従来の如きカールが生じることはない。

【００２３】更に、具体的には、前記第３工程に於い
て、エッチング工程を経たシード層、パッド層及び接合
層を覆って、レジスト層を形成した後、該レジスト層に
露光、現像処理を施して、パッド層の表面を露出させる
と共に、残存したレジストを焼成する。これによって、
レジストの焼成体の表面とパッド層の表面とは略同一面
に揃うことになる。従って、パッド層の側壁に対し、パ
ッド層をシード層から剥がす方向の力は作用せず、パッ
ド層の剥離が防止される。

【００２４】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッド及びその製
造方法によれば、接合層の形成によって、シード層に対
するパッド層の付着強度が増大し、製造工程の歩留まり
が改善される。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、ハードディスク
ドライブ装置等に装備される浮動式の複合型薄膜磁気ヘ
ッドに実施した形態につき、幾つかの実施例に沿って具
体的に説明する。全体構成図８に示す如く複合型薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ₂Ｏ₃−Ｔ
ｉＣからなる基板(１)によって、エアベアリング面Ｓを
有するヘッドスライダーが形成されており、該基板(１)
の側面には、信号記録用の誘導型ヘッド素子Ｈ１と、信
号再生用のＭＲヘッド素子Ｈ２とを具えている。

【００２６】図９は、２つのヘッド素子Ｈ１及びＨ２を
磁気記録媒体との対向面側から見た構成を表わしてい
る。基板(１)上には、Ａｌ₂Ｏ₃からなる絶縁層(２)、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金からなる下部シールド層(３)、Ａｌ₂Ｏ₃か
らなる下部絶縁層(４)、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなるＭＲ素
子層(５)、Ｃｕからなる電極層(６)(６)、及びＡｌ₂Ｏ₃
からなる上部絶縁層(７)が積層されて、ＭＲ型ヘッド素
子Ｈ２が構成されている。又、該ヘッド素子上には、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金からなる下部コア層(８)、Ａｌ₂Ｏ₃からな
るギャップスペーサ層(９)、Ｎｉ−Ｆｅ合金からなる上
部コア層(13)、及びＡｌ₂Ｏ₃からなる保護層(16)が積層
されて、誘導型ヘッド素子Ｈ１が構成されている。

【００２７】図８の如く誘導型ヘッド素子Ｈ１は、上部
コア層(13)を包囲して伸びるコイル層(10)を具え、該コ
イル層(10)の両端部は、一対のターミナル層(14)(14)を
経て、一対のバンプ層(15)(15)へ接続されている。一
方、ＭＲヘッド素子Ｈ２は、前記ＭＲ素子層から伸びる
一対の電極層(６)(６)が、一対のターミナル層(14)(14)
を経て一対のバンプ層(15)(15)へ接続されている。ここ
で、ターミナル層(14)及びバンプ層(15)はＣｕから形成
される。電極層(６)及びターミナル層(14)は、両ヘッド
素子と共に保護層(16)によって覆われており、バンプ層
(15)は、保護層(16)を垂直に貫通して、表面が保護層(1
6)から露出している。バンプ層(15)の表面には後述の各
実施例の如く、シード層を介してパッド層(図示省略)が
形成される。

【００２８】第１実施例図１は、シード層(11)及びパッド層(12)が形成された状
態における、図８Ａ−Ａ線に沿う拡大断面図であって、
基板(１)上には絶縁層(２)を介してターミナル層(14)が
形成されており、該ターミナル層(14)上に重ねてバンプ
層(15)が形成され、該バンプ層(15)は、保護層(16)を垂
直に貫通して、保護層(16)の表面と同一高さまで伸びて
いる。

【００２９】バンプ層(15)の表面には、Ｎｉ−Ｆｅ或い
はＡｕ等からなるシード層(11)が略５００〜３０００Å
の厚さに形成され、更に該シード層(11)の表面には、Ａ
ｕからなるパッド層(12)が形成されている。パッド層(1
2)の側壁面はシード層(11)の表面に対して略垂直であ
る。又、パッド層(12)の周囲には、その全周に亘って、
パッド層(12)の側壁面とシード層(11)の表面とを互いに
接合する接合層(19)が形成されている。

【００３０】接合層(19)は、ポジ型のレジストを焼成し
たものであって、図２に示す如く、その断面形状が、パ
ッド層(12)の側壁面及びシード層(11)の表面と接して互
いに略直交する２辺と、シード層(11)の表面に対して傾
斜する斜辺とからなる略３角形を呈しており、その高さ
Ｈは、パッド層(12)の厚さ(略３.５μｍ)と同等或いは
微小値ｈ(２μｍ以下)だけ小さく、底辺の長さＷは略５
μｍ、斜面の傾斜角度θは６０°以下である。又、シー
ド層(11)は、パッド層(12)よりも広く形成され、その外
周縁は、接合層(19)の外周縁よりも微小値Ｂ(３μｍ以
下)だけ内側に後退している。

【００３１】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程に於
いては、基板(１)となるウエハ上に多数のヘッドユニッ
トが同時に形成される。ヘッドユニット形成工程では、
ウエハ上に、薄膜堆積法及びフォトリソグラフィ技術を
用いて、ＭＲヘッド素子Ｈ２及び誘導型ヘッド素子Ｈ１
を形成した後、ターミナル層(14)を所定パターンに形成
し、続いて該ターミナル層(14)の先端部に重ねてバンプ
層(15)を形成し、更に保護層(16)を形成する。その後、
保護層(16)からバンプ層(15)の表面を露出させ、該バン
プ層(15)の表面に、シード層(11)を介してパッド層(12)
を形成するのである。

【００３２】図５(ａ)〜(ｅ)は、上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドのパッド層形成工程を表わしている。図５(ａ)の如
くバンプ層(15)及び保護層(16)を覆って、Ｎｉ−Ｆｅか
らなるシード層(11)をスパッタリング、蒸着法等によっ
て略５００乃至３０００Åの厚さに形成する。そして、
シード層(11)の全面にレジストを塗布し、該レジストに
露光、現像処理を施すことにより、パッド層形成領域に
開口(22a)を設けて、レジストフレーム(22)を形成す
る。次に、レジストフレーム(22)の開口(22a)に対して
金メッキを施し、パッド層(12)を形成する。

【００３３】続いて、図５(ｂ)の如くレジストフレーム
(22)をアセトン等の有機溶剤によって除去した後、同図
(ｃ)の如くシード層(11)及びパッド層(12)を覆って、ポ
ジ型のレジストをスピンコート法によって塗布する。こ
れによって形成されるレジスト層(23)は、図示の如く、
パッド層(12)の側壁面とシード層(11)の表面が交叉する
隅部Ｅにて最も厚さが大きくなる。

【００３４】その後、レジスト層(23)の全面に露光、現
像処理を施し、パッド層(12)表面、及びシード層(11)表
面のレジストを除去する。但し、露光処理に於いては、
前記隅部Ｅのレジストには底部まで光が到達せず、その
後の現像処理によっても該底部のレジストは残存する。
そこで、該残存レジストに対し、ヘッド素子に悪影響を
与えることのない温度８０℃〜３００℃、望ましくは２
８０±５℃にて１時間の焼成を施す。尚、露光処理に
は、適当なフォトマスクを用いることが出来る。この結
果、図５(ｄ)の如くパッド層(12)の側壁面とシード層(1
1)の表面とを互いに接合する強固な接合層(19)が形成さ
れることになる。

【００３５】その後、シード層(11)の表面に、塩化鉄Ｆ
ｅＣｌ₃の水溶液を用いたウエットエッチングを施し、
図５(ｅ)の如く、接合層(19)から外側に拡がるシード層
部分を除去する。但し、シード層(11)に対するエッチン
グは、厚さ方向のみならず、これと直交する方向にも進
むので、図示の如く、シード層(11)は、接合層(19)の外
周縁よりも更に内側までエッチングされることになる。

【００３６】しかし、エッチングはパッド層(12)の下方
までは進まず、パッド層(12)は全面に亘ってシード層(1
1)の表面に密着したままである。然も、パッド層(12)の
側壁面とシード層(11)の表面とが接合層(19)によって強
固に接合されているので、パッド層(12)の内部応力や後
工程での外力の作用によって、パッド層(12)がシード層
(11)から剥離することはない。

【００３７】この様にしてウエハ上に形成された多数の
ヘッドユニットは、スライス工程によって個々に分断さ
れ、更に洗浄工程(超音波洗浄、布等による拭き取り洗
浄)を経て、図１、図８及び及び図９に示す複合型薄膜
ヘッドが完成する。

【００３８】第２実施例本実施例は、図５(ｅ)に示すエッチング工程の後、図６
(ａ)(ｂ)に示す工程を実施するものである。即ち、図６
(ａ)の如くシード層(11)、パッド層(12)及び接合層(19)
を覆ってレジストを塗布し、レジスト層(24)を形成した
後、該レジスト層に露光、現像処理を施して、図６(ｂ)
の如くパッド層(12)の表面を露出させる。これによっ
て、パッド層(12)の表面とレジスト層(24)の表面とが略
同一面に揃うことになる。そして、レジスト層(24)を焼
成する。ここで、焼成温度を８０〜１２０℃に設定すれ
ば、前記洗浄工程の実施後、焼成されたレジスト層(24)
を除去することが可能である。又、焼成温度を更に上げ
ることによって、レジスト層(24)の強度を増し、完成し
た薄膜磁気ヘッドの構成要素として残すことも可能であ
る。

【００３９】該薄膜磁気ヘッドに於いては、洗浄工程の
際に、パッド層(12)と保護層(16)の間に段差がないの
で、パッド層(12)に対して、パッド層(12)をシード層(1
1)から剥離させる方向の外力は作用せず、パッド層(12)
の剥離が防止される。

【００４０】第３実施例本実施例の薄膜磁気ヘッドは、図３及び図４に示す如
く、基板(１)上には絶縁層(２)を介してターミナル層(1
4)が形成されており、該ターミナル層(14)上に重ねてバ
ンプ層(15)が形成され、該バンプ層(15)は、保護層(16)
を垂直に貫通して、保護層(16)の表面と同一高さまで伸
びている。

【００４１】バンプ層(15)の表面には、Ｎｉ−Ｆｅ或い
はＡｕ等からなるシード層(11)が略５００〜３０００Å
の厚さに形成され、更に該シード層(11)の表面には、Ａ
ｕからなるパッド層(20)が形成されている。該パッド層
(20)は、下半部が上記第１及び第２実施例と同様の軸状
を呈すると共に、上半部には、外側へ突出するひさし部
(25)が形成されている。パッド層(20)の周囲には、その
全周に亘って接合層(21)が形成されている。該接合層(2
1)は、ポジ型のレジストを焼成したものであって、図４
の如くシード層(11)の表面に密着すると共に、パッド層
(20)のひさし部(25)の裏面Ｕ、及び該裏面から下方へ伸
びる側壁面Ｖと密着して、パッド層(20)をシード層(11)
上に強固に接合している。

【００４２】図７(ａ)〜(ｄ)は、上記複合型薄膜磁気ヘ
ッドのパッド層形成工程を表わしている。図７(ａ)の如
くバンプ層(15)及び保護層(16)を覆って、Ｎｉ−Ｆｅか
らなるシード層(11)をスパッタリング、蒸着法等によっ
て略５００乃至３０００Åの厚さに形成する。そして、
シード層(11)の全面にレジストを塗布し、該レジストに
露光、現像処理を施すことにより、パッド層形成領域に
開口(22a)を設けて、レジストフレーム(22)を形成す
る。次に、レジストフレーム(22)の開口(22a)に対し
て、レジストフレーム(22)よりも厚く金メッキを施し、
パッド層(20)を形成する。これによって、メッキはレジ
ストフレーム(22)の開口部よりも高く盛り上がり、その
外周部は、接合層の表面へ向けて拡大することとなる。
この結果、ひさし部(25)を具えた断面きのこ状のパッド
層(20)が形成されることになる。

【００４３】続いて、図７(ｂ)の如くレジストフレーム
(22)をアセトン等の有機溶剤によって除去した後、第１
実施例と同様に、シード層(11)及びパッド層(20)を覆っ
て、ポジ型のレジスト層を形成する。これによって、レ
ジスト層は、パッド層(20)のひさし部(25)の下にも隙間
なく侵入することになる。

【００４４】その後、第１実施例と同様の露光、現像処
理、及び焼成処理を経て、図７(ｃ)の如くパッド層(20)
とシード層(11)とを互いに強固に接合する接合層(21)を
形成する。

【００４５】その後、シード層(11)の表面に、塩化鉄
(ＦｅＣｌ₃)の水溶液を用いたウエットエッチングを施
し、図７(ｄ)の如く、接合層(21)から外側に拡がるシー
ド層部分を除去する。ここで、シード層(11)は、接合層
(19)の外周縁よりも更に内側までエッチングされること
になる。

【００４６】しかし、エッチングはパッド層(20)の下方
までは進まず、パッド層(20)は全面に亘ってシード層(1
1)の表面に密着したままである。然も、パッド層(20)の
ひさし部裏面及び側壁面と、シード層(11)の表面とが、
接合層(21)によって強固に接合されているので、パッド
層(20)の内部応力や後工程での外力の作用によって、パ
ッド層(20)がシード層(11)から剥離することはない。

【００４７】この様にしてウエハ上に形成された多数の
ヘッドユニットは、スライス工程によって個々に分断さ
れ、更に洗浄工程を経て、図３、図８及び及び図９に示
す複合型薄膜ヘッドが完成する。

【００４８】上記の何れの実施例においても、パッド層
とシード層を互いに強固に接合する接合層の形成によっ
て、シード層に対するパッド層の付着強度が増大し、製
造工程の歩留まりが大幅に改善される。又、接合層は、
従来の薄膜磁気ヘッド製造工程で用いられている薄膜形
成技術によって容易に形成出来るので、製造工程が複雑
となることはない。

【００４９】上記実施の形態の説明は、本発明を説明す
るためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を
限定し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許
請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能で
あることは勿論である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例におけるバンプ層とパッド層の接合
構造を示す断面図である。

【図２】図１の要部を拡大して示す断面図である。

【図３】第３実施例におけるバンプ層及びパッド層の接
合構造を示す断面図である。

【図４】図３の要部を拡大して示す断面図である。

【図５】第１実施例における製造工程図である。

【図６】第２実施例における製造工程図である。

【図７】第３実施例に於ける製造工程図である。

【図８】複合型薄膜磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。

【図９】２つのヘッド素子を記録媒体との対向面から見
た拡大正面図である。

【図１０】バンプ層上に形成されるべきパッド層を示す
断面図である。

【図１１】従来の製造方法を示す工程図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (２) 絶縁層 (11) シード層 (12) パッド層 (14) ターミナル層 (15) バンプ層 (16) 保護層 (19) 接合層 (20) パッド層 (21) 接合層 (25) ひさし部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に少なくとも１個のヘッド素子を
具え、該ヘッド素子は保護層によって覆われ、信号の記
録及び／又は再生のためにヘッド素子から引き出された
複数条のターミナル層の先端部にはバンプ層が積層さ
れ、該バンプ層は前記保護層を垂直に貫通し、該バンプ
層の表面には、メッキ処理の下地として使用されたシー
ド層を介して、外部回路と接続するためのパッド層が形
成されている薄膜磁気ヘッドに於いて、シード層はパッ
ド層よりも広く形成され、パッド層の周囲には、パッド
層の側壁面とシード層の表面とを互いに接合する接合層
が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】接合層は、感光性有機物の焼成体から形
成されている請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】接合層は、その断面形状が、パッド層の
側壁面及びシード層の表面と接して互いに略直交する２
辺と、シード層の表面に対して傾斜する斜辺とからなる
略３角形を呈し、前記斜辺の傾斜角度は６０°以下であ
る請求項１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】パッド層は、接合層の表面に覆い被さる
ひさし部を有し、接合層は、該ひさし部の裏面と、該裏
面からシード層側へ伸びる側壁面に密着している請求項
１又は請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】シード層及び接合層は、感光性有機物の
焼成体によって包囲され、該焼成体からパッド層の表面
が露出している請求項１乃至請求項４の何れかに記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】基板上に少なくとも１個のヘッド素子を
形成すると共に、信号の記録及び／又は再生のためにヘ
ッド素子から伸びる複数条のターミナル層を形成する第
１工程と、該ターミナル層の先端部にバンプ層を積層す
ると共に、該バンプ層の周囲に保護層を形成する第２工
程と、バンプ層の表面に、メッキ処理の下地となるシー
ド層を形成すると共に、該シード層の表面に外部回路と
の接続のためのパッド層を形成する第３工程とから構成
される薄膜磁気ヘッドの製造方法に於いて、前記第３工
程は、バンプ層及びその周辺の保護層を覆ってシード層を形成
した後、該シード層の表面に、メッキによってパッド層
を形成するメッキ工程と、シード層及びパッド層を覆ってレジスト層を形成するレ
ジスト塗布工程と、レジスト層に露光及び現像処理を施して、パッド層の周
辺部にのみレジストを残存させ、該残存レジストを焼成
することによって、パッド層の側壁面とシード層の表面
とを互いに接合する接合層を形成する接合工程と、シード層の表面にエッチングを施して、シード層の内、
少なくとも接合層の外周縁よりも外側に拡がるシード層
部分を除去するエッチング工程とを具えている薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
【請求項７】前記メッキ工程に於いては、シード層の
表面に、パッド層の形成領域が開口したレジストフレー
ムを形成した後、該レジストフレームの開口部に、レジ
ストフレームよりも薄くメッキを施す請求項６に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】前記メッキ工程に於いては、シード層の
表面に、パッド層の形成領域が開口したレジストフレー
ムを形成した後、該レジストフレームの開口部に、レジ
ストフレームよりも厚くメッキを施す請求項６に記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】前記エッチング工程は、薬液を用いたウ
エットエッチングによって実施される請求項６乃至請求
項８の何れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】前記第３工程に於いては、更に、エッ
チング工程を経たシード層、パッド層及び接合層を覆っ
て、レジスト層を形成した後、該レジスト層に露光、現
像処理を施して、パッド層の表面を露出させると共に、
残存したレジストを焼成する請求項６乃至請求項９の何
れかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。