JPS6023838Y2 - 磁気バブルメモリチツプ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は磁気バブルメモリチップに関するものである。

近年、メモリ素子として磁気的に高密度の集積化が可能
な磁気バブルメモリに関する技術が急速に進み、これに
よって不揮発性のメモリが得られるようになってきた。

第１図は従来一般に用いられている磁気バブルメモリチ
ップの一例を示す要部断面図であって、バブルを保持す
る磁性膜１にイオン打込みを行ない、その後５ｉｎ２の
絶縁膜２、コンダクタ−パターン３、ポリイミドイソイ
ンドロキナゾリン（以下ＰＩＱと称す。

ＰＩＱは日立化戊工業株式会社の商標名）４、パーマロ
イパターン５およびＳｉＯ２の保護絶縁膜６を順次積層
した状態に形成されている。

しかしながら、上述した従来の磁気バブルメモリチップ
においては、パーマロイパターン５上にＳｉＯ２からな
る保護絶縁膜６が直接に形成されているために、ＰＩＱ
４と保護絶縁膜６の接着性がわるく、極端な場合にはＰ
ＩＱ４の上の保護絶縁膜６が剥離してしまう欠点があっ
た。

従って、本発明による目的は、ＰＩＱと保護絶縁膜との
接着性を改善し、これによって信頼性が極めて高い磁気
バブルメモリチップを得ることである。

以下、図面を用いて本考案による磁気バブルメモリチッ
プを詳細に説明する。

第２図は本考案による磁気バブルメモリチップの一実施
例を示す要部断面図であって、第１図と同一部分は同一
記号を用いてその詳細説明を省略しである。

同図において第１図との相違点は、パーマロイパターン
５と保護絶縁膜６との間に中間絶縁膜７を設けたことで
ある。

この場合、中間絶縁膜７はパーマロイパターン５を被着
形成した後に中間絶縁物を被着形成することによって作
られる。

また、この中間絶縁物としては、ＰＩＱ、と保護絶縁膜
６の両方に対して接着性が良好であることが必要であり
、これらの条件を満すものとしては、Ｎ２Ｏ３，ＴｉＯ
２，ＣｒＯ２等がある。

実施例 １ パーマロイパターン５の形成後に、ＡＩ。

０３を１０００Ａスパツターして中間絶縁膜７を作り、
その後に５ｉＯ８を被着することによって保護絶縁膜６
を形成する。

このようにして形成した磁気バブルメモリチップは、信
頼性試験においてＰＩＱと５ｉｎ２の界面における剥離
は全く生じなかった。

実施例 ２ パーマロイパターン５の形成後に電子ビーム蒸着でＴｉ
Ｏ２を約１０００Ａ被着して中間絶縁膜７を形威し、そ
の後５ｉｎ２を被着して保護絶縁膜６とする。

以上説明したように、本考案によれば、ＰＩＱ上の保護
絶縁膜の剥離が生じなくなり、これによって磁気バブル
メモリチップの信頼性を大幅に向上させることができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のバブルメモリチップの構造を示すもので
ある。 第２図は本考案に関するバブルメモリチップの構造を示
す。 １・・・・・・磁性膜、２・・・・・・絶縁膜、３・・
・・・・コンダクタ−１４・・・・・・ＰＩＱ、 ５・
・・・・・パーマロイパターン、６・・・・・・保護用
絶縁膜、７・・・・・・中間絶縁膜。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. バブルを保持する磁性膜の上に絶縁膜コンダクタ−、ポ
   リイミドイソインドロキナゾリン、パーマロイパターン
   および保護絶縁膜を順次積層してなるバブルメモリチッ
   プにおいて、パーマロイパターンと絶縁膜との間にＡ１
   □０３．Ｔ１０゜、ＣｒＯ２等の中間絶縁膜を設けたこ
   とを特徴とする磁気バブルメモリチップ。