JPH0950626A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0950626A JPH0950626A JP7198552A JP19855295A JPH0950626A JP H0950626 A JPH0950626 A JP H0950626A JP 7198552 A JP7198552 A JP 7198552A JP 19855295 A JP19855295 A JP 19855295A JP H0950626 A JPH0950626 A JP H0950626A
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- recording medium
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度磁気記録が可能な、強磁性金属薄膜を
磁気記録層とする磁気記録媒体において、製造工程にお
いて発生する保護膜のミクロ的な不均一性の問題を解決
し、耐久性、耐蝕性を向上させ、実用信頼性の高い磁気
記録媒体を得る製造方法の提供を目的とする。 【構成】 高分子フィルム1上に強磁性金属薄膜からな
る磁気記録層2、その上に硬質炭素膜からなる保護膜層
3を有する磁気記録媒体において、保護膜形成面と反対
側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上である磁気記
録媒体の原反を用い、または、保護膜形成面と反対側表
面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒体の原反
を用い、キャンへの密着度を確保し磁気記録媒体原反が
受ける熱負荷を軽減し、ミクロ的にも均質な硬質炭素膜
からなる保護膜を有する磁気記録媒体が得られる。
磁気記録層とする磁気記録媒体において、製造工程にお
いて発生する保護膜のミクロ的な不均一性の問題を解決
し、耐久性、耐蝕性を向上させ、実用信頼性の高い磁気
記録媒体を得る製造方法の提供を目的とする。 【構成】 高分子フィルム1上に強磁性金属薄膜からな
る磁気記録層2、その上に硬質炭素膜からなる保護膜層
3を有する磁気記録媒体において、保護膜形成面と反対
側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上である磁気記
録媒体の原反を用い、または、保護膜形成面と反対側表
面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒体の原反
を用い、キャンへの密着度を確保し磁気記録媒体原反が
受ける熱負荷を軽減し、ミクロ的にも均質な硬質炭素膜
からなる保護膜を有する磁気記録媒体が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高密度磁気記録に適した
金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、近年デジタ
ル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでいる
が、それに伴って、高密度磁気記録媒体への要求が高ま
り、磁気記録層を強磁性金属薄膜で構成した金属薄膜型
磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから盛
んに検討されている。
ル化、小型化、長時間化などの高性能化が進んでいる
が、それに伴って、高密度磁気記録媒体への要求が高ま
り、磁気記録層を強磁性金属薄膜で構成した金属薄膜型
磁気記録媒体が、短波長記録に極めて有利なことから盛
んに検討されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強磁性
金属薄膜型の磁気記録媒体では、磁性層表面は極めて良
好な表面性を持つために、磁気信号の記録再生過程にお
ける、磁気ヘッドとの高速しゅう動下での摩擦、摩耗に
より、耐久性、走行性、耐蝕性などは大きな影響を受け
ており、その改善は大きな課題となっている。
金属薄膜型の磁気記録媒体では、磁性層表面は極めて良
好な表面性を持つために、磁気信号の記録再生過程にお
ける、磁気ヘッドとの高速しゅう動下での摩擦、摩耗に
より、耐久性、走行性、耐蝕性などは大きな影響を受け
ており、その改善は大きな課題となっている。
【0004】そこで、磁性層表面にトップコート層を設
け、上記耐久性、走行性、耐蝕性の改善が試みられてい
る。例えば、脂肪酸金属塩の形成(特開昭54−113
303号公報)、イミド基を有する高分子化合物のスパ
ッタ膜の形成(特開昭57−116771号公報)、高
分子化合物をターゲットとしたスパッタ膜、カーボンや
BN,MoS2、SiO2などをスパッタ法や蒸着法によ
る薄膜化、ダイヤモンド状硬質炭素膜の形成(日本応用
磁気学会第46回研究会資料)、脂肪酸、脂肪酸アミド
などの潤滑剤の形成(例えば、特開昭56−30609
号公報)など、数多く試みられている。
け、上記耐久性、走行性、耐蝕性の改善が試みられてい
る。例えば、脂肪酸金属塩の形成(特開昭54−113
303号公報)、イミド基を有する高分子化合物のスパ
ッタ膜の形成(特開昭57−116771号公報)、高
分子化合物をターゲットとしたスパッタ膜、カーボンや
BN,MoS2、SiO2などをスパッタ法や蒸着法によ
る薄膜化、ダイヤモンド状硬質炭素膜の形成(日本応用
磁気学会第46回研究会資料)、脂肪酸、脂肪酸アミド
などの潤滑剤の形成(例えば、特開昭56−30609
号公報)など、数多く試みられている。
【0005】しかしながら、上記した例では、耐久性、
走行性、耐蝕性などを十分には満足できないため、積層
化して、それぞれの役割を分担させる考え方が増加して
きている。その例としては、脂肪酸金属塩の吸着層上に
フルオロカーボン系の潤滑剤層の形成(特開昭61−1
20331号公報)、硬質カーボン層の上にフッ素系潤
滑剤を配したもの(特開昭61−126627号公
報)、Si−N−O系薄膜上に潤滑剤層を形成したもの
(特開昭61−131231号公報)などがある。
走行性、耐蝕性などを十分には満足できないため、積層
化して、それぞれの役割を分担させる考え方が増加して
きている。その例としては、脂肪酸金属塩の吸着層上に
フルオロカーボン系の潤滑剤層の形成(特開昭61−1
20331号公報)、硬質カーボン層の上にフッ素系潤
滑剤を配したもの(特開昭61−126627号公
報)、Si−N−O系薄膜上に潤滑剤層を形成したもの
(特開昭61−131231号公報)などがある。
【0006】しかしながら、磁気記録媒体の性能向上に
対する要求は厳しく、上記した構成では十分な特性であ
るといえず、耐久性、耐蝕性において一層の改善が望ま
れている。本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
で、耐久性、耐蝕性に優れ、極めて高い実用信頼性の磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。
対する要求は厳しく、上記した構成では十分な特性であ
るといえず、耐久性、耐蝕性において一層の改善が望ま
れている。本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
で、耐久性、耐蝕性に優れ、極めて高い実用信頼性の磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、本発明は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から
なる磁気記録層、その上に硬質炭素膜からなる保護膜層
を形成する磁気記録媒体の製造において、保護膜形成面
と反対側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上である
磁気記録媒体の原反を用いるものであり、また、保護膜
形成面と反対側表面の表面粗さが30nm以下である磁
気記録媒体の原反を用いるものである。
め、本発明は、高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から
なる磁気記録層、その上に硬質炭素膜からなる保護膜層
を形成する磁気記録媒体の製造において、保護膜形成面
と反対側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上である
磁気記録媒体の原反を用いるものであり、また、保護膜
形成面と反対側表面の表面粗さが30nm以下である磁
気記録媒体の原反を用いるものである。
【0008】
【作用】本発明は、保護膜形成の製造工程で、保護膜形
成面と反対側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上で
ある磁気記録媒体の原反を用いることにより、反対側表
面での帯電をおこさせ、または、保護膜形成面と反対側
表面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒体の原
反を用い、キャンへの密着度を確保し磁気記録媒体原反
が受ける熱負荷を軽減し、ミクロ的にも均一な硬質炭素
膜を形成し、高湿環境保存時のダメージを軽減し、保存
後の繰り返し使用時におけるミクロなクラックの発生、
及び膜のハガレをなくすようにするものである。
成面と反対側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上で
ある磁気記録媒体の原反を用いることにより、反対側表
面での帯電をおこさせ、または、保護膜形成面と反対側
表面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒体の原
反を用い、キャンへの密着度を確保し磁気記録媒体原反
が受ける熱負荷を軽減し、ミクロ的にも均一な硬質炭素
膜を形成し、高湿環境保存時のダメージを軽減し、保存
後の繰り返し使用時におけるミクロなクラックの発生、
及び膜のハガレをなくすようにするものである。
【0009】すなわち、保護膜層のダメージを防止する
ことによって、耐久性、耐蝕性を改善するものである。
ことによって、耐久性、耐蝕性を改善するものである。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は本発明の実施例で使用した磁
気テープの構成を示す断面図である。図1において、1
は高分子フィルム、2は強磁性金属薄膜からなる磁気記
録層、3は硬質炭素膜からなる保護膜層、4は潤滑剤
層、5はバックコート層である。
しながら説明する。図1は本発明の実施例で使用した磁
気テープの構成を示す断面図である。図1において、1
は高分子フィルム、2は強磁性金属薄膜からなる磁気記
録層、3は硬質炭素膜からなる保護膜層、4は潤滑剤
層、5はバックコート層である。
【0011】本発明の磁気記録媒体に用いる高分子フィ
ルムは、ポリエチレンテレフタレートがよく用いられる
が、ポリエチレンナフタレートなどの他のポリエステル
フィルム、セルロースアセテートなどのセルロース誘導
体、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチックフィル
ムであってもよい。強磁性金属薄膜としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法で形成
した鉄、コバルト、ニッケルまたはそれらを主成分とす
る合金、あるいは、それらの部分酸化物、部分窒化物な
どを用いることができる。
ルムは、ポリエチレンテレフタレートがよく用いられる
が、ポリエチレンナフタレートなどの他のポリエステル
フィルム、セルロースアセテートなどのセルロース誘導
体、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチックフィル
ムであってもよい。強磁性金属薄膜としては、真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法で形成
した鉄、コバルト、ニッケルまたはそれらを主成分とす
る合金、あるいは、それらの部分酸化物、部分窒化物な
どを用いることができる。
【0012】硬質炭素膜から成る保護膜は、炭化水素ガ
ス、あるいは、炭化水素とアルゴンの混合ガスのプラズ
マ重合、あるいはカーボン、グラファイトのスパッタリ
ングによって形成することが出来る。炭化水素ガスのプ
ラズマ重合によって形成する場合には、真空容器中に炭
化水素ガス、または、炭化水素ガスと不活性ガスの混合
ガスを導入し、0.001から1Torrの圧力を保持
した状態で、真空容器内部に放電させて、炭化水素ガス
のプラズマを発生させ、基体表面に硬質炭素膜を形成す
る。放電形式としては、外部電極方式、内部電極方式の
いずれでもよく、放電周波数については、実験的に決め
ることができる。また、基体側の電極に0から−3KV
の電圧を印加する事によって、膜の硬度の増大及び密着
性を向上させることができる。
ス、あるいは、炭化水素とアルゴンの混合ガスのプラズ
マ重合、あるいはカーボン、グラファイトのスパッタリ
ングによって形成することが出来る。炭化水素ガスのプ
ラズマ重合によって形成する場合には、真空容器中に炭
化水素ガス、または、炭化水素ガスと不活性ガスの混合
ガスを導入し、0.001から1Torrの圧力を保持
した状態で、真空容器内部に放電させて、炭化水素ガス
のプラズマを発生させ、基体表面に硬質炭素膜を形成す
る。放電形式としては、外部電極方式、内部電極方式の
いずれでもよく、放電周波数については、実験的に決め
ることができる。また、基体側の電極に0から−3KV
の電圧を印加する事によって、膜の硬度の増大及び密着
性を向上させることができる。
【0013】炭化水素ガスとしては、メタン、エタン、
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ベンゼンなどを用いることができる。また、硬
質膜を形成するには、できるだけ放電エネルギーを大き
くすることが望ましい。また、基体の温度もできるだけ
高くすることが望ましい。一方、スパッタ法には、直流
スパッタ、交流スパッタ、高周波スパッタ、マグネトロ
ンスパッタ、イオンビームスパッタなどがあるが、いづ
れの方法でもよい。硬質膜を形成するには、圧力は、
0.01Torr以下が望ましく、エネルギー密度は高
くするのがよく、例えば、高周波マグネトロンスパッタ
では、ターゲット面積あたり1W/cm2 以上が好まし
く、また、基体を保持する側の電極に0から−3KVの
電圧を印加しつつ、スパッタする事によって、プラズマ
重合の場合と同様に、膜の硬度の増大、密着性の向上を
図ることができる。
プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オ
クタン、ベンゼンなどを用いることができる。また、硬
質膜を形成するには、できるだけ放電エネルギーを大き
くすることが望ましい。また、基体の温度もできるだけ
高くすることが望ましい。一方、スパッタ法には、直流
スパッタ、交流スパッタ、高周波スパッタ、マグネトロ
ンスパッタ、イオンビームスパッタなどがあるが、いづ
れの方法でもよい。硬質膜を形成するには、圧力は、
0.01Torr以下が望ましく、エネルギー密度は高
くするのがよく、例えば、高周波マグネトロンスパッタ
では、ターゲット面積あたり1W/cm2 以上が好まし
く、また、基体を保持する側の電極に0から−3KVの
電圧を印加しつつ、スパッタする事によって、プラズマ
重合の場合と同様に、膜の硬度の増大、密着性の向上を
図ることができる。
【0014】硬質炭素膜の膜厚としては、50から30
0Åの範囲が適当で、これよりも、薄い場合には、十分
な保護膜効果が得られず、これよりも大きい場合には、
スペーシングによる出力の低下が大きく、実用性が低下
する。保護膜形成時に発生する熱負荷を軽減するため、
第一の方法としては、グロー放電などの帯電処理を行
い、帯電によるキャンへの密着化を行う。磁気記録媒体
原反の保護膜形成面と反対側表面の表面抵抗が1×10
8 Ω/□以上の場合には十分な帯電効果がみられるが、
これより低い場合には、帯電が不十分になりやすく、保
護膜形成時のキャンへの密着度が不足し、磁気記録媒体
原反に局部的に熱負荷が増加し不均質な硬質炭素膜が形
成される。また、第2の方法としては、保護膜形成面と
反対側表面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒
体の原反を用い、保護膜形成時のキャンへの密着化を行
う。これより大きい場合には、保護膜形成時のキャンへ
の密着度が不足し、磁気記録媒体原反に局部的に熱負荷
が増加し不均質な硬質炭素膜が形成される。第1、第2
の方法を達成するには、保護膜形成面と反対側表面に、
カーボンブラックと無機粒子の混合充填剤からなるコー
ティング層である磁気記録媒体の原反を用いる。あるい
は、保護膜形成面と反対側表面に、ポリエステル樹脂を
主成分とするコーティング層である磁気記録媒体の原反
を用いる。
0Åの範囲が適当で、これよりも、薄い場合には、十分
な保護膜効果が得られず、これよりも大きい場合には、
スペーシングによる出力の低下が大きく、実用性が低下
する。保護膜形成時に発生する熱負荷を軽減するため、
第一の方法としては、グロー放電などの帯電処理を行
い、帯電によるキャンへの密着化を行う。磁気記録媒体
原反の保護膜形成面と反対側表面の表面抵抗が1×10
8 Ω/□以上の場合には十分な帯電効果がみられるが、
これより低い場合には、帯電が不十分になりやすく、保
護膜形成時のキャンへの密着度が不足し、磁気記録媒体
原反に局部的に熱負荷が増加し不均質な硬質炭素膜が形
成される。また、第2の方法としては、保護膜形成面と
反対側表面の表面粗さが30nm以下である磁気記録媒
体の原反を用い、保護膜形成時のキャンへの密着化を行
う。これより大きい場合には、保護膜形成時のキャンへ
の密着度が不足し、磁気記録媒体原反に局部的に熱負荷
が増加し不均質な硬質炭素膜が形成される。第1、第2
の方法を達成するには、保護膜形成面と反対側表面に、
カーボンブラックと無機粒子の混合充填剤からなるコー
ティング層である磁気記録媒体の原反を用いる。あるい
は、保護膜形成面と反対側表面に、ポリエステル樹脂を
主成分とするコーティング層である磁気記録媒体の原反
を用いる。
【0015】潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤が有効で
あり、パーフルオロカルボン酸およびそのエステル、パ
ーフルオロポリエーテルおよびその誘導体があり、単独
あるいは混合して用いることができる。以下、さらに具
体的な実施例を示す。 (実施例1)平滑な表面上に粒径180Åのシリカ微粒
子を分散させた変性シリコーンと増粘剤とからなる波状
突起と粒状突起を有する厚み6.4ミクロンのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に、酸素を導入しながら
電子ビーム法で連続斜め蒸着を行い、膜厚1500Åの
Co−O膜を形成した。ついで、蒸着層と反対側面に、
カーボンブラックと炭酸カルシウム1:4重量比の混合
物を芳香族ポリエステルとニトロセルロース3:1重量
比の樹脂成分中に分散させた塗工液をリバースロール方
式の塗工機で塗布し、120℃の温度で乾燥させ0.5
ミクロンの膜厚でバックコート層を形成した。バックコ
ート層の表面抵抗を測定したところ、3×108 Ω/□
であった。さらに、(図2)の保護膜形成装置を用い、
硬質炭素膜を形成した。巻出し部6からでた磁気記録媒
体原反7は放電処理部8で帯電した後、キャン9に密着
し、ノズル部10において、ガス導入口12よりメタ
ン、アルゴン(2:1)の混合ガスの高周波(10KH
z)プラズマにより、電極11と磁気テープ原反自身を
対向電極として、磁気テープ原反に−1.25KVの直
流電圧を印加し、放電を行ない250Å膜厚の硬質炭素
膜を形成した後、巻取り部13に巻取られる。さらに、
その上に、フッ素系カルボン酸とフッ素系カルボン酸エ
ステルの混合潤滑剤を10mg/m2の条件でリバース
ロールコータで塗布し、80℃の温度で乾燥し、潤滑剤
層を形成した。次に、スリッターで磁気テープ原反を8
mm幅に裁断し8mmVTR用磁気テープとした。
あり、パーフルオロカルボン酸およびそのエステル、パ
ーフルオロポリエーテルおよびその誘導体があり、単独
あるいは混合して用いることができる。以下、さらに具
体的な実施例を示す。 (実施例1)平滑な表面上に粒径180Åのシリカ微粒
子を分散させた変性シリコーンと増粘剤とからなる波状
突起と粒状突起を有する厚み6.4ミクロンのポリエチ
レンテレフタレートフィルム上に、酸素を導入しながら
電子ビーム法で連続斜め蒸着を行い、膜厚1500Åの
Co−O膜を形成した。ついで、蒸着層と反対側面に、
カーボンブラックと炭酸カルシウム1:4重量比の混合
物を芳香族ポリエステルとニトロセルロース3:1重量
比の樹脂成分中に分散させた塗工液をリバースロール方
式の塗工機で塗布し、120℃の温度で乾燥させ0.5
ミクロンの膜厚でバックコート層を形成した。バックコ
ート層の表面抵抗を測定したところ、3×108 Ω/□
であった。さらに、(図2)の保護膜形成装置を用い、
硬質炭素膜を形成した。巻出し部6からでた磁気記録媒
体原反7は放電処理部8で帯電した後、キャン9に密着
し、ノズル部10において、ガス導入口12よりメタ
ン、アルゴン(2:1)の混合ガスの高周波(10KH
z)プラズマにより、電極11と磁気テープ原反自身を
対向電極として、磁気テープ原反に−1.25KVの直
流電圧を印加し、放電を行ない250Å膜厚の硬質炭素
膜を形成した後、巻取り部13に巻取られる。さらに、
その上に、フッ素系カルボン酸とフッ素系カルボン酸エ
ステルの混合潤滑剤を10mg/m2の条件でリバース
ロールコータで塗布し、80℃の温度で乾燥し、潤滑剤
層を形成した。次に、スリッターで磁気テープ原反を8
mm幅に裁断し8mmVTR用磁気テープとした。
【0016】また、バックコート剤のカーボンブラック
(米国 キャボット社製、商品名モナーク280とバル
カンXC72R)と炭酸カルシウム(白石工業(株)製
商品名 ホモカルD)の混合比(磁気テープ2;1:
3、磁気テープ3;1:2、磁気テープ4;2:3、磁
気テープ5;1:1)を変えて、その他は同様にして、
磁気テープを作成した(磁気テープ1〜5)。また、比
較例として、ウレタン樹脂を主成分とし、カーボンブラ
ックを分散させた塗工液でバックコート層を形成し、実
施例と同様にして、磁気テープ6を作製した。
(米国 キャボット社製、商品名モナーク280とバル
カンXC72R)と炭酸カルシウム(白石工業(株)製
商品名 ホモカルD)の混合比(磁気テープ2;1:
3、磁気テープ3;1:2、磁気テープ4;2:3、磁
気テープ5;1:1)を変えて、その他は同様にして、
磁気テープを作成した(磁気テープ1〜5)。また、比
較例として、ウレタン樹脂を主成分とし、カーボンブラ
ックを分散させた塗工液でバックコート層を形成し、実
施例と同様にして、磁気テープ6を作製した。
【0017】(実施例2)平滑な表面上に粒径180Å
のシリカ微粒子を分散させた変性シリコーンと増粘剤と
からなる波状突起と粒状突起を有し、磁性層形成面と反
対側面の粗さの異なる厚み6.3ミクロンのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムをも用い、その他は実施例1
と同様にして、磁気テープを作成した(磁気テープ7〜
12)。表面粗さの測定は、原子間力顕微鏡(セイコー
電子(株)社製 SAF300)を用い、平均表面粗さ
SRaを算出した。
のシリカ微粒子を分散させた変性シリコーンと増粘剤と
からなる波状突起と粒状突起を有し、磁性層形成面と反
対側面の粗さの異なる厚み6.3ミクロンのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムをも用い、その他は実施例1
と同様にして、磁気テープを作成した(磁気テープ7〜
12)。表面粗さの測定は、原子間力顕微鏡(セイコー
電子(株)社製 SAF300)を用い、平均表面粗さ
SRaを算出した。
【0018】これらの磁気テープ1〜12を用い、市販
の8mmVTR(EV−S900、ソニー社製)の改造
機を用い、スチル耐久性、保存特性を測定した。スチル
耐久性は、5℃80%RHの環境で試料数2で5回測定
し、初期出力から6dB低下するまでの時間を測定し、
その平均値をテープのスチル寿命とした。
の8mmVTR(EV−S900、ソニー社製)の改造
機を用い、スチル耐久性、保存特性を測定した。スチル
耐久性は、5℃80%RHの環境で試料数2で5回測定
し、初期出力から6dB低下するまでの時間を測定し、
その平均値をテープのスチル寿命とした。
【0019】保存特性は、40℃80%RHの環境に1
ヶ月放置し、表面を光学顕微鏡にて倍率100倍で観察
するとともにドロップアウトを測定した。その後、10
0パスの繰り返し走行試験を行い、出力の変化を測定し
た。ドロップアウトは試料数2で10分間録画再生し、
3μsec、10dB以上の出力低下する信号欠陥の数
を測定し、1分間の平均値を算出し、保存前の値を1.
0とし、増加率を算出した。
ヶ月放置し、表面を光学顕微鏡にて倍率100倍で観察
するとともにドロップアウトを測定した。その後、10
0パスの繰り返し走行試験を行い、出力の変化を測定し
た。ドロップアウトは試料数2で10分間録画再生し、
3μsec、10dB以上の出力低下する信号欠陥の数
を測定し、1分間の平均値を算出し、保存前の値を1.
0とし、増加率を算出した。
【0020】
【表1】
【0021】及び
【0022】
【表2】
【0023】にテープ試作条件と評価結果をまとめて示
す。(表1)、(表2)から明らかなように、表面抵抗
が1×108 Ω/□以上のバック面を持つ磁気テープ1
〜3およびベースフィルム走行面の表面粗さが30nm
以下のものを用いて製造した磁気テープ7〜9は、長期
間保存後のドロップアウトの増加も少なく、また、繰り
返し走行後の出力低下も少なく、耐蝕性の低下がみられ
ず、スチル耐久性の低下も見られないのに対し、表面抵
抗が1×10 8 Ω/□未満の磁気テープ4〜6およびベ
ースフィルム走行面の表面粗さが30nm以上のものを
用いて製造した磁気テープ10〜11は、スチル耐久性
の低下がみられ、保存後のドロップアウトの増加も大き
く耐蝕性の低下を示している。
す。(表1)、(表2)から明らかなように、表面抵抗
が1×108 Ω/□以上のバック面を持つ磁気テープ1
〜3およびベースフィルム走行面の表面粗さが30nm
以下のものを用いて製造した磁気テープ7〜9は、長期
間保存後のドロップアウトの増加も少なく、また、繰り
返し走行後の出力低下も少なく、耐蝕性の低下がみられ
ず、スチル耐久性の低下も見られないのに対し、表面抵
抗が1×10 8 Ω/□未満の磁気テープ4〜6およびベ
ースフィルム走行面の表面粗さが30nm以上のものを
用いて製造した磁気テープ10〜11は、スチル耐久性
の低下がみられ、保存後のドロップアウトの増加も大き
く耐蝕性の低下を示している。
【0024】また、保存後の磁気テープ表面を光学顕微
鏡で倍率100倍で観察したところ、磁気テープ1〜
3、7〜9では、腐蝕生成物が観察されなかったが、磁
気テープ4〜6、10〜11では、部分的な変色がみら
れ、腐蝕が始まっていることを示していた。
鏡で倍率100倍で観察したところ、磁気テープ1〜
3、7〜9では、腐蝕生成物が観察されなかったが、磁
気テープ4〜6、10〜11では、部分的な変色がみら
れ、腐蝕が始まっていることを示していた。
【0025】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、保護膜
の製造工程に熱負荷の軽減によって、ミクロ的にも均質
な保護膜を形成することができ、スチル耐久性の向上、
保存性の向上を図ることができるものであり、金属薄膜
型の磁気記録媒体の実用特性を向上させる優れた効果が
ある。
の製造工程に熱負荷の軽減によって、ミクロ的にも均質
な保護膜を形成することができ、スチル耐久性の向上、
保存性の向上を図ることができるものであり、金属薄膜
型の磁気記録媒体の実用特性を向上させる優れた効果が
ある。
【図1】本発明の第1の実施例で使用した磁気テープの
構成を示す模式拡大断面図
構成を示す模式拡大断面図
【図2】本発明の第1,2の実施例で使用した保護膜形
成装置の概略図
成装置の概略図
1 高分子フィルム 2 磁気記録層 3 保護膜層 4 潤滑剤層 5 バックコート層 6 巻出し部 7 磁気記録媒体原反 8 放電処理部 9 キャン 10 ノズル 11 電極 12 ガス導入部 13 巻取り部 14 電源部 15 真空ポンプ 16 真空チャンバー
Claims (2)
- 【請求項1】 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から
なる磁気記録層、前記強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜か
らなる保護膜層を形成する製造工程において、保護膜形
成面と反対側表面の表面抵抗が1×108 Ω/□以上で
ある磁気記録媒体の原反を用いることを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項2】 高分子フィルム上に強磁性金属薄膜から
なる磁気記録層、前記強磁性金属薄膜上に硬質炭素膜か
らなる保護膜層を形成する製造工程において、保護膜形
成面と反対側表面の表面粗さが30nm以下である磁気
記録媒体の原反を用いることを特徴とする磁気記録媒体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198552A JPH0950626A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7198552A JPH0950626A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0950626A true JPH0950626A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16393078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7198552A Pending JPH0950626A (ja) | 1995-08-03 | 1995-08-03 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0950626A (ja) |
-
1995
- 1995-08-03 JP JP7198552A patent/JPH0950626A/ja active Pending
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