JPH0950974A - 研磨布及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
研磨布及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0950974A JPH0950974A JP20111395A JP20111395A JPH0950974A JP H0950974 A JPH0950974 A JP H0950974A JP 20111395 A JP20111395 A JP 20111395A JP 20111395 A JP20111395 A JP 20111395A JP H0950974 A JPH0950974 A JP H0950974A
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- polishing cloth
- cloth
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期状態と磨耗後においても、弾性率が変化
しない研磨布とこの研磨布を用いて、平坦性の良好な研
磨が行なえる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 下層６ａと上層６ｂとで硬度に勾配を設
けた研磨布６とこの研磨布６を用いた半導体装置の製造
方法。 【効果】 初期状態と磨耗後においても、弾性率が変化
しない研磨布が提供でき、また平坦性の良好な研磨が行
なえる半導体装置の製造方法が実現できる。
しない研磨布とこの研磨布を用いて、平坦性の良好な研
磨が行なえる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 下層６ａと上層６ｂとで硬度に勾配を設
けた研磨布６とこの研磨布６を用いた半導体装置の製造
方法。 【効果】 初期状態と磨耗後においても、弾性率が変化
しない研磨布が提供でき、また平坦性の良好な研磨が行
なえる半導体装置の製造方法が実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は研磨布及び半導体装
置の製造方法に関し、詳しくは半導体装置の製造分野に
適用される層間絶縁膜の研磨に用いて好適な研磨布及び
この研磨布を用いる半導体製造装置の製造方法に関す
る。
置の製造方法に関し、詳しくは半導体装置の製造分野に
適用される層間絶縁膜の研磨に用いて好適な研磨布及び
この研磨布を用いる半導体製造装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体装置製造の際に半導体
基板等の基体上に生じた凹凸を平坦化するために、研磨
技術が用いられている（例えば特開昭６０−３９８３
５）。一方、半導体装置の分野では集積回路の大規模化
が進んでいるが、大規模化の為には、集積回路チップの
面積をなるべく小さくする必要があり、そこには、多層
配線技術が必要とされている。この多層配線技術に於い
ては、多層配線の段切れを防止するため下地層の表面を
できるだけ平坦にしておくことが必要である。平坦化技
術として近年、塩基性溶媒中でシリコン酸化物の微粒子
を用いたメカノケミカル研磨技術が開発されている。
基板等の基体上に生じた凹凸を平坦化するために、研磨
技術が用いられている（例えば特開昭６０−３９８３
５）。一方、半導体装置の分野では集積回路の大規模化
が進んでいるが、大規模化の為には、集積回路チップの
面積をなるべく小さくする必要があり、そこには、多層
配線技術が必要とされている。この多層配線技術に於い
ては、多層配線の段切れを防止するため下地層の表面を
できるだけ平坦にしておくことが必要である。平坦化技
術として近年、塩基性溶媒中でシリコン酸化物の微粒子
を用いたメカノケミカル研磨技術が開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このメカノケ
ミカル研磨技術においては、研磨時に使用する研磨布
は、一般的にポリウレタン製の樹脂が用いられている
が、この樹脂の硬度により研磨後の形状が大きく影響さ
れることが知られている。例えば、図６（ａ）に示すよ
うに半導体基体１上にアルミニュームから成る配線層２
及びシリコン酸化膜からなる層間絶縁層３を形成したウ
ェーハ４を研磨した場合について考えてみる。研磨布６
に比較的軟質の材料を用いた場合には、図６（ａ）に示
すように半導体基体１の局部的な膜厚の凹凸には追従で
きるが、研磨布６は押し付け圧力により変形し、凹凸の
底部まで進入するため、研磨後の平坦性が凹凸形状に依
存する結果となる。
ミカル研磨技術においては、研磨時に使用する研磨布
は、一般的にポリウレタン製の樹脂が用いられている
が、この樹脂の硬度により研磨後の形状が大きく影響さ
れることが知られている。例えば、図６（ａ）に示すよ
うに半導体基体１上にアルミニュームから成る配線層２
及びシリコン酸化膜からなる層間絶縁層３を形成したウ
ェーハ４を研磨した場合について考えてみる。研磨布６
に比較的軟質の材料を用いた場合には、図６（ａ）に示
すように半導体基体１の局部的な膜厚の凹凸には追従で
きるが、研磨布６は押し付け圧力により変形し、凹凸の
底部まで進入するため、研磨後の平坦性が凹凸形状に依
存する結果となる。
【０００４】また、硬質の研磨布を用いた場合には図６
（ｂ）に示すように研磨布６が変形することがないた
め、凹凸の底部が研磨されることはないが、ウエハ４の
局所的な膜厚の変動に追従できないために、研磨後の平
坦性は良好ではない。更に、これらの問題の発生を回避
するために図６（ｃ）に示すように下層６ａに軟質のポ
リウレタンを用い、上層６ｂに硬質のポリウレタンを用
いた研磨布６が提案されている。
（ｂ）に示すように研磨布６が変形することがないた
め、凹凸の底部が研磨されることはないが、ウエハ４の
局所的な膜厚の変動に追従できないために、研磨後の平
坦性は良好ではない。更に、これらの問題の発生を回避
するために図６（ｃ）に示すように下層６ａに軟質のポ
リウレタンを用い、上層６ｂに硬質のポリウレタンを用
いた研磨布６が提案されている。
【０００５】しかし、この研磨布６を用いて研磨を行な
うと、研磨時の押しつけ圧力による研磨布６の変形は上
層６ｂの硬質ポリウレタンにとどまらず、下層６ａの軟
質ポリウレタンまでにおよんでいる。つまり研磨布の弾
性率は上層６ｂ及び下層６ａの複合弾性率により算出さ
れる物性となる。このため、弾性率の高い上層６ｂが研
磨により減少すると、研磨布の弾性率は下層６ａの弾性
率に近くなり研磨後のウエハ４の平坦性が悪くなること
が明らかになった。従って、消耗して厚みが減少して
も、研磨布全体としての弾性率の変動が少ない研磨布び
その製造技術が必要とされている。
うと、研磨時の押しつけ圧力による研磨布６の変形は上
層６ｂの硬質ポリウレタンにとどまらず、下層６ａの軟
質ポリウレタンまでにおよんでいる。つまり研磨布の弾
性率は上層６ｂ及び下層６ａの複合弾性率により算出さ
れる物性となる。このため、弾性率の高い上層６ｂが研
磨により減少すると、研磨布の弾性率は下層６ａの弾性
率に近くなり研磨後のウエハ４の平坦性が悪くなること
が明らかになった。従って、消耗して厚みが減少して
も、研磨布全体としての弾性率の変動が少ない研磨布び
その製造技術が必要とされている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１記載の発明は、被研磨材を保持し被研磨材
に研磨布を接触させ研磨剤を供給しながら研磨を行う方
法に用いられる研磨布に於いて、厚さ方向に硬度勾配を
有することを特徴とする研磨布の構成とし、研磨布の複
合弾性率が初期状態と磨耗した状態で変化しないように
した。
め、請求項１記載の発明は、被研磨材を保持し被研磨材
に研磨布を接触させ研磨剤を供給しながら研磨を行う方
法に用いられる研磨布に於いて、厚さ方向に硬度勾配を
有することを特徴とする研磨布の構成とし、研磨布の複
合弾性率が初期状態と磨耗した状態で変化しないように
した。
【０００７】請求項２記載の発明は研磨布は硬度の異な
る研磨布を積層して硬度勾配を付与したことを特徴とす
る請求項１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性
率が初期状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
る研磨布を積層して硬度勾配を付与したことを特徴とす
る請求項１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性
率が初期状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
【０００８】請求項３記載の発明は研磨布は材料の密度
を制御して硬度勾配を付与したことを特徴とする請求項
１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性率が初期
状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
を制御して硬度勾配を付与したことを特徴とする請求項
１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性率が初期
状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
【０００９】請求項４記載の発明は研磨布は材料の架橋
度を制御して硬度勾配を付与したことを特徴とする請求
項１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性率が初
期状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
度を制御して硬度勾配を付与したことを特徴とする請求
項１記載の研磨布の構成とし、研磨布の複合弾性率が初
期状態と磨耗した状態で変化しないようにした。
【００１０】請求項５記載の発明は被研磨材上の絶縁膜
を平坦化する絶縁膜の形成工程に於いて、厚さ方向に硬
度勾配を有する研磨布を用いて研磨することを特徴とす
る半導体装置の製造方法の構成とし、磨耗時にも研磨布
の弾性率の変化を無くし、ウエハ間の平坦性の良い研磨
ができる。
を平坦化する絶縁膜の形成工程に於いて、厚さ方向に硬
度勾配を有する研磨布を用いて研磨することを特徴とす
る半導体装置の製造方法の構成とし、磨耗時にも研磨布
の弾性率の変化を無くし、ウエハ間の平坦性の良い研磨
ができる。
【００１１】以下に、本発明に係る研磨布とこれを用い
た研磨方法について実施の形態を挙げて説明する。
た研磨方法について実施の形態を挙げて説明する。
【００１２】
【発明の実施の形態】 第１の実施の形態 本発明の第１の実施の形態について図１及び図２を参照
して説明する。図１（ａ）に示す如く、下層６ａとし
て、ポリウレタンから成る軟質層上に上層６ｂとしてポ
リウレタンから成る硬質層を積層した研磨布６を作製し
た。具体的には下層６ａのポリウレタン軟質層は、ジオ
ール成分としてエチレングリコール、ジカルボン酸とし
てアジピン酸を用いて形成したポリオールを４、４−メ
チレンジフェニルジイソシアティートと鎖長延長剤とし
て、エチレングリコールを添加し作製したポリウレタン
をグリセリンとヘキサメチレンジイソシアネートを反応
させた３官能以上のトリイソシアネートを添加し架橋反
応を行い作製した。
して説明する。図１（ａ）に示す如く、下層６ａとし
て、ポリウレタンから成る軟質層上に上層６ｂとしてポ
リウレタンから成る硬質層を積層した研磨布６を作製し
た。具体的には下層６ａのポリウレタン軟質層は、ジオ
ール成分としてエチレングリコール、ジカルボン酸とし
てアジピン酸を用いて形成したポリオールを４、４−メ
チレンジフェニルジイソシアティートと鎖長延長剤とし
て、エチレングリコールを添加し作製したポリウレタン
をグリセリンとヘキサメチレンジイソシアネートを反応
させた３官能以上のトリイソシアネートを添加し架橋反
応を行い作製した。
【００１３】上層６ｂのポリウレタン硬質層はジオール
成分として１、４ブタンジオール、ジカルボン酸として
はテレフタル酸を用いて作成したポリオールにエチレン
グリコールと４、４メチレンジフェニルジイソシアネー
トの添加量を変えて作成したポリウレタン樹脂０．２ｍ
ｍ厚み１０枚を用意した。本手法で形成した下層６ａ及
び上層６ｂの研磨布を圧着して貼り合わせ研磨布６を作
成した。
成分として１、４ブタンジオール、ジカルボン酸として
はテレフタル酸を用いて作成したポリオールにエチレン
グリコールと４、４メチレンジフェニルジイソシアネー
トの添加量を変えて作成したポリウレタン樹脂０．２ｍ
ｍ厚み１０枚を用意した。本手法で形成した下層６ａ及
び上層６ｂの研磨布を圧着して貼り合わせ研磨布６を作
成した。
【００１４】本第１の実施の形態の硬度勾配を有する構
造の研磨布は、初期状態では図１（ａ）に示すように軟
質層の下層６ａ上に硬度勾配を有する硬質層の上層６ｂ
が形成されている。硬質層の上層６ｂでは弾性率は低
く、下層６ａでは弾性率が高い構造になっており、研磨
時の研磨ヘッドにかかる圧力により変形する。この研磨
布変形領域は上層６ｂに限定されるために変形時の弾性
率は硬質層の上層６ｂの弾性率となる（図１（ｂ）参
照）。図２（ａ）に示すように上層６ｂが摩耗した状態
では、変形領域は下層研磨布まで及び変形時の弾性率は
硬質層の上層６ａと軟質層の下層６ａの複合弾性率とな
る（図２（ｂ）参照）。この時の硬質層の上層６ｂは初
期の弾性率に比べ高い弾性率を有する為に複合弾性率は
初期と変化がなく、この研磨布を用いて被研磨材の研磨
を行なえば、平坦性の劣化が発生しない。
造の研磨布は、初期状態では図１（ａ）に示すように軟
質層の下層６ａ上に硬度勾配を有する硬質層の上層６ｂ
が形成されている。硬質層の上層６ｂでは弾性率は低
く、下層６ａでは弾性率が高い構造になっており、研磨
時の研磨ヘッドにかかる圧力により変形する。この研磨
布変形領域は上層６ｂに限定されるために変形時の弾性
率は硬質層の上層６ｂの弾性率となる（図１（ｂ）参
照）。図２（ａ）に示すように上層６ｂが摩耗した状態
では、変形領域は下層研磨布まで及び変形時の弾性率は
硬質層の上層６ａと軟質層の下層６ａの複合弾性率とな
る（図２（ｂ）参照）。この時の硬質層の上層６ｂは初
期の弾性率に比べ高い弾性率を有する為に複合弾性率は
初期と変化がなく、この研磨布を用いて被研磨材の研磨
を行なえば、平坦性の劣化が発生しない。
【００１５】第２の実施の形態 本第２の実施の形態は上層６ｂの架橋度を制御して硬度
勾配を付与した研磨布の構造を具現化した。具体的には
下層６ａのポリウレタンは、ジオール成分としてエチレ
ングリコール、ジカルボン酸としてアジピン酸を用いて
作製したポリオールを４、４−メチレンジフェニルジイ
ソシアネートと鎖長延長剤としてエチレングリコールを
添加し作製したポリウレタンをグリセリンとヘキサメチ
レンジイソシアネートを反応させた３官能以上のトリイ
ソシアネートを添加し架橋反応を行い作製した。上層６
ｂのポリウレタン硬質層はジオール成分としてエチレン
グリコール、ジカルボン酸としてはテレフタル酸を用い
て作製したポリオールにエチレングリコールと未端のイ
ソシアネート基をアクリル酸で変性した４、４−メチレ
ンジフェニルジイソシアネートを加えて作製した。
勾配を付与した研磨布の構造を具現化した。具体的には
下層６ａのポリウレタンは、ジオール成分としてエチレ
ングリコール、ジカルボン酸としてアジピン酸を用いて
作製したポリオールを４、４−メチレンジフェニルジイ
ソシアネートと鎖長延長剤としてエチレングリコールを
添加し作製したポリウレタンをグリセリンとヘキサメチ
レンジイソシアネートを反応させた３官能以上のトリイ
ソシアネートを添加し架橋反応を行い作製した。上層６
ｂのポリウレタン硬質層はジオール成分としてエチレン
グリコール、ジカルボン酸としてはテレフタル酸を用い
て作製したポリオールにエチレングリコールと未端のイ
ソシアネート基をアクリル酸で変性した４、４−メチレ
ンジフェニルジイソシアネートを加えて作製した。
【００１６】そして、アクリル変性することで紫外線及
び電子線で架橋できる様にした。その後、上層６ｂ表面
に紫外線を照射し架橋を行った。紫外線により上層部で
は架橋反応は発生するが、下層では次第に紫外線が届か
なくなり架橋反応が発生しないために深さ方向で架橋度
が異なり、樹脂硬度が深さ方向に硬度分布が発生する。
その後上層及び下層樹脂を圧着して研磨布を作製した。
び電子線で架橋できる様にした。その後、上層６ｂ表面
に紫外線を照射し架橋を行った。紫外線により上層部で
は架橋反応は発生するが、下層では次第に紫外線が届か
なくなり架橋反応が発生しないために深さ方向で架橋度
が異なり、樹脂硬度が深さ方向に硬度分布が発生する。
その後上層及び下層樹脂を圧着して研磨布を作製した。
【００１７】研磨布の総合した弾性率が初期状態と数回
の研磨後で変化しないと云う効果は第１の実施の形態と
同様であり、更に量産に向いた研磨布が提供できた。
の研磨後で変化しないと云う効果は第１の実施の形態と
同様であり、更に量産に向いた研磨布が提供できた。
【００１８】第３の実施の形態 本第３の実施の形態では、上述した第１、第２の実施の
形態で示した研磨布を用いた半導体装置の製造方法を具
現化した。ここで研磨工程の説明に先立ち、先ず本発明
を実施するために使用する研磨装置の構成を図２を参照
して説明する。ウェーハ（被研磨材）４は真空チャック
式のウェーハ保持台７ににより固定される。
形態で示した研磨布を用いた半導体装置の製造方法を具
現化した。ここで研磨工程の説明に先立ち、先ず本発明
を実施するために使用する研磨装置の構成を図２を参照
して説明する。ウェーハ（被研磨材）４は真空チャック
式のウェーハ保持台７ににより固定される。
【００１９】一方、研磨台５には研磨布６が固定されて
おり、研磨布６の上には研磨剤８が研磨剤供給管９から
供給される。そして、ウエハ保持台７はこれと連結した
保持台回転軸７ａにより回転駆動がなされ、研磨台５は
これと連結した、研磨台回転軸５ａにより回転駆動さ
れ、研磨が遂行される。尚、研磨時においては、ウェー
ハ保持台７を研磨台５に押しつける圧力を制御すること
によって、適正な研磨作業が実行される。
おり、研磨布６の上には研磨剤８が研磨剤供給管９から
供給される。そして、ウエハ保持台７はこれと連結した
保持台回転軸７ａにより回転駆動がなされ、研磨台５は
これと連結した、研磨台回転軸５ａにより回転駆動さ
れ、研磨が遂行される。尚、研磨時においては、ウェー
ハ保持台７を研磨台５に押しつける圧力を制御すること
によって、適正な研磨作業が実行される。
【００２０】好適な研磨の条件としては、例えば下記の
ようなものがある。 研磨条件 ウェーハ保持台回転軸の回転数 ３７ 〔ｒｐｍ〕 ウェーハ保持台の回転数 １７ 〔ｒｐｍ〕 研磨圧力 ５．５×１０3 〔Ｐａ〕 研磨剤流量 ２００ 〔ｍｌ／ｍｉｎ〕
ようなものがある。 研磨条件 ウェーハ保持台回転軸の回転数 ３７ 〔ｒｐｍ〕 ウェーハ保持台の回転数 １７ 〔ｒｐｍ〕 研磨圧力 ５．５×１０3 〔Ｐａ〕 研磨剤流量 ２００ 〔ｍｌ／ｍｉｎ〕
【００２１】ここでは、上述の研磨装置を用いた、半導
体装置の製造方法において層間膜の形成工程に於ける凸
部絶縁膜の除去に適用した工程について図４を参照して
説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、シリコンか
ら成る半導体基体１に第１のシリコン酸化膜１ａを形成
した後、フォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチン
グによりアルミ配線層２を形成した。
体装置の製造方法において層間膜の形成工程に於ける凸
部絶縁膜の除去に適用した工程について図４を参照して
説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、シリコンか
ら成る半導体基体１に第１のシリコン酸化膜１ａを形成
した後、フォトリソグラフィ及び反応性イオンエッチン
グによりアルミ配線層２を形成した。
【００２２】次いで、図４（ｂ）に示すように下記の条
件にて第２のシリコン酸化膜（層間絶縁層）３を形成し
た。 酸化シリコン膜の成膜条件 原料ガス ＴＥＯＳ＝８００〔ｓｃｃｍ〕 酸素Ｏ2 ＝６００〔ｓｃｃｍ〕 圧力 １３３０〔Ｐａ〕 温度 ４００〔℃〕 ＲＦ出力 ７００〔Ｗ〕 但しＴＥＯＳはＴｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ
Ｓｉｌｉｃａｔｅの略である。
件にて第２のシリコン酸化膜（層間絶縁層）３を形成し
た。 酸化シリコン膜の成膜条件 原料ガス ＴＥＯＳ＝８００〔ｓｃｃｍ〕 酸素Ｏ2 ＝６００〔ｓｃｃｍ〕 圧力 １３３０〔Ｐａ〕 温度 ４００〔℃〕 ＲＦ出力 ７００〔Ｗ〕 但しＴＥＯＳはＴｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ
Ｓｉｌｉｃａｔｅの略である。
【００２３】その後、上述のようにして形成された第２
のシリコン酸化膜３の凸部を研磨除去するためにウェー
ハ４を研磨装置のウェハ保持台７に保持し、そして上述
の研磨装置を用いてウェーハ４の被研磨面の研磨を行っ
た。これにより図４（ｃ）に示すように第２のシリコン
酸化膜３の凸部が除去された。その後フッ化水素酸水溶
液を用いて研磨剤の除去を行っても層間絶縁膜３の表面
が粗面化されることはなかった。
のシリコン酸化膜３の凸部を研磨除去するためにウェー
ハ４を研磨装置のウェハ保持台７に保持し、そして上述
の研磨装置を用いてウェーハ４の被研磨面の研磨を行っ
た。これにより図４（ｃ）に示すように第２のシリコン
酸化膜３の凸部が除去された。その後フッ化水素酸水溶
液を用いて研磨剤の除去を行っても層間絶縁膜３の表面
が粗面化されることはなかった。
【００２４】以上のようにしてウェーハ４の研磨がなさ
れることにより、第２のシリコン酸化膜（層間絶縁膜）
３が平坦化される。本条件を用いて連続７００分の研磨
を行った結果、図５に示すように、従来の研磨布を使用
した場合には初期の研磨布に比べ上層研磨布膜厚が１／
３になると平坦性は大きく劣化するが第１の実施の形態
での研磨布では弾性率の変化がなく、研磨工程で初期状
態より、平坦性を損なわない結果が得られた。
れることにより、第２のシリコン酸化膜（層間絶縁膜）
３が平坦化される。本条件を用いて連続７００分の研磨
を行った結果、図５に示すように、従来の研磨布を使用
した場合には初期の研磨布に比べ上層研磨布膜厚が１／
３になると平坦性は大きく劣化するが第１の実施の形態
での研磨布では弾性率の変化がなく、研磨工程で初期状
態より、平坦性を損なわない結果が得られた。
【００２５】
【発明の効果】本発明の研磨布によれば、初期の弾性率
と磨耗後の弾性率が変化せず、この研磨布を用いて被研
磨材を研磨すれば、平坦性の良い研磨が行なえる。
と磨耗後の弾性率が変化せず、この研磨布を用いて被研
磨材を研磨すれば、平坦性の良い研磨が行なえる。
【図１】 （ａ）は本発明の初期状態の研磨布の断面図
であり、（ｂ）はその厚みに対する弾性率の勾配を示す
グラフである。
であり、（ｂ）はその厚みに対する弾性率の勾配を示す
グラフである。
【図２】 （ａ）は本発明の磨耗後の研磨布の断面図で
あり、（ｂ）はその厚みに対する弾性率の勾配を示すグ
ラフである。
あり、（ｂ）はその厚みに対する弾性率の勾配を示すグ
ラフである。
【図３】 本発明に用いる研磨装置の側面図である。
【図４】 半導体装置の製造工程を示すウエハの側断面
図である。
図である。
【図５】 被研磨材の研磨面の平坦性と研磨時間依存性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】 従来の研磨布と研磨中の被研磨材の側断面図
であり、（ａ）は軟質の研磨布を用いた例、（ｂ）は硬
質の研磨布を用いた例、（ｃ）は多層の研磨布を用いた
例をしめす。
であり、（ａ）は軟質の研磨布を用いた例、（ｂ）は硬
質の研磨布を用いた例、（ｃ）は多層の研磨布を用いた
例をしめす。
１ 半導体基体 １ａ 第１のシリコン酸化膜 ２ アルミ配線層 ３ 第２のシリコン酸化膜（層間絶縁層） ４ ウエハ（被研磨材） ５ 研磨台 ５ａ 研磨台回転台 ６ 研磨布 ６ａ 下層 ６ｂ 上層 ７ ウエハ保持台 ７ａ 保持台回転台 ８ 研磨剤 ９ 研磨剤供給管
Claims (5)
- 【請求項１】 被研磨材を保持し該被研磨材に研磨布を
接触させ研磨剤を供給しながら研磨を行う方法に用いら
れる研磨布に於いて、 厚さ方向に硬度勾配を有することを特徴とする研磨布。 - 【請求項２】 前記研磨布は、硬度の異なる研磨布を積
層して硬度勾配を付与したことを特徴とする請求項１記
載の研磨布。 - 【請求項３】前記研磨布は、材料の密度を制御して硬度
勾配を付与したことを特徴とする請求項１記載の研磨
布。 - 【請求項４】 前記研磨布は、材料の架橋度を制御して
硬度勾配を付与したことを特徴とする請求項１記載の研
磨布。 - 【請求項５】 被研磨材上の絶縁膜を平坦化する絶縁膜
の形成工程に於いて、厚さ方向に硬度勾配を有する研磨
布を用いて研磨することを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20111395A JPH0950974A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 研磨布及び半導体装置の製造方法 |
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| JP20111395A JPH0950974A (ja) | 1995-08-07 | 1995-08-07 | 研磨布及び半導体装置の製造方法 |
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-
1995
- 1995-08-07 JP JP20111395A patent/JPH0950974A/ja active Pending
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