JPH0951139A

JPH0951139A - 半導体レーザ素子

Info

Publication number: JPH0951139A
Application number: JP20305795A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Tanaka; 俊明田中; Akisada Watanabe; 明禎渡辺; Kenji Uchida; 憲治内田; Shoichi Akamatsu; 正一赤松
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-08-09
Filing date: 1995-08-09
Publication date: 1997-02-18

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的は、低閾値で動作する青紫色波
長域のレ−ザ素子を実現させることにある。【構成】 (0001)C面を有するサファイア基板１上に中
央部にストライプ状の窓をあけたTiの窒化物TiN_x(0<x≦
1)のパタ−ン２を形成しておき、絶縁膜マスクパタ−ン
３を利用して、選択成長技術によりAlGaInN材料からな
る導波路共振構造を作製する。導波路構造に関しては、
発光活性層６を光導波層に埋め込んだ形であるＢＨ構造
を構成できる。次に、TiN_x(0<x≦1)に接触する形でｎ側
電極Ti/Auを蒸着し、ｐ側電極にはNi/Auを蒸着した後、
劈開することにより素子を得る。【効果】本実施例では、ｎ型の電極材料に高融点のTi
の窒化物TiN_x(0<x≦1)材料を予め形成しておくことによ
り、選択成長を一回行うだけで、実屈折率差により基本
横モ−ドを制御してレ−ザ光を安定に伝搬する埋め込み
(ＢＨ)導波路構造を作製できた。本素子は、電流注入に
より４１０〜４３０ｎｍの波長範囲でレ−ザ発振した。
また、絶縁膜マスクパタ−ンを工夫することにより、さ
らに低閾値動作が可能であった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光情報端末或は光応用
計測光源に適する半導体レ−ザ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来では、GaInN/AlGaN材料を用いた発
光素子に関し、例えばアプライド・フィジックス・レタ
−1994年,64巻,1687-1689頁(Appl. Phys. Lett., 64, 1
687-1689(1994).)において、青色発光ダイオ−ドを構成
する素子構造が述べられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、青
色発光ダイオ−ドを構成する発光活性層や光導波層につ
いて言及しているが、レ−ザダイオ−ドに必要な導波路
共振構造を作製する工程について述べていない。また、
半導体レ−ザの横モ−ドを制御する素子構造やそれを作
製する手法については説明していない。

【０００４】本発明の目的は、これまで導波路や共振器
の形成が困難であったNitride材料において、一回の結
晶成長により半導体レ−ザに適する導波路共振構造を形
成するとともに、電極材料及び、電極と結晶層の構成を
規定することによって、容易に基本横モ−ド制御構造を
有した素子構造を達成することにある。さらに、より低
閾値で動作する青紫色波長域のレ−ザ素子を実現させる
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段を以下に説明する。

【０００６】本発明では、従来導波路や共振器を形成す
ることが困難であったNitride材料に対して、一回の結
晶成長により容易に導波路共振構造を構成できる手法を
用いる。単結晶基板上において、予め高融点でありかつ
Nitride材料に対してオ−ミック性の高い材料であるTi
の窒化物TiN_x(0<x≦1)を形成しておき、その後に選択成
長技術を利用することにより、基板上に一回の結晶成長
によって導波路共振構造を作製できる。この導波路共振
構造では、発光活性層を光導波層の中に埋め込んだ形の
実屈折率差による基本横モ−ド制御埋め込みＢＨ構造を
容易に達成できる。さらに、ダミ−パタ−ンを含んだ選
択成長用の絶縁膜マスクパタ−ンを工夫することにより
作製したＢＨ構造では、より低閾値で動作する素子を実
現できる。

【０００７】

【作用】目的を達成するため、上記手段の作用について
説明する。

【０００８】本発明は、一回の結晶成長により容易にNi
tride材料を用いた導波路共振構造を構成する工夫を行
った内容であり、ｎ型結晶層に対するｎ側電極にTiの窒
化物TiN_x(0<x≦1)を構成要素として用いていることに特
徴がある。本発明の主眼は、金属Ti窒化物と電極結晶層
との構成に特徴を見出した点にある。

【０００９】単結晶基板上に対して、予め高融点であり
かつNitride材料に対してオ−ミック性の高い材料であ
るTiの窒化物TiN_x(0<x≦1)を形成しておくことにより、
次の二つの利点を活かせる。一つは、窒化物TiN_xはNitr
ide材料に対するショットキ−障壁が他の材料との比較
上非常に低いので、電極材料としてオ−ミック特性に優
れていることを利用する。狭い導波路ストライプに対し
ても、TiN_xを予め基板上に設けておいてNitride結晶層
と接触するように配置させれば、ｎ側の電極を容易に作
製でき、素子に電流を注入できる構造をとれる。ｎ型Ni
tride結晶層とｎ側電極の間の接触抵抗は、1〜5×10-⁶
Ωcm²の範囲に設定することが可能であった。もう一つ
は、Tiの窒化物が上記利点を有し高融点材料であること
を活かして、一回の結晶成長によって光導波路構造を基
板上に作製できることである。Tiの窒化物の融点は約29
50℃であるので、1000℃以上で行うNitride材料の高温
成長にも十分耐久性を持っている。このため、ｎ側電極
を後に形成することとｎ型Nitride結晶層に接触させる
ことを考慮して配置した、TiN_xのパタ−ンを予め基板上
に形成しておくと、その後に選択成長技術を利用するこ
とにより、一回の結晶成長によって導波路共振構造を作
製できる。本発明の導波路共振構造としては、発光活性
層を光導波層の中に埋め込んだ形であり、実屈折率差に
よる基本横モ−ド制御ＢＨ構造とすることが可能であ
る。このＢＨ構造では、素子の低閾値動作を容易に図れ
る。

【００１０】Tiの窒化物TiN_x(0<x≦1)の作製方法は、金
属Tiを窒素原料やNitride材料と反応させるか、金属Ti
化合物と窒素原料をECRによるプラズマ源として反応さ
せるか、或は有機窒素Ti金属化合物の熱分解気相反応に
よる。これらの方法によって、単結晶基板上にTiの窒化
物を形成した後、リソグラフィ−とエッチング加工によ
りパタ−ニングを行う。この後、パタ−ニングしたTiの
窒化物と接触する形で、選択成長によりNitiride材料か
らなる導波路構造を設ける。

【００１１】以上により、Tiの窒化物を用いて、光導波
路構造を選択成長により作製することによって、基本横
モ−ドに制御できるＢＨ構造を作製でき、低閾値動作が
期待できるAlGaInN半導体レ−ザを実現できる。

【００１２】

【実施例】

実施例１本発明の一実施例を図１(a),(b)により説明する。図１
(a)において、(0001)C面を有するα-Al₂O₃基板１に対し
て、Ti金属を窒素原料と反応させて窒化させるか、有機
窒素Ti金属を熱反応させるか、或いはTi金属化合物を電
子サイクロトロン共鳴(ECR)により窒素と反応させて、
まずTiの窒化物TiN_x(0<x≦1)層２を形成する。その後、
リソグラフィ−を用いてストライプ状の窓部をもつパタ
−ンに加工する。次に、選択成長用の絶縁膜SiO₂マスク
３を図１(b)のように設ける。このとき、絶縁膜の形成
とリソグラフィ−により、マスク間隔１〜５μｍのスト
ライプ状絶縁膜マスク窓領域とし、ストライプ方向を該
α-Al₂O₃基板１における(11-20)A面と平行な方向に設定
しておく。さらに、図１(a)に示すように、窒化物TiN
_x(0<x≦1)層２のストライプ幅よりもストライプ状絶縁
膜マスク窓領域の幅の方が広く設定してあり、窒化物Ti
N_x(0<x≦1)層２の上部に窒化物結晶層を設けて接触する
ようにする。結晶成長する前に、基板１の表面に対して
アンモニアを用いて窒化処理を施しておき、それに引き
続いて有機金属気相成長法により、GaNバッファ層４，
ｎ型GaN光導波層５，AlGaN光分離閉じ込め層とGaN量子
障壁層及びGaInN量子井戸層からなる圧縮歪多重量子井
戸活性層６，ｐ型GaN光導波層７を順次選択成長する。
次に、絶縁膜８を形成して、リソグラフィ−により、Ni
/Auからなるｐ側電極９と窒化物TiN_x(0<x≦1)層２に接
触するTi/Auからなるｎ側電極１０を蒸着する。さら
に、導波路とは垂直な方向に基板を劈開することによっ
て、図１(a)に示す素子縦断面を得る。

【００１３】本実施例によると、実屈折率差でレ−ザ光
を導波するＢＨストライプ構造を一回の選択成長により
作製することができた。TiN_x(0<x≦1)層２を設けたこと
により、ｎ側電極の接触抵抗を低減することができ、ｎ
型GaN結晶層との接触抵抗は3〜5×10-⁶Ωcm²の範囲の値
を得た。本素子は、室温においてレ−ザ発振し、発振波
長４１０〜４３０ｎｍの範囲であった。

【００１４】実施例２本発明の他実施例を図２(a),(b)により説明する。実施
例１と同様に素子を作製するが、図２(b)に示すダミ−
パタ−ンを含む絶縁膜マスク３を形成する。ダミ−パタ
−ン上の結晶層に対しては、図２(a)に示すように絶縁
膜８をカバ−しておく。その後、実施例1と同様にし
て、図２(a)に示す素子縦断面を得る。

【００１５】本実施例によると、ダミ−パタ−ンの効果
により、ストライプ状導波路の結晶性や形状制御性を実
施例１より格段に改善することができ、低閾値動作を達
成した。本素子の閾値電流は、実施例１よりも2/3から1
/2に低減できた。

【００１６】実施例３本発明の他実施例を図３(a),(b)及び４により説明す
る。実施例１と同様に光導波層７まで作製するが、この
とき導波路を形成する方向を実施例１や２と異なり、該
基板１における(11-20)A面に対して垂直な方向に導波路
ストライプを形成する。また、次に、実施例２と同様し
て層７まで結晶成長した後、引き続いてアンド−プ歪補
償GaInN/AlGaNＤＢＲ構造高反射膜１１を選択成長す
る。さらに、リソグラフィ−と絶縁膜マスク８を利用し
て、中央部の導波路ストライプにおいて層１１を層７に
到るまでエッチング加工する。その後、実施例１と同様
にして、図３(a)の素子縦断面と図４の素子横断面を得
る。

【００１７】本実施例によると、劈開により共振器端面
を形成する必要なく、結晶層からなるＤＢＲ構造高反射
膜を有した基板面に垂直な共振器面を形成でき、かつ９
０％以上の高反射率により格段の低閾値動作を図り、閾
値電流を実施例１に比較して1/10から1/20に低減でき
た。

【００１８】実施例４本発明の他実施例を説明する。実施例１から３と同様に
して素子を作製するが、基板１に対して、サファイア基
板の代わりに、(0001)C面を有したｎ型の炭化珪素(α-S
iC)基板を用いて素子を設ける。

【００１９】本実施例によると、大面積のｎ型SiC基板
に窒化物TiN_x(0<x≦1)層２が接触しているので、ｎ型Ga
N結晶層とｎ側電極との接触抵抗は1〜3×10-⁶Ωcm²範囲
に低減できた。このため、実施例１から３までの素子に
比較して、素子抵抗及びレ−ザ発振時の動作電圧をより
小さく抑えることが可能であった。

【００２０】実施例５本発明の他実施例を図５(a),(b)により説明する。本素
子では、面発光型垂直共振器構造を作製するため、最初
にアンド−プGaNバッファ層４，アンド−プGaN光導波層
１２，アンド−プ歪補償GaInN/AlGaNＤＢＲ構造高反射
膜１１，ｎ型GaN光導波層１３を結晶成長しておく。次
に、図５(b)のような正六角形状の絶縁膜マスク３を形
成した後、窒化物TiN_x(0<x≦1)層２を設けた上に選択成
長により実施例３と同様にして素子を作製し、図５(a)
の素子縦断面を得る。

【００２１】本実施例によると、上下面にＤＢＲ構造か
らなる垂直共振器面と正六角柱状の導波路構造を有し
た、面発光型の素子構造を作製できた。本素子構造で
は、大面積のｎ型GaN結晶層に窒化物TiN_x(0<x≦1)層２
が接触しており、ｎ型GaN結晶層との接触抵抗は1〜3×1
0-⁶Ωcm²範囲に低減できた。このため、窒化物TiN_xを設
けない場合に比べて、素子抵抗及びレ−ザ発振時の動作
電圧をより小さく抑えることが可能であった。

【００２２】実施例６本発明の他実施例を図６(a),(b)により説明する。実施
例５と同様にして素子を作製するが、図６(b)に示すよ
うなダミ−パタ−ンを含む絶縁膜マスク３を形成してお
く。その後、実施例５と同様にして素子を作製し、図６
(a)に示す素子縦断面を得る。

【００２３】本実施例によると、ダミ−パタ−ンの効果
により、垂直共振器構造の導波路における結晶性や形状
制御性を実施例５より格段に改善することができ、低閾
値動作を達成した。本素子の閾値電流は、実施例５より
も1/2から1/3に低減できた。

【００２４】

【発明の効果】本発明では、高融点材料であるTiの窒化
物TiN_x(0<x≦1)層を用いることにより、これまで導波路
や共振器の形成が困難であったNitride材料において、
半導体レ−ザに適する導波路共振構造を一回の結晶成長
により作製することができた。窒化物TiN_x(0<x≦1)層は
1000℃以上の高温結晶成長に十分耐久性があるだけでな
く、電極のオ−ミック性を改善して結晶層との接触抵抗
を低減する効果がある。ｎ側電極における接触抵抗は、
1〜5×10-⁶Ωcm²にまで小さくすることが可能であっ
た。これにより、素子の低抵抗化とレ−ザ発振時の動作
電圧を低減できた。また本素子構造では、実屈折率差に
より基本横モ−ドを安定に導波伝搬し、低閾値動作が可
能なＢＨ導波路構造を作製できる。ストライプ構造の両
外側にダミ−パタ−ンを導入する工夫により、閾値電流
を2/3から1/2に低減できた。さらに、共振器面にＤＢＲ
構造を設けることにより、従来より格段に低い閾値を達
成し、閾値電流を1/10から1/20に低減できた。また、面
発光型垂直共振器構造にも本発明を適用して、低抵抗低
動作電圧で動作するレ−ザ発振を得た。本発明の実施例
では、AlGaInN材料からなるレ−ザ動作を室温において
確認でき、室温における発振波長は、４１０〜４３０ｎ
ｍの範囲であり青紫色の波長領域であった。

【００２５】本発明では、(0001)C面を有したWurtzite
構造のサファイアや炭化珪素単結晶基板上に作製したAl
GaInN半導体レ−ザ素子について説明したが、(111)面を
有したZinc Blende構造のGaAs,InP,InAs,GaP,GaSbであ
るか、或いはSi基板上に作製したAlGaInN半導体レ−ザ
素子に適用できることはいうまでもない。

【００２６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す素子構造縦断面図(a)
と絶縁膜マスク形状上面図(b)。

【図２】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図(a)
と絶縁膜マスク形状上面図(b)。

【図３】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図(a)
と絶縁膜マスク形状上面図(b)。

【図４】本発明の他実施例における素子構造横断面図。

【図５】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図(a)
と絶縁膜マスク形状上面図(b)。

【図６】本発明の他実施例を示す素子構造縦断面図(a)
と絶縁膜マスク形状上面図(b)。

【符号の説明】

１．(0001)C面α-Al₂O₃単結晶基板、２．TiN_x(0<x≦1)
層、３．絶縁膜SiO₂マスク、４．GaNバッファ層、５．
ｎ型GaN光導波層、６．GaInN/GaN/AlGaN多重量子井戸構
造活性層、７．ｐ型GaN光導波層、８．絶縁膜、９．ｐ
側電極Ni/Au、１０．ｎ側電極Ti/Au、１１．アンド−プ
歪補償GaInN/AlGaNＤＢＲ構造高反射膜、１２．アンド
−プGaN光導波層、１３．ｎ型GaN光導波層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者赤松正一東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単結晶基板上に設ける発光素子において、
光導波路構造を作製する際に、予めTi或いはTiの窒化物
を設けておき、さらにそれと一部接触する形で結晶層を
設け、禁制帯幅の大きな光導波層と禁制帯幅の小さな発
光活性層からなる光導波路構造を構成していることを特
徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２】請求項１記載の半導体レ−ザ素子におい
て、該単結晶基板上に対して予めTi或いはTiの窒化物を
設けておき、さらにそれと一部接触する形で結晶層を設
け、該光導波路構造を一回の結晶成長により形成するこ
とを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項３】請求項１又は２記載の半導体レ−ザ素子に
おいて、予め結晶層に接触する形でTi或いはTiの窒化物
を設け、最終的にTiの窒化物TiN_x(0<x≦1)として界面に
形成してあることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項４】請求項１から３のいずれかに記載の半導体
レ−ザ素子において、Tiの窒化物TiN_x(0<x≦1)はTiを窒
素と反応させることによって形成してあることを特徴と
する半導体レ−ザ素子。
【請求項５】請求項４記載の半導体レ−ザ素子におい
て、熱処理を行うことによりTiを窒素と反応させること
によって、Tiの窒化物TiN_x(0<x≦1)を形成してあること
を特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項６】請求項４記載の半導体レ−ザ素子におい
て、電子サイクロトロン共鳴(ECR; Electron Cyclotron
Resonance)によって金属Ti化合物と窒素を反応させ
て、予めTiの窒化物TiN_x(0<x≦1)の形で設けてあること
を特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項７】請求項４記載の半導体レ−ザ素子におい
て、有機窒素金属Ｔｉ化合物を用いて熱反応によりTiを
窒素と反応させて、予めTiの窒化物TiN_x(0<x≦1)の形で
設けてあることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項８】請求項１から７のいずれかに記載の半導体
レ−ザ素子において、該光導波層と該発光活性層はIII-
Ｖ族窒化物半導体材料であるAl_xGa_yIn_1-x-yN(0≦x<1, 0
≦y<1)結晶層から構成されていることを特徴とする半導
体レ−ザ素子。
【請求項９】請求項８記載の半導体レ−ザ素子におい
て、該単結晶基板上にIII-Ｖ族窒化物半導体材料である
Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)結晶層を設けておき、
その上に金属Tiをまず蒸着してから、その後に下地とな
る該窒化物半導体結晶層と金属Tiを反応させることによ
り窒化物TiN_x(0<x≦1)としてあることを特徴とする半導
体レ−ザ素子。
【請求項１０】請求項１から９のいずれかに記載の半導
体レ−ザ素子において、該単結晶基板表面に対して予め
窒化処理を行っておき、その後にIII-Ｖ族窒化物半導体
材料であるAl_xGa_yIn_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)結晶層を設
けたり、或いは窒化物TiN_x(0<x≦1)を設けてあることを
特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１１】請求項１から１０のいずれかに記載の半
導体レ−ザ素子において、Tiの窒化物TiN_x(0<x≦1)に接
触する形で金属Tiが設けてあり、さらにTiとAuの積層構
造か、或いはTiとAlの積層構造をｎ型結晶層の電極とし
て形成してあることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１２】請求項１１記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、Tiの窒化物TiN_x(0<x≦1)と金属Ti及びTiとAuの積
層構造か、或いはTiとAlの積層構造からなるｎ側電極と
は分離して、ｐ型結晶層と接触する形でCrとAuの積層構
造か、或いはNiとAuの積層構造からなるｐ側電極を設け
てあることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１３】請求項１又は２記載の半導体レ−ザ素子
において、該光導波路構造を構成する結晶層は絶縁膜マ
スクと選択成長技術を利用することにより設けてあるこ
とを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１４】請求項１又は２記載の半導体レ−ザ素子
において、該単結晶基板は半導体或いはセラミックス基
板であり、導電型は半絶縁性を示すか、或いはｐ型又は
ｎ型を示す基板であり、望ましくはｎ型の導電性を示す
基板であることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１５】請求項１４記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、該単結晶基板が半導体基板のときには、六方晶系
のWurtzite構造であって基板面方位が(0001)C面を有す
る基板であるか、或いはZinc Blende構造であってかつ
基板面方位が(111)面を有した基板であり、またセラミ
ックス単結晶基板であるときには六方晶系のWurtzite構
造であって基板面方位が(0001)C面を有しており、該単
結晶基板上に該光導波路構造を設けていることを特徴と
する半導体レ−ザ素子。
【請求項１６】請求項１５記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、(0001)C面を有する六方晶系Wurtzite構造の基板
上に該光導波路構造を設ける場合には、導波路を形成す
る方向を該基板の(11-20)A面に平行であるか、或いは垂
直となる方向に設定することを特徴とする半導体レ−ザ
素子。
【請求項１７】請求項１５記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、該単結晶基板はα-Al₂O₃であるか、或いはα-SiC
基板であることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項１８】請求項１から１７のいずれかに記載の半
導体レ−ザ素子において、該光導波路は矩形状の断面形
状を有したストライプ構造からなり、基板面と平行な該
導波路上面は平坦な面であり、該導波路側面は基板面に
対して垂直でかつ平滑面となっており、該光導波路構造
内部では禁制帯幅の小さな発光層が禁制帯幅の大きな光
導波層に埋め込まれた形を有しており、活性層横方向に
実屈折率差を設けることにより基本横モ−ドを安定に導
波する埋め込み型(BH; Buried Heterostructure)ストラ
イプ構造を構成していることを特徴とする半導体レ−ザ
素子。
【請求項１９】請求項１８記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、絶縁膜マスクと選択成長技術を用いて、矩形状の
ＢＨストライプ構造と基板面に垂直な共振器端面を形成
し、該共振器端面にブラッグ分布反射(DBR; Distribute
d Bragg Reflector)構造による高反射膜を設けてあるこ
とを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２０】請求項１９記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、上記ＢＨストライプ構造と共振器端面及びＤＢＲ
構造高反射膜を一回の連続した結晶成長により設けてあ
ることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２１】請求項１９又は２０記載の半導体レ−ザ
素子において、屈折率の異なる少なくとも２種類の結晶
層を周期的に繰り返し、屈折率がｎ₁とｎ₂である結晶層
を用いたとき、レ−ザの発振波長をλとして、結晶層の
膜厚はλ/4ｎ₁とλ/4ｎ₂にそれぞれ設定することにより
該ＤＢＲ構造高反射膜を構成してあることを特徴とする
半導体レ−ザ素子。
【請求項２２】請求項２１記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、屈折率の異なりかつ格子定数が異なる少なくとも
２種類の結晶層を周期的に繰り返し、少なくとも２種類
の結晶層では格子歪がそれぞれ反対の符号でありかつ歪
量が全体の膜厚において補償されている該ＤＢＲ構造高
反射膜であることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２３】請求項１８記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、導波路の両外側に相当する領域にダミ−パタ−ン
を設けておき、これを含めて光導波路構造選択成長用の
絶縁膜マスクを構成することにより、該光導波路構造が
設けてあることを特徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２４】請求項１９記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、導波路の両外側に相当する領域に設けたダミ−パ
タ−ンに形成したストライプ構造には、マスクでカバ−
することにより電流を注入せず、内側の導波路構造にの
み電流を注入できるように設定してあることを特徴とす
る半導体レ−ザ素子。
【請求項２５】請求項１から２４のいずれかに記載の半
導体レ−ザ素子において、該発光活性層は量子井戸層に
より構成した単一或は多重量子井戸構造であることを特
徴とする半導体レ−ザ素子。
【請求項２６】請求項２５記載の半導体レ−ザ素子にお
いて、該発光活性層は格子歪を導入した歪量子井戸層に
より構成した単一或は多重歪量子井戸構造であることを
特徴とする半導体レ−ザ素子。