JPH09511571A - マイクロメカニカルのシリコン・オン・ガラス音叉ジャイロスコープの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 マイクロメカニカル音叉ジャイロスコープであり、これは、溶解シリコンウェーハ・プロセスにより製造されるもので、このプロセスによって、エッチングされたガラス基板（１２）、これにデポジットされた金属電極（２０２）、およびシリコン櫛型ドライブ音叉ジャイロスコープ（１４）をハーメチックシールするアノードボンドンディングが形成される。溶解シリコンウェーハ・プロセスは、シリコン基板（１００）のシングルサイド・プロセッシングを含み、このプロセッシングには、凹部（１０２）のエッチング工程、エッチレジスタントドーパント（１０４）のシリコン基板（１００）への拡散工程および所望の部位（１０６）における拡散層（１０４）をエッチングしてシリコンジャイロスコープの種々のコンポーネンツをリリースする工程が含まれる。ガラス基板（１２）もまたシングルサイド・プロセッシングを受け、このプロセッシングには、凹部エッチング工程、該凹部（２００）にマルチメタル・システムをデポジットする工程および該マルチメタル・システム（２０２）の一部を選択的にエッチングする工程が含まれる。一方の基板（１００）は他方の基板（１２）の上で裏返しにされ、該二つの基板をアノードボンディングする前に、正合させる。

Description

【発明の詳細な説明】 名称 マイクロメカニカルのシリコン・オン・ガラス 音叉ジャイロスコープの製造方法 発明の分野 この発明は、広くは、微小構造デバイスの製造方法に関し、詳しくは 、微小構造のシリコン・オン・ガラス音叉ジャイロスコープの製造方法に関する 。 発明の背景 回転ディスク、回転球体、クォーツ音叉、光ファイバーレーザー、半 球体共鳴などのジャイロスコープの機能を遂行する多くの方法がある。さらに、 ジンバルで支えられたジャイロスコープ、および、ポリシリコンと金属の音叉ジ ャイロスコープのような既知のマイクロメカニカルのジャイロスコープ器具が多 数存在する。 “大形”または微小構造でないジャイロスコープは、大きくて、重く 、高価なものである。これまでの微小構造のジャイロスコープは、感度が低く、 度重なるマスキングならびに処理工程によって作るのが困難であり、可動のマス が電極マテリアルに接触し、これにくっついてしまう問題がある。 共鳴マスが、下位にある通常は金の金属電極に接触すると、くっつ きが生じ、スプリングフリーでなくなり、しまいには、デバイスが駄目になって しまう。くっつきやすいジャイロスコープへ加えられ駆動力と圧力のマグニチュ ードは、この現象で制限されざるを得ない。 発明の概要 本発明の教示によれば、シリコン基板とガラス基板のシングルサイド 処理、できた基板構造体の陽極ボンディング、および音叉エレメンツをフリーに する最終エッチング工程を含む、マイクロメカニカル音叉ジャイロルコープの製 造方法が提供される。この方法は、処理工程が少なく、簡単であって、したがっ て、マイクロメカニカルのジャイロスコープをより安く、より容易に製造できる ようになる。 特に、該方法は、櫛駆動マイクロメカニカル音叉ジャイロスコープに 関して、ここで特定される。このようなジャイロスコープは、ガラス基板の第１ の面を有するもので、一つ、又は、それ以上のアンカーから伸びている第１と第 ２の振動組み立て体を備える回転可能なシリコン組み立て体が前記の面の上にサ スペンドされている。それぞれの振動組み立て体の両端には、駆動および被駆動 のフィンガー電極が配置されていて、これら電極は、振動モーションを音叉の振 動エレメンツに与える、それぞれ間にはさみこまれた複数のフィンガーによって 形成されている。該フィンガー電極は、エリアと容量並びにデバイスのモーショ ンに伴う容量変化を大幅に増大するもので、これによって、システムの感度を大 きく向上させる。 そのようなジャイロスコープする方法は、各シリコン基板の第１の面 とガラス基板で行われる。該シリコン基板については、一つ、または、それ以上 の凹部が水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いて形成される。続く単一のボロン拡散 で、シリコンジャイロスコープ構造の厚みを決める。最後に、反応性イオンエッ チング（ＲＩＥ）を用いて、選択した位置におけるボロンエッチング停止層を越 えて該構造体の特徴部を定める。 ガラス基板処理は、該ガラスの第１の面を選択的に凹ます第１の工程 を含む。つぎに、チタン・プラチナ・ゴールドのようなマルチメタル・システム を凹んだ第１の面にデポジットし、ついで、選択的に取り去り、該面を越してほ んの僅かに延びている金属デポジットをもった平らなガラス面にする。 最終的に、一方の基板を裏返して他方の第１の面に合わせ、両者を正 合し、ついでアノードボンディングする。該シリコンへのリードトランスファー は、連続した金のめっき部分を介して行われる；バインディングプロセスが生ず る高温により、シリコンとゴールドとがシンターし、かくして、化学ボンディン グを形成する。 記載したようなロウプロファイルで、凹んだ金属デポジットにより、 マルチメタル・システムの部分をインパクトするシリコンジャイロスコープ構造 の部分のポテンシャルが大幅に減少するが、このようなインパクトは、極端な角 速度および／または物理的衝撃を受けるとジャイロスコープに起こりやすい。つ いで該シリコンと最上位のゴールド層とが、特に、ゴールドがソフトな金属であ ることから、くっつくことになる。他の実施例では、前記ゴールドを除去するこ とにより、マルチメタル・システムの露出した面が硬いプラチナ層になる。 シリコン・インパクトによる金属デポジットからゴールドを除去する 工程により、スティッキング（くっつき）への抵抗が増す。しかしながら、さら に別の工程をとることにより、このデバイス破損モードの傾向を大幅に減らすこ とができる。特に、プラチナ層は、マスがインパクトする接触領域を減らす隔離 子または隔離ポスト配列にパターン化できるから、これらのプラチナ隔離子を形 成することで、スティッキングが必ずや減少するものである。 このように形成された音叉ジャイロスコープ構成体は、別々になって いる処理工程を減らし、この結果、製造コストと製造時間を減らし、シリコン構 造体、ガラス基板および、これらの間に配置された金属電極間の付着に対する抵 抗性を高める。ここに記載の方法の使用の他の有益な結果には、ガラス基板の使 用から渦流容量の減少が含まれる。 図面の簡単な記述 本発明のこれらの、そして、他の特徴は、すべて例示的の詳しい記述 と添付の図面において、以下により詳しく記載するものであって、該図面の： 図１は、本発明の方法により製造されたマイクロメカニカルの櫛駆動 音叉ジャイロスコープの一実施例の略図的平面図であり； 図２Ａは、本発明の方法の一つの工程を示すシリコン基板の部分の断 面図であり； 図２Ｂは、本発明の方法における他の工程を示す図２Ａの基板の図で あり； 図２Ｃは、本発明の方法における他の工程を示す図２Ｂの基板の図で あり； 図３Ａは、本発明の方法の一つの工程を示すガラス基板の部分の断面 図であり； 図３Ｂは、本発明の方法における他の工程を示す図３Ａの基板の図で あり； 図３Ｃは、本発明の方法における他の工程を示す図３Ｂの基板の図で あり； 図４Ａは、本発明の方法による図２Ｃの基板上に配置した図３Ｃの基 板の部分の断面図であり；そして 図４Ｂは、本発明の方法における他の工程を示す図４Ａの基板の図で ある。 発明の詳細な記述 本発明は、溶解したシリコンウェーハ・プロセスにより製造されたマ イクロメカニカルのチューニングフォーク・ジャイロスコープを企図するもので 、該プロセスにより、静電結合がエッチングされたガラス基板１２、その上にデ ポジットされた金属電極およびシリコン櫛型駆動音叉ジャイロスコープ１４の間 にハーマチックシールを形成するものであある。溶解シリコンウェーハ・プロセ スは、シリコン基板のシングルサイド・プロセッシングを含み、このプロセッシ ングには、凹部をエッチング、エッチレジスタントドーパントをシリコン基板内 に拡散し、所望の部位における拡散層を介してエッチングすることによるシリコ ンジャイロスコープの種々のコンポーネンツをリリーズする工程が含まれる。ガ ラス基板もシングルサイド・プロセッシングを受けるもので、このプロセッシン グには、凹部をエッチングし、該凹部にマルチメタル・システムをデポジットし 、そして、該マルチメタル・システムの部分をエッチングする工程が含まれる。 一方の基板を他方に対し裏返し、二つの基板を陽極結合する前に、これらを正合 する。 図１においては、本発明により製造された櫛駆動ジャイロスコープの 一つの実施例が示されている。かく製造されたジャイロスコープは、多数のそれ ぞれ入り組んだフィンガー２４により形成された駆動フィンガー電極１６と被駆 動フィンガー電極１８を用いて振動モーションを音叉振動要素２０に与える。該 フィンガー電極は、エリアと容量ならびにデバシスのモーションによる容量変化 を大幅に増大して、システムの感度を大幅に向上する。さらに、このような電極 構造は、ここに記載の溶解シリコンウェーハ・プロセスに適応する。かくて、音 叉ジャイロスコープ１４により、ガラス基板の使用に起因の渦流容量が減り、別 々のプロセッシング工程を減らして製造コストダウンと製造時間の短縮が図れ、 シリコン基板、ガラス基板および、これらの間の金属電極の間の付着に対する抵 抗を増やす。 ここに記載のプロセスは、図１に示された以外のマイクロメカニカル の櫛形ドライブ・ジャイロスコープの種々の具体形の製造に適用できることが理 解できる。しかしながら、これらのジャイロスコープには、つぎのような要素を 含むことが共通の特徴である。ガラス基板の第１の面は、その上に、シリコンの 回転可能の組み立て体３０をサスペンドしており、この組み立て体は、一つ、又 は、それ以上のアンカー３２から延長している第１と第２の振動組み立て体２０ を備えている。ガラス基板の第１の面には、被駆動フィンガー電極１８と互い違 いに組み合っている協同する駆動フィンガー電極１６が配置されている。トルク 電極３６またはリバランス電極、および感知電極３８が振動組み立て体および／ または振動組み立て体とアンカーとの間に延びている支持構造体の部分の下位の ガラス基板に配置されている。また、ガラス基板には、トランスデューサーを電 極３６，３８および左側駆動モーター４４、右側駆動モーター４６および中央駆 動モーター４８を接続する金属導電リード４０が配置されている。これらのトラ ンスデューサーは、左側トルクトランスデューサー５０、右側トルクトランスデ ューサー５２、左側感知トランスデューサー５４、右側感知トランスデューサー ５６およびモータートランスデューサー５８を含む。 要するに、図１に示したようなジャイロスコープ１４の製造方法は、 反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）とシリコンのボロン拡散で開始されて、サス ペンドされたジャイロスコープ構造を作る。特別に言えば、図２Ａに示すように 、プロセッシングは、モデレートのドーピング（例えば、＞１Ω−ｃｍ）のｐ型 シリコンウェーハ１００で開始される。水酸化カリウム（ＫＯＨ）を用いて、該 シリコンにエッチングされた凹部１０２が電極を構成する導電性要素のためのギ ャップ間隙を定める。凹部は、ＲＩＥ技術またはプラズマ技術を用いて形成する こともできる。 図２Ｂに示すように、次に、高温（例えば、１１５０°Ｃから１１７ ５°Ｃ）ボロン（ｐ⁺⁺）拡散層１０４がシリコン基板の面に形成される。５μｍ から１０μｍの範囲にある拡散層の深さで、作られるジャイロスコープ構造体の 厚みが決まる。該構造体の特徴のアウトラインは、ＲＩＥを使用しての該ｐ⁺⁺拡 散エッチング停止層１０４のエッチングにより定まり、かくして、図２Ｃに示す ような構造体の個々の要素をリリーズし、ユニークに定める。好ましくは、ＣＦ₃ Ｂｒ（トリフルオロブロモメタン）化学品をパラレルプレート・リアクター内 で用いて、ストレイトの側壁１０６を作り、ハイアスペクト比にする。ＢＣｌ₃ ／Ｃｌ₂（ボロン・トリクロライド／クロライン）またはＨＢｒ（臭化水素）、 ＣＦ₄（四フッ化炭素）、Ｏ₂（酸素）化学混合物のような化学品も使用できるも のである。 したがって、図２Ｂのボロン拡散層がジャイロスコープの厚みを決定 し、図２ＣのＲＩＥエッチングがジャイロスコープ要素の幅を決める。 図３Ａから図３Ｃを参照して、ガラス・プロセッシングを記述する。 図３Ａにおいては、＃７７４０コーニング・ガラスウェーハのようなガラスウェ ーハ１２を選択的にエッチングして、低地になった金属デポジション・サイト２ ００を形成する。フッ化水素酸またはプラズマ（例えば、ＲＩＥ）をガラスエッ チング剤として用いる。次に、マルチメタル・システム２０２をエッチングされ た凹部にデポジットする。本発明の一つの実施例は、チタン・プラチナ・ゴール ド（Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ）を組み合わせたものを電極とコンダクターに使用する。 チタン２１０を最初に、ガラスウェーハ１２の凹部２００に、そのガラスに対す る良好な付着性による理由で、例えば被膜厚さ４００Åといった厚さで被着する 。つぎに、プラチナ層２１２をチタン層２１０に、例えば、７００Åの深さで、 被着する。最後に、例えば、深さが１０００Åのゴールド層２１４をプラチナ層 ２１２に被着する。ゴールド層２１４により、ワイヤーボンディングのためのす ぐれたコンタクトポイントが作られる。これらの例示的厚さによって、ガラス基 板１２の上に、僅か５００Åだけ金属が突き出る平らな構造体が作られる。 これら３種の金属は、互いに合金にならないもので、静電結合を約３ ７５°Ｃの温度で行える。さらにプラチナ層２１２は、ゴールド層２１４とチタ ン層２１０相互の付着性を高める付着プロモーターとして機能する。しかしなが ら、ゴールド層２１４は、モデレートな圧力（例えば、＞５０トル）で圧縮され るソフトな金属である。 述べたように、マイクロメカニカルで、ガラス基板にシリコン基板が あり、櫛型駆動のジャイロスコープの種々の具体例が知られている。これら具体 例においては、シリコンデバイスと金属電極との間のミニマムの電極ギャップは 、理想的に減らされていて、より高いマグニチュードの駆動力とより大きなアン プリチュードの振動の使用が可能となり、これによって、ジャイロスコープの感 度が増大する。そしてさらに、電極ギャップを最小のものにして、より高い圧力 のもとにジャイロスコープを操作できるようになっている。この電極ギャップの 極小化の結果として、“スティッキング”が発生する；下に位置するゴールドま たは他のソフトの金属電極に対するシリコン共鳴マスの付着は、レート感知デバ イスを使いものにできなくしてしまう。 メカニカル音叉ジャイロスコープのネガティブな点を克服するために 、本発明によるジャイロスコープの一つの実施例は、ゴールドを、化学的に安定 であり（したがって、化学反応が付着を助けない）、圧縮に耐え、ＥＤＰに耐え る金属に置き換えている。プラチナ層２１２がこれらの要求を満たすものであっ て、図３Ｂに示すように、大きな力のシリコンインパクトを受ける電極の上面２ ２０に位置するのが理想的である。例えば、類似の特性を持つ他の金属もプラチ ナの代替になることを認識できる。例えば、適当な金属としては、耐熱性の珪素 化合物およびタングステン、モリブデン、チタン・タングステン（ＴｉＷ）、パ ラジウム、イリジウム、タングステン珪化物およびチタン珪化物のような貴金属 の範疇にあるものである。しかしながら、ジャイロスコープの実施例のいくつか においては、ゴールドとゴールドとのコンビネーション（例えば、チタン・ゴー ルド、プラチナ・ゴールド）も許容できる。 付着またはスティッキングの問題に対処する他のアスペクトは、二つ の接触するマテリアルズの間の接触領域による縦方向の硬度である。接触領域が 減れば、有効なスティッキング力も減少する。この点は、本発明においては、ゴ ールド層２１４をサスペンドされているシリコンデバイスト接触しやすい領域、 例えば、電極の領域からエッチングで取り除くことによって達成している。下位 に位置するプラチナ層にマスキングして、エッチングを行い、ポストまたは隔離 子を形成し、これによって、図３Ｃに示すように、トータルの接触領域を減らす 。ゴールド層のエッチングを行うに適当なエッチンク剤は、ヨー素ベースの溶液 である。 隔離子２３０の数を少なくすることは有益であるが、この数が少なす ぎると、インパクトするシリコンが該隔離子にだらりと下がり、残っているプラ チナシートまたは露出したタイタンシートに接触し、かくして、付着傾向を助長 する。四角な配置の４個の隔離子がフリーのスタンディング膜体に対するコーナ ーとして作用する；実際には、４つのコーナーの隔離子の間の領域が圧力センサ ーとして機能する。これらの領域の硬度は、プレートベンディング理論の基づく 。隔離子の間のリニアのスペース、ｄ_maxは、次式により与えられる： 式（１） Ｅ＝ヤング率 ｔ＝プレートの厚さ ｈ＝ギャップスペース θ＝接触角度 ν＝ポアッソン比 α＝０．００５８１ γ₁＝サーフェステンション（７２ｍＪ／ｍ²） 例示実施例によれば、高さ０．３μｍの隔離子については、ｄ_max＝１１８μｍ である。 記述し、図解した本発明の一つの実施例は、プラチナの隔離子２３０ を有している。しかしながら、プラチナの平らな層は、すでに述べたプラチナの 有益な物理特性と、サスペンドしているシリコンジャイロスコープ構造体に対す る金属コンダクタの低い輪郭によって、適用されるジャイロスコープによっては 、十分な付着抵抗性があるものであることを理解すべきである。 さらに、本発明は、ソリッドのガラスウェーハ基板１２を使用するも のとして記載されている。シリコン構造体とガラス基板との間のサーマルミスマ ッチのインパクトを比較的厚いシリコン構造体により、なくすことができる。し かしながら、ガラス基板の利点、即ち、アモルファスガラスが不均一のシリコン ウェーハ面と漂遊粒子に結合する漂遊キャパシタンスと漂遊能力の減少がシリコ ンウェーハにスパッタリングされたガラスを使うことで達成できる。そのような 基板は、サーマルミスマッチのおそれがなくなり、シリコンへのガラスのアノー ドボンディングに起因する前記利点が守られる。さらに、結合すべきガラスの層 がより薄いことで、低温のアノードボンディングが行える。 シリコンウェーハ１００とガラスウェーハ１２を処理した後、図４Ａ 〜図４Ｂに示すように、一方のウェーハを逆さにして両者を正合する。ガラスと シリコン構造体は、例えば、３７５°Ｃの温度、該ガラスとシリコン両者へのポ テンシャルが約１０００Ｖで静電結合される。ガラス基板１２の上にデポジット されたゴールド層２１４と、シリコン層１００とが圧縮結合され、ついで、シン タリングして、化学的に結合された導電性低抵抗のリード（例えば、４０μｍ ｘ ２０μｍ領域に対し４０Ω）を作る。 プロセスの最終工程は、エチレン・ジアミン・ピロカテコール・水（ ＥＤＰ）における選択的エッチングである。ＥＤＰは、シリコン基板１００を溶 解するが、ヘビイにドープされた（ｐ⁺⁺）拡散層１０４１０４で溶解が停止する 。水酸化カリウム、ヒドラリンおよびフッ化水素酸・硝酸・酢酸溶液のような他 の選択的シリコンエッチング剤がシリコン溶解のための代替物である。このよう に、全体の製造シーケンスは、唯一つのシングルサイド・プロセッシングで、シ リコンへのマスキング工程も最少で、シリコンへの拡散工程も１回で、ガラスへ のマスキングも１回である。この処理は、高収率でバッチプロセスに匹敵する。 この発明を図解実施例について示し、記載したが、態様と詳細におけ る前記した種々の他の変化、省略、付加が当業者により、発明のスピリットと範 囲を逸脱することなしに行えるものであることを理解すべきである。

【手続補正書】特許法第１８４条の７第１項 【提出日】１９９５年６月２６日 【補正内容】 請求の範囲 １． 関連した電極、トランスデューサーおよび接続する電気リードを含み 、慣性率感知に適したジャイロスコープである櫛型駆動音叉ジャイロスコープを 製造する方法で、以下の工程からなる方法： 第１の面をもつシリコン基板を用意し； 前記シリコン基板の前記第１の面の選択した領域に前記ジャイロスコ ープの別個の要素を形成し； 第１の面をもつガラス基板を用意し； 前記ガラス基板の前記第１の面の複数の凹んだ領域に複数の複層金属 デポジットを形成し； 前記複数の凹んだ領域の選択したものから前記複層の金属デポジット の選択した部分を除去し； 前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガラス基板の前記第１の面へ ボンディングし；そして 前記シリコン基板をエッチング剤にさらすこと。 ２． 前記ジャイロスコープ形成の工程が以下の工程を含む請求の範囲１の 方法： 前記シリコン基板の前記第１の面に複数の突き出た領域を形成し； 前記シリコン基板の第１の面へシリコンエッチングに対しレジストす るドーパントを拡散することによって、前記シリコン基板にドープされた領域と ドープされていない領域とを形成し；そして 前記シリコン基板の前記第１の面の選択された部分を除いて、前記ジ ャイロスコープの前記別々の要素を画定すること。 ３． 複層金属デポジットを形成する前記工程が以下の工程を含む請求の範 囲１の方法： 前記ガラス基板の前記第１の面をエッチングし、複数の凹んだ領域を 形成し；そして 前記ガラス基板の前記凹んだ領域に、個々の導電性金属層を連続して デポジットすることにより、前記複数の複層金属被着層を形成すること。 ４． 第１の金属層を除去する前記工程が前記第１の金属層をエッチングし て、前記第２の層の平な面を露出させる工程を含む請求の範囲１の方法。 ５． 前記複層の金属被着層の選択された部分を除去する前記工程が前記第 １の金属層をエッチングして、複数の隔離子を形成する工程を含む請求の範囲１ の方法。 ６． 前記第１の金属層をエッチングする工程が前記第１の金属層をマスキ ングし、そして、前記マスクされた第１の金属層をエッチング剤にさらす工程を 請求の範囲５の方法。 ７． 前記第１の金属層をエッチングする前記工程が規則的にスペースをお いた配列の前記隔離子を前記第１の層に形成する請求の範囲６の方法。 ８． 前記第１の金属層をエッチングする前記工程が以下の工程を含む請求 の範囲５の方法： 前記第１の金属層をエッチングして、前記第２の金属層を露出し； 前記第２の金属層をマスキングし；そして 前記第２の金属層をエッチングすること。 ９． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記第２の層に規則的 に間隔をおいた配列の前記隔離子を形成するものである請求の範囲８の方法。 １０． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記複数の隔離子が伸 びている第３の金属層を露出する工程を含む請求の範囲８の方法。 １１． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記複数の隔離子が伸 びている前記第２の金属層の平な面を形成する工程を含む請求の範囲８の方法。 １２． 前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガラス基板の前記第１の面に ボンドする前記工程が以下の工程を含む請求の範囲１の方法： 前記シリコン基板と前記ガラス基板の一方を上下反転させ； 正合したオリエンテーションに前記両基板を配置し；そして 前記両基板をボンディングすること。 １３． 前記ボンディングの工程が両基板をアノードボンディングする工程を 含む請求の範囲１２の方法。 １４． レートセンサー用途に使用されるのに適したマイクロメカニカル音叉 構造体を形成するプロセスであって、以下の工程からなるプロセス： 平らな第１の面をもつシリコン基板を用意すること； 前記シリコン基板の前記第１の面に高さが変化するパターンを形成す ること； 前記シリコン基板の前記第１の面を独立した時間にわたり、シリコン ドーパントにさらすこと； 前記シリコン基板の選択した部分を除くこと； 平らな第１の面を持ち、前記第２の基板の前記第１の面がガラスから なる第２の基板を用意すること； 前記第２の基板の前記第１の面に複数の凹部を形成すること； 前記複数の凹部に複数の積層した金属層をデポジットすること； 前記複数の凹部の少なくとも一つから第２の金属層を露出させるよう に第１の金属層を除去すること； 前記第２の基板の前記第１の面に対して前記シリコン基板の前記第１ の面を配置すること；そして 前記シリコンドーパントにさらされていない前記シリコン基板の第２ の面を除くこと。 １５． 前記シリコン基板の前記第１の面に高さが変化しているパターンを形 成する前記工程が水酸化カリウムまたはプラズマ技術を用いて前記シリコン基板 の前記第１の面をエッチングする工程を含む請求の範囲１４の方法。 １６． 前記シリコン基板の前記第１の面を露出させる前記工程が前記シリコ ン基板の前記第１の面へボロンを拡散する工程を含む請求の範囲１４の方法。 １７． 前記シリコン基板の選択された部分を除去する前記工程がパラレルプ レート・リアクター内でトリフルオロブロモメタン化学作用を使用することを含 む請求の範囲１４の方法。 １８． 第２の基板を設ける前記工程がガラスからなる第２の基板を設ける工 程を含む請求の範囲１４の方法。 １９． 第２の基板を設ける前記工程がガラスをスパッタリングして被着した 第２の基板を設ける工程を含む請求の範囲１４の方法。 ２０． 前記第２の基板の前記第１の面に複数の凹部を形成する前記工程がフ ッ化水素酸またはプラズマ技術を用いて前記第２の基板をエッチングする工程を 含む請求の範囲１４の方法。 ２１． 前記複数の凹部に複数のスーパーインポーズされた金属層をデポジッ トする前記工程がチタンの第３の基層、プラチナの第２の基層およびゴールドの 第１の基層をシーケンシャルにデポジットする工程を含む請求の範囲１４の方法 。 ２２． 第１の金属層を除いて第２の金属層を露出させる前記工程が以下の工 程を含む請求の範囲１４の方法： 前記第１の金属層をエッチングすること； 前記第２の金属層をマスキングすること；および 前記第２の金属層をエッチングすること。 ２３． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記第２の金属層から 伸びる複数の隔離子を形成する請求の範囲２２の方法。 ２４． 前記第２の基板の前記第１の面に対して、前記シリコン基板の前記第 １の面を配置する前記工程が前記第１の面と前記第２の面を互いにアノードボン ドする工程を含む請求の範囲１４の方法。 ２５． 前記シリコン基板の第２の面を除去する前記工程が前記第２の面をエ チレン・ジアミン・ピロカテコール・水にさらす工程を含む請求の範囲１４の方 法。

───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 一方の基板（１００）は他方の基板（１２）の上で裏返 しにされ、該二つの基板をアノードボンディングする前 に、正合させる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １． 関連した電極、トランスデューサーおよび接続する電気リードを含み 、慣性率感知に適したジャイロスコープである櫛型駆動音叉ジャイロスコープを 製造する方法で、以下の工程からなる方法： 第１の面をもつシリコン基板を用意し； 前記シリコン基板の前記第１の面の選択した領域に前記ジャイロスコ ープの別個の要素を形成し； 第１の面をもつガラス基板を用意し； 前記シリコン基板の前記第１の面の複数の凹んだ領域に複数の複層金 属デポジットを形成し； 前記複数の凹んだ領域の選択したものから前記複層の金属デポジット の選択した部分を除去し； 前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガラス基板の前記第１の面へ ボンディングし；そして 前記シリコン基板をエッチング剤にさらすこと。 ２． 前記ジャイロスコープ形成の工程が以下の工程を含む請求の範囲１の 方法： 前記シリコン基板の前記第１の面に複数の突き出た領域を形成し； 前記シリコン基板の第１の面へシリコンエッチングに対しレジストす るドーパントを拡散することによって、前記シリコン基板にドープされた領域と ドープされていない領域とを形成し；そして 前記シリコン基板の前記第１の面の選択された部分を除いて、前記ジ ャイロスコープの前記別々の要素を画定すること。 ３． 複層金属デポジットを形成する前記工程が以下の工程を含む請求の範 囲１の方法： 前記ガラス基板の前記第１の面をエッチングし、複数の凹んだ領域を 形成し；そして 前記ガラス基板の前記凹んだ領域に、個々の導電性金属層を連続して デポジットすることにより、前記複数の複層金属被着層を形成すること。 ４． 第１の金属層を除去する前記工程が前記第１の金属層をエッチングし て、前記第２の層の平な面を露出させる工程を含む請求の範囲１の方法。 ５． 前記複層の金属被着層の選択された部分を除去する前記工程が前記第 １の金属層をエッチングして、複数の隔離子を形成する工程を含む請求の範囲１ の方法。 ６． 前記第１の金属層をエッチングする工程が前記第１の金属層をマスキ ングし、そして、前記マスクされた第１の金属層をエッチング剤にさらす工程を 請求の範囲５の方法。 ７． 前記第１の金属層をエッチングする前記工程が規則的にスペースをお いた配列の前記隔離子を前記第１の層に形成する請求の範囲６の方法。 ８． 前記第１の金属層をエッチングする前記工程が以下の工程を含む請求 の範囲５の方法： 前記第１の金属層をエッチングして、前記第２の金属層を露出し； 前記第２の金属層をマスキングし；そして 前記第２の金属層をエッチングすること。 ９． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記第２の層に規則的 に間隔をおいた配列の前記隔離子を形成するものである請求の範囲８の方法。 １０． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記複数の隔離子が伸 びている第３の金属層を露出する工程を含む請求の範囲８の方法。 １１． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記複数の隔離子が伸 びている前記第２の金属層の平な面を形成する工程を含む請求の範囲８の方法。 １２． 前記シリコン基板の前記第１の面を前記ガラス基板の前記第１の面に ボンドする前記工程が以下の工程を含む請求の範囲１の方法： 前記シリコン基板と前記ガラス基板の一方を上下反転させ； 正合したオリエンテーションに前記両基板を配置し；そして 前記両基板をボンディングすること。 １３． 前記ボンディングの工程が両基板をアノードボンディングする工程を 含む請求の範囲１２の方法。 １４． レートセンサー用途に使用されるのに適したマイクロメカニカル音叉 構造体を形成するプロセスであって、以下の工程からなるプロセス： 平らな第１の面をもつシリコン基板を用意すること； 前記シリコン基板の前記第１の面に高さが変化するパターンを形成す ること； 前記シリコン基板の前記第１の面を独立した時間にわたり、シリコン ドーパントにさらすこと； 前記シリコン基板の選択した部分を除くこと； 平らな第１の面を持ち、前記第１の面がガラスからなる第２の基板を 用意すること； 前記第２の基板の前記第１の面に複数の凹部を形成すること； 前記複数の凹部に複数の積層した金属層をデポジットすること； 前記複数の凹部の少なくとも一つから第２の金属層を露出させるよう に第１の金属層を除去すること； 前記第２の基板の前記第１の面に対して前記シリコン基板の前記第１ の面を配置すること；そして 前記シリコンドーパントにさらされていない前記シリコン基板の第２ の面を除くこと。 １５． 前記シリコン基板の前記第１の面に高さが変化しているパターンを形 成する前記工程が水酸化カリウムまたはプラズマ技術を用いて前記シリコン基板 の前記第１の面をエッチングする工程を含む請求の範囲１４の方法。 １６． 前記シリコン基板の前記第１の面を露出させる前記工程が前記シリコ ン基板の前記第１の面へボロンを拡散する工程を含む請求の範囲１４の方法。 １７． 前記シリコン基板の選択された部分を除去する前記工程がパラレルプ レート・リアクター内でトリフルオロブロモメタン化学作用を使用することを含 む請求の範囲１４の方法。 １８． 第２の基板を設ける前記工程がガラスからなる第２の基板を設ける工 程を含む請求の範囲１４の方法。 １９． 第２の基板を設ける前記工程がガラスをスパッタリングして被着した 第２の基板を設ける工程を含む請求の範囲１４の方法。 ２０． 前記第２の基板の前記第１の面に複数の凹部を形成する前記工程がフ ッ化水素酸またはプラズマ技術を用いて前記第２の基板をエッチングする工程を 含む請求の範囲１４の方法。 ２１． 前記複数の凹部に複数のスーパーインポーズされた金属層をデポジッ トする前記工程がチタンの第３の基層、プラチナの第２の基層およびゴールドの 第３の基層をシーケンシャルにデポジットする工程を含む請求の範囲１４の方法 。 ２２． 第１の金属層を除いて第２の金属層を露出させる前記工程が以下の工 程を含む請求の範囲１４の方法： 前記第１の金属層をエッチングすること； 前記第２の金属層をマスキングすること；および 前記第２の金属層をエッチングすること。 ２３． 前記第２の金属層をエッチングする前記工程が前記第２の金属層から 伸びる複数の隔離子を形成する請求の範囲２２の方法。 ２４． 前記第２の基板の前記第１の面に対して、前記シリコン基板の前記第 １の面を配置する前記工程が前記第１の面と前記第２の面を互いにアノードボン ドする工程を含む請求の範囲１４の方法。 ２５． 前記シリコン基板の第２の面を除去する前記工程が前記第２の面をエ チレン・ジアミン・ピロカテコール・水にさらす工程を含む請求の範囲１４の方 法。