JPH10270719A - 半導体慣性センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体慣性センサ及びその製造方法Info
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- JPH10270719A JPH10270719A JP9072961A JP7296197A JPH10270719A JP H10270719 A JPH10270719 A JP H10270719A JP 9072961 A JP9072961 A JP 9072961A JP 7296197 A JP7296197 A JP 7296197A JP H10270719 A JPH10270719 A JP H10270719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適
し、寄生容量が低く、低コストの半導体慣性センサを得
る。また寸法精度に優れた半導体慣性センサを得る。 【解決手段】 半導体慣性センサ３０は、シリコン基板
１０の上方に単結晶シリコンからなる可動電極２６が設
けられ、この可動電極２６を挟んで単結晶シリコンから
なる一対の固定電極２７，２８が設けられる。一対の固
定電極２７，２８がガラススペーサ層１３を介してシリ
コン基板１０上に設けられる。
し、寄生容量が低く、低コストの半導体慣性センサを得
る。また寸法精度に優れた半導体慣性センサを得る。 【解決手段】 半導体慣性センサ３０は、シリコン基板
１０の上方に単結晶シリコンからなる可動電極２６が設
けられ、この可動電極２６を挟んで単結晶シリコンから
なる一対の固定電極２７，２８が設けられる。一対の固
定電極２７，２８がガラススペーサ層１３を介してシリ
コン基板１０上に設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電容量型の加速
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサ及
びその製造方法に関するものである。
度センサ、角速度センサ等に適する半導体慣性センサ及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体慣性センサとし
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
て、ガラス基板と単結晶シリコンの構造からなる共振
角速度センサが提案されている（M. Hashimoto et al.,
"Silicon Resonant Angular Rate Sensor", Techinica
l Digest of the 12th Sensor Symposium, pp.163-166
(1994)）。このセンサは両側をトーションバーで浮動す
るようにした音叉構造の可動電極を有する。この可動電
極は電磁駆動によって励振されている。角速度が作用す
ると可動電極にコリオリ力が生じて、可動電極がトーシ
ョンバーの回りに捩り振動を起こして共振する。センサ
はこの可動電極の共振による可動電極と検出電極との間
の静電容量の変化により作用した角速度を検出する。こ
のセンサを作製する場合には、厚さ２００μｍ程度の結
晶方位が（１１０）の単結晶シリコン基板を基板表面に
対して垂直にエッチングして可動電極部分などの構造を
作製する。この比較的厚いシリコン基板を垂直にエッチ
ングするためにはＳＦ6ガスによる異方性ドライエッチ
ングを行うか、或いはトーションバーの可動電極部分へ
の付け根の隅部にＹＡＧレーザで孔あけを行った後に、
ＫＯＨなどでウエットエッチングを行っている。エッチ
ング加工を行ったシリコン基板は陽極接合によりガラス
基板と一体化される。
【０００３】また別の半導体慣性センサとして、シリ
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
コン基板上にエッチングで犠牲層をパターン化した後、
除去することにより可動電極としてのポリシリコン振動
子を形成したマイクロジャイロ（K. Tanaka et al., "A
micromachined vibrating gyroscope", Sensors and A
ctuators A 50, pp.111-115 (1995)）が開示されてい
る。このマイクロジャイロは、いわゆる表面マイクロマ
シニング技術を用いた構造となっている。具体的には、
シリコン基板に不純物拡散によって検出電極を形成し、
その上に犠牲層となるリン酸ガラス膜を成膜してパター
ニングした後、ポリシリコンを成膜し、更に垂直エッチ
ング等の加工を行って構造体を形成する。最後に犠牲層
をエッチングにより除去することにより、可動電極部分
を切り離して検出電極に対してギャップを作り出し可動
電極を浮動状態にする。
【０００４】また別の半導体慣性センサとして、ガラ
ス基板と単結晶シリコンの構造からなる振動型半導体素
子の製造方法が開示されている（特開平７−２８３４２
０）。この製造方法では、エッチストップ層を介して貼
り合わせた２枚のウェーハのうちの１枚のウェーハに可
動電極部分及び固定電極部分の加工を行い、この加工を
行ったウェーハを接合面として貼り合わせウェーハをガ
ラス基板に陽極接合した後、加工を行っていない側のウ
ェーハを除去し、続いてエッチストップ層を除去してい
る。更に別の半導体慣性センサとして、ガラス基板と
単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコープが提案
されている（J.Bernstein et al., "A Micromachined C
omb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEEE MEMS '
93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジャイロス
コープは、検出電極を形成したガラス基板と、エッチン
グを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動電極、固
定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボロン拡散
を行った部分を接合面として接合し、更にボロンを拡散
していないシリコン基板部分をエッチングにより除去す
ることにより、作られる。
ス基板と単結晶シリコンの構造からなる振動型半導体素
子の製造方法が開示されている（特開平７−２８３４２
０）。この製造方法では、エッチストップ層を介して貼
り合わせた２枚のウェーハのうちの１枚のウェーハに可
動電極部分及び固定電極部分の加工を行い、この加工を
行ったウェーハを接合面として貼り合わせウェーハをガ
ラス基板に陽極接合した後、加工を行っていない側のウ
ェーハを除去し、続いてエッチストップ層を除去してい
る。更に別の半導体慣性センサとして、ガラス基板と
単結晶シリコンの構造からなるジャイロスコープが提案
されている（J.Bernstein et al., "A Micromachined C
omb-Drive Tuning Fork Rate Gyroscope", IEEE MEMS '
93 Proceeding, pp.143-148 (1993)）。このジャイロス
コープは、検出電極を形成したガラス基板と、エッチン
グを行った後に高濃度ボロン拡散を行って可動電極、固
定電極等を形成した単結晶シリコン基板とをボロン拡散
を行った部分を接合面として接合し、更にボロンを拡散
していないシリコン基板部分をエッチングにより除去す
ることにより、作られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記〜の従来のセ
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
ンサの製造技術には、次の欠点があった。の共振角速
度センサの製造方法では、ガラス基板に対して浮動する
構造になるべきシリコン能動部が陽極接合時に静電引力
によりガラス基板に貼り付いて可動電極にならないこと
があった。この貼り付き（sticking）を防ぐために可動
電極と検出電極とを短絡して静電力が働かない状態で陽
極接合した後に、レーザを用いて短絡していた電極間を
切り離していた。また島状の固定電極を形成するために
ガラス基板に接合した後、レーザアシストエッチングを
行う必要があった。これらのレーザ加工は極めて複雑で
あって、センサを量産しようとする場合には不適切であ
った。
【０００６】のマイクロジャイロは、シリコンウェー
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。の振動型半導
体素子の製造方法では、２枚のシリコンウェーハを貼り
合わせる前に一方のウェーハにエッチストップ層となる
酸化膜等を形成しておくなどの手間のかかる工程を必要
とした。
ハを基板とするため、センサの寄生容量が大きく、感度
や精度を高くすることが困難であった。の振動型半導
体素子の製造方法では、２枚のシリコンウェーハを貼り
合わせる前に一方のウェーハにエッチストップ層となる
酸化膜等を形成しておくなどの手間のかかる工程を必要
とした。
【０００７】更にのジャイロスコープの製造方法で
は、ボロンを拡散した部分をエッチストップ部分として
構造体全体を形成するため、エッチストップ効果が不完
全の場合にはオーバエッチングにより可動電極や固定電
極の厚さが薄くなり、寸法精度に劣る問題点があった。
更に及びにおいては、可動電極と検出電極との間の
ギャップはエッチング時間による制御のみに依存してい
たので、電極間のギャップ形成精度に問題があった。
は、ボロンを拡散した部分をエッチストップ部分として
構造体全体を形成するため、エッチストップ効果が不完
全の場合にはオーバエッチングにより可動電極や固定電
極の厚さが薄くなり、寸法精度に劣る問題点があった。
更に及びにおいては、可動電極と検出電極との間の
ギャップはエッチング時間による制御のみに依存してい
たので、電極間のギャップ形成精度に問題があった。
【０００８】本発明の目的は、レーザ加工が不要で大量
生産に適する、低コストの半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の別の目的は、寄生容量
が低く、高感度で高精度の半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の更に別の目的は、寸法
精度に優れた半導体慣性センサの製造方法を提供するこ
とにある。
生産に適する、低コストの半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の別の目的は、寄生容量
が低く、高感度で高精度の半導体慣性センサの製造方法
を提供することにある。本発明の更に別の目的は、寸法
精度に優れた半導体慣性センサの製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、ガラス基板１０の上方に浮
動するように設けられた単結晶シリコンからなる可動電
極２６と、ガラス基板１０上に可動電極２６を挟んで設
けられた単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，
２８とを備えた半導体慣性センサ３０において、可動電
極２６を支持するビーム３１の基端部３１ａがガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０上に設けられたこ
とを特徴とする。
図１及び図２に示すように、ガラス基板１０の上方に浮
動するように設けられた単結晶シリコンからなる可動電
極２６と、ガラス基板１０上に可動電極２６を挟んで設
けられた単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，
２８とを備えた半導体慣性センサ３０において、可動電
極２６を支持するビーム３１の基端部３１ａがガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０上に設けられたこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項２に係る発明は、図３及び図４に示
すように、ガラス基板１０上に形成された検出電極１２
と、検出電極１２の上方に浮動するように設けられた単
結晶シリコンからなる可動電極２６とを備えた半導体慣
性センサ４０において、可動電極２６を支持するビーム
３１の基端部３１ａがガラススペーサ層１３を介してガ
ラス基板１０上に設けられたことを特徴とする。
すように、ガラス基板１０上に形成された検出電極１２
と、検出電極１２の上方に浮動するように設けられた単
結晶シリコンからなる可動電極２６とを備えた半導体慣
性センサ４０において、可動電極２６を支持するビーム
３１の基端部３１ａがガラススペーサ層１３を介してガ
ラス基板１０上に設けられたことを特徴とする。
【００１１】請求項３に係る発明は、図５及び図６に示
すように、ガラス基板１０上に形成された検出電極１２
と、検出電極１２の上方に浮動するように設けられた単
結晶シリコンからなる可動電極２６と、ガラス基板１０
上に可動電極２６を挟んで設けられた単結晶シリコンか
らなる一対の固定電極２７，２８とを備えた半導体慣性
センサ５０において、可動電極２６を支持するビーム３
１の基端部３１ａがガラススペーサ層１３を介してガラ
ス基板１０上に設けられたことを特徴とする。半導体慣
性センサ３０，４０及び５０は、基板にガラス基板を用
いるため、寄生容量が低く、高感度で高精度である。ま
た可動電極が単結晶シリコン層からなるため、機械的特
性に優れる。
すように、ガラス基板１０上に形成された検出電極１２
と、検出電極１２の上方に浮動するように設けられた単
結晶シリコンからなる可動電極２６と、ガラス基板１０
上に可動電極２６を挟んで設けられた単結晶シリコンか
らなる一対の固定電極２７，２８とを備えた半導体慣性
センサ５０において、可動電極２６を支持するビーム３
１の基端部３１ａがガラススペーサ層１３を介してガラ
ス基板１０上に設けられたことを特徴とする。半導体慣
性センサ３０，４０及び５０は、基板にガラス基板を用
いるため、寄生容量が低く、高感度で高精度である。ま
た可動電極が単結晶シリコン層からなるため、機械的特
性に優れる。
【００１２】請求項４に係る発明は、図１に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、シ
リコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸食せずにエッ
チング可能な膜２１を形成する工程と、シリコンウエー
ハ２０を膜２１をエッチストップ層として選択的にエッ
チング除去し、これにより膜２１上に単結晶シリコンか
らなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶シリ
コンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成する工
程と、膜２１と可動電極２６と固定電極２７，２８とを
有する構造体２４を可動電極２６がガラス基板１０の溝
部１１に対向するようにガラス基板１０に接合する工程
と、膜２１をエッチング除去することにより一対の固定
電極２７，２８と固定電極２７，２８に挟まれかつガラ
ス基板１０の上方に浮動する可動電極２６とを有する半
導体慣性センサ３０を得る工程とを含む半導体慣性セン
サの製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、シ
リコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸食せずにエッ
チング可能な膜２１を形成する工程と、シリコンウエー
ハ２０を膜２１をエッチストップ層として選択的にエッ
チング除去し、これにより膜２１上に単結晶シリコンか
らなる可動電極２６と可動電極２６の両側に単結晶シリ
コンからなる一対の固定電極２７，２８とを形成する工
程と、膜２１と可動電極２６と固定電極２７，２８とを
有する構造体２４を可動電極２６がガラス基板１０の溝
部１１に対向するようにガラス基板１０に接合する工程
と、膜２１をエッチング除去することにより一対の固定
電極２７，２８と固定電極２７，２８に挟まれかつガラ
ス基板１０の上方に浮動する可動電極２６とを有する半
導体慣性センサ３０を得る工程とを含む半導体慣性セン
サの製造方法である。
【００１３】請求項５に係る発明は、図４に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、シリコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸
食せずにエッチング可能な膜２１を形成する工程と、シ
リコンウエーハ２０を膜２１をエッチストップ層として
選択的にエッチング除去し、これにより膜２１上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６を形成する工程と、膜
２１と可動電極２６とを有する構造体２４を可動電極２
６がガラス基板１０の検出電極１２に対向するようにガ
ラス基板１０に接合する工程と、膜２１をエッチング除
去することによりガラス基板１０上に検出電極１２に対
向して浮動する可動電極２６を有する半導体慣性センサ
４０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法で
ある。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、シリコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸
食せずにエッチング可能な膜２１を形成する工程と、シ
リコンウエーハ２０を膜２１をエッチストップ層として
選択的にエッチング除去し、これにより膜２１上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６を形成する工程と、膜
２１と可動電極２６とを有する構造体２４を可動電極２
６がガラス基板１０の検出電極１２に対向するようにガ
ラス基板１０に接合する工程と、膜２１をエッチング除
去することによりガラス基板１０上に検出電極１２に対
向して浮動する可動電極２６を有する半導体慣性センサ
４０を得る工程とを含む半導体慣性センサの製造方法で
ある。
【００１４】請求項６に係る発明は、図５に示すよう
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、シリコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸
食せずにエッチング可能な膜２１を形成する工程と、シ
リコンウエーハ２０を膜２１をエッチストップ層として
選択的にエッチング除去し、これにより膜２１上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側
に単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８と
を形成する工程と、膜２１と可動電極２６と固定電極２
７，２８とを有する構造体２４を可動電極２６がガラス
基板１０の検出電極１２に対向するようにガラス基板１
０に接合する工程と、膜２１をエッチング除去すること
により一対の固定電極２７，２８と固定電極２７，２８
に挟まれかつガラス基板１０の上方に浮動する可動電極
２６とを有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含
む半導体慣性センサの製造方法である。
に、ガラス基板１０上の所定の部分にガラススペーサ層
１３を設けることにより溝部１１を形成する工程と、ガ
ラス基板１０の溝部１１の底面に検出電極１２を形成す
る工程と、シリコンウェーハ２０の片面にシリコンを浸
食せずにエッチング可能な膜２１を形成する工程と、シ
リコンウエーハ２０を膜２１をエッチストップ層として
選択的にエッチング除去し、これにより膜２１上に単結
晶シリコンからなる可動電極２６と可動電極２６の両側
に単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８と
を形成する工程と、膜２１と可動電極２６と固定電極２
７，２８とを有する構造体２４を可動電極２６がガラス
基板１０の検出電極１２に対向するようにガラス基板１
０に接合する工程と、膜２１をエッチング除去すること
により一対の固定電極２７，２８と固定電極２７，２８
に挟まれかつガラス基板１０の上方に浮動する可動電極
２６とを有する半導体慣性センサ５０を得る工程とを含
む半導体慣性センサの製造方法である。
【００１５】この請求項４ないし６に係る製造方法で
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また電
極間のギャップはエッチング時間での制御ではなくガラ
ススペーサ層１３の厚さで規定されるので、寸法精度に
優れる。このため高精度な半導体慣性センサが作られ
る。なお、本明細書で、「シリコンを浸食せずにエッチ
ング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去する際に
シリコンが浸食されないエッチャントを選ぶことができ
る膜であることを意味する。このような性質の膜として
は酸化膜や窒化膜等が挙げられる。
は、ウェーハのレーザ加工が不要で大量生産に適するた
め、低コストで半導体慣性センサを製造できる。また電
極間のギャップはエッチング時間での制御ではなくガラ
ススペーサ層１３の厚さで規定されるので、寸法精度に
優れる。このため高精度な半導体慣性センサが作られ
る。なお、本明細書で、「シリコンを浸食せずにエッチ
ング可能な膜」とは、当該膜をエッチング除去する際に
シリコンが浸食されないエッチャントを選ぶことができ
る膜であることを意味する。このような性質の膜として
は酸化膜や窒化膜等が挙げられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、本発
明の第１実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度セン
サであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層１３
を介して固着された固定電極２７及び２８の間に可動電
極２６を有する。可動電極２６、固定電極２７及び２８
は、それぞれ単結晶シリコンからなり、電極２６と電極
２７及び電極２６と電極２８の互いに対向する部分が櫛
状に形成される。可動電極２６は、ビーム３１，３１に
よりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動
になっている。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板
１０上にガラススペーサ層１３を介して固着される。図
示しないが、ビーム基端部３１ａ、固定電極２７及び２
８には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ３０では、可動電極２６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線に直交する水
平方向の加速度が作用すると、可動電極２６はビーム３
１，３１を支軸として振動する。可動電極２６と固定電
極２７及び２８の間の間隔が広がったり、狭まったりす
ると、可動電極２６と固定電極２７及び２８の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
いて詳しく説明する。図１及び図２に示すように、本発
明の第１実施形態の半導体慣性センサ３０は加速度セン
サであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層１３
を介して固着された固定電極２７及び２８の間に可動電
極２６を有する。可動電極２６、固定電極２７及び２８
は、それぞれ単結晶シリコンからなり、電極２６と電極
２７及び電極２６と電極２８の互いに対向する部分が櫛
状に形成される。可動電極２６は、ビーム３１，３１に
よりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動
になっている。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板
１０上にガラススペーサ層１３を介して固着される。図
示しないが、ビーム基端部３１ａ、固定電極２７及び２
８には個別に電気配線がなされる。この半導体慣性セン
サ３０では、可動電極２６に対して、図の矢印で示すよ
うにビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線に直交する水
平方向の加速度が作用すると、可動電極２６はビーム３
１，３１を支軸として振動する。可動電極２６と固定電
極２７及び２８の間の間隔が広がったり、狭まったりす
ると、可動電極２６と固定電極２７及び２８の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
【００１７】次に、本発明の第１実施形態の半導体慣性
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、ガラス基板１０上にガラススパッタリング及びパタ
ーニングによりガラススペーサ層１３を設ける。これに
よりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。一
方、（１１０）方位のシリコンウェーハ２０の両面にシ
リコンを浸食せずにエッチング可能な膜２１を形成す
る。この膜２１としては、ウェーハを熱酸化することに
より形成される酸化膜、或いは化学気相成長（ＣＶＤ）
法でＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成
される窒化シリコン膜などが挙げられる。片方の膜２１
を除去してシリコンウエーハ２０の片面を露出させる。
このシリコンウェーハ２０の露出面上にスパッタリング
及びパターニングによりＮｉ層２２を選択的に形成した
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。これにより膜２１をエッチストップ層としてシ
リコンウエーハ２０が選択的にエッチングされ、その結
果、膜２１上に単結晶シリコンからなる可動電極２６が
形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙をあけ
て単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８が
形成される。Ｎｉ膜２２を除去した後、膜２１と可動電
極２６と一対の固定電極２７，２８とを有する構造体２
４を可動電極２６がガラス基板１０の溝部１１に対向す
るようにガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０
に陽極接合する。続いて、フッ酸などのエッチャントに
よるウエットエッチング又はＣＦ4などのエッチャント
によるドライエッチングを行って、膜２１をエッチング
除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動電極
２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に形成された半導体
慣性センサ３０が得られる。
センサ３０の製造方法について述べる。図１に示すよう
に、ガラス基板１０上にガラススパッタリング及びパタ
ーニングによりガラススペーサ層１３を設ける。これに
よりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。一
方、（１１０）方位のシリコンウェーハ２０の両面にシ
リコンを浸食せずにエッチング可能な膜２１を形成す
る。この膜２１としては、ウェーハを熱酸化することに
より形成される酸化膜、或いは化学気相成長（ＣＶＤ）
法でＳｉＨ2Ｃｌ2又はＳｉＨ4とＮＨ3ガスを用いて形成
される窒化シリコン膜などが挙げられる。片方の膜２１
を除去してシリコンウエーハ２０の片面を露出させる。
このシリコンウェーハ２０の露出面上にスパッタリング
及びパターニングによりＮｉ層２２を選択的に形成した
後、ＳＦ6ガスによる低温での異方性ドライエッチング
を行う。これにより膜２１をエッチストップ層としてシ
リコンウエーハ２０が選択的にエッチングされ、その結
果、膜２１上に単結晶シリコンからなる可動電極２６が
形成され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙をあけ
て単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２８が
形成される。Ｎｉ膜２２を除去した後、膜２１と可動電
極２６と一対の固定電極２７，２８とを有する構造体２
４を可動電極２６がガラス基板１０の溝部１１に対向す
るようにガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０
に陽極接合する。続いて、フッ酸などのエッチャントに
よるウエットエッチング又はＣＦ4などのエッチャント
によるドライエッチングを行って、膜２１をエッチング
除去する。これにより単結晶シリコンからなる可動電極
２６が単結晶シリコンからなる一対の固定電極２７，２
８に挟まれて溝部１１の上方に浮動に形成された半導体
慣性センサ３０が得られる。
【００１８】図３及び図４は第２実施形態の半導体慣性
センサ４０を示す。この半導体慣性センサ４０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された枠体２９の間に可動電極２６を
有する。可動電極２６、枠体２９は、それぞれ単結晶シ
リコンからなり、電極２６は窓枠状の枠体２９に間隔を
あけて収容される。可動電極２６は、ビーム３１，３１
によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮
動になっている。ビーム３１の基端部３１ａは枠体２９
の凹み２９ａに位置しかつガラス基板１０上にガラスス
ペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１０上に
はガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの検出電
極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端部３１
ａ及び検出電極１２には個別に電気配線がなされる。こ
の半導体慣性センサ４０では、可動電極２６に対して、
図の矢印で示すようにビーム基端部３１ａと３１ａを結
ぶ線に直交する鉛直方向の加速度が作用すると、可動電
極２６はビーム３１，３１を支軸として振動する。可動
電極２６と検出電極１２の間の間隔が広がったり、狭ま
ったりすると、可動電極２６と検出電極１２の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
センサ４０を示す。この半導体慣性センサ４０は加速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された枠体２９の間に可動電極２６を
有する。可動電極２６、枠体２９は、それぞれ単結晶シ
リコンからなり、電極２６は窓枠状の枠体２９に間隔を
あけて収容される。可動電極２６は、ビーム３１，３１
によりその両端が支持され、ガラス基板１０に対して浮
動になっている。ビーム３１の基端部３１ａは枠体２９
の凹み２９ａに位置しかつガラス基板１０上にガラスス
ペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１０上に
はガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの検出電
極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端部３１
ａ及び検出電極１２には個別に電気配線がなされる。こ
の半導体慣性センサ４０では、可動電極２６に対して、
図の矢印で示すようにビーム基端部３１ａと３１ａを結
ぶ線に直交する鉛直方向の加速度が作用すると、可動電
極２６はビーム３１，３１を支軸として振動する。可動
電極２６と検出電極１２の間の間隔が広がったり、狭ま
ったりすると、可動電極２６と検出電極１２の間の静電
容量が変化する。この静電容量の変化から作用した加速
度が求められる。
【００１９】次に、本発明の第２実施形態の半導体慣性
センサ４０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にガラススパッタリング及び
パターニングによりガラススペーサ層１３を設ける。こ
れによりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。
溝部１１の底面にスパッタリング、真空蒸着などにより
Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄膜からなる
検出電極１２を形成する。一方、第１実施形態の製造方
法と同様に行い、（１１０）方位のシリコンウェーハ２
０の両面に酸化膜２１を形成する。片方の膜２１を除去
してシリコンウエーハ２０の片面を露出させる。このシ
リコンウェーハ２０の露出面上にスパッタリング及びパ
ターニングによりＮｉ層２２を選択的に形成した後、Ｓ
Ｆ6ガスによる低温での異方性ドライエッチングを行
う。これにより膜２１をエッチストップ層としてシリコ
ンウエーハ２０が選択的にエッチングされ、その結果、
膜２１上に単結晶シリコンからなる可動電極２６が形成
され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙をあけて単
結晶シリコンからなる一対の枠体２９，２９が形成され
る。Ｎｉ膜２２を除去した後、膜２１と可動電極２６と
枠体２９，２９とを有する構造体２４を可動電極２６が
ガラス基板１０の溝部１１内の検出電極１２に対向する
ようにガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に
陽極接合する。続いて、第１実施形態の製造方法と同様
に行い、膜２１をエッチング除去する。これにより単結
晶シリコンからなる可動電極２６が単結晶シリコンから
なる枠体２９，２９に挟まれて検出電極１２の上方に浮
動に形成された半導体慣性センサ４０が得られる。
センサ４０の製造方法について述べる。図４に示すよう
に、先ずガラス基板１０上にガラススパッタリング及び
パターニングによりガラススペーサ層１３を設ける。こ
れによりガラス基板１０上には溝部１１が形成される。
溝部１１の底面にスパッタリング、真空蒸着などにより
Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ばれた金属の薄膜からなる
検出電極１２を形成する。一方、第１実施形態の製造方
法と同様に行い、（１１０）方位のシリコンウェーハ２
０の両面に酸化膜２１を形成する。片方の膜２１を除去
してシリコンウエーハ２０の片面を露出させる。このシ
リコンウェーハ２０の露出面上にスパッタリング及びパ
ターニングによりＮｉ層２２を選択的に形成した後、Ｓ
Ｆ6ガスによる低温での異方性ドライエッチングを行
う。これにより膜２１をエッチストップ層としてシリコ
ンウエーハ２０が選択的にエッチングされ、その結果、
膜２１上に単結晶シリコンからなる可動電極２６が形成
され、この可動電極２６の両側に僅かに間隙をあけて単
結晶シリコンからなる一対の枠体２９，２９が形成され
る。Ｎｉ膜２２を除去した後、膜２１と可動電極２６と
枠体２９，２９とを有する構造体２４を可動電極２６が
ガラス基板１０の溝部１１内の検出電極１２に対向する
ようにガラススペーサ層１３を介してガラス基板１０に
陽極接合する。続いて、第１実施形態の製造方法と同様
に行い、膜２１をエッチング除去する。これにより単結
晶シリコンからなる可動電極２６が単結晶シリコンから
なる枠体２９，２９に挟まれて検出電極１２の上方に浮
動に形成された半導体慣性センサ４０が得られる。
【００２０】図５及び図６は第３実施形態の半導体慣性
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された固定電極２７及び２８の間に音
叉構造の一対の可動電極２６，２６を有する。可動電極
２６、固定電極２７及び２８は、それぞれ単結晶シリコ
ンからなり、電極２６と電極２７及び電極２６と電極２
８の互いに対向する部分が櫛状に形成される。可動電極
２６，２６は、コ字状のビーム３１，３１によりその両
端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になってい
る。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板１０上にガ
ラススペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１
０上にはガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの
検出電極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端
部３１ａ、固定電極２７及び２８、検出電極１２には個
別に電気配線がなされ、固定電極２７及び２８に交流電
圧を印加し、静電力により可動電極を励振するようにな
っている。この半導体慣性センサ５０では、可動電極２
６，２６に対してビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線
を中心として角速度が作用すると、可動電極２６，２６
にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り振動を起
こして共振する。この共振時の可動電極２６と検出電極
１２との間の静電容量の変化により作用した角速度が検
出される。
センサ５０を示す。この半導体慣性センサ５０は角速度
センサであって、ガラス基板１０上にガラススペーサ層
１３を介して固着された固定電極２７及び２８の間に音
叉構造の一対の可動電極２６，２６を有する。可動電極
２６、固定電極２７及び２８は、それぞれ単結晶シリコ
ンからなり、電極２６と電極２７及び電極２６と電極２
８の互いに対向する部分が櫛状に形成される。可動電極
２６，２６は、コ字状のビーム３１，３１によりその両
端が支持され、ガラス基板１０に対して浮動になってい
る。ビーム３１の基端部３１ａはガラス基板１０上にガ
ラススペーサ層１３を介して固着される。ガラス基板１
０上にはガラススペーサ層１３の厚さより小さい厚さの
検出電極１２が形成される。図示しないが、ビーム基端
部３１ａ、固定電極２７及び２８、検出電極１２には個
別に電気配線がなされ、固定電極２７及び２８に交流電
圧を印加し、静電力により可動電極を励振するようにな
っている。この半導体慣性センサ５０では、可動電極２
６，２６に対してビーム基端部３１ａと３１ａを結ぶ線
を中心として角速度が作用すると、可動電極２６，２６
にコリオリ力が生じてこの中心線の回りに捩り振動を起
こして共振する。この共振時の可動電極２６と検出電極
１２との間の静電容量の変化により作用した角速度が検
出される。
【００２１】次に、本発明の第３実施形態の半導体慣性
センサ５０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ず第２実施形態と同様にガラス基板１０上にガラ
ススパッタリング及びパターニングによりガラススペー
サ層１３を設ける。これによりガラス基板１０上には溝
部１１が形成される。溝部１１の底面にスパッタリン
グ、真空蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ば
れた金属の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一
方、第１実施形態の製造方法と同様に行い、（１１０）
方位のシリコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成
する。片方の膜２１を除去してシリコンウエーハ２０の
片面を露出させる。このシリコンウェーハ２０の露出面
上にスパッタリング及びパターニングによりＮｉ層２２
を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方
性ドライエッチングを行う。これにより膜２１をエッチ
ストップ層としてシリコンウエーハ２０が選択的にエッ
チングされ、その結果、膜２１上に単結晶シリコンから
なる可動電極２６が形成され、この可動電極２６の両側
に僅かに間隙をあけて単結晶シリコンからなる一対の固
定電極２７，２８が形成される。Ｎｉ膜２２を除去した
後、膜２１と可動電極２６と一対の固定電極２７，２８
とを有する構造体２４を可動電極２６がガラス基板１０
の溝部１１内の検出電極１２に対向するようにガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極接合する。
続いて、第１実施形態の製造方法と同様に行い、膜２１
をエッチング除去する。これにより単結晶シリコンから
なる可動電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定
電極２７，２８に挟まれて検出電極１２の上方に浮動に
形成された半導体慣性センサ５０が得られる。
センサ５０の製造方法について述べる。図５に示すよう
に、先ず第２実施形態と同様にガラス基板１０上にガラ
ススパッタリング及びパターニングによりガラススペー
サ層１３を設ける。これによりガラス基板１０上には溝
部１１が形成される。溝部１１の底面にスパッタリン
グ、真空蒸着などによりＡｕ，Ｐｔ，Ｃｕなどから選ば
れた金属の薄膜からなる検出電極１２を形成する。一
方、第１実施形態の製造方法と同様に行い、（１１０）
方位のシリコンウェーハ２０の両面に酸化膜２１を形成
する。片方の膜２１を除去してシリコンウエーハ２０の
片面を露出させる。このシリコンウェーハ２０の露出面
上にスパッタリング及びパターニングによりＮｉ層２２
を選択的に形成した後、ＳＦ6ガスによる低温での異方
性ドライエッチングを行う。これにより膜２１をエッチ
ストップ層としてシリコンウエーハ２０が選択的にエッ
チングされ、その結果、膜２１上に単結晶シリコンから
なる可動電極２６が形成され、この可動電極２６の両側
に僅かに間隙をあけて単結晶シリコンからなる一対の固
定電極２７，２８が形成される。Ｎｉ膜２２を除去した
後、膜２１と可動電極２６と一対の固定電極２７，２８
とを有する構造体２４を可動電極２６がガラス基板１０
の溝部１１内の検出電極１２に対向するようにガラスス
ペーサ層１３を介してガラス基板１０に陽極接合する。
続いて、第１実施形態の製造方法と同様に行い、膜２１
をエッチング除去する。これにより単結晶シリコンから
なる可動電極２６が単結晶シリコンからなる一対の固定
電極２７，２８に挟まれて検出電極１２の上方に浮動に
形成された半導体慣性センサ５０が得られる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、従来のウェーハのレ
ーザ加工による半導体慣性センサの製法と異なり、本発
明によればウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生
産に適した低コストの半導体慣性センサを製作すること
ができる。基板にガラス基板を用いるため、寄生容量が
低く、高精度である。また可動電極等は単結晶シリコン
からなるため、多結晶シリコンや金属等と比べて機械的
特性に優れる。更に可動電極と基板とのギャップをエッ
チング時間で制御することなく、ガラススペーサ層の厚
さで規定するため、高精度にギャップを形成できる特長
がある。
ーザ加工による半導体慣性センサの製法と異なり、本発
明によればウェーハのレーザ加工が不要となり、大量生
産に適した低コストの半導体慣性センサを製作すること
ができる。基板にガラス基板を用いるため、寄生容量が
低く、高精度である。また可動電極等は単結晶シリコン
からなるため、多結晶シリコンや金属等と比べて機械的
特性に優れる。更に可動電極と基板とのギャップをエッ
チング時間で制御することなく、ガラススペーサ層の厚
さで規定するため、高精度にギャップを形成できる特長
がある。
【図１】図２のＡ−Ａ線要部に相当する本発明の第１実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図３】本発明の第２実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
【図４】図３のＢ−Ｂ線要部に相当する本発明の第２実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図５】図６のＣ−Ｃ線要部に相当する本発明の第３実
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
施形態の半導体慣性センサ及びその製造工程を示す断面
図。
【図６】本発明の第３実施形態の半導体慣性センサの外
観斜視図。
観斜視図。
１０ ガラス基板 １１ 溝部 １２ 検出電極 １３ ガラススペーサ層 ２０ シリコンウエーハ ２１ 膜 ２４ 構造体 ２６ 可動電極 ２７，２８ 一対の固定電極 ２９ 枠体 ３０，４０，５０ 半導体慣性センサ
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス基板(10)の上方に浮動するように
設けられた単結晶シリコンからなる可動電極(26)と、前
記ガラス基板(10)上に前記可動電極(26)を挟んで設けら
れた単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)と
を備えた半導体慣性センサ(30)において、 前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)
がガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)上
に設けられたことを特徴とする半導体慣性センサ。 - 【請求項２】 ガラス基板(10)上に形成された検出電極
(12)と、前記検出電極(12)の上方に浮動するように設け
られた単結晶シリコンからなる可動電極(26)とを備えた
半導体慣性センサ(40)において、 前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)
がガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)上
に設けられたことを特徴とする半導体慣性センサ。 - 【請求項３】 ガラス基板(10)上に形成された検出電極
(12)と、前記検出電極(12)の上方に浮動するように設け
られた単結晶シリコンからなる可動電極(26)と、前記ガ
ラス基板(10)上に前記可動電極(26)を挟んで設けられた
単結晶シリコンからなる一対の固定電極(27,28)とを備
えた半導体慣性センサ(50)において、 前記可動電極(26)を支持するビーム(31)の基端部(31a)
がガラススペーサ層(13)を介して前記ガラス基板(10)上
に設けられたことを特徴とする半導体慣性センサ。 - 【請求項４】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 シリコンウェーハ(20)の片面にシリコンを浸食せずにエ
ッチング可能な膜(21)を形成する工程と、 前記シリコンウエーハ(20)を前記膜(21)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(21)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)と前記
可動電極(26)の両側に単結晶シリコンからなる一対の固
定電極(27,28)とを形成する工程と、 前記膜(21)と前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)
とを有する構造体(24)を前記可動電極(26)がガラス基板
(10)の溝部(11)に対向するように前記ガラス基板(10)に
接合する工程と、 前記膜(21)をエッチング除去することにより前記一対の
固定電極(27,28)と前記固定電極(27,28)に挟まれかつ前
記ガラス基板(10)の上方に浮動する前記可動電極(26)と
を有する半導体慣性センサ(30)を得る工程とを含む半導
体慣性センサの製造方法。 - 【請求項５】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 シリコンウェーハ(20)の片面にシリコンを浸食せずにエ
ッチング可能な膜(21)を形成する工程と、 前記シリコンウエーハ(20)を前記膜(21)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(21)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)を形成
する工程と、 前記膜(21)と前記可動電極(26)とを有する構造体(24)を
前記可動電極(26)がガラス基板(10)の検出電極(12)に対
向するように前記ガラス基板(10)に接合する工程と、 前記膜(21)をエッチング除去することにより前記ガラス
基板(10)上に前記検出電極(12)に対向して浮動する前記
可動電極(26)を有する半導体慣性センサ(40)を得る工程
とを含む半導体慣性センサの製造方法。 - 【請求項６】 ガラス基板(10)上の所定の部分にガラス
スペーサ層(13)を設けることにより溝部(11)を形成する
工程と、 前記ガラス基板(10)の溝部(11)の底面に検出電極(12)を
形成する工程と、 シリコンウェーハ(20)の片面にシリコンを浸食せずにエ
ッチング可能な膜(21)を形成する工程と、 前記シリコンウエーハ(20)を前記膜(21)をエッチストッ
プ層として選択的にエッチング除去し、これにより前記
膜(21)上に単結晶シリコンからなる可動電極(26)と前記
可動電極(26)の両側に単結晶シリコンからなる一対の固
定電極(27,28)とを形成する工程と、 前記膜(21)と前記可動電極(26)と前記固定電極(27,28)
とを有する構造体(24)を前記可動電極(26)がガラス基板
(10)の溝部(11)に対向するように前記ガラス基板(10)に
接合する工程と、 前記膜(21)をエッチング除去することにより前記一対の
固定電極(27,28)と前記固定電極(27,28)に挟まれかつ前
記ガラス基板(10)の上方に浮動する前記可動電極(26)と
を有する半導体慣性センサ(50)を得る工程とを含む半導
体慣性センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072961A JPH10270719A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 半導体慣性センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9072961A JPH10270719A (ja) | 1997-03-26 | 1997-03-26 | 半導体慣性センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10270719A true JPH10270719A (ja) | 1998-10-09 |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10270719A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003503254A (ja) * | 1999-06-25 | 2003-01-28 | スマ インヴェストメント ホールディング | 所定の制動閾値に基づいて車のハザードランプを作動させる装置の改良 |
| JP2004134763A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-30 | Stmicroelectronics Srl | 故障しきい値を有する慣性センサの製造プロセス |
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-
1997
- 1997-03-26 JP JP9072961A patent/JPH10270719A/ja not_active Withdrawn
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| JP2010112858A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Sony Corp | 微小電気機械装置および電子機器 |
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