JPH0951208A - 多層基板 - Google Patents

多層基板

Info

Publication number
JPH0951208A
JPH0951208A JP7200677A JP20067795A JPH0951208A JP H0951208 A JPH0951208 A JP H0951208A JP 7200677 A JP7200677 A JP 7200677A JP 20067795 A JP20067795 A JP 20067795A JP H0951208 A JPH0951208 A JP H0951208A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
micro via
signal
holes
line
characteristic impedance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7200677A
Other languages
English (en)
Inventor
Jiro Ogiwara
次朗 荻原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP7200677A priority Critical patent/JPH0951208A/ja
Publication of JPH0951208A publication Critical patent/JPH0951208A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロヴィアホールによる特性インピーダ
ンスの変化を低減できる多層基板を提供すること。 【解決手段】 複数の層にストリップ線路或いはマイク
ロストリップ線路が形成された多層基板10において、
異なる層に形成された線路の信号線21,22間を接続
するマイクロヴィアホール121,131における導電路の
幅、即ちマイクロヴィアホール121,131の周の長さを信
号線21,22の幅wとほぼ等しく形成した。 【効果】 マイクロヴィアホール121,131における特性
インピーダンスを信号線21、22における特性インピ
ーダンスにほぼ等しくすることができ、信号の伝送・反
射特性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する分野】本発明は多層基板に関し、特にス
トリップ線路或いはマイクロストリップ線路が複数の層
に形成された多層基板の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、高周波信号を処理する電気回路
は、多層基板を用いて構成されることが多くなってい
る。さらに、信号線路としては、信号の周波数に対応し
た特性インピーダンスを有するように信号線の幅が設定
されたストリップ線路或いはマイクロストリップ線路が
用いられ、多層基板の異なる層に形成されたストリップ
線路或いはマイクロストリップ線路の信号線は、マイク
ロヴィアホールを介して接続されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の多層基板においては、信号線間を接続するマイ
クロヴィアホールの大きさ及び数は多層基板の設計に応
じてまちまちであり、さらに接地導体と対になっている
信号線を接続しているマイクロヴィアホールに対応する
接地導体が設けられていなかった。このため、マイクロ
ヴィアホールの部分において特性インピーダンスが変化
し、信号の伝送・反射特性が悪化するという問題点があ
った。
【0004】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、マイ
クロヴィアホールによる特性インピーダンスの変化を低
減できる多層基板を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために請求項1では、複数の層にストリップ線路
或いはマイクロストリップ線路が形成されると共に、異
なる層における前記線路の信号線間を接続するマイクロ
ヴィアホールが形成された多層基板において、前記マイ
クロヴィアホールにおける導電路の幅を前記信号線の幅
とほぼ等しく或いは前記信号線の幅よりも広く形成した
多層基板を提案する。
【0006】該多層基板によれば、マイクロヴィアホー
ルにおける導電路の幅が信号線の幅とほぼ等しく或いは
広く形成される。例えば、1つのマイクロヴィアホール
によって信号線間を接続する場合は、前記マイクロヴィ
アホールの周の長さが前記信号線の幅とほぼ等しく或い
は広く形成される。また、2つ以上のマイクロヴィアホ
ールによって信号線間を接続する場合には、個々のマイ
クロヴィアホールの周の長さの合計が前記信号線の幅と
ほぼ等しく或いは広く形成される。ここで、例えば高周
波信号においては、その信号電流は表皮効果によって導
体の表面近傍を流れ、ストリップ線路或いはマイクロス
トリップ線路の特性インピーダンスは信号線の線幅に大
きく左右され、マイクロヴィアホールにおいても同様と
なる。従って、マイクロヴィアホールの周の長さを信号
線の線幅にほぼ等しく或いは広く設定することにより、
信号線とマイクロヴィアホールにおける高周波抵抗等の
差を低減することができる。これにより、マイクロヴィ
アホールにおける特性インピーダンスが、各層に形成さ
れたストリップ線路或いはマイクロストリップ線路にお
ける特性インピーダンスに近づけられる。
【0007】また、請求項2では、複数の層に接地導体
と信号線からなるストリップ線路或いはマイクロストリ
ップ線路が形成されると共に、異なる層における前記線
路の信号線間を接続する信号用マイクロヴィアホールが
形成された多層基板において、前記信号用マイクロヴィ
アホールに対応して、前記信号用マイクロヴィアホール
の近傍に前記信号線に対応する接地導体に接続された接
地用マイクロヴィアホールを設けた多層基板を提案す
る。
【0008】該多層基板によれば、異なる層に形成され
た信号線間を接続する信号用マイクロヴィアホールに対
応して、前記信号線に対応する接地導体に接続された接
地用マイクロヴィアホールが設けられる。これにより、
前記接地用マイクロヴィアホールは前記信号用マイクロ
ヴィアホールと対になり、前記信号線における電磁界分
布が前記信号線に対応する接地導体との間に形成される
と同様に、前記信号用マイクロヴィアホールにおける電
磁界分布が前記接地用マイクロヴィアホールとの間に形
成されるので、前記信号用マイクロヴィアホールにおけ
る特性インピーダンスは、各層に形成されたストリップ
線路或いはマイクロストリップ線路における特性インピ
ーダンスに近づけられる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施形態の
多層基板を示す分解斜視図であり、多層基板10は、例
えば厚さdが約0.2mmのセラミックからなる5つの
絶縁層11〜15を積層して形成されている。さらに、
第2及び第4の絶縁層12,14の上面には印刷配線導
体からなり、例えば約0.6mmの線幅wを有する信号
線21,22がそれぞれ形成され、第1、第3及び第5
の絶縁層11,13,15の上面にはほぼ全面に亙って
接地用導体23〜25が印刷形成されている。これによ
り2つのストリップ線路が積層された多層基板10とな
る。
【0010】また、信号線21,22のそれぞれの一端
部21a,22aは重なるように形成され、第2及び第
3の絶縁層に形成されたマイクロヴィアホール121,131
を介して導通接続されている。ここで、マイクロヴィア
ホール121,131のそれぞれの形状は、図2に示すように
円筒形状をなし、その直径Dは、マイクロヴィアホール
121,131の周の長さが信号線21,22の線幅wに等し
くなるように約0.2mmに設定されている。
【0011】前述の構成によれば、信号線21,22の
線幅wとマイクロヴィアホール121,131の周の長さがほ
ぼ等しく設定されているので、信号線21,22におけ
る特性インピーダンスとマイクロヴィアホール121,131
における特性インピーダンスとがほぼ等しくなる。これ
により、従来に比べて信号の伝送・反射特性が向上す
る。
【0012】即ち、高周波信号においては、その信号電
流は表皮効果によって導体の表面近傍を流れる。このた
め、ストリップ線路の特性インピーダンスは信号線2
1,22の線幅wに大きく左右されることは周知のこと
である。これと同様に、マイクロヴィアホール121,131
においても、信号電流は表皮効果により導体の表面近傍
を流れる。したがって、マイクロヴィアホール121,131
の周の長さを信号線21,22の線幅wにほぼ等しく設
定することにより、信号線21,22とマイクロヴィア
ホール121,131における高周波抵抗等の電磁界的環境の
差を低減することができるので、マイクロヴィアホール
121,131における特性インピーダンスを信号線21、2
2における特性インピーダンスにほぼ等しくすることが
でき、信号の伝送・反射特性を向上させることができ
る。
【0013】次に、本発明の第2の実施形態を説明す
る。図3は、第2の実施形態を示す分解斜視図である。
図において、前述した第1の実施形態と同一構成部分は
同一符号をもって表しその説明を省略する。また、第1
の実施形態と第2の実施形態との相違点は、マイクロヴ
ィアホール121,131の近傍に、これらとほぼ平行に形成
された接地用のマイクロヴィアホール122,132を設けた
点にある。
【0014】即ち、図4に示すように第2の絶縁層12
には、接地導体23、24に導通接続されたマイクロヴ
ィアホール122がマイクロヴィアホール121とほぼ平行に
形成されている。同様に第3の絶縁層13には、接地導
体24に導通接続されたマイクロヴィアホール132がマ
イクロヴィアホール131とほぼ平行に形成されている。
さらに、マイクロヴィアホール121の外周面とマイクロ
ヴィアホール122の外周面との間隔t、及びマイクロヴ
ィアホール131の外周面とマイクロヴィアホール132の外
周面との間隔は、それぞれ絶縁層11〜15の厚さdと
等しく設定されている。
【0015】前述した構成によれば、マイクロヴィアホ
ール122,132は、マイクロヴィアホール121,131のそれぞ
れと対になり、信号線21,22における電磁界分布が
信号線21,22に対応する接地導体23,24との間
に形成されると同様に、マイクロヴィアホール121,131
のそれぞれにおける電磁界分布がマイクロヴィアホール
122,132との間に形成されるので、マイクロヴィアホー
ル121,131における特性インピーダンスは、第2及び第
4の絶縁層12,14に形成された信号線21,22及
び接地導体23〜25によって構成されるストリップ線
路における特性インピーダンスにほぼ等しいものとされ
る。従って、信号用のマイクロヴィアホール121,131と
対になる接地用のマイクロヴィアホール122,132を設け
ることによっても、マイクロヴィアホール121,131にお
ける特性インピーダンスの変化を低減でき、信号の伝送
・反射特性を向上させることができる。
【0016】尚、第1及び第2の実施形態では、マイク
ロヴィアホール121,122,131,132の形状を円筒形とした
が、これに限定されることはない。例えば、図5に示す
ように長孔形状であっても良いし、図6に示すように2
つの円筒を横方向に連結した形状であっても良いし、ま
た、図7に示すようにマイクロヴィアホール121 を信号
線21の幅よりも広げて形成してもほぼ同様の効果を奏
する。
【0017】また、第2の実施形態では、マイクロヴィ
アホール121,131の周の長さが信号線21,22の線幅
wに等しくなるように設定し、接地用のマイクロヴィア
ホール122,132を設けたが、信号用のマイクロヴィアホ
ール121,131の形状を従来のように任意の形状として、
接地用のマイクロヴィアホール122,132を設けても、マ
イクロヴィアホール121,131における特性インピーダン
スの変化を低減でき、信号の伝送・反射特性を向上させ
ることができる。
【0018】次に、本発明の第3の実施形態を説明す
る。図8は、第3の実施形態を示す平面図である。図に
おいて、前述した第2の実施形態と同一構成部分は同一
符号をもって表しその説明を省略する。また、第2の実
施形態と第3の実施形態との相違点は、接地用のマイク
ロヴィアホール122,132の幅を、信号線21のマイクロ
ヴィアホール121,131の幅よりも広く形成した点にあ
る。
【0019】この構成によっても、マイクロヴィアホー
ル122,132は、マイクロヴィアホール121,131のそれぞれ
と対になり、信号線21,22における電磁界分布が信
号線21,22に対応する接地導体23,24との間に
形成されると同様に、マイクロヴィアホール121,131の
それぞれにおける電磁界分布がマイクロヴィアホール12
2,132との間に形成されるので、マイクロヴィアホール1
21,131における特性インピーダンスは、第2及び第4の
絶縁層12,14に形成された信号線21,22及び接
地導体23〜25によって構成されるストリップ線路に
おける特性インピーダンスにほぼ等しいものとされる。
【0020】従って、前述したような接地用のマイクロ
ヴィアホール122,132を設けることによっても、マイク
ロヴィアホール121,131における特性インピーダンスの
変化を低減でき、信号の伝送・反射特性を向上させるこ
とができる。
【0021】次に、本発明の第4の実施形態を説明す
る。図9は、第4の実施形態を示す平面図である。図に
おいて、前述した第2の実施形態と同一構成部分は同一
符号をもって表しその説明を省略する。また、第2の実
施形態と第4の実施形態との相違点は、接地用のマイク
ロヴィアホール122,132を、信号線21のマイクロヴィ
アホール121,131を囲むように形成した点にある。
【0022】この構成によっても、マイクロヴィアホー
ル122,132は、マイクロヴィアホール121,131のそれぞれ
と対になり、信号線21,22における電磁界分布が信
号線21,22に対応する接地導体23,24との間に
形成されると同様に、マイクロヴィアホール121,131の
それぞれにおける電磁界分布がマイクロヴィアホール12
2,132との間に形成されるので、マイクロヴィアホール1
21,131における特性インピーダンスは、第2及び第4の
絶縁層12,14に形成された信号線21,22及び接
地導体23〜25によって構成されるストリップ線路に
おける特性インピーダンスにほぼ等しいものとされる。
【0023】従って、前述したような接地用のマイクロ
ヴィアホール122,132を設けることによっても、マイク
ロヴィアホール121,131における特性インピーダンスの
変化を低減でき、信号の伝送・反射特性を向上させるこ
とができる。
【0024】次に、本発明の第5の実施形態を説明す
る。図10は、第5の実施形態を示す平面図である。図
において、前述した第2の実施形態と同一構成部分は同
一符号をもって表しその説明を省略する。また、第2の
実施形態と第5の実施形態との相違点は、信号線21の
マイクロヴィアホール121,131を囲むように複数の接地
用のマイクロヴィアホール122a〜122c,132a〜132cを形
成した点にある。
【0025】この構成によっても、信号線21,22に
おける電磁界分布が信号線21,22に対応する接地導
体23,24との間に形成されると同様に、マイクロヴ
ィアホール121,131のそれぞれにおける電磁界分布がマ
イクロヴィアホール122a〜122c,132a〜132cとの間に形
成されるので、マイクロヴィアホール121,131における
特性インピーダンスは、第2及び第4の絶縁層12,1
4に形成された信号線21,22及び接地導体23〜2
5によって構成されるストリップ線路における特性イン
ピーダンスにほぼ等しいものとされる。
【0026】従って、前述したような接地用のマイクロ
ヴィアホール122a〜122c,132a〜132cを設けることによ
っても、マイクロヴィアホール121,131における特性イ
ンピーダンスの変化を低減でき、信号の伝送・反射特性
を向上させることができる。
【0027】次に、本発明の第6の実施形態を説明す
る。図11は、第6の実施形態を示す平面図である。図
において、前述した第2の実施形態と同一構成部分は同
一符号をもって表しその説明を省略する。また、第2の
実施形態と第6の実施形態との相違点は、信号線21の
幅よりも広いマイクロヴィアホール122,132を形成する
と共に、これに対応した幅の接地用のマイクロヴィアホ
ール122,132を形成した点にある。
【0028】この構成によっても、マイクロヴィアホー
ル122,132は、マイクロヴィアホール121,131のそれぞれ
と対になり、信号線21,22における電磁界分布が信
号線21,22に対応する接地導体23,24との間に
形成されると同様に、マイクロヴィアホール121,131の
それぞれにおける電磁界分布がマイクロヴィアホール12
2,132との間に形成されるので、マイクロヴィアホール1
21,131における特性インピーダンスは、第2及び第4の
絶縁層12,14に形成された信号線21,22及び接
地導体23〜25によって構成されるストリップ線路に
おける特性インピーダンスにほぼ等しいものとされる。
【0029】従って、前述したような接地用のマイクロ
ヴィアホール122,132を設けることによっても、マイク
ロヴィアホール121,131における特性インピーダンスの
変化を低減でき、信号の伝送・反射特性を向上させるこ
とができる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
よれば、マイクロヴィアホールにおける特性インピーダ
ンスが、各層に形成されたストリップ線路或いはマイク
ロストリップ線路における特性インピーダンスに近づけ
られるので、信号の伝送・反射特性を向上させることが
できる。
【0031】また、請求項2によれば、接地用マイクロ
ヴィアホールは信号用マイクロヴィアホールと対にな
り、信号線における電磁界分布が該信号線に対応する接
地導体との間に形成されると同様に、前記信号用マイク
ロヴィアホールにおける電磁界分布が前記接地用マイク
ロヴィアホールとの間に形成されるので、前記信号用マ
イクロヴィアホールにおける特性インピーダンスは、多
層基板の各層に形成されたストリップ線路或いはマイク
ロストリップ線路における特性インピーダンスに近づけ
られ、信号の伝送・反射特性を向上させることができる
という非常に優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の多層基板を示す分解
斜視図
【図2】第1の実施形態の要部を示す構成図
【図3】本発明の第2の実施形態の多層基板を示す分解
斜視図
【図4】第2の実施形態の要部を示す構成図
【図5】マイクロヴィアホール形状の他の実施形態を示
す図
【図6】マイクロヴィアホール形状の他の実施形態を示
す図
【図7】マイクロヴィアホール形状の他の実施形態を示
す図
【図8】本発明の第3の実施形態を示す平面図
【図9】本発明の第4の実施形態を示す平面図
【図10】本発明の第5の実施形態を示す平面図
【図11】本発明の第6の実施形態を示す平面図
【符号の説明】
10…多層基板、11〜15…絶縁層、21,22…信
号線、23〜25…接地用導体、121,122,122a〜122c,1
31,132,132a〜132c…マイクロヴィアホール。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の層にストリップ線路或いはマイク
    ロストリップ線路が形成されると共に、異なる層におけ
    る前記線路の信号線間を接続するマイクロヴィアホール
    が形成された多層基板において、 前記マイクロヴィアホールにおける導電路の幅を前記信
    号線の幅とほぼ等しく或いは前記信号線の幅よりも広く
    形成したことを特徴とする多層基板。
  2. 【請求項2】 複数の層に接地導体と信号線からなるス
    トリップ線路或いはマイクロストリップ線路が形成され
    ると共に、異なる層における前記線路の信号線間を接続
    する信号用マイクロヴィアホールが形成された多層基板
    において、 前記信号用マイクロヴィアホールに対応して、前記信号
    用マイクロヴィアホールの近傍に前記信号線に対応する
    接地導体に接続された接地用マイクロヴィアホールを設
    けたことを特徴とする多層基板。
JP7200677A 1995-08-07 1995-08-07 多層基板 Pending JPH0951208A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7200677A JPH0951208A (ja) 1995-08-07 1995-08-07 多層基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7200677A JPH0951208A (ja) 1995-08-07 1995-08-07 多層基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0951208A true JPH0951208A (ja) 1997-02-18

Family

ID=16428416

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7200677A Pending JPH0951208A (ja) 1995-08-07 1995-08-07 多層基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0951208A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000278008A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Kyocera Corp 高周波用配線基板
JP2001189609A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロストリップ線路接続体
JP2001230508A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Nippon Avionics Co Ltd ストリップライン構造のバイアホールおよびその製造方法
US7193490B2 (en) 2003-04-11 2007-03-20 Tdk Corporation High frequency transmission line and high frequency board
JP2019021663A (ja) * 2017-07-11 2019-02-07 富士通株式会社 電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法
CN110798977A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 薄型天线电路板及其制作方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000278008A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Kyocera Corp 高周波用配線基板
JP2001189609A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp マイクロストリップ線路接続体
JP2001230508A (ja) * 2000-02-21 2001-08-24 Nippon Avionics Co Ltd ストリップライン構造のバイアホールおよびその製造方法
US7193490B2 (en) 2003-04-11 2007-03-20 Tdk Corporation High frequency transmission line and high frequency board
JP2019021663A (ja) * 2017-07-11 2019-02-07 富士通株式会社 電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法
CN110798977A (zh) * 2018-08-01 2020-02-14 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 薄型天线电路板及其制作方法
CN110798977B (zh) * 2018-08-01 2021-03-23 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 薄型天线电路板及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0069102B1 (en) Impedance matching stripline transition for microwave signals
TWI248330B (en) High frequency and wide band impedance matching via
JP3206561B2 (ja) 多層配線基板
US7518884B2 (en) Tailoring impedances of conductive traces in a circuit board
US3568000A (en) Multilayer printed circuit
US9653768B2 (en) Coupling of signals on multi-layer substrates
WO2008024411A2 (en) Impedance matched circuit board
CN101662882B (zh) 高频宽带阻抗匹配的传输孔
US4862120A (en) Wideband stripline to microstrip transition
CN110431714B (zh) 贴片天线馈电部
JP2001015925A (ja) プリント基板
US4809356A (en) Three-way power splitter using directional couplers
JPH0951208A (ja) 多層基板
JPS61239701A (ja) トリプレ−ト線路形t分岐
JP2002521946A (ja) 高い均一性のマイクロストリップと変形された方形axとの相互接続部
JP2007243123A (ja) 電磁界結合構造及び多層配線板
JP2846803B2 (ja) 多層配線基板
JP2002368507A (ja) 積層型伝送線路交差チップ
JPH04321302A (ja) マイクロストリップ回路
JP2500155B2 (ja) 多層回路基板
JPH0291987A (ja) 印刷配線板
JPH0555605U (ja) 多層基板
JP2004014834A (ja) 印刷抵抗付きマイクロ波回路
JPS60124101A (ja) ブランチラインカツプラ
JP2005012559A (ja) カプラ及びカプラアレー

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021105