JPH0952768A - 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 - Google Patents
炭化珪素質焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH0952768A JPH0952768A JP7208669A JP20866995A JPH0952768A JP H0952768 A JPH0952768 A JP H0952768A JP 7208669 A JP7208669 A JP 7208669A JP 20866995 A JP20866995 A JP 20866995A JP H0952768 A JPH0952768 A JP H0952768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- weight
- oxide
- sic
- sintering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 37
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 37
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 claims abstract description 8
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract 2
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 6
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐熱および耐磨耗性が要求される機械部品等
に使用される炭化珪素質焼結体およびその製造方法に関
する。 【解決手段】 炭化珪素:60〜97重量%に対し、酸
化イッテルビウムと酸化アルミニウムを焼結助剤として
3〜40重量%含有し、かつ、酸化イッテルビウムに対
する酸化アルミニウムの重量濃度比が0.2〜9であ
り、炭化珪素粒子の間隙が酸炭化物ガラスまたは酸炭化
物ガラスと酸化物微結晶で充填されている炭化珪素質焼
結体。
に使用される炭化珪素質焼結体およびその製造方法に関
する。 【解決手段】 炭化珪素:60〜97重量%に対し、酸
化イッテルビウムと酸化アルミニウムを焼結助剤として
3〜40重量%含有し、かつ、酸化イッテルビウムに対
する酸化アルミニウムの重量濃度比が0.2〜9であ
り、炭化珪素粒子の間隙が酸炭化物ガラスまたは酸炭化
物ガラスと酸化物微結晶で充填されている炭化珪素質焼
結体。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は耐熱および耐磨耗性
が要求される機械部品等に使用される炭化珪素質焼結体
およびその製造方法に関する。
が要求される機械部品等に使用される炭化珪素質焼結体
およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】炭化珪素焼結体は耐熱および耐磨耗材料
として期待されているが、難焼結性物質であるため、焼
結助剤としてほう素と炭素等を添加し、固相反応により
焼結させる方法が採られていた。このため、2000℃
以上の非常に高い温度でホットプレスにより焼結させる
必要があった。また、この方法で得られた炭化珪素焼結
体は優れた耐熱性をもつが、破壊靱性値が約3MPam
0.5 と小さいため、材料としては脆いという欠点をもっ
ている。
として期待されているが、難焼結性物質であるため、焼
結助剤としてほう素と炭素等を添加し、固相反応により
焼結させる方法が採られていた。このため、2000℃
以上の非常に高い温度でホットプレスにより焼結させる
必要があった。また、この方法で得られた炭化珪素焼結
体は優れた耐熱性をもつが、破壊靱性値が約3MPam
0.5 と小さいため、材料としては脆いという欠点をもっ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】そこで、新しい焼結助
剤を用いることにより、炭化珪素を液相焼結させること
ができれば、従来法よりも焼結温度を低くでき、しかも
ホットプレスでなく常圧で焼結できるので、製造コスト
が下がるとともに、液相焼結中に炭化珪素の針状粒子が
成長した焼結体が得られれば、高い破壊靱性値の優れた
機械的性質をもった炭化珪素質焼結体が得られると期待
される。本発明は上記技術水準及び上記要望に応じ、炭
化珪素を液相焼結さすことができる新規な焼結助剤を用
いることにより、優れた特性をもつ炭化珪素質焼結体お
よびその製造方法を提供しようとするものである。
剤を用いることにより、炭化珪素を液相焼結させること
ができれば、従来法よりも焼結温度を低くでき、しかも
ホットプレスでなく常圧で焼結できるので、製造コスト
が下がるとともに、液相焼結中に炭化珪素の針状粒子が
成長した焼結体が得られれば、高い破壊靱性値の優れた
機械的性質をもった炭化珪素質焼結体が得られると期待
される。本発明は上記技術水準及び上記要望に応じ、炭
化珪素を液相焼結さすことができる新規な焼結助剤を用
いることにより、優れた特性をもつ炭化珪素質焼結体お
よびその製造方法を提供しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者らは種々の試験
を行った結果、炭化珪素(SiC)が酸化イッテルビウ
ム(Yb2 O3 )+酸化アルミニウム(Al2 O3 )系
の液相に溶解し、Yb−Si−Al−O−C系酸炭化物
ガラスを形成することを見いだし、Yb2 O3とAl2
O3 がSiCの新規な焼結助剤となりうることを発見
し、その知見に基づいて本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は(1)炭化珪素(SiC):60〜
97重量%に対し、酸化イッテルビウム(Yb2 O3 )
と酸化アルミニウム(Al2 O3 )を焼結助剤として3
〜40重量%含有し、かつ、Yb2 O3 に対するAl2
O3 の重量濃度比が0.2〜9であり、SiC粒子の間
隙が酸炭化物ガラスまたは酸炭化物ガラスと酸化物微結
晶で充填されていることを特徴とする炭化珪素質焼結体
及び(2)SiC:60〜97重量%に対し、Yb2 O
3 とAl2 O3 を焼結助剤として3〜40重量%含有
し、かつ、Yb2 O3 に対するAl2 O3 の重量濃度比
が0.2〜9であるSiCとYb2 O3 とAl2 O3 の
混合粉末を均一に混合した後、成型し、得られた成型体
を脱脂し、不活性ガス雰囲気中で1850〜2100℃
の温度で焼結させることを特徴とする炭化珪素質焼結体
の製造方法である。
を行った結果、炭化珪素(SiC)が酸化イッテルビウ
ム(Yb2 O3 )+酸化アルミニウム(Al2 O3 )系
の液相に溶解し、Yb−Si−Al−O−C系酸炭化物
ガラスを形成することを見いだし、Yb2 O3とAl2
O3 がSiCの新規な焼結助剤となりうることを発見
し、その知見に基づいて本発明を完成したものである。
すなわち、本発明は(1)炭化珪素(SiC):60〜
97重量%に対し、酸化イッテルビウム(Yb2 O3 )
と酸化アルミニウム(Al2 O3 )を焼結助剤として3
〜40重量%含有し、かつ、Yb2 O3 に対するAl2
O3 の重量濃度比が0.2〜9であり、SiC粒子の間
隙が酸炭化物ガラスまたは酸炭化物ガラスと酸化物微結
晶で充填されていることを特徴とする炭化珪素質焼結体
及び(2)SiC:60〜97重量%に対し、Yb2 O
3 とAl2 O3 を焼結助剤として3〜40重量%含有
し、かつ、Yb2 O3 に対するAl2 O3 の重量濃度比
が0.2〜9であるSiCとYb2 O3 とAl2 O3 の
混合粉末を均一に混合した後、成型し、得られた成型体
を脱脂し、不活性ガス雰囲気中で1850〜2100℃
の温度で焼結させることを特徴とする炭化珪素質焼結体
の製造方法である。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【0006】(1)用いる原料微粉末の平均粒径:原料
微粉末は粒径0.3〜1μmの粉末が通常供給されてい
るので、特に制限する必要はなく、市販の原料粉末を用
いることでよいが、均質で緻密な焼結体を得るためには
平均粒径約1μm以下の微細な粉末を用いることが好ま
しい。
微粉末は粒径0.3〜1μmの粉末が通常供給されてい
るので、特に制限する必要はなく、市販の原料粉末を用
いることでよいが、均質で緻密な焼結体を得るためには
平均粒径約1μm以下の微細な粉末を用いることが好ま
しい。
【0007】(2)炭化珪素の濃度を60〜97重量
%、助剤の添加量を3〜40重量%とする:Yb2 O3
+Al2 O3 の全助剤添加量が40重量%を越えて多く
なると、助剤の量が多すぎるため、焼結の際に変形が大
きく密度も上がりにくくなる。さらに、粒界にYb3 A
l5 O12等の結晶が多くなり、炭化珪素としての性質が
損なわれるので、助剤添加量をあまり多くすることは好
ましくない。助剤添加量が3重量%未満の場合、焼結性
が低下し、緻密な焼結体が得られない。緻密な焼結体を
得るためのより好ましい助剤の添加量は5〜30重量
%、より好ましい炭化珪素の濃度は70〜95重量%の
範囲である。
%、助剤の添加量を3〜40重量%とする:Yb2 O3
+Al2 O3 の全助剤添加量が40重量%を越えて多く
なると、助剤の量が多すぎるため、焼結の際に変形が大
きく密度も上がりにくくなる。さらに、粒界にYb3 A
l5 O12等の結晶が多くなり、炭化珪素としての性質が
損なわれるので、助剤添加量をあまり多くすることは好
ましくない。助剤添加量が3重量%未満の場合、焼結性
が低下し、緻密な焼結体が得られない。緻密な焼結体を
得るためのより好ましい助剤の添加量は5〜30重量
%、より好ましい炭化珪素の濃度は70〜95重量%の
範囲である。
【0008】(3)助剤中のAl2 O3 /Yb2 O3 重
量濃度比(以下Al2 O3 /Yb2 O 3 比と省略)を
0.2〜9とする:Al2 O3 /Yb2 O3 比が0.2
未満であるか、9を越える大きい場合、緻密化が起こり
にくく、常圧焼結では緻密な焼結体が得にくくなる。こ
こでAl2 O3 とYb2 O3 の共晶組成はAl2 O3 −
約50重量%Yb2 O3 であり、その共晶温度は175
0℃である。このため、Al2 O3 −Yb2 O3 系の液
相にSiCを溶解させるためには、この共晶組成近くの
組成をもつ液相を用いることが好ましい。それは組成が
共晶組成からずれると、焼結温度で液相以外にAl2 O
3 、Yb2 O3 等の結晶が共存するため、緻密化は起こ
っても、SiCの針状結晶の成長が阻害されるため、得
られた焼結体の機械的性質が改善されないという欠点が
生ずる。そこで、常圧焼結により緻密で特性の優れた焼
結体を得るためには、Al2 O3 /Yb2 O3 重量濃度
比約0.5〜2がより好ましい組成範囲である。なお、
この組成範囲の助剤を用いた場合、SiC粒子の粒界に
生成する物質はSiCが液相に溶けてできたYb−Si
−Al−O−C系酸炭化物ガラスまた該酸炭化物ガラス
とYb3 Al5 O12等の酸化物結晶である。
量濃度比(以下Al2 O3 /Yb2 O 3 比と省略)を
0.2〜9とする:Al2 O3 /Yb2 O3 比が0.2
未満であるか、9を越える大きい場合、緻密化が起こり
にくく、常圧焼結では緻密な焼結体が得にくくなる。こ
こでAl2 O3 とYb2 O3 の共晶組成はAl2 O3 −
約50重量%Yb2 O3 であり、その共晶温度は175
0℃である。このため、Al2 O3 −Yb2 O3 系の液
相にSiCを溶解させるためには、この共晶組成近くの
組成をもつ液相を用いることが好ましい。それは組成が
共晶組成からずれると、焼結温度で液相以外にAl2 O
3 、Yb2 O3 等の結晶が共存するため、緻密化は起こ
っても、SiCの針状結晶の成長が阻害されるため、得
られた焼結体の機械的性質が改善されないという欠点が
生ずる。そこで、常圧焼結により緻密で特性の優れた焼
結体を得るためには、Al2 O3 /Yb2 O3 重量濃度
比約0.5〜2がより好ましい組成範囲である。なお、
この組成範囲の助剤を用いた場合、SiC粒子の粒界に
生成する物質はSiCが液相に溶けてできたYb−Si
−Al−O−C系酸炭化物ガラスまた該酸炭化物ガラス
とYb3 Al5 O12等の酸化物結晶である。
【0009】(4)1850〜2100℃の温度で焼結
させる:1850℃未満の低い温度では緻密化が遅く、
2000℃を越える高い温度にしても密度はある値以上
には増えないので、焼結温度をそれ以上に高くしても効
果は少ない。また2100℃より高温では焼結時に重量
減少が著しく、緻密化しにくくなる。焼結温度が205
0℃よりも高くなると、僅かに重量減少が現れる傾向が
ある。そこで、より好ましい焼結温度は1900〜20
50℃である。焼結時間については、特に制限するもの
ではないが、あまり長時間かけても緻密化はある値以上
は進まず、コスト的にも不利であるので焼結時間は18
50℃では10時間程度、2100℃では1時間程度で
よい。
させる:1850℃未満の低い温度では緻密化が遅く、
2000℃を越える高い温度にしても密度はある値以上
には増えないので、焼結温度をそれ以上に高くしても効
果は少ない。また2100℃より高温では焼結時に重量
減少が著しく、緻密化しにくくなる。焼結温度が205
0℃よりも高くなると、僅かに重量減少が現れる傾向が
ある。そこで、より好ましい焼結温度は1900〜20
50℃である。焼結時間については、特に制限するもの
ではないが、あまり長時間かけても緻密化はある値以上
は進まず、コスト的にも不利であるので焼結時間は18
50℃では10時間程度、2100℃では1時間程度で
よい。
【0010】(5)焼結雰囲気:焼結雰囲気は高温でS
iCが分解し、OやN原子と反応を起こすのを防ぐた
め、OやN原子を含まない不活性ガス、例えば高純度A
rガスを用いる必要がある。
iCが分解し、OやN原子と反応を起こすのを防ぐた
め、OやN原子を含まない不活性ガス、例えば高純度A
rガスを用いる必要がある。
【0011】
【実施例】試験に用いた原料粉末は平均粒径約0.3μ
mのSiC、約1μmのAl2 O 3 、Yb2 O3 であ
る。これらの粉末100重量部に対し、分散剤としてポ
リエチレンアミンを3重量部、溶媒としてエタノールを
50重量部添加し、ジルコニアボールミルで均一に混合
した後、乾燥し、直径:60mm、厚さ:7mmの円盤
状に成型し、4t/cm2 の静水圧で加圧して成型体を
作製した。この成型体を真空中500℃・1時間脱脂し
た後、下記表1の条件で焼結させて焼結体を作製した。
mのSiC、約1μmのAl2 O 3 、Yb2 O3 であ
る。これらの粉末100重量部に対し、分散剤としてポ
リエチレンアミンを3重量部、溶媒としてエタノールを
50重量部添加し、ジルコニアボールミルで均一に混合
した後、乾燥し、直径:60mm、厚さ:7mmの円盤
状に成型し、4t/cm2 の静水圧で加圧して成型体を
作製した。この成型体を真空中500℃・1時間脱脂し
た後、下記表1の条件で焼結させて焼結体を作製した。
【0012】(例1)SiCにAl2 O3 /Yb2 O3
比=1の助剤を20重量部添加した成型体を、アルゴン
ガス雰囲気中で種々の焼結条件下で焼結させて得られた
焼結体の相対密度(理論密度を100とした時の値)を
表1に示す。この結果、焼結温度が1850℃よりも低
い場合は緻密化が遅く、2000℃よりも高くしても密
度はそんなに上昇しないことがわかった。なお、焼結温
度が2050℃よりも高い場合、焼結時に僅かに重量減
少が現れ、高温でSiCが分解蒸発する傾向があるもの
と考えられるので、好ましくは1900〜2050℃の
温度で焼結させることが良い。
比=1の助剤を20重量部添加した成型体を、アルゴン
ガス雰囲気中で種々の焼結条件下で焼結させて得られた
焼結体の相対密度(理論密度を100とした時の値)を
表1に示す。この結果、焼結温度が1850℃よりも低
い場合は緻密化が遅く、2000℃よりも高くしても密
度はそんなに上昇しないことがわかった。なお、焼結温
度が2050℃よりも高い場合、焼結時に僅かに重量減
少が現れ、高温でSiCが分解蒸発する傾向があるもの
と考えられるので、好ましくは1900〜2050℃の
温度で焼結させることが良い。
【0013】
【表1】
【0014】(例2)焼結条件を2000℃・4時間と
一定にし、種々の助剤組成のSiC焼結体を作製した結
果を表2に示す。Al2 O3 /Yb2 O3 比=0.2〜
9の範囲外および助剤添加量が3重量%より小さい領域
では、緻密化速度が小さいことがわかる。2000℃で
焼結させたSiC焼結体(試料番号20)の組織を観察
した結果、針状のSiC粒子が成長していることが認め
られ、粒界にはYb−Si−Al−O−C系酸炭化物ガ
ラスとYb3 Al5 O12の酸化物結晶が僅かに存在する
ことが確認された。得られた焼結体の破壊靱性値を測定
したところ、約6MPam 0.5 であり、BとCを助剤と
する従来のSiC焼結体の値(約3MPam0.5 )と比
較して大きく、高靱性な焼結体が得られることがわかっ
た。
一定にし、種々の助剤組成のSiC焼結体を作製した結
果を表2に示す。Al2 O3 /Yb2 O3 比=0.2〜
9の範囲外および助剤添加量が3重量%より小さい領域
では、緻密化速度が小さいことがわかる。2000℃で
焼結させたSiC焼結体(試料番号20)の組織を観察
した結果、針状のSiC粒子が成長していることが認め
られ、粒界にはYb−Si−Al−O−C系酸炭化物ガ
ラスとYb3 Al5 O12の酸化物結晶が僅かに存在する
ことが確認された。得られた焼結体の破壊靱性値を測定
したところ、約6MPam 0.5 であり、BとCを助剤と
する従来のSiC焼結体の値(約3MPam0.5 )と比
較して大きく、高靱性な焼結体が得られることがわかっ
た。
【0015】
【表2】
【0016】本発明の助剤を用いることにより、従来の
方法よりもより低い焼結温度で、高靱性で機械的性質に
優れたSiC焼結体が提供できることが明らかになっ
た。
方法よりもより低い焼結温度で、高靱性で機械的性質に
優れたSiC焼結体が提供できることが明らかになっ
た。
【0017】
【発明の効果】本発明により酸化アルミニウムと酸化イ
ッテルビウムを新しい焼結助剤として採用することによ
り、従来の反応焼結SiCよりも低い焼結温度で、安価
で耐熱性・耐磨耗性・機械的性質に優れた炭化珪素焼結
体を提供することができ、産業上の利用価値が大きい。
ッテルビウムを新しい焼結助剤として採用することによ
り、従来の反応焼結SiCよりも低い焼結温度で、安価
で耐熱性・耐磨耗性・機械的性質に優れた炭化珪素焼結
体を提供することができ、産業上の利用価値が大きい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 博一 神奈川県横浜市金沢区幸浦一丁目8番地1 三菱重工業株式会社基盤技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項1】 炭化珪素:60〜97重量%に対し、酸
化イッテルビウムと酸化アルミニウムを焼結助剤として
3〜40重量%含有し、かつ、酸化イッテルビウムに対
する酸化アルミニウムの重量濃度比が0.2〜9であ
り、炭化珪素粒子の間隙が酸炭化物ガラスまたは酸炭化
物ガラスと酸化物微結晶で充填されていることを特徴と
する炭化珪素質焼結体。 - 【請求項2】 炭化珪素:60〜97重量%に対し、酸
化イッテルビウムと酸化アルミニウムを焼結助剤として
3〜40重量%含有し、かつ、酸化イッテルビウムに対
する酸化アルミニウムの重量濃度比が0.2〜9である
炭化珪素と酸化イッテルビウムと酸化アルミニウムの混
合粉末を均一に混合した後、成型し、得られた成型体を
脱脂し、不活性ガス雰囲気中で1850〜2100℃の
温度で焼結させることを特徴とする炭化珪素質焼結体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7208669A JPH0952768A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7208669A JPH0952768A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0952768A true JPH0952768A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16560101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7208669A Withdrawn JPH0952768A (ja) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0952768A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395685B1 (ko) * | 2000-09-05 | 2003-08-25 | 김영욱 | 고온강도가 향상된 탄화규소 소재 및 그의 제조방법 |
| JP2013535398A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | ボールを使用した炭化珪素焼結体の製造方法 |
-
1995
- 1995-08-16 JP JP7208669A patent/JPH0952768A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100395685B1 (ko) * | 2000-09-05 | 2003-08-25 | 김영욱 | 고온강도가 향상된 탄화규소 소재 및 그의 제조방법 |
| JP2013535398A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | ボールを使用した炭化珪素焼結体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4744704B2 (ja) | 耐摩耗性部材の製造方法 | |
| EP1892227B1 (en) | Process for producing a boron carbide based sintered body | |
| WO1992022516A1 (en) | High toughness-high strength sintered silicon nitride | |
| JP2829229B2 (ja) | 窒化ケイ素系セラミックス焼結体 | |
| JP2507479B2 (ja) | SiC−Al▲下2▼O▲下3▼複合焼結体及びその製造法 | |
| JP3145470B2 (ja) | 炭化タングステン−アルミナ質焼結体およびその製法 | |
| JP2690571B2 (ja) | ジルコニア系切削工具とその製造法 | |
| JP3426823B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
| JP3297740B2 (ja) | 炭化けい素粉末の低温焼結方法 | |
| JP2519076B2 (ja) | 炭化珪素ウィスカ―強化セラミックスの製造方法 | |
| JP3137405B2 (ja) | 窒化珪素基セラミックスの製造法 | |
| JP2673523B2 (ja) | 切削工具用アルミナ質焼結体及びその製法 | |
| JP2699104B2 (ja) | A1▲下2▼O▲下3▼‐TiC系セラミック材料 | |
| JPH1017365A (ja) | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
| JP2931917B2 (ja) | セラミックス焼結体の製造方法 | |
| JP2944787B2 (ja) | SiC系酸化物焼結体およびその製造方法 | |
| JP2997320B2 (ja) | 繊維強化セラミックス | |
| JP2840688B2 (ja) | 酸化アルミニウム質焼結体の製法 | |
| JPH01239068A (ja) | 硼化チタン系焼結体及びその製造方法 | |
| JPH04231378A (ja) | 窒化チタン・ジルコニアセラミックの製造方法 | |
| JP3035163B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体とその製造方法 | |
| JP2613402B2 (ja) | 炭化珪素ウィスカー強化窒化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
| JP2694354B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体 | |
| JPH082961A (ja) | 金属粒子分散酸化アルミニウム基焼結体及びその製造方法 | |
| JP2742620B2 (ja) | 硼化物―酸化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |