JPH0952895A - 新規アミノフェニルホスホン酸化合物、その製造方法、及びそれを含有する医薬組成物 - Google Patents

新規アミノフェニルホスホン酸化合物、その製造方法、及びそれを含有する医薬組成物

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JPH0952895A
JPH0952895A JP8187255A JP18725596A JPH0952895A JP H0952895 A JPH0952895 A JP H0952895A JP 8187255 A JP8187255 A JP 8187255A JP 18725596 A JP18725596 A JP 18725596A JP H0952895 A JPH0952895 A JP H0952895A
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アレックス・コルディ
Patrice Desos
パトリス・デゾ
Angela D Morris
アンジェラ・デー・モリス
Ghanem Atassi
ガーナム・アタシィ
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ADIR SARL
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 糖尿病性網膜症、慢性関節リウマチ、血管
腫、固形腫瘍などにおける異常な脈管形成の阻害に有用
であって、より有効、より特異的であって、より毒性の
低い脈管形成阻害化合物を提供する。 【解決手段】 式(I): 具体的には、例えば で示される化合物、その製造方法、及びそれを含有する
医薬組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規アミノフェニ
ルホスホン酸化合物、その製造方法、及びそれを含有す
る、脈管形成が関与する疾患における脈管形成阻害剤と
して有用な医薬組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】脈管形成(又は新生血管形成)は、新規
毛細血管の成長及び発達と定義されている。脈管形成の
過程は、胎児の発達、創傷の正常な治癒、及び月経後の
子宮内膜の発達など多くの生理学的状態において必須で
ある。このような状況以外では、正常成人における脈管
形成は稀であり、数年にわたって細胞更新の回数を測定
したところ、血管壁を形成する内皮細胞の有糸分裂は、
非常に緩徐である。
【0003】異常な脈管形成(つまり、病的な症候群に
よる新規血管の成長の刺激である)は、多くの疾患、特
に糖尿病性網膜症、慢性関節リウマチ、血管腫、固形腫
瘍の成長、及び転移においては、確立された特性であ
る。
【0004】腫瘍学の分野においては、固形腫瘍の成長
は、新規血管の定常的な発達に完全に依存しており、あ
る種のガンの転移においては、原発腫瘍の大きさと相関
していることが認められている(J. Fokman, New Engl.
Med., 285 (1974), 1182-1185)。
【0005】したがって、脈管形成阻害剤を用いた薬物
療法は、原発腫瘍の成長を停止させ、転移を予防又は減
少させ、第二の腫瘍の発現を予防すると考えられる。こ
のような脈管形成阻害剤は、脈管形成活性が明らかであ
る上記のような非新生物性疾患の治療にも有用である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような治療法が必
要とされているため、より有効であり、より特異的であ
って、より毒性の低い有効物質を得るために、新規脈管
形成阻害化合物を開発することが求められてきた。
【0007】脈管形成阻害剤のうち、スラミンは、良く
知られている化合物である。更に、ある種のスラミン誘
導体が、文献中で検討されており、特にK.D. Jentsch e
t al. (J. Gen. Virol., 68, 2183-2192, 1987) 、又は
WO 90/15816号記載の化合物がこれに該当す
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明化合物は、これら
が新規化合物であることに加えて、先行技術に記載され
るスラミン及びその誘導体と比較して、著しい細胞毒性
を示さずに、特に強力な活性を有するという利点を有す
る。更に、これらの化合物は、HIVの増殖周期に対し
ても活性を有する。
【0009】本発明は、より詳細には、式(I):
【0010】
【化10】
【0011】〔式中、R1 及びR2 は、同一又は異なっ
て、水素もしくはハロゲン原子、直鎖もしくは分岐鎖状
の(C1 −C6)アルキル基、直鎖もしくは分岐鎖状の
(C1 −C6)アルコキシ基、ニトロ基、又はトリハロメ
チル基を示し;Xは、CO、SO2 又はCH2 を示し;
1 は、0〜6個の二重結合を有する直鎖もしくは分岐
鎖状の(C1 −C20)アルキレン鎖を示し、ここで本ア
ルキレン鎖の1個以上の−CH2 −基は、場合により以
下の基:置換もしくは非置換フェニレン、置換もしくは
非置換ナフチレン、置換もしくは非置換アントラセニレ
ン、(C3 −C7)シクロアルキレン、
【0012】
【化11】
【0013】(式中、A3 は、−(CH2)m −(ここ
で、mは、0、1又は2である)、−(CH=CH)−
又はSO2 を示す)、
【0014】
【化12】
【0015】(式中、Zは、O、S又はNR5 (ここ
で、R5 は、水素原子又は直鎖もしくは分岐鎖状の(C
1 −C6)アルキル基を示す)を示す)、
【0016】
【化13】
【0017】(式中、q及びq′は、同一又は異なっ
て、0、1又は2である)、又は
【0018】
【化14】
【0019】(式中、Zは、上記で定義したとおりであ
る)のいずれかによって置換されており;A2 は、−
(CH2)n −(ここで、nは、0、1、2又は3であ
る)又は−CH=CH−を示し;そしてR3 及びR4
は、同一又は異なって、水素原子又は直鎖もしくは分岐
鎖状の(C1 −C6)アルキル基を示す〕で示される化合
物、その立体異性体、又は薬学的に許容しうる酸もしく
は塩基とのその付加塩に関する。
【0020】立体異性体は、幾何異性体、鏡像異性体、
ジアステレオ異性体、エピマー及び配座異性体を意味す
る。また、薬学的に許容しうる酸としては、塩酸、臭化
水素酸、硫酸、ホスホン酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、
乳酸、ピルビン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、
フマル酸、酒石酸、マレイン酸、クエン酸、アスコルビ
ン酸、メタンスルホン酸、ショウノウ酸などが挙げられ
るが、これらに限定されるわけではない。
【0021】薬学的に許容しうる塩基としては、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、トリエチルアミン、tert
−ブチルアミンなどが挙げられるが、これらに限定され
るわけではない。
【0022】置換もしくは非置換フェニレン基、置換も
しくは非置換ナフチレン基、又は置換もしくは非置換ア
ントラセニレン基は、場合により、ハロゲン原子、ある
いは直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C6)アルキル、直
鎖もしくは分岐鎖状の(C1−C6)トリハロアルキル、
直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C6)アルコキシ、ヒド
ロキシル、ニトロ、シアノ、又はアミノ(場合により、
一つ以上の直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C6)アルキ
ル基により置換されている)基の一つ以上により置換さ
れていることを意味すると理解される。
【0023】本発明は、また式(I)の化合物の製造方
法であって、式(II):
【0024】
【化15】
【0025】(式中、R1 、R2 及びA2 は、式(I)
で定義したとおりであり、そしてR′3 及びR′4 は、
同一又は異なって、直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C
4)アルキル基を示す)で示されるアミンを出発原料とし
て、塩基性媒質中、式(III):Hal−X−A1 −X−
Hal(式中、Halは、ハロゲン原子を示し、X及び
1 は、式(I)で定義したとおりである)で示される
ハロゲン化物1/2当量と反応させて、式(I)の化合
物の特定の化合物である式(I/a):
【0026】
【化16】
【0027】(式中、R1 、R2 、R′3 、R′4
X、A1 及びA2 は、上記で定義したとおりである)で
示されるジエステルを得、所望であれば、これを酸性媒
質中、式(I)の化合物の特定の化合物である対応する
モノエステルに変換するか、又は臭化トリメチルシリル
の存在下、式(I)の化合物の特定の化合物である対応
するホスホン酸に変換し、このジエステル、モノエステ
ル又はホスホン酸を、適当であれば、標準的な精製法に
より精製し、適当であれば、標準的な分離法によりその
エナンチオマー又はジアステレオマーに分離し、所望で
あれば、薬学的に許容しうる酸もしくは塩基とのその付
加塩に変換することからなる方法にも及ぶ。
【0028】式(II)の化合物は、式(V):
【0029】
【化17】
【0030】(式中、R1 及びR2 は、式(I)で定義
したとおりである)で示されるアミンを、塩基性媒質
中、臭化ベンジルなどの保護基を用いて保護して、式
(VI):
【0031】
【化18】
【0032】(式中、R1 及びR2 は、式(I)で定義
したとおりであり、Pは、保護基を示す)で示される化
合物を得、これを触媒の存在下、ホスホン酸ジアルキル
と反応させて、式(VII):
【0033】
【化19】
【0034】(式中、R1 、R2 及びPは、式(VI)で
定義したとおりであり、R′3 及びR′4 は、同一又は
異なって、直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C4)アルキ
ル基を示す)の化合物を得、そのアミン官能基の保護基
を除去して、対応する式(II)の化合物を得ることによ
って得られる。
【0035】式(I)の化合物の置換基R1 及びR2
は、適宜置換された式(II)の化合物を出発物質として
用いるか又は、芳香族環を置換するための標準的方法に
より、合成の終了時に選択した置換基を導入することに
よって得られる。
【0036】A1 又はA2 に二重結合を有する式(I)
の化合物は、適当であれば、還元反応に付して、式
(I)の対応する水素化化合物としてもよい。
【0037】本発明の主題は、また、式(I)の化合物
の少なくとも一つを有効成分として、単独で、又は薬学
的に許容しうる無毒、不活性な一つ以上の賦形剤もしく
は担体と組み合わせて含有する医薬組成物である。
【0038】本発明の医薬組成物としては、特に経口、
非経口又は鼻腔内投与に適したもの、中でも裸錠、糖衣
錠、舌下錠、カプセル、トローチ、座剤、クリーム剤、
軟膏、皮膚用ゲルなどが挙げられる。
【0039】有効な投与量は、患者の年齢及び体重、疾
患の特性及び重症度、ならびに投与経路によって異な
る。投与経路としては、経口、鼻腔内、局所、直腸内、
非経口投与が挙げられる。一般的には、治療のために
は、1mg〜1,000mgを、24時間当たり1〜3回に
分けて投与する。
【0040】
【実施例】以下に示す実施例は、本発明を説明するもの
であり、本発明を制限するものではない。以下に記載す
る調製例は、本発明化合物の調製に有用である合成中間
体を得るためのものである。本発明化合物の構造は、標
準的な分光分析法(核磁気共鳴、赤外分光法、質量分析
法など)によって確認した。
【0041】調製例1:4−アミノフェニルホスホン酸
ジエチルエステル 工程A:4−ブロモフェニルジベンジルアミン アセトニトリル(500ml)にp−ブロモアニリン(5
0g、0.290mol)を含む溶液に、ピリジン(56.
3ml、0.698mol)を5℃で加え、臭化ベンジル(8
4ml、0.698mol)を滴下して加えた。混合物を室温
で一夜撹拌し、次に還流下で1時間撹拌した。アセトニ
トリルを留去し、残渣をジクロロメタンに取った。有機
相を1N HCl、次に飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸
ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去して、モノ−及びジベ
ンジル化生成物の混合物(50:50)(68.5g)
を得た。混合物を、シリカクロマトグラフィー(シクロ
ヘキサン/酢酸エチル、70:30)で分離し、目的生
成物を得た。 融点:123℃。
【0042】工程B:4−ジベンジルアミノフェニルホ
スホン酸ジエチルエステル THF50ml及びDMF10mlに、工程A記載の化合物
27g、ホスホン酸ジエチル23ml(178mmol)、ト
リエチルアミン25ml(179mmol)及びテトラキスト
リフェニルホスフィンPd(0)3.5g(約3.5mo
l %)を含む溶液を、窒素流下、還流するまで加熱し
た。1時間の還流後、テトラキストリフェニルホスフィ
ンPd(0)1.6gを更に加え、8時間還流を続け
た。更にTHF 10ml、トリエチルアミン10ml、及
びテトラキストリフェニルホスフィンPd(0)1.5
gを加えた。還流下、24時間、加熱を続けた。反応混
合物から、黄色の沈殿(触媒)を濾去し、濾液を濃縮
し、残渣を酢酸エチルに取った。有機相を1N HCl、
次に飽和NaCl溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥した。粗反応生成物(38g)を、溶離液として5
0:50シクロヘキサン/酢酸エチル混合物及び100
%酢酸エチルを用いたシリカクロマトグラフィーに付し
て、目的生成物を得た。
【0043】工程C:4−アミノフェニルホスホン酸ジ
エチルエステル 上記の工程B記載の化合物(10g)をエタノール40
0mlに溶解し、パール(Parr)容器中、3バールで、湿
潤10%Pd/C 2gの存在下、60℃まで24時間
加熱しながら水素化を行った。触媒を濾去し、濾液を蒸
発乾固させて、純粋な4−アミノフェニルホスホン酸ジ
エチルエステル7gを得た。 融点:112〜116℃
【0044】調製例2:3−アミノフェニルホスホン酸
ジエチルエステル 出発原料として3−ブロモアニリンを用い、調製例1に
記載の方法により、目的生成物を得た。
【0045】調製例3:3−アミノフェニル−1,5−
ジホスホン酸ジエチルエステル 出発原料としてJ. Org. Chem. 24, 595-598, 1959 記載
の3,5−ジブロモアニリンを用い、調製例1に記載の
方法により、目的生成物を得た。
【0046】二酸塩化物の調製 対応するジカルボン酸から、塩化チオニルによる処理に
よって、二酸塩化物を調製した。ジカルボン酸は、標準
的な市販化合物であるか、又は以下の調製例に記載の方
法で得たものである。
【0047】調製例4:N−エチルカルバゾール−3,
6−ジカルボン酸 米国特許4,599,399号記載の方法により、N−
エチルカルバゾール−3,6−ジカルボン酸を調製し
た。
【0048】調製例5:N−エチルカルバゾール−3,
6−ジアクリル酸 工程A:3,6−ジホルミル−N−エチルカルバゾール 0℃に冷却した無水THF 160mlにN−エチルカル
バゾール−3,6−ジカルボン酸(5.7g、20.1
2mmol)を含む懸濁液に、LiAlH4 (2.15g、
56.3mmol)を少量づつ加えた。懸濁液を室温で1時
間30分間、次に還流下1時間撹拌した。0℃に冷却
後、過剰の水素化物を、少量の水で加水分解し、塩を濾
去した。濾液を蒸発乾固させ、真空下、乾燥して、黄色
の固体を得た。この固体を、活性二酸化マンガン(4
g、15.16mmol)の存在下、ジクロロメタンに懸濁
し、混合物を、室温で一夜撹拌した。活性二酸化マンガ
ン4gを加え、混合物を更に24時間撹拌した。懸濁液
を濾過し、濾液を真空下で蒸発させて、目的生成物を得
た。 融点:170〜174℃
【0049】工程B:N−エチルカルバゾール−3,6
−ジアクリル酸ジメチルエステル メタノール30mlに前の工程で得た化合物(1.55
g、6.17mmol)を含む懸濁液に、5.25M ナトリ
ウムメトキシド(2.47ml、13mmol)を加え、次に
トリメチルホスホノアセテート(2.0ml、12.35
mmol)を滴下して加えた。この懸濁液を、室温で1時間
撹拌した。溶媒を真空下留去し、残渣を水に取った。生
成した白色沈殿を濾去し、少量の水と、次にアセトニト
リルですすぎ、真空下乾燥して、目的生成物を得た。 融点:164〜168℃
【0050】工程C:N−エチルカルバゾール−3,6
−ジアクリル酸 前の工程で得たジエステルを、1N NaOH30ml中、
100℃で3時間加熱した。混合物を室温に戻し、不溶
性の物質を濾去した。濾液を、3N HClで酸性化し、
沈殿を濾去した。 融点:290〜300℃
【0051】調製例6:9,10−ジヒドロアントラセ
ン−2,6−ジカルボン酸 ジクロロメタン50mlに塩化オキサリル(6.07ml、
69.3mmol)を含む溶液、及びジクロロメタン50ml
に9,10−ジヒドロアントラセンを含む溶液を、−1
0℃に冷却したジクロロメタン50mlに塩化アルミニウ
ム(9.24g、69.3mmol)を含む懸濁液に、滴下
して加えた。懸濁液を、−10℃で4時間撹拌した。1
N HClを滴下して加えることによって、過剰の塩化ア
ルミニウムを加水分解し、有機相を速やかに水、次に飽
和NaCl溶液で洗浄し、MgSO4 で乾燥した。蒸発
乾固後、残渣を塩化チオニル(50ml)に取った。溶液
を還流下一夜撹拌した。蒸発乾固後、残渣を無水メタノ
ール100mlに取った。溶液を、還流下一夜撹拌し、次
に50mlまで濃縮した。沈殿を濾去して、9,10−ジ
ヒドロアントラセン−2,6−ジカルボン酸ジメチルエ
ステル及びその3,6位の異性体を得た。本混合物を、
1N NaOH25ml中、60℃でけん化した。1N HC
lを加えることによって酸性化した後、沈殿を濾去し
て、目的生成物を得た。
【0052】調製例7:ベンゼン−1,4−ジアクリル
酸 工程A:ベンゼン−1,4−ジアクリル酸ジメチルエス
テル メタノール75ml及び5.25M ナトリウムメトキシド
(141mmol)27mlにテレフタルアルデヒド(9.0
g、67.1mmol)を含む溶液に、トリメチルホスホノ
アセテート(22ml、135mmol)を滴下して加えた。
緩やかに暖めて、沈殿を生じさせた。懸濁液を、室温で
1時間撹拌した。溶媒を、真空下留去し、残渣を水に取
った。白色の沈殿を濾去し、少量の水、次にエーテルで
すすぎ、真空下乾燥して、目的生成物を得た。 融点:163〜167℃
【0053】工程B:ベンゼン−1,4−ジアクリル酸 1N NaOH 200mlに上記のエステル(7.0g、
28.4mmol)を含む懸濁液を、還流下、一夜撹拌し
た。室温に冷却後、反応混合物を、6N HClで酸性化
し、白色沈殿を濾去して、目的生成物を得た。 融点:>300℃
【0054】調製例8:ベンゼン−1,3−ジアクリル
酸 Chem. Ber., 92, 2532-2542, 1959 に記載の方法によ
り、目的生成物を得た。
【0055】調製例9:ジフェニルメタン−4,4′−
ジアクリル酸 4,4′−ジホルミルジフェニルメタンを用い、調製例
7記載の方法により、目的生成物を得た。
【0056】調製例10:ジフェニルメタン−3,3′
−ジカルボン酸 Chem. Ber., 27, 2321-2326, 1894 に記載の方法によ
り、目的生成物を得た。
【0057】調製例11:ジベンゾスベラン−3,7−
ジアクリル酸 調製例6記載の方法により、フリーデル−クラフツ反応
を行い、次に調製例5記載の方法による同族体化反応に
よって、ジベンゾスベランから本化合物を調製した。
【0058】調製例12:シクロヘキサン−1,4−t
rans−ジプロピオン酸 工程A:trans−1,4−ジホルミルシクロヘキサ
ン ジクロロメタン300mlにtrans−1,4−ビス
(ヒドロキシメチル)シクロヘキサン(13.8g、9
6mmol)を含む懸濁液に、クロロクロム酸ピリジニウム
(41.2g、191mmol)を少量づつ加えた。室温で
1時間30分間撹拌した後、クロロクロム酸ピリジニウ
ム4gを更に加え、15分間撹拌を続けた。反応混合物
をセライトを用いて濾過し、濾液にシリカを通過させ
た。溶媒の留去後、油状物を得、更に精製せずにこれを
工程Bに使用した。
【0059】工程B:シクロヘキサン−1,4−tra
ns−ジプロピオン酸 調製例7の工程Aによりウィッティッヒ反応を行い、次
に接触水素化、及び調製例7工程Bに記載のけん化を行
った。 融点:228〜232℃
【0060】調製例13:フラン−2,5−ジアクリル
酸 調製例12に記載の方法により、2,5−フランジメタ
ノールより本化合物を調製した。 融点:292〜296℃
【0061】調製例14:チオフェン−2,5−ジアク
リル酸 調製例5記載の方法により、チオフェン−2,5−ジカ
ルボン酸から本化合物を調製した。 融点:>300℃
【0062】調製例15:ナフタレン−2,6−ジアク
リル酸 調製例5記載の方法により、ナフタレン−2,6−ジカ
ルボン酸から本化合物を調製した。 融点:>260℃
【0063】調製例16:フルオレン−2,7−ジアク
リル酸 調製例6記載の方法により、フリーデル−クラフツ反応
を行い、次に調製例5記載の方法により、同族化反応を
行って、フルオレンから本化合物を調製した。 融点:>300℃
【0064】調製例17:ナフタレン−1,4−ジアク
リル酸(17:23 cis/trans混合物) 調製例5記載の方法により、ナフタレン−1,4−ジカ
ルボン酸より本化合物を調製した。ナフタレン−1,4
−ジアクリル酸は、cis/trans(17:23)
の混合物の形で得た。
【0065】調製例18:シクロヘキサン−1,4−t
rans−ジアクリル酸 接触水素化以外は、調製例12の方法により本化合物を
調製した。 融点:299〜303℃
【0066】調製例19:4−アミノスチリルホスホン
酸ジエチルエステル
【0067】工程A:4−ニトロスチリルホスホン酸ジ
エチルエステル メタノール200mlに4−ニトロベンズアルデヒド(1
0g、66.2mmol)を含む溶液に、ナトリウムエトキ
シド(4.95g、72.8mmol)を加え、テトラエチ
ルメチレンジホスホネート(21g、72.8mmol)を
滴下して加えた。室温で2時間撹拌後、ナトリウムエト
キシド0.43g及びテトラエチルメチレンジホスホネ
ート2gを更に加えた。室温で15分間撹拌後、真空
下、エタノールを留去し、残渣を、水/酢酸エチル混合
物に二相分配した。有機相を水で洗浄し、次に乾燥(M
gSO4)し、真空下、溶媒を蒸発させて、目的生成物を
得た。 融点:95〜98℃
【0068】工程B:4−アミノスチリルホスホン酸ジ
エチルエステル 4−ニトロスチリルホスホン酸ジエチルエステル(3.
0g、10.5mmol)、鉄粉(5.58g、100mmo
l)及び塩化アンモニウム(5.58g、104mmol)
を含む懸濁液を、還流するまで45分間加熱した。反応
混合物を、セライトを用いて濾過した。濾液を真空下濃
縮し、水/ジクロロメタン混合物に二相分配した。有機
相を水で洗浄し、乾燥(MgSO4)し、真空下、溶媒を
蒸発させて、目的生成物を得、これを徐々に結晶化させ
た。 融点:81℃
【0069】調製例20:ベンゼン−1,4−ジ(1,
3−trans−trans−ブタジエニレン)ジカル
ボン酸
【0070】工程A:ベンゼン−1,4−ジ(1,3−
trans−trans−ブタジエニレン)ジカルボン
酸ジエチルエステル THF 10mlにトリエチル4−ホスホノクロトネート
(4.3ml、19.4mmol)を含む溶液に、2M ブチル
リチウムのペンタン溶液8.2ml(16.4mmol)を−
70℃で加えた。混合物を、−70℃で15分間撹拌
し、THF 15mlに溶解したテレフタルアルデヒド1
g(7.46mmol)を滴下して加えた。約3時間かけ
て、混合物を室温に戻し、飽和NaCl水溶液75mlを
加えた(当初は、滴下して加えた)。反応混合物を、酢
酸エチルで抽出し、有機相を合わせ、飽和NaCl溶液
で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。真空下での留
去後、橙色の固体として、目的生成物を得た。 融点:129〜135℃
【0071】工程B:ベンゼン−1,4−ジ(1,3−
trans−trans−ブタジエニレン)ジカルボン
酸 融点:>300℃
【0072】調製例21:〔2−(4−アミノフェニ
ル)エチル〕ホスホン酸ジエチルエステル 4−ニトロスチリルホスホン酸ジエチルエステル(調製
例19の工程A)の接触水素化により、目的化合物を得
た。 融点:油状物
【0073】調製例22:アントラセン−9,10−ジ
アクリル酸 ウィッティッヒ反応(調製例7に記載の条件)により、
9,10−アントラセンジアルデヒド(K.C. Murdock e
t al., J. Med. Chem., 1982, 25, 505-519 に記載)か
ら目的生成物を調製した。 融点 :>260℃
【0074】調製例23:2−アミノフェニルホスホン
酸ジエチルエステル 2−ブロモアニリンを出発原料として用い、調製例1に
記載の方法により、目的生成物を得た。
【0075】実施例1:4,4′−〔1,8−オクタン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸)4ナトリウム塩
【0076】
【化20】
【0077】工程A:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル アセトニトリル(15mmol)に調製例1記載の化合物
(1.87g、8.16mmol)を含む溶液に、ピリジン
(0.988ml、12.24mmol)を加え、アセトニト
リル(5ml)に塩化セバコイル(1.12ml、5.23
mmol)を含む溶液を加えた。混合物を室温で一夜撹拌し
た。生じた白色沈殿を濾取し、少量のアセトニトリルで
すすぎ、真空下で乾燥した。 融点:172℃
【0078】工程B:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) ブロモトリメチルシラン(15ml)及びアセトニトリル
(5ml)の混合物に、工程Aで得たエステル(2.0
g、3.2mmol)を含む溶液を、還流下2時間撹拌し
た。真空下で溶媒を留去後、残渣をメタノール中で撹拌
した。生じた沈殿を濾取して、目的の酸を得た。 融点:>260℃
【0079】工程C:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)4ナトリウム塩 工程Bで得た酸(1.60g、3.12mmol)を、1N
NaOH 12.49mlに溶解し、溶液を凍結乾燥し
た。 融点:>300℃
【0080】以下の実施例に記載する化合物は、実施例
1に記載の方法により、対応する出発物質から得た。
【0081】実施例2:4,4′−〔1,6−ヘキサン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸) 出発物質:塩化スベロイル及び調製例1に記載の化合物
【0082】工程A:4,4′−〔1,6−ヘキサンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:179℃
【0083】工程B:4,4′−〔1,6−ヘキサンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 融点:>250℃
【0084】実施例3:4,4′−〔1,7−ヘプタン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:塩化アゼラオイル及び調製例1記載の化合物
【0085】工程A:4,4′−〔1,7−ヘプタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:121℃
【0086】工程B:4,4′−〔1,7−ヘプタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 融点:>250℃
【0087】工程C:4,4′−〔1,7−ヘプタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0088】実施例4:4,4′−〔1,9−ノナンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 出発物質:1,11−ウンデカン二酸塩化物及び調製例
1記載の化合物
【0089】工程A:4,4′−〔1,9−ノナンジイ
ルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン
酸)ジエチルエステル 工程B:4,4′−〔1,9−ノナンジイルビス(カル
ボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>250℃
【0090】実施例5:4,4′−〔1,10−デカン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:1,12−ドデカン二酸塩化物及び調製例1
記載の化合物
【0091】工程A:4,4′−〔1,10−デカンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:137℃ 工程B:4,4′−〔1,10−デカンジイルビス(カ
ルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>260℃工程C:4,4′−〔1,10−デカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)4ナトリウム塩 融点:>260℃
【0092】実施例6:4,4−〔1,11−ウンデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:1,13−トリデカン二酸塩化物及び調製例
1記載の化合物
【0093】工程A:4,4′−〔1,11−ウンデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)ジエチルエステル 工程B:4,4′−〔1,11−ウンデカンジイルビス
(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>250℃
【0094】実施例7:4,4′−〔1,12−ドデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:1,14−テトラデカン二酸塩化物及び調製
例1記載の化合物
【0095】工程A:4,4′−〔1,12−ドデカン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸)ジエチルエステル 融点:128℃
【0096】工程B:4,4′−〔1,12−ドデカン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸) 融点:>250℃
【0097】実施例8:4,4′−〔1,13−トリデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸) 出発物質:1,15−ペンタデカン二酸塩化物及び調製
例1記載の化合物
【0098】工程A:4,4′−〔1,13−トリデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)ジエチルエステル 工程B:4,4′−〔1,13−トリデカンジイルビス
(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>250℃
【0099】実施例9:4,4′−〔1,14−テトラ
デカンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニ
ルホスホン酸) 出発物質:1,16−ヘキサデカン二酸塩化物及び調製
例1記載の化合物
【0100】工程A:4,4′−〔1,14−テトラデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸)ジエチルエステル 融点:130℃
【0101】工程B:4,4′−〔1,14−テトラデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸) 融点:>250℃
【0102】実施例10:4,4′−〔1,3−フェニ
ルジイルビス(アセトアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ベンゼン−1,3−二酢酸塩化物及び調製例
1記載の化合物 工程A:4,4′−〔1,3−フェニルジイルビス(ア
セトアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエ
ステル 融点:162℃
【0103】工程B:4,4′−〔1,3−フェニルジ
イルビス(アセトアミノ)〕ビス(フェニルホスホン
酸) 融点:>250℃
【0104】工程C:4,4′−〔1,3−フェニルジ
イルビス(アセトアミノ)〕ビス(フェニルホスホン
酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0105】実施例11:4,4′−〔4,4′−ジフ
ェニルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ジフェニルメタン−4,4′−ジカルボン酸
塩化物及び調製例1記載の化合物
【0106】工程A:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:242〜243℃
【0107】工程B:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 融点:>250℃
【0108】工程C:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0109】実施例12:4,4′−〔4,4′−ビフ
ェニルジイルビス(スルホニルアミノ)〕ビス(フェニ
ルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ビフェニル−4,4′−ジスルホン酸塩化物
及び調製例1記載の化合物
【0110】工程A:4,4′−〔4,4′−ビフェニ
ルジイルビス(スルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0111】工程B:4,4′−〔4,4′−ビフェニ
ルジイルビス(スルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 融点:>260℃
【0112】工程C:4,4′−〔4,4′−ビフェニ
ルジイルビス(スルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)4ナトリウム塩 融点:>280℃
【0113】実施例13:4,4′−〔4,4′−ジフ
ェニルスルホンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ジフェニルスルホン−4,4′−ジカルボン
酸塩化物及び調製例1記載の化合物
【0114】工程A:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルスルホンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:210℃
【0115】工程B:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルスルホンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0116】工程C:4,4′−〔4,4′−ジフェニ
ルスルホンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0117】実施例14:4,4′−〔N−エチルカル
バゾール−3,6−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕
ビス(フェニルホスホン酸) 出発物質:調製例4記載のN−エチルカルバゾール−
3,6−ジカルボン酸の塩化物及び調製例1記載の化合
【0118】工程A:4,4′−〔N−エチルカルバゾ
ール−3,6−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:221〜225℃
【0119】工程B:4,4′−〔N−エチルカルバゾ
ール−3,6−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0120】実施例15:4,4′−〔(9,10−ジ
ヒドロアントラセン)−2,6−ジイルビス(カルボニ
ルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 出発物質:調製例6記載の9,10−ジヒドロアントラ
セン−2,6−ジカルボン酸の塩化物及び調製例1記載
の化合物
【0121】工程A:4,4′−〔(9,10−ジヒド
ロアントラセン)−2,6−ジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0122】工程B:4,4′−〔(9,10−ジヒド
ロアントラセン)−2,6−ジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0123】実施例16:4,4′−〔4,4′−ビフ
ェニルジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニ
ルホスホン酸) 出発物質:4,4′−ビフェニルジカルボン酸塩化物及
び調製例1記載の化合物
【0124】工程A:4,4′−〔4,4′−ビフェニ
ルジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0125】工程B:4,4′−〔4,4′−ビフェニ
ルジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 融点:>260℃
【0126】実施例17:4,4′−〔3,3′−ジフ
ェニルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:調製例10記載のジフェニルメタン−3,
3′−ジカルボン酸の塩化物及び調製例1記載の化合物
【0127】工程A:4,4′−〔3,3′−ジフェニ
ルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル
【0128】工程B:4,4′−〔3,3′−ジフェニ
ルメタンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0129】実施例18:4,4′−〔4,4′−tr
ans−スチルベンジイルビス(カルボニルアミノ)〕
ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:trans−スチルベン−4,4′−ジカル
ボン酸塩化物及び調製例1記載の化合物
【0130】工程A:4,4′−〔4,4′−tran
s−スチルベンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0131】工程B:4,4′−〔4,4′−tran
s−スチルベンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0132】工程C:4,4′−〔4,4′−tran
s−スチルベンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>260℃
【0133】実施例19:4,4′−〔4,4′−
(1,2−ジフェニルエタン)ジイルビス(カルボニル
アミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:1,2−ジフェニルエタン−4,4′−ジカ
ルボン酸塩化物及び調製例1記載の化合物
【0134】工程A:4,4′−〔4,4′−(1,2
−ジフェニルエタン)ジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:244℃
【0135】工程B:4,4′−〔4,4′−(1,2
−ジフェニルエタン)ジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0136】工程C:4,4′−〔4,4′−(1,2
−ジフェニルエタン)ジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>260℃
【0137】実施例20:3,3′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:塩化セバコイル及び調製例2記載の化合物
【0138】工程A:3,3′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:140〜150℃
【0139】工程B:3,3′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 融点:217〜222℃
【0140】実施例21:4,4′−〔1,3−ジビニ
レンベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)
【0141】
【化21】
【0142】出発物質:調製例1および8記載の化合物
【0143】工程A:4,4′−〔1,3−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:197〜204℃
【0144】工程B:4,4′−〔1,3−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0145】実施例22:4,4′−〔1,4−ジビニ
レンベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:調製例1及び7記載の化合物
【0146】工程A:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:300〜305℃
【0147】工程B:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0148】実施例23:4,4′−〔1,4−ジエチ
レンベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)
【0149】
【化22】
【0150】工程A:4,4′−〔1,4−ジエチレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 実施例22の工程Aに記載の化合物(840mg、1.
31mmol)を、エタノール15ml中、ギ酸アンモニウム
800mg及びパラジウム/炭素800mgの存在下、還流
下で30分間、水素化した。触媒を濾去し、濾液を蒸発
乾固させて、目的生成物を得た。 融点:264〜270℃
【0151】工程B:4,4′−〔1,4−ジエチレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 実施例1の工程Bに記載の方法により、目的生成物を得
た。 融点:>260℃
【0152】実施例24:4,4′−〔4,4′−ジエ
チレンジフェニルメタンジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)
【0153】
【化23】
【0154】出発物質:調製例1及び9記載の化合物。
【0155】工程A:4,4′−〔4,4′−(ジビニ
レン)ジフェニルメタンジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:249〜254℃
【0156】工程B:4,4′−〔4,4′−(ジエチ
レン)ジフェニルメタンジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 工程Aの生成物(560mg、0.766mmol)を、エ
タノール10ml中、ギ酸アンモニウム500mg及びパラ
ジウム/炭素500mgの存在下、還流下で30分間水素
化した。触媒を濾去し、濾液を蒸発乾固させて、目的生
成物を得た。 融点:80℃
【0157】工程C:4,4′−〔4,4′−(ジエチ
レン)ジフェニルメタンジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0158】実施例25:4,4′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(3−ニトロ
フェニルホスホン酸)
【0159】工程A:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(3−ニトロフェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 96%硫酸1.8ml及び86%硝酸1.2mlを含む溶
液を0℃で調製した。本溶液1.1mlを取り出し、96
%硫酸4.6mlに実施例1の工程A記載の化合物(93
0mg、1.5mmol)を含む懸濁液に−5℃で滴下して加
えた。反応混合物を徐々に均一にし、2時間30分後
に、溶液を氷上に注いだ。水相をジクロロメタンで数回
抽出し、生成物を、シリカクロマトグラフィー(ジクロ
ロメタン/メタノール、97:3)で精製した。 融点:128℃
【0160】工程B:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(3−ニトロフェ
ニルホスホン酸) 融点:227〜230℃
【0161】実施例26:4,4′−〔3,6−ジエチ
レン−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニル
アミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩
【0162】
【化24】
【0163】出発物質:調製例1記載の化合物、及び調
製例5記載の化合物を接触還元後に得られた化合物。
【0164】工程A:4,4′−〔3,6−ジエチレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:101〜108℃
【0165】工程B:4,4′−〔3,6−ジエチレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:279〜285℃
【0166】工程C:4,4′−〔3,6−ジエチレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>300℃
【0167】実施例27:4,4′−〔ジベンゾスベラ
ン−3,7−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ジベンゾスベラン−3,7−ジカルボン酸
(調製例6記載の方法で調製)の塩化物及び調製例1記
載の化合物。
【0168】工程A:4,4′−〔ジベンゾスベラン−
3,7−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:202〜205℃
【0169】工程B:4,4′−〔ジベンゾスベラン−
3,7−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 融点:292〜296℃
【0170】工程C:4,4′−〔ジベンゾスベラン−
3,7−ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0171】実施例28:4,4′−〔3,6−ジビニ
レン−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニル
アミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:調製例1及び5記載の化合物。
【0172】工程A:4,4′−〔3,6−ジビニレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:172〜180℃
【0173】工程B:4,4′−〔3,6−ジビニレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0174】工程C:4,4′−〔3,6−ジビニレン
−N−エチルカルバゾールジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>250℃
【0175】実施例29:4,4′−〔3,7−ジビニ
レンジベンゾスベランジイルビス(カルボニルアミ
ノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 出発物質:ジベンゾスベラン−3,7−ジアクリル酸
(調製例11)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホ
ン酸ジエチルエステル(調製例1)
【0176】工程A:4,4′−〔3,7−ジビニレン
ジベンゾスベランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビ
ス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:179〜185℃
【0177】工程B:4,4′−〔3,7−ジビニレン
ジベンゾスベランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビ
ス(フェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0178】工程C:4,4′−〔3,7−ジビニレン
ジベンゾスベランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビ
ス(フェニルホスホン酸)4ナトリウム塩 融点:>300℃
【0179】実施例30:4,4′−〔trans−
1,4−ジエチレンシクロヘキサンジイルビス(カルボ
ニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 出発物質:trans−シクロヘキサン−1,4−ジプ
ロピオン酸(調製例12)の塩化物及び4−アミノフェ
ニルホスホン酸ジエチルエステル(調製例1)
【0180】工程A:4,4′−〔trans−1,4
−ジエチレンシクロヘキサンジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:255〜259℃
【0181】工程B:4,4′−〔trans−1,4
−ジエチレンシクロヘキサンジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:299〜305℃
【0182】実施例31:4,4′−〔1,16−ヘキ
サデカンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 出発物質:1,18−オクタデカン二酸塩化物及び4−
アミノフェニルホスホン酸ジエチルエステル(調製例
1)
【0183】工程A:4,4′−〔1,16−ヘキサデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸)ジエチルエステル 融点:104℃
【0184】工程B:4,4′−〔1,16−ヘキサデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸) 融点:245℃
【0185】実施例32:4,4′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジルホ
スホン酸) 出発物質:塩化セバコイル及び4−アミノベンジルホス
ホン酸ジエチルエステル
【0186】工程A:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:178℃
【0187】工程B:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジルホスホ
ン酸) 融点:>260℃
【0188】実施例33:4,4′−〔1,18−オク
タデカンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェ
ニルホスホン酸) 出発物質:1,20−エイコサン二酸塩化物及び4−ア
ミノフェニルホスホン酸ジエチルエステル(調製例1)
【0189】工程A:4,4′−〔1,18−オクタデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸)ジエチルエステル
【0190】工程B:4,4′−〔1,18−オクタデ
カンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
ホスホン酸) 融点:240℃
【0191】実施例34:3,3′−〔1,10−デカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:1,12−ドデカン二酸塩化物及び3−アミ
ノフェニルホスホン酸ジエチルエステル(調製例2)
【0192】工程A:3,3′−〔1,10−デカンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:141〜145℃
【0193】工程B:3,3′−〔1,10−デカンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 融点:195〜197℃
【0194】実施例35:4,4′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸)モノエチルエステル 実施例1の工程Aの化合物(600mg、0.96mmol)
を、1N NaOH6ml及びエタノール6mlの混合物中、
80℃で一夜撹拌した。次に反応溶液を氷浴中で冷却
し、3N HClで酸性化した。白色沈殿を濾過し、エタ
ノール中で再結晶させた。 融点:191℃
【0195】実施例36:4,4′−〔2,5−ジビニ
レンフランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 出発物質:フラン−2,5−ジアクリル酸(調製例1
3)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエチ
ルエステル(調製例1)
【0196】工程A:4,4′−〔2,5−ジビニレン
フランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニ
ルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:195〜202℃
【0197】工程B:4,4′−〔2,5−ジビニレン
フランジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニ
ルホスホン酸) 融点:>300℃
【0198】実施例37:4,4′−〔2,5−ジビニ
レンチオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:チオフェン−2,5−ジアクリル酸(調製例
14)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエ
チルエステル(調製例1)
【0199】工程A:4,4′−〔2,5−ジビニレン
チオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:249〜255℃
【0200】工程B:4,4′−〔2,5−ジビニレン
チオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0201】実施例38:4,4′−〔2,6−ジビニ
レンナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:ナフタレン−2,6−ジアクリル酸(調製例
15)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエ
チルエステル(調製例1)
【0202】工程A:4,4′−〔2,6−ジビニレン
ナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:286〜290℃
【0203】工程B:4,4′−〔2,6−ジビニレン
ナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0204】実施例39:4,4′−〔2,5−ジエチ
レンチオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)
【0205】工程A:4,4′−〔2,5−ジエチレン
チオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 実施例37の工程Aに記載の生成物を、実施例23の工
程Aに記載の方法で、水素化した。 融点:206〜212℃
【0206】工程B:4,4′−〔2,5−ジエチレン
チオフェンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:298〜303℃
【0207】実施例40:4,4′−〔1,11−ウン
デカンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジ
ルホスホン酸) 出発物質:1,13−トリデカン二酸塩化物及び4−ア
ミノベンジルホスホン酸ジエチルエステル
【0208】工程A:4,4′−〔1,11−ウンデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジルホ
スホン酸)ジエチルエステル 融点:151〜156℃
【0209】工程B:4,4′−〔1,11−ウンデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベンジルホ
スホン酸) 融点:230〜236℃
【0210】実施例41:4,4′−〔2,7−ジビニ
レンフルオレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:フルオレン−2,7−ジアクリル酸(調製例
16)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエ
チルエステル(調製例1)
【0211】工程A:4,4′−〔2,7−ジビニレン
フルオレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:288〜293℃
【0212】工程B:4,4′−〔2,7−ジビニレン
フルオレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0213】実施例42:4,4′−〔1,4−ジビニ
レンナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 出発物質:ナフタレン−1,4−ジアクリル酸(調製例
17)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエ
チルエステル(調製例1)
【0214】工程A:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0215】工程B:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ナフタレンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フ
ェニルホスホン酸) 融点:>300℃
【0216】実施例43:4,4′−〔1,4−tra
ns−ジビニレンシクロヘキサンジイルビス(カルボニ
ルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 出発物質:シクロヘキサン−1,4−trans−ジア
クリル酸(調製例18)及び4−アミノフェニルホスホ
ン酸ジエチルエステル(調製例1)
【0217】工程A:4,4′−〔1,4−trans
−ジビニレンシクロヘキサンジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>300℃
【0218】工程B:4,4′−〔1,4−trans
−ジビニレンシクロヘキサンジイルビス(カルボニルア
ミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸) 融点:300℃
【0219】実施例44:4,4′−〔1,9−ノナン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリルホス
ホン酸) 出発物質:1,11−ウンデカン二酸塩化物及び4−ア
ミノスチリルホスホン酸ジエチルエステル(調製例1
9)
【0220】工程A:4,4′−〔1,9−ノナンジイ
ルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリルホスホン
酸)ジエチルエステル 融点:161〜166℃
【0221】工程B:4,4′−〔1,9−ノナンジイ
ルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリルホスホン
酸) 融点:>300℃
【0222】実施例45:4,4′−〔1,4−ジ
(1,3−trans−trans−ブタジエニレン)
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ〕)ビス(フェ
ニルホスホン酸) 出発物質:ベンゼン−1,4−ジ(1,3−trans
−trans−ブタジエニレン)ジカルボン酸(調製例
20)及び4−アミノフェニルホスホン酸ジエチルエス
テル(調製例1)
【0223】工程A:4,4′−〔1,4−ジ(1,3
−trans−trans−ブタジエニレン)ベンゼン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸)ジエチルエステル 融点:278〜282℃
【0224】工程B:4,4′−〔1,4−ジ(1,3
−trans−trans−ブタジエニレン)ベンゼン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホス
ホン酸) 融点:>300℃
【0225】実施例46:4,4′−〔1,13−トリ
デカンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリ
ルホスホン酸) 出発物質:1,15−ペンタデカン二酸塩化物及び4−
アミノスチリルホスホン酸ジエチルエステル(調製例1
9)
【0226】工程A:4,4′−〔1,13−トリデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリルホ
スホン酸)ジエチルエステル 融点:111〜115℃
【0227】工程B:4,4′−〔1,13−トリデカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(スチリルホ
スホン酸) 融点:>300℃
【0228】実施例47:4,4′−〔1,9−ノナン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチ
ルホスホン酸) 出発物質:1,11−ウンデカン二酸塩化物及び〔2−
(4−アミノフェニル)エチル〕ホスホン酸ジエチルエ
ステル(調製例21)
【0229】工程A:4,4′−〔1,9−ノナンジイ
ルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチルホ
スホン酸)ジエチルエステル 融点:93〜95℃
【0230】工程B:4,4′−〔1,9−ノナンジイ
ルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチルホ
スホン酸) 融点:>300℃
【0231】実施例48:4,4′−〔9,10−ジビ
ニレンアントラセンジイルビス(カルボニルアミノ)〕
ビス(フェニルホスホン酸) 出発物質:アントラセン−9,10−ジアクリル酸(調
製例22)の塩化物及び4−アミノフェニルホスホン酸
ジエチルエステル(調製例1)
【0232】工程A:4,4′−〔9,10−ジビニレ
ンアントラセンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0233】工程B:4,4′−〔9,10−ジビニレ
ンアントラセンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(フェニルホスホン酸) 融点:>260℃
【0234】実施例49:4,4′−〔1,4−ジビニ
レンベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス
(ベンジルホスホン酸) 出発物質:ベンゼン−1,4−ジアクリル酸(調製例
7)の塩化物及び4−アミノベンジルホスホン酸ジエチ
ルエステル
【0235】工程A:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベン
ジルホスホン酸)ジエチルエステル 融点:>260℃
【0236】工程B:4,4′−〔1,4−ジビニレン
ベンゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(ベン
ジルホスホン酸) 融点:>300℃
【0237】実施例50:2,2′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:塩化セバコイル及び2−アミノフェニルホス
ホン酸ジエチルエステル(調製例23)
【0238】工程A:2,2′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸)ジエチルエステル 融点:61〜64℃
【0239】工程B:2,2′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホ
ン酸) 融点:102〜105℃
【0240】実施例51:4,4′−〔1,9−ノナン
ジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチ
ルホスホン酸)モノエチルエステル 対応するジエチルエステル(実施例47の工程Aの生成
物)の一部加水分解。実施例47の工程Aの生成物(1
g、1.44mmol)を、エタノール/水混合物(1:
1)20ml中、80℃で一夜撹拌した。次に反応混合物
を、3N HClを滴下して加えて、室温で酸性化した。
生じた白色沈殿を濾去し、少量の水ですすぎ、真空下で
乾燥し、エタノール中で再結晶させた。 融点:230℃
【0241】実施例52:4,4′−〔1,8−オクタ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエ
チルホスホン酸) 出発物質:塩化セバコイル及び〔2−(4−アミノフェ
ニル)エチル〕ホスホン酸ジエチルエステル(調製例2
1)
【0242】工程A:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチル
ホスホン酸)ジエチルエステル 融点:110〜114℃
【0243】工程B:4,4′−〔1,8−オクタンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチル
ホスホン酸) 融点:>300℃
【0244】実施例53:4,4′−〔1,10−デカ
ンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエ
チルホスホン酸) 出発物質:1,12−ドデカン二酸塩化物及び〔2−
(4−アミノフェニル)エチル〕ホスホン酸ジエチルエ
ステル(調製例21)
【0245】工程A:4,4′−〔1,10−デカンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチル
ホスホン酸)ジエチルエステル 融点:133〜138℃
【0246】工程B:4,4′−〔1,10−デカンジ
イルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルエチル
ホスホン酸) 融点:>300℃
【0247】実施例54:4,4′−(1,10−デカ
ンジイルビスアミノ)ビス(フェニルホスホン酸)二臭
化水素酸塩
【0248】工程A:4,4′−(1,10−デカンジ
イルビスアミノ)ビス(フェニルホスホン酸)ジエチル
エステル 実施例1の工程Aの生成物(700mg、1.12mmol)
を、0℃で、THF300mlに懸濁させた。BH3 /T
HF溶液(THF中1M 、15ml)を滴下して加えた。
混合物を室温に戻し、一夜撹拌を続けた。反応溶液をメ
タノール10mlで処理し、室温で3日間撹拌した後、濃
縮した。残渣をメタノールに取り、混合物を蒸発乾固さ
せた。生成物を、シリカクロマトグラフィー(ジクロロ
メタン/メタノール、90:10)で精製した。 融点:158〜159℃
【0249】工程B:4,4′−(1,10−デカンジ
イルビスアミノ)ビス(フェニルホスホン酸)二臭化水
素酸塩 工程Aの生成物(320mg、0.536mmol)を、ブロ
モトリメチルシラン1.70ml(6.43mmol)の存在
下、アセトニトリル中、還流下で1時間撹拌した。混合
物を蒸発乾固させ、残渣をメタノール150mlに取り、
得られた混合物を室温で一夜撹拌した。これを蒸発乾固
させた。残渣をエーテル中で粉砕し、目的生成物を濾去
した。 融点:190〜192℃
【0250】実施例55:4,4′−〔1,10−デカ
ンジイルビス(スルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホ
スホン酸) 出発物質:1,10−デカンジスルホン酸塩化物及び調
製例1記載の化合物 工程A:4,4′−〔1,10−デカンジイルビス(ス
ルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)ジエチ
ルエステル 工程B:4,4′−〔1,10−デカンジイルビス(ス
ルホニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン酸)
【0251】本発明化合物の薬理学的研究 実施例56:本発明化合物の細胞毒性 以下の3種のセルラインを使用した: マウス白血病細胞、L1210 ヒト類表皮ガン細胞、A431 ブタ大動脈内皮細胞、PAECの一次培養株。 これらの細胞を、10%ウシ胎児血清、2mMグルタミ
ン、50単位/ml ペニシリン、50μg/mlストレプトマ
イシン、及び10mMHEPESを含有する完全RPMI
1640培地(pH7.4)中で培養した。これらの細胞
をマイクロプレートに蒔き、本発明化合物に接触させ
た。次にこれらの細胞を、2日間(L1210)、3日
間(PAEC)又は4日間(A431)インキュベート
した。生存細胞数を、比色定量法、微小培養(microcult
ure)テトラゾリウム法(Carmichael J., DeGraff W.G.,
Gazdar A.F., Minna J.D. and Mitchell J.R.,テトラゾ
リウムによる半自動比色定量法の評価:化学感受性試験
の評価(Evaluation of a tetrazolium-based semiautom
ated colorimetric assay: assessment of chemosensit
ivity testing), Cancer Res., 47, 936-942,(1987))
により測定した。
【0252】本試験により、本発明化合物には、試験し
た3種のセルラインに対して、細胞毒性のないことが示
された。IC50値(処理細胞の増殖を50%阻害する試
験化合物の濃度)は、100及び750μM の間であっ
た。
【0253】実施例57:ニワトリ胚の漿尿膜の血管新
生の阻害(CAM試験) すでに記載されているように(Crum R., Szabo S. and F
olkman J., Science,(1985), 230, 1375-1378)、ニワ
トリ胚を用いて、本試験を行った。受精卵(D0)を、
37℃でインキュベートした。アルブミン1mlを吸引す
ることによって、エアポケットを作成し(D3)、殻を
切ってウインドウを作成し(D4)、ビテリン膜を除去
して、漿尿膜(CAM)を露出させた。被験化合物をエ
タノールに溶解し、メチルセルロース製ディスクに塗布
し、これを乾燥して、6日目にCAMに適用した。1群
当たり8〜16個の卵を使用した。ディスク周辺の箇所
を48時間後に試験した。直径4mm以上の無血管の箇所
を示した卵の数を数え、結果を、無血管箇所を示した卵
のパーセントとして示した。本発明化合物は、本試験
で、スラミンよりも高い血管新生阻害能を示した。結果
を、以下の表1に示す。
【0254】
【表1】
【0255】実施例58:マウスM5076肉腫におけ
るin vivo における腫瘍成長の阻害 悪性腫瘍細胞(106 /マウス)を0日目にマウスの皮
下に接種して、腫瘍結節を作成した。次にマウスを処理
又は対照群(1群当たり12匹)に無作為に振り分け
た。本発明化合物を1日目から12日目まで腹腔内に投
与した。13日目に、腫瘍成長の阻害(ITG)を、下記
の式に従って評価した。
【0256】
【数1】
【0257】実施例1及び実施例11の化合物で得られ
た結果を、以下の表2に示す。
【0258】
【表2】
【0259】このように、血管新生(CAM)に対して
は弱い阻害しか示さず、L1210白血病セルラインに
対しては相対的細胞毒性を示したスラミンと比較して、
実施例1及び実施例11の化合物は、抗腫瘍活性及び脈
管形成阻害活性の間で非常に良好な相関を示し、細胞毒
性は認められなかった。
【0260】実施例59:医薬組成物 1錠当たり10mgを含有する1,000錠の処方を以下
に示す。 実施例2の化合物 10g ヒドロキシプロピルセルロース 2g 小麦デンプン 10g 乳糖 100g ステアリン酸マグネシウム 3g タルク 3g
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07F 9/40 9450−4H C07F 9/40 E (72)発明者 アンジェラ・デー・モリス フランス国、エフ−78180 モンティニ・ ル・ブレトノー、リュ・フランソワ・モー リアック 56 (72)発明者 ガーナム・アタシィ フランス国、エフ−92210 サン・クルド、 リュ・ジョセフィン 4

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 式(I): 【化1】 〔式中、R1 及びR2 は、同一又は異なって、水素もし
    くはハロゲン原子、直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C
    6)アルキル基、直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C6)ア
    ルコキシ基、ニトロ基、又はトリハロメチル基を示し;
    Xは、CO、SO2 又はCH2 を示し;A1 は、0〜6
    個の二重結合を有する直鎖もしくは分岐鎖状の(C1
    20)アルキレン鎖を示し、ここで本アルキレン鎖の1
    個以上の−CH2 −基は、場合により以下の基:置換も
    しくは非置換フェニレン、 置換もしくは非置換ナフチレン、 置換もしくは非置換アントラセニレン、 (C3 −C7)シクロアルキレン、 【化2】 (式中、A3 は、−(CH2)m −(ここで、mは、0、
    1又は2である)、−(CH=CH)−又はSO2 を示
    す)、 【化3】 (式中、Zは、O、S又はNR5 (ここで、R5 は、水
    素原子又は直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C6)アルキ
    ル基を示す)を示す)、 【化4】 (式中、q及びq′は、同一又は異なって、0、1又は
    2である)、又は 【化5】 (式中、Zは、上記で定義したとおりである)のいずれ
    かによって置換されており;A2 は、−(CH2)n
    (ここで、nは、0、1、2又は3である)又は−CH
    =CH−を示し;そしてR3 及びR4 は、同一又は異な
    って、水素原子又は直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C
    6)アルキル基を示す〕で示される化合物、その立体異性
    体、又は薬学的に許容しうる酸もしくは塩基とのその付
    加塩。
  2. 【請求項2】 Xが、COを示す、請求項1記載の式
    (I)の化合物。
  3. 【請求項3】 Xが、SO2 を示す、請求項1記載の式
    (I)の化合物。
  4. 【請求項4】 Xが、CH2 を示す、請求項1記載の式
    (I)の化合物。
  5. 【請求項5】 A1 が、直鎖又は分岐鎖状の(C1 −C
    20)アルキレン基を示す、請求項1記載の式(I)の化
    合物。
  6. 【請求項6】 A1 が、0〜6個の二重結合を有する直
    鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C20)アルキレン鎖を示
    し、ここで本アルキレン鎖の1個以上の−CH2 −基
    が、フェニレン、ナフチレン又は(C3 −C7)シクロア
    ルキレン基、あるいは基: 【化6】 (式中、Zは、請求項1で定義したとおりである)によ
    って置換されている、請求項1記載の式(I)の化合
    物。
  7. 【請求項7】 A1 が、(C1 −C20)アルキレン鎖を
    示し、ここで本アルキレン鎖の−CH2 −基が、基: 【化7】 (式中、A3 は、請求項1で定義したとおりである)に
    よって置換されている、請求項1記載の式(I)の化合
    物。
  8. 【請求項8】 A2 が、−(CH2)n −を示し、ここで
    nが、0、1、2又は3である、請求項1記載の式
    (I)の化合物。
  9. 【請求項9】 A2 が、−CH=CH−を示す、請求項
    1記載の式(I)の化合物。
  10. 【請求項10】 4,4′−〔1,8−オクタンジイル
    ビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニルホスホン
    酸)である、請求項1記載の式(I)の化合物、又は薬
    学的に許容しうる塩基とのその付加塩。
  11. 【請求項11】 4,4′−〔4,4′−ジフェニルメ
    タンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
    ホスホン酸)である、請求項1記載の式(I)の化合
    物、又は薬学的に許容しうる塩基とのその付加塩。
  12. 【請求項12】 4,4′−〔1,4−ジビニレンベン
    ゼンジイルビス(カルボニルアミノ)〕ビス(フェニル
    ホスホン酸)である、請求項1記載の式(I)の化合
    物、又は薬学的に許容しうる塩基とのその付加塩。
  13. 【請求項13】 式(I)の化合物の製造方法であっ
    て、式(II): 【化8】 (式中、R1 、R2 及びA2 は、請求項1で定義したと
    おりであり、そしてR′3 及びR′4 は、同一又は異な
    って、直鎖もしくは分岐鎖状の(C1 −C4)アルキル基
    を示す)で示されるアミンを出発原料として、塩基性媒
    質中、式(III):Hal−X−A1 −X−Hal(式
    中、Halは、ハロゲン原子を示し、X及びA1 は、請
    求項1で定義したとおりである)で示されるハロゲン化
    物1/2当量と反応させて、式(I)の化合物の特定の
    化合物である式(I/a): 【化9】 (式中、R1 、R2 、R′3 、R′4 、X、A1 及びA
    2 は、上記で定義したとおりである)で示されるジエス
    テルを得、所望であれば、これを酸性媒質中、式(I)
    の化合物の特定の化合物である対応するモノエステルに
    変換するか、又は臭化トリメチルシリルの存在下、式
    (I)の化合物の特定の化合物である対応するホスホン
    酸に変換し、このジエステル、モノエステル又はホスホ
    ン酸を、 適当であれば、標準的な精製法により精製し、 適当であれば、標準的な分離法によりそのエナンチオマ
    ー又はジアステレオマーに分離し、 所望であれば、薬学的に許容しうる酸もしくは塩基との
    その付加塩に変換することからなる方法。
  14. 【請求項14】 請求項1〜12のいずれか1項記載の
    化合物の少なくとも一つを有効成分として、単独で、又
    は薬学的に許容しうる無毒、不活性な一つ以上の賦形剤
    もしくは担体と組み合わせて含有する医薬組成物。
  15. 【請求項15】 請求項1〜12のいずれか1項記載の
    化合物の少なくとも一つを有効成分として含有する、固
    形腫瘍の成長、転移、又は糖尿病性網膜症における脈管
    形成阻害のための、請求項14記載の医薬組成物。
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