JPH0955469A - リーク電流補償回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路内の抵抗素子における寄生ダイオー
ドのリーク電流及びリーク電流に起因した電圧降下の双
方を補償する。 【解決手段】 集積回路内の抵抗素子Ｒと一方の電源の
間に、寄生ダイオードＤが存在する。そして、寄生ダイ
オードＤが接続されている電源と同一電源には補償ダイ
オードＤＣが接続され、補償ダイオードＤＣが流す逆方
向電流をカレントミラー回路１０の入力電流Ｉ０とす
る。カレントミラー回路１０は１入力に対して２つの出
力を有し、この２つの出力は、抵抗素子Ｒの両側端子
ａ，ｂにそれぞれ接続され、端子ａ，ｂからそれぞれ寄
生ダイオードＤのリーク電流ＩＬの（１／２）の電流を
引き抜く又は端子ａ、ｂに供給する。抵抗素子Ｒに中間
端子を設けた場合には、カレントミラー回路の出力を１
つとし、この出力を中間端子に接続して中間端子からリ
ーク電流ＩＬに等しい電流を引き抜く又は中間端子に供
給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高温動作時にリー
ク電流が問題となる集積回路（ＩＣ、ＬＳＩ）におい
て、集積回路内に形成される寄生ダイオードを有する抵
抗素子の逆方向リーク電流を補償するためのリーク電流
補償回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４に、半導体集積回路内に形成される
一般的な抵抗素子の構造を示す。抵抗素子は、例えば図
４（ａ）のように、ｎ−ｔｙｐｅの領域内にｐ−ｔｙｐ
ｅの領域を形成して、２端子ａ，ｂを有する抵抗Ｒを作
製するのが一般的である。この場合、ｎ−ｔｙｐｅの領
域を最も高電位の電源ＶＤＤに接続し、ｐ−ｔｙｐｅの
領域には、電源ＶＤＤ以下の電位が加わるようにして使
用する。ところが、ｐ−ｔｙｐｅの抵抗素子部とＶＤＤ
端子との間に寄生ダイオードＤが存在する（図４（ｂ）
参照）。

【０００３】この寄生ダイオードＤは、通常、零若しく
は逆バイアス状態におかれるため、基本的には、ここに
は電流が流れない。しかし、逆バイアス状態の寄生ダイ
オードＤには、わずかながら逆方向リーク電流が流れ
る。このため、図５に示すように、端子ａｂ間の抵抗を
流れる電流は、このリーク電流によって、端子ａから端
子ｂに至るまでに、徐々に増加（減少）していく。

【０００４】すなわち、端子ａに流れ込む電流をＩ０と
すると、端子ｂから流れ出てくる電流は、リーク電流の
総和であるＩＬ分増加して（Ｉ０＋ＩＬ）となる。リー
ク電流分の電流増加は、Ｉ０＞＞ＩＬのうちは無視でき
るが、環境温度が上昇してくるとこのリーク電流ＩＬが
急激に増加するため、この逆方向リーク電流ＩＬを無視
することができなくなる。

【０００５】従来、このようなリーク電流対策として、
図６に示すような回路が知られている。この回路では、
寄生ダイオードＤの逆方向リーク電流ＩＬとほぼ同じ値
の補償電流Ｉ０を流す補償ダイオードＤＣを設けてリー
ク電流の補償を行っている。

【０００６】具体的には、所定の回路１−回路２間に形
成された寄生ダイオードＤを有する抵抗素子Ｒに対し、
この抵抗素子Ｒの端子ｂ若しくは端子ａに補償ダイオー
ドＤＣの一方の端子を接続し、補償ダイオードＤＣのも
う一方の端子を最も低電位の電源ＶＳＳ（例えばアース
電位の電源）に接続している。

【０００７】そして、寄生ダイオードＤを介して電源Ｖ
ＤＤから抵抗素子Ｒへ流れ込むリーク電流ＩＬと等しい
電流が、抵抗素子Ｒの端子ｂから補償ダイオードＤＣを
介して電源ＶＳＳへと流し出されている。このようにす
ることにより、端子ａに流れ込む電流Ｉ０と、抵抗素子
Ｒを流れて端子ｂから流れ出る電流Ｉ１とが等しくなり
（Ｉ１＝Ｉ０）、リーク電流の影響をなくすことができ
る。

【０００８】また、更に精度よくリーク電流の補償をす
るために、本願出願人は特願平７−１４７８７７号に示
すような構成を提案している。これは、図７に示すよう
に、寄生ダイオードと全く同じ構造で、同じ電源ＶＤＤ
に接続された補償ダイオードＤＣと、カレントミラー回
路２０とを組み合わせた構成である。

【０００９】そして、この構成では、電源ＶＤＤに接続
された補償ダイオードＤＣを有する補償抵抗ＲＣの両端
にカレントミラー回路２０の入力側トランジスタが接続
され、補償対象である抵抗素子Ｒの端子ｂにカレントミ
ラー回路２０の出力側トランジスタが接続されている。
よって、補償ダイオードＤＣから抵抗素子ＲＣに流れ込
む補償電流ＩＣ０が、入力電流（＝ＩＣ０）としてカレ
ントミラー回路２０の入力側トランジスタに供給され、
これに応じて、補償電流ＩＣ０に等しい電流ＩＣ１が出
力電流Ｉ１として端子ｂからカレントミラー回路２０の
出力トランジスタに引き出される。

【００１０】なお、ｐ−ｔｙｐｅの領域内にｎ−ｔｙｐ
ｅの領域を形成して、２端子ａ，ｂを有する抵抗素子Ｒ
を作製した場合、一般的には、ｐ−ｔｙｐｅの領域を電
源ＶＳＳに接続し、ｎ−ｔｙｐｅの領域には、電源ＶＳ
Ｓ以上の電位が加わるようにするので、寄生ダイオード
Ｄによるリーク電流の向きは、上述の方向とは逆向き、
即ち寄生ダイオードＤを介して抵抗素子Ｒから電源ＶＳ
Ｓに向かう方向になるが、全く同様にして考えることが
できる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
図６及び図７に示すような構成を用いれば、寄生ダイオ
ードによるリーク電流の補償が可能にはなるものの、リ
ーク電流による抵抗素子Ｒの端子ａｂ間での電圧降下に
ついては、補償することができないという課題があっ
た。

【００１２】即ち、寄生ダイオードＤを有する抵抗素子
Ｒには、本来流れるべき電流にリーク電流が加わる（若
しくは引き抜かれる）。従って、実際に抵抗素子Ｒに流
れる電流は本来流れるべき電流と異なり、本来抵抗素子
Ｒで発生する電圧降下が変化してしまうためである。

【００１３】本発明は、この課題を解決することを目的
としてなされたものであり、抵抗素子Ｒの端子ａｂ間に
おいて、リーク電流の補償だけでなく、電圧降下につい
ても補償可能なリーク電流補償回路を提供することを目
的としている。

【００１４】

【課題を解決するための手段】以下に、本発明の構成及
びその作用・効果について説明する。

【００１５】まず、図８に示すように、２端子ａ，ｂを
有し、この端子ａｂ間の長さをＬ、リーク電流の総和を
ＩＬ、抵抗値がＲの抵抗素子を考える。なお、ここで、
抵抗素子の材質は均質であり、リーク電流は端子ａから
ｂの範囲で、一様なリーク電流密度であると仮定する。

【００１６】端子ａからｘの距離にある微小距離をｄｘ
とし、この微小距離ｄｘの領域での微小抵抗成分、微小
電圧降下をそれぞれｄｒ，ｄｖとする。更に、端子ａに
流れ込む電流をＩ０、端子ａから距離ｘの地点における
電流をＩ（ｘ）とすると、次式のように示すことができ
る。

【００１７】

【数１】 ｄｖ＝ｄｒ×Ｉ（ｘ） ・・・・・・・（１）

【数２】

【数３】 ここで、式（２），（３）を式（１）に代入すると、

【数４】 となり、両辺を積分すると次のようになる。

【００１８】

【数５】

【数６】

【数７】 本来、リーク電流が無い場合の抵抗素子Ｒにおける電圧
降下Ｖａｂ０は、

【数８】 Ｖａｂ０＝Ｒ・Ｉ０ ・・・・・・・（８） となる。従って、リーク電流によって（Ｒ・ＩＬ／２）
の電圧降下が余分に生ずることになる。

【００１９】そこで、本発明の第１の構成にかかるリー
ク電流補償回路では、抵抗素子の両端からそれぞれｎ、
ｍ［０＜ｎ，ｍ、（ｎ＋ｍ）は（リーク電流）にほぼ等
しい］の大きさの電流を引き抜き、又は前記抵抗素子の
両端にそれぞれ前記ｎ、ｍの大きさの電流を供給し、抵
抗素子におけるリーク電流及び電圧降下を補償すること
としている。

【００２０】例えば、上記ｎ、ｍをそれぞれリーク電流
の２分の１として、抵抗素子の端子ａからＩＬ／２、端
子ｂからＩＬ／２の電流を引き抜くと、端子ａｂ間の電
圧降下Ｖａｂは、次式のようになる。

【００２１】

【数９】 また、端子ｂからの出力電流Ｉ１は、次式のように示さ
れる。

【００２２】

【数１０】 上記式（９）、（１０）から明らかなように、端子ａｂ
間の電圧Ｖａｂと抵抗Ｒの端子ｂから流れ出る電流Ｉ１
は、リーク電流の影響を受けていない。このように、本
発明の構成では電圧と電流の双方を補償することができ
る。

【００２３】次に、本発明の第２の構成では、抵抗素子
の中間付近に設けられた中間端子から寄生ダイオードの
リーク電流に等しい大きさの電流を引き抜き、又は中間
端子にリーク電流に等しい大きさの電流を供給してお
り、これにより抵抗素子におけるリーク電流及び電圧降
下を補償している。

【００２４】例えば、抵抗素子Ｒの端子ａｂの中間付近
に中間端子Ｃを設けて、この端子ＣからＩＬの電流を引
き抜いた場合、端子ａｂ間における電圧降下Ｖａｂは次
式のようになる。

【００２５】

【数１１】 また電流に関しては、

【数１２】 Ｉ１＝Ｉ０−ＩＬ＋ＩＬ＝Ｉ０ ・・・・・・・（１２） となる。

【００２６】以上の結果から明らかなように、抵抗素子
Ｒの中間端子Ｃからリーク電流と同じ電流を流し出すこ
とによっても、抵抗素子Ｒにおける電圧と電流の双方の
補償が可能となる。

【００２７】さらに、上記構成に本発明の第３の構成を
加えたリーク電流補償回路では、リーク電流に等しい
か、または、リーク電流の２分の１の大きさの電流を生
成するための補償ダイオードを抵抗素子の寄生ダイオー
ドと同一の第１の電源に接続している。そして、補償ダ
イオードの流す前記補償電流を入力電流とするカレント
ミラー回路が、この入力電流に応じた出力電流を抵抗素
子の両端または中間端子から引き抜き、又は抵抗素子の
両端又は中間端子に供給する。

【００２８】なお、抵抗素子の両端子からリーク電流の
２分の１の大きさの電流を引き抜く若しくは供給する場
合には、上記カレントミラー回路は、補償電流が入力さ
れる入力側トランジスタと、抵抗素子の２つの端子にそ
れぞれ接続されて、リーク電流の１／２の大きさの出力
電流を引き抜く又は供給する複数の出力側トランジスタ
を有する。

【００２９】このように第３の構成を採用することによ
り、補償ダイオードを寄生ダイオードと同じ構造（形
状，面積，周囲長，不純物濃度等）で、かつ同じ製造工
程でつくり込むことが可能となり、補償タイオードで生
じるリーク電流を寄生ダイオードで生じるリーク電流と
同じ大きさ・特性にすることができる。

【００３０】従って、従来の方式よりに比べ、高精度な
リーク電流の補償が可能である。また、製造工程の変動
に対しても安定なリーク電流補償を実現できる。

【００３１】また、補償ダイオードから得る補償電流の
大きさを寄生ダイオードのリーク電流の１／Ｎ（ＮはＮ
＞１の数）に設定し、カレントミラー回路の入力電流対
出力電流の大きさの比を２対Ｎ又は１対Ｎに設定する構
成も採用できる。この結果、補償ダイオードの専有面積
を約１／Ｎにすることができ、Ｎ＞＞１の場合、従来の
方式に比較して高集積化が可能となる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面に基づき説明する。

【００３３】但し、以下に示す抵抗素子は、図４に示し
たｎ−ｔｙｐｅの領域にｐ−ｔｙｐｅの領域を形成し、
ｐ−ｔｙｐｅの領域を抵抗素子とし、ｎ−ｔｙｐｅの領
域を電源ＶＤＤに接続した抵抗素子を例にとって説明す
る。なお、この構成の場合、ｎ−ｔｙｐｅとｐ−ｔｙｐ
ｅの境界に寄生ダイオードが存在し、この寄生ダイオー
ドのリーク電流密度は一様であるとして説明する。

【００３４】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係わるリーク電流補償回路である。

【００３５】図１において、抵抗素子Ｒの端子ａは回路
２０に接続され、端子ｂは回路３０に接続されている。
そして、抵抗素子Ｒの寄生ダイオードＤは、電源ＶＤＤ
に接続されたｎ−ｔｙｐｅ領域と抵抗素子Ｒを構成する
ｐ−ｔｙｐｅ領域との間に形成されている。このため、
寄生ダイオードＤには幾らかの逆方向電圧が印加され、
寄生ダイオードＤにリーク電流ＩＬが流れてしまう。

【００３６】そこで、本実施形態ではこのリーク電流Ｉ
Ｌを補償するため、補償ダイオードＤＣと、１入力２出
力のカレントミラー回路１０を設けている。ここで、補
償ダイオードＤＣは、寄生ダイオードＤと全く同じｐｎ
接合の構造（同じ形状、面積、周囲長、不純物濃度等）
を有したダイオードであって、寄生ダイオードＤが接続
されている電源ＶＤＤと同一の電源ＶＤＤにｎ−ｔｙｐ
ｅ領域（カソード）が接続されている。

【００３７】より具体的には、この補償ダイオードＤＣ
は、抵抗素子Ｒと全く同じ抵抗ＲＣを作製した場合に、
この抵抗ＲＣ内に形成される寄生ダイオードを利用した
ダイオードである。

【００３８】また、カレントミラー回路１０は、［チャ
ネル幅／チャネル長］が２対１対１の３つのｎＭＯＳト
ランジスタＭＭ０，ＭＭ１，ＭＭ２から構成された基本
的なカレントミラー回路であり、トランジスタＭＭ０が
入力側トランジスタとして、トランジスタＭＭ１，ＭＭ
２がそれぞれ出力側トランジスタとして機能している。
そして、補償ダイオードＤＣから入力側トランジスタＭ
Ｍ０に供給される入力電流Ｉ０と、各出力側トランジス
タＭＭ１，ＭＭ２が流す出力電流Ｉ１，Ｉ２との大きさ
の比は、２対１対１に設定されている。また、カレント
ミラー回路１０の各々の出力端子（出力側トランジスタ
ＭＭ１，ＭＭ２）には、抵抗素子Ｒの端子ａ，ｂが各々
接続されている。

【００３９】上述のように補償ダイオードＤＣは、抵抗
素子Ｒの寄生ダイオードＤと全く同じ構造に作られてお
り、寄生ダイオードＤのリーク電流ＩＬと同じ大きさの
逆方向電流、即ち補償電流を発生する。そして、この補
償電流がカレントミラー回路１０の入力電流Ｉ０になっ
ている。このため、カレントミラー回路１０の各出力側
トランジスタＭＭ１，ＭＭ２が流す２つの出力電流Ｉ
１，Ｉ２の大きさは、

【数１３】 となる。

【００４０】以上の構成により、補償ダイオードＤＣが
寄生ダイオードＤのリーク電流ＩＬと同じ量の補償電流
を流すと、これに応じてカレントミラー回路１０が抵抗
素子Ｒの端子ａ，ｂから、それぞれリーク電流ＩＬの２
分の１の大きさの電流Ｉ１，Ｉ２を引き抜く。従って、
このＩ１，Ｉ２を合計すると、抵抗素子Ｒに流れ込んで
くるリーク電流ＩＬと同じ大きさの電流が引き抜かれる
こととなる。その結果、回路２０から抵抗素子Ｒの端子
ａに向う電流Ｉ２０と、抵抗Ｒの端子ｂから回路３０へ
向う電流Ｉ３０は等しくなり、リーク電流ＩＬの影響を
受けなくなる。このように、全く同じ構造の補償ダイオ
ードの逆方向リーク電流を補償電流として利用すること
で、高精度なリーク電流の補償が可能となる。

【００４１】さらに、端子ａｂ間の電圧降下Ｖａｂは、
式（７）より

【数１４】 となり、リーク電流の影響を受けず、抵抗素子Ｒにおけ
る本来の電圧降下Ｖａｂが得られる。

【００４２】以上のことから、本実施形態ではリーク電
流とこのリーク電流に起因した電圧降下の双方が補償さ
れているのがわかる。

【００４３】また、抵抗素子Ｒの端子ａ，ｂから引き抜
かれる電流は、それぞれリーク電流ＩＬの２分の１には
限らず、ｎ、ｍの大きさの電流でもよい。このｎ，ｍの
値は、（０＜ｎ，ｍ）、かつ（ｎ＋ｍ）がリーク電流Ｉ
Ｌにほぼ等しければよく、その具体的な値は、例えば抵
抗素子Ｒにおいて流れ込むリーク電流ＩＬの電流密度に
偏りがある場合等に、その偏りに合わせて設定すること
により、更に精度良くリーク電流とリーク電流に基づく
電圧降下とを補償することができる。

【００４４】なお、実施形態では、補償ダイオードＤＣ
として、抵抗素子Ｒと全く同じ構造の抵抗ＲＣに形成さ
れる寄生ダイオードを用いた。しかし、補償ダイオード
ＤＣの構成はこの限りでない。例えば、補償タイオード
ＤＣの逆方向リーク電流を１／Ｎ、即ち、ＩＬ／Ｎの大
きさに設定しても良い。この場合、補償ダイオードＤＣ
の補償電流ＩＬ／Ｎに対し、１入力２出力のカレントミ
ラー回路１０の各々のトランジスタＭＭ０、ＭＭ１、Ｍ
Ｍ２が流す電流の大きさの比、即ち入力電流対出力電流
の比を２対Ｎ対Ｎに設定すればよい。

【００４５】更に、カレントミラー回路１０は、図１に
示した回路方式には限られない。即ち、図２に示すよう
に、入力電流Ｉ０と出力電流Ｉ１，Ｉ２の大きさの比を
任意に設定できる回路であればよく、また、電源ＶＤＤ
から補償ダイオードＤＣに流れ込むリーク電流に対して
任意の大きさ（例えば１／２）に設定した電流を抵抗素
子Ｒの端子ａ，ｂから電源ＶＳＳへと流し出すことがで
きればよい。

【００４６】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２に係わるリーク電流補償回路である。図において、抵
抗素子Ｒの端子ａが回路２０に接続され、端子ｂが回路
３０に接続されている。また、寄生ダイオードＤのｎ−
ｔｙｐｅ領域（カソード側）には電源ＶＤＤが接続さ
れ、実施形態１と同様、この寄生ダイオードＤには逆方
向電圧が印加されて逆方向のリーク電流ＩＬが流れる。

【００４７】そこで、本実施形態では、このリーク電流
ＩＬを補償するため、抵抗素子Ｒの端子ａ，ｂの中間付
近に中間端子ｃを設け、この中間端子ｃから寄生ダイオ
ードＤに流れるリーク電流ＩＬと同量の電流を引き抜く
構成としている。

【００４８】具体的には、補償ダイオードＤＣと１入力
１出力のカレントミラー回路１２とが設けられ、補償ダ
イオードＤＣが流す逆方向電流（補償電流）がカレント
ミラー回路１２への入力電流となるように接続されてい
る。そして、カレントミラー回路１２の出力端子は、抵
抗素子Ｒの中間端子ｃに接続されている。

【００４９】ここで、補償ダイオードＤＣは、実施形態
１と同様に、寄生ダイオードＤと全く同じｐｎ接合の構
造（同じ形状，面積，周囲長，不純物濃度等）を有した
ダイオードである。

【００５０】そして、カレントミラー回路１２は基本的
なカレントミラー回路であって、大きさの等しい２つの
ｎＭＯＳトランジスタを入力側トランジスタＭＭ１０及
び出力側トランジスタＭＭ１１として用いており、入力
電流Ｉ０と出力電流Ｉ１の大きさは等しくなっている。

【００５１】上述のように補償ダイオードＤＣは、抵抗
素子Ｒの寄生ダイオードＤと全く同じ構造に作られてい
るので、寄生ダイオードＤのリーク電流ＩＬを同じ大き
さの逆方向電流を補償電流として流す。この補償電流が
カレントミラー回路１２の入力側トランジスタＭＭ１０
に入力電流Ｉ０として供給されいるので、カレントミラ
ー回路１２の出力側トランジスタＭＭ１１が電源ＶＳＳ
に流し出す電流、即ち出力電流Ｉ１の大きさは、

【数１５】 Ｉ１＝Ｉ０＝ＩＣ＝ＩＬ ・・・・・（１５） となる。

【００５２】以上の構成により、カレントミラー回路１
２よって抵抗素子Ｒに流れ込むリーク電流ＩＬと同じ大
きさの電流が、抵抗素子Ｒの中間端子ｃから電源ＶＳＳ
に向かって引き抜かれる。その結果、回路２０から抵抗
素子Ｒの端子ａに向う電流Ｉ２０と、抵抗素子Ｒの端子
ｂから回路３０へ向う電流Ｉ３０は等しくなり、リーク
電流ＩＬの影響を受けなくなる。このように、本実施形
態によっても、全く同じ構造の補償ダイオードの逆方向
電流を利用することで、高精度なリーク電流の補償が可
能となる。

【００５３】更に、端子ａｂ間の電圧降下［Ｖａｂ］
は、次式（１６）に示すように、端子ａｃ間の電圧降下
［Ｖａｃ］と端子ｃｂ間の電圧降下［Ｖｃｂ］の和とな
る。

【００５４】

【数１６】 従って、リーク電流の影響を受けない本来の電圧降下
［Ｖａｂ］が得られ、リーク電流ＩＬに起因した電圧降
下も補償されている。

【００５５】以上のように、本実施形態の構成により、
リーク電流とこのリーク電流に起因した電圧降下の双方
について補償することができる。

【００５６】なお、本実施形態においては、補償ダイオ
ードＤＣとして抵抗素子Ｒと全く同じ構造の抵抗ＲＣの
寄生ダイオードを用いたが、補償ダイオードＤＣの製作
法はこの限りでない。例えば、実施形態１と同様に、補
償ダイオードの逆方向電流を１／Ｎ、即ち、ＩＬ／Ｎの
大きさに設定することもできる。そして、この場合に
は、１入力１出力のカレントミラー回路１０の入力電流
対出力電流の比は、１対Ｎに設定するのが好ましい。

【００５７】以上の２つの実施形態では、ｎ−ｔｙｐｅ
の領域内にｐ−ｔｙｐｅの領域を形成して作製した抵抗
素子を例にとって説明した。しかし、抵抗素子をｐ−ｔ
ｙｐｅの領域内にｎ−ｔｙｐｅの領域を形成して作製し
た場合は、寄生ダイオードが流すリーク電流の方向が逆
になり、抵抗素子からリーク電流が流れ出る構成となる
が、上記実施形態と同様な考え方でリーク電流の補償が
行える。即ち、実施形態１の構成では、各トランジスタ
の極性と、ダイオード及びトランジスタ等と電源ＶＳ
Ｓ，ＶＤＤの接続関係を変更し、抵抗素子Ｒの端子ａ，
ｂにそれぞれＩＬ／２の電流を供給する構成とすればよ
い。一方、実施形態２の構成では、同様にして抵抗素子
Ｒの中間端子ｃにＩＬと同じ大きさの電流を供給する構
成とすればよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施形態１に係るリーク電流補償回
路の構成を示す図である。

【図２】 図１の回路１０の動作を説明する図である。

【図３】 本発明の実施形態２に係るリーク電流補償回
路の構成を示す図である。

【図４】 集積回路における接合分離を用いた抵抗素子
の構成を示す図である。

【図５】 図４の抵抗素子におけるリーク電流の発生状
態及びその等価回路を示す図である。

【図６】 抵抗素子のリーク電流を補償するための従来
の補償回路を示す図である。

【図７】 本発明の関連技術のリーク電流補償回路を示
す図である。

【図８】 リーク電流が抵抗素子に及ぼす影響を説明す
るための図である。

【符号の説明】

１０，１２ カレントミラー回路。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 集積回路を構成する抵抗素子に存在する
   寄生ダイオードの逆方向のリーク電流を補償するリーク
   電流補償回路であって、 前記抵抗素子の両端からそれぞれｎ、ｍ［０＜ｎ，ｍ、
   （ｎ＋ｍ）はリーク電流にほぼ等しい］の大きさの電流
   を引き抜き、又は前記抵抗素子の両端にそれぞれ前記
   ｎ、ｍの大きさの電流を供給し、前記抵抗素子における
   リーク電流及び電圧降下を補償することを特徴とするリ
   ーク電流補償回路。
2. 【請求項２】 集積回路を構成する抵抗素子に存在する
   寄生ダイオードの逆方向のリーク電流を補償するリーク
   電流補償回路であって、 前記抵抗素子の両端から前記寄生ダイオードの前記リー
   ク電流の２分の１の大きさの電流を引き抜き、又は前記
   抵抗素子の両端に前記リーク電流の２分の１の大きさの
   電流を供給し、前記抵抗素子におけるリーク電流及び電
   圧降下を補償することを特徴とするリーク電流補償回
   路。
3. 【請求項３】 集積回路を構成する抵抗素子に存在する
   寄生ダイオードの逆方向のリーク電流を補償するリーク
   電流補償回路であって、 前記抵抗素子の中間付近に設けられた中間端子から前記
   寄生ダイオードの前記リーク電流に等しい大きさの電流
   を引き抜き、又は前記中間端子に前記リーク電流に等し
   い大きさの電流を供給し、前記抵抗素子におけるリーク
   電流及び電圧降下を補償することを特徴とするリーク電
   流補償回路。
4. 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれか１つに記
   載のリーク電流補償回路において、 前記寄生ダイオードが接続されている電源と同一の電源
   に接続され、前記逆方向リーク電流を補償電流として流
   す補償ダイオードと、 前記補償ダイオードの流す前記補償電流を入力電流とす
   るカレントミラー回路と、 を有し、 前記カレントミラー回路の出力電流を前記抵抗素子の両
   端または前記中間端子から引き抜き、又は前記抵抗素子
   の両端又は前記中間端子に供給し、前記抵抗素子のリー
   ク電流及び電圧降下を補償することを特徴とするリーク
   電流補償回路。
5. 【請求項５】 請求項４に記載のリーク電流補償回路に
   おいて、 前記カレントミラー回路は、 前記補償電流が入力される入力側トランジスタと、 前記抵抗素子の両端にそれぞれ接続されて、前記ｎ、ｍ
   の大きさの出力電流を引き抜く又は前記抵抗素子の両端
   に供給する複数の出力側トランジスタと、 を有することを特徴とするリーク電流補償回路。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のリーク電流補償回路に
   おいて、 前記カレントミラー回路は、 前記補償電流が入力される入力側トランジスタと、 前記抵抗素子の両端にそれぞれ接続されて、前記リーク
   電流の１／２の大きさの出力電流を引き抜く又は前記抵
   抗素子の両端に供給する複数の出力側トランジスタと、 を有することを特徴とするリーク電流補償回路。
7. 【請求項７】 請求項４〜請求項６のいずれか１つに記
   載のリーク電流補償回路において、 前記補償ダイオードから得る補償電流の大きさを上記寄
   生ダイオードのリーク電流の１／Ｎ（ＮはＮ＞１の数）
   に設定し、 前記カレントミラー回路の入力電流対出力電流の大きさ
   の比を２対Ｎ、又は１対Ｎに設定することを特徴とする
   リーク電流補償回路。