JPH095578A - ハイブリッド光集積用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリコン基板を用いて低浮遊容量での素子搭
載を可能とするハイブリッド光集積用基板を提供する。 【構成】 シリコン基板２１上で光素子搭載部を構成す
る上端が平坦な凸部のうち、電気配線パタン２４と接触
する半田パタン２５で覆われた面積の小さな第１の凸部
２１ａにより光素子との低浮遊容量による電気的接続を
可能とし、該第１の凸部２１ａとほぼ高さが等しくかつ
電気配線パタン２４と接触しない半田パタン２６で覆わ
れた面積の大きな第２の凸部２１ｂにより十分な強度を
もった光素子の固定を可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高速動作可能なハイブ
リッド光集積用基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光部品の実装コストの低減及び光
部品の高機能化を図るために、シリコン（Ｓｉ）基板を
光実装基板（プラットフォーム）として用い、この上に
光素子をフリップチップボンディングすることにより、
Ｓｉ基板に搭載した光ファイバまたはＳｉ基板上に形成
した光導波路との光結合を実現するハイブリッド光集積
技術の研究開発が活発化している。

【０００３】図１は従来のハイブリッド光集積用基板の
一例、ここではC.A.Armiento et al., Electron. Let
t., vol.27, 1991, pp.1109-1111に記載された例を示す
ものである。同図において、１はＳｉ基板、２は電気配
線を兼ねる半田パタンであり、半田パタン２上に光素子
として半導体レーザ３がその活性層側を下向きにしたジ
ャンクションダウンの状態で搭載・固定されている。ま
た、４はＳｉ基板１に形成されたＶ溝であり、このＶ溝
４中に光ファイバ５が挿入・固定される。この状態で半
導体レーザ３と光ファイバ５とが光結合する如くなって
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記構造では、電気配
線が全てＳｉ基板上に直接または厚さ０．５μｍ程度の
熱酸化膜上に形成される。しかしながら、一般に、Ｓｉ
基板は誘電率が大きく、また、誘電率の虚数成分に対応
する誘電損失が大きいため、図１のようなＳｉ基板上の
電気配線では、１ＧＨｚ以上の高周波領域における信号
の損失が著しく大きいという問題があった。

【０００５】この問題を解決するものとして、発明者ら
は図２に示す構造を提案した（S.Mino et al., Electro
n. Lett. vol.30, 1994, pp.1888-1890 参照）。同図に
おいて、６は光素子、例えば半導体レーザ、７は光素子
の搭載部を構成する凸部７ａを備えたＳｉ基板であり、
該凸部７ａ上には厚さ０．５μｍの熱酸化膜を介して電
極パタン８が形成されている。また、Ｓｉ基板７の平面
部（凸部以外の部位）７ｂの一方には石英系光導波路９
が形成され、さらにまた、凸部７ａを挟んで光導波路９
の反対側には石英ガラス膜１０が形成されている。この
石英系ガラス膜１０の表面の高さは凸部７ａの上端より
低くなるように設定されており、この上に電気配線パタ
ン１１が設けられている。また、電極パタン８と電気配
線パタン１１とは凸部７ａ上で電気的に接続されてい
る。

【０００６】このような構造のプラットフォームでは、
電気配線は全て誘電率及び誘電損失の小さい石英系ガラ
ス膜上に形成されるので、高周波信号の損失は小さくな
り、プラットフォームの高周波特性は大幅に改善され
る。

【０００７】しかしながら、この構造においても電極パ
タン８は凸部７ａの広い領域にわたって形成されるの
で、該電極パタン８での浮遊容量が大きい。このため、
この凸部７ａ上にフォトディテクタを搭載するとＣＲ時
定数が大きくなってしまい、高速動作ができないと問題
があった。

【０００８】以上述べたように、Ｓｉ基板は放熱性及び
加工性に優れることからハイブリッド光集積用基板とし
ての適用が期待され、いくつかの応用が検討されてきて
いるが、従来のＳｉ基板を用いたプラットフォームで
は、電極パタンをＳｉ基板上に形成していたので、電極
パタンでの浮遊容量が大きくなり、特に浮遊容量の低減
を必要とするフォトディテクタの搭載が難しいという問
題があった。

【０００９】本発明の目的は、シリコン基板を用いて低
浮遊容量での素子搭載を可能とするハイブリッド光集積
用基板を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の請求項１では、光素子搭載部を構成する上
端が平坦な凸部を備えたシリコン基板上に、光導波部
と、誘電体層及びその上に形成された電気配線パタンよ
りなる電気配線部とを前記光素子搭載部に隣接して設け
たハイブリッド光集積用基板において、光素子搭載部
を、電気配線パタンと接触する導電性固定材で覆われた
第１の凸部と、該第１の凸部とほぼ高さが等しくかつ電
気配線パタンと接触しない導電性固定材で覆われた第２
の凸部とで構成したハイブリッド光集積用基板を提案す
る。

【００１１】また、請求項２では、第１の凸部の上端の
面積を第２の凸部の上端の面積より小さくした請求項１
記載のハイブリッド光集積用基板を提案する。また、請
求項３では、光素子の搭載時に該光素子の活性層の高さ
が光導波部のコアの高さと一致するように第１の凸部の
高さを設定した請求項１または請求項２記載のハイブリ
ッド光集積用基板を提案する。

【００１２】また、請求項４では、光導波部をシリコン
基板上に形成した平面光導波路とした請求項１乃至３い
ずれか記載のハイブリッド光集積用基板を提案する。ま
た、請求項５では、光導波部をシリコン基板に搭載した
光ファイバとした請求項１乃至３いずれか記載のハイブ
リッド光集積用基板を提案する。

【００１３】

【作用】本発明の請求項１によれば、光素子搭載部を、
電気配線パタンと接触する導電性固定材で覆われた第１
の凸部と、該第１の凸部とほぼ高さが等しくかつ電気配
線パタンと接触しない導電性固定材で覆われた第２の凸
部とで構成したことにより、光素子の支持・固定は主と
して第２の凸部に行わせ、光素子との電気的接続を第１
の凸部に行わせるといった役割分担を可能とし、これに
よって浮遊容量が十分に小さくなるように第１の凸部の
面積を小さく設定することが可能となる。また、第１及
び第２の凸部の表面の高さを概ね等しく形成することに
より、第２の凸部に光素子を接触させると同時に該光素
子を第１の凸部に接触させることができ、これによっ
て、従来の半田バンプ法によらず、薄膜の半田を用いた
接続・固定が可能となる。

【００１４】また、請求項２によれば、第１の凸部の上
端の面積を第２の凸部の上端の面積より小さくしたこと
により、光素子との間で浮遊容量の小さい電気的接続を
実現できる。また、請求項３によれば、光素子の搭載時
に該光素子の活性層の高さが光導波部のコアの高さと一
致するように第１の凸部の高さを設定したことにより、
光素子を第１及び第２の凸部上に置くだけで高さ方向の
位置合わせを行うことができる。

【００１５】また、請求項４によれば、光導波部をシリ
コン基板上に形成した平面光導波路としたことにより、
低浮遊容量な光素子の実装が可能で高速駆動可能な光モ
ジュールを実現できる。また、請求項５によれば、光導
波部をシリコン基板に搭載した光ファイバとしたことに
より、低浮遊容量な光素子の実装が可能で高速駆動可能
な光ファイバ直結型の光モジュールを実現できる。

【００１６】

【実施例１】図３は本発明のハイブリッド光集積用基板
の第１の実施例を示すもので、図中、２１はシリコン
（Ｓｉ）基板、２２は光導波路、２３は誘電体層、２４
は電気配線パタンである。

【００１７】Ｓｉ基板２１は、上端が平坦な第１の凸部
２１ａ及び第２の凸部２１ｂと、これら凸部以外の平面
部２１ｃとを備えている。

【００１８】第１の凸部２１ａは主として光素子（図３
には図示せず）との電気的な接続を行うためのもので、
ここでは２つ設けられ、その上には導電性固定材として
ＡｕＳｎ半田パタン２５が設けられている。また、第２
の凸部２１ｂは光素子を支持・固定するためのもので、
ここでは２つ設けられ、その上にも導電性固定材として
ＡｕＳｎ半田パタン２６が設けられている。これらの４
つの凸部が光素子搭載部を構成するが、以下、第１の凸
部を電極テラス、第２の凸部を固定テラスと称すものと
する。

【００１９】光導波路２２はＳｉ基板２１の一方の平面
部２１ｃ上に形成された誘電体光導波路であり、コア２
２ａ、下部クラッド層２１ｂ及び上部クラッド層２１ｃ
からなる。この光導波路２２は光導波部を構成するもの
で、本実施例では石英系光導波路を用いている。

【００２０】誘電体層２３はＳｉ基板２１の他方の平面
部２１ｃ上に連続して形成された光導波路２２の下部ク
ラッド層からなるものである。また、電気配線パタン２
４は電極テラス２１ａに対応した数、ここでは２つ設け
られ、各電極テラス２１ａ上のＡｕＳｎ半田パタン２５
とそれぞれ電気的に接続される如く誘電体層２３上に形
成される。なお、固定テラス２１ｂ上のＡｕＳｎ半田パ
タン２６とは電気的に絶縁される如く形成される。この
電気配線パタン２４は誘電体層２３とともに電気配線部
を構成するもので、本実施例ではＡｕ薄膜パタンを用い
ている。

【００２１】前述した電極テラス２１ａの大きさは２０
μｍ角に設定してある。また、固定テラス２１ｂの大き
さは幅５０μｍ、長さ４００μｍに設定してあり、その
上の半田パタン２６は光導波路２２の端面より１００μ
ｍ離れた所から電気配線部に向けて設けられている。ま
た、固定テラス２１ｂの光導波路２２の端面に近い部位
には光素子のアライメントマーカ２７が設けられてい
る。また、電極テラス２１ａ及び固定テラス２１ｂは共
に、その半田パタンの表面から光導波路２２のコア２２
ａまでの高さが５μｍに設定してある。この寸法は光素
子搭載部に搭載する光素子の電極表面から活性層の中心
までの距離と一致している。

【００２２】図４は図３のハイブリッド光集積用基板に
光素子を搭載した時の状態を、図３のＡ−Ａ’線におけ
る断面で示したものである。即ち、図中、２８は光素
子、ここでは導波路型フォトディテクタ（ＰＤ）であ
る。

【００２３】前述したように、電極テラス２１ａ及び固
定テラス２１ｂ上の半田パタンから光導波路のコアの中
心までの距離を、ＰＤ２８の電極表面から活性層の中心
までの距離と等しく設定したので、ＰＤ２８を光素子搭
載部、即ち電極テラス２１ａ及び固定テラス２１ｂ上に
置くだけで高さ方向の位置合わせを行うことができる。
また、水平方向については、前述した基板上のアライメ
ントマーカ２７に予めＰＤ２８に設けたアライメントマ
ーカ（図示せず）を合わせるのみで位置合わせを行うこ
とができる。

【００２４】本実施例では、前述したように面積が小さ
い電極テラス２１ａと面積が十分大きい固定テラス２１
ｂとにより光素子搭載部を構成したため、ＰＤ２８を基
板上に搭載するに当たって、固定テラス２１ｂ上の大き
な半田パタンにより十分な固定強度を実現でき、一方、
電極テラス２１ａ上の小さな半田パタンにより電気配線
パタン２４及びＰＤ２８間の浮遊容量の小さい電気的接
続を実現でき、電気配線にともなうＣＲ時定数を小さく
できるので、高周波特性の優れたハイブリッド光実装を
実現できる。

【００２５】図５は前述した第１の実施例の製造工程の
要部を、図３のＡ−Ａ´線における断面により示すもの
で、これに従って簡単に説明する。

【００２６】まず、図５(a) に示すように、Ｓｉ基板２
１の一部を除去して凸部２１ａ及び２１ｂ、即ち電極テ
ラス２１ａ及び固定テラス２１ｂを形成し、石英系光導
波路を形成し、その不要部分をエッチングにより除去し
て誘電体層２３を形成し、光素子搭載部及び電気配線部
を形成する。次に、図５(b) に示すように、電気配線パ
タン２４を誘電体層２３及び電極テラス２１ａ上に形成
する。また、この際、高さを一致させるため、固定テラ
ス２１ｂ上にも電気配線パタン２４と電気的に絶縁した
状態でＡｕ薄膜パタン、例えば２９を形成しておくと良
い。最後に、図５(c) に示すように、電極テラス２１ａ
上に半田パタン２５を形成し、固定テラス２１ｂ上に半
田パタン２６を形成すれば良い。

【００２７】

【比較例】本発明の効果を確認するため、光素子搭載部
を構成する凸部を電極テラス及び固定テラスに分割しな
い構造の基板を作成し、その特性を本発明の典型的な第
１の実施例と比較した。

【００２８】図６は第１の比較例を示すもので、ここで
は図２に示した従来例と同様に凸部を一つのみ設けた例
を示す。即ち、図中、３１はシリコン（Ｓｉ）基板であ
り、上端が平坦な凸部３１ａと、該凸部以外の平面部３
１ｂとを備えている。凸部３１ａ上には半田パタン３２
が２つ設けられている。また、一方の平面部３１ｂ上に
は光導波路３３が形成され、また、他方の平面部３１ｂ
上には誘電体層３４が形成され、また、該誘電体層３４
上には２つの半田パタン３２とそれぞれ電気的に接続す
る２つの電気配線パタン３５が形成されている。

【００２９】ここで、光素子と基板との間の十分な固定
強度を得るため、半田パタン３２の寸法は１００μｍ×
３００μｍに設定し、また、電気配線パタン３５の長さ
は１０ｍｍ（厚さ１５μｍの誘電体層上）に設定した。
この際、半田パタン３２及び電気配線パタン３５を合わ
せた浮遊容量は、約３００ｐＦとなる。一方、本発明の
第１の実施例では電極テラス上の半田パタンの大きさが
２０μｍ×２０μｍであるので、浮遊容量は前記比較例
の約１／７５の０．４ｐＦとなる。

【００３０】図７は第２の比較例を示すもので、ここで
は凸部を２つ設けてそれぞれを固定テラスとして用いる
とともに光素子との電気的な接続を半田バンプにより行
う例を示す。即ち、図中、４１はシリコン（Ｓｉ）基板
であり、上端が平坦な２つの凸部４１ａと、該凸部以外
の平面部４１ｂとを備えている。２つの凸部、即ち固定
テラス４１ａ上には半田パタン４２がそれぞれ設けられ
ている。また、一方の平面部４１ｂ上には光導波路４３
が形成され、また、他方の平面部４１ｂ上には誘電体層
４４が形成され、また、該誘電体層４４上には２つの電
気配線パタン４５が形成され、さらにまた、２つの固定
テラス４１ａ間まで延設された各電気配線パタン４５上
には半田バンプ４６がそれぞれ形成されている。

【００３１】この構造では、光素子との電気的な接続部
は半田バンプ４６のみとなるので、光素子の実装に伴う
浮遊容量を小さくすることは可能であるが、本発明の第
１の実施例と比較すると、その製造工程が複雑になる。
即ち、第２の比較例では固定テラス４１ａ上の半田パタ
ン４２よりも半田バンプ４６の厚さを厚くしなければな
らないが、この場合、半田パタン４２と半田バンプ４６
の表面の高さを一致させることが容易ではない。このた
め、第２の比較例の基板を製造するには次に説明する製
造工程が必要となる。

【００３２】図８，９は前述した第２の比較例の製造工
程を、図７のＡ−Ａ´線における断面により示すもの
で、これに従って説明する。

【００３３】まず、Ｓｉ基板４１の一部を除去して２つ
の凸部、即ち固定テラス４１ａを形成し、光導波路を形
成し、その不要部分をエッチングにより除去して誘電体
層４４を形成し、さらに前記２つの固定テラス４１ａ間
の誘電体層４４上に電気配線パタン４５を形成した
（ａ）後、この上にＳｉＯ₂ 薄膜４７を堆積して窓を形
成する（ｂ）。次に、前述した窓上に下地金属パタン４
８を形成し、この上に該下地金属パタン４８より若干大
きい半田バンプ４６を形成する（ｃ）。

【００３４】次に、固定テラス４１ａ上に半田パタン４
２を形成する（ｄ）が、この際、固定テラス４１ａ上の
半田パタン４２と半田バンプ４６の表面の高さを一致さ
せることは容易でないので、むしろ半田バンプ４６の表
面を固定テラス４１ａ上の半田パタン４２より十分に低
く設定しておく。従って、次に光素子、例えば４９を搭
載する（ｅ）が、この時点では光素子４９の電極と半田
バンプ４６とは電気的に接触しない。

【００３５】この後、半田をリフローすることにより、
半田バンプ４６の高さを上昇させ、これによって光素子
４９の電極と電気的に接続させることになる（ｆ）。こ
の半田バンプ４６の高さの上昇は工程（ｂ），（ｃ）に
おいて、ＳｉＯ₂ 薄膜４７及び下地金属パタン４８を導
入した結果として可能となる。

【００３６】このような工程によれば、第２の比較例の
基板を製造できるが、その工程は前述したように複雑で
ある。これに対して、本発明の第１の実施例によれば、
固定テラスととともに電極テラスを用いたことにより、
これらの上に半田パタンを同時に形成するのみで高さを
一致させることができ、その製造工程は図５に示したよ
うに極めて単純となる。

【００３７】

【実施例２】図１０は本発明の第２の実施例を示すもの
で、ここでは光導波部を光ファイバで構成した例を示
す。

【００３８】即ち、図中、５１はシリコン（Ｓｉ）基板
であり、上端が平坦な第１の凸部５１ａ及び第２の凸部
５１ｂと、これら凸部以外の平面部５１ｃとを備えてい
る。第１の凸部５１ａは主として光素子との電気的な接
続を行うためのもので、第１の実施例と同様に２つ設け
られ、その上にはＡｕＳｎ半田パタン５２が設けられて
いる。また、第２の凸部５１ｂは光素子とともに光ファ
イバを支持・固定するためのもので、第１の凸部５１ａ
を挟んで配置される２つの部位の上にはＡｕＳｎ半田パ
タン５３が設けられており、前述した凸部５１ａ並びに
凸部５１ｂにおける半田パタン５３の付設部位が光素子
搭載部を構成する。

【００３９】また、第２の凸部５１ｂの第１の凸部５１
ａに対向する部位にはＶ溝５４が設けられており、前記
Ｖ溝５４中に光導波部を構成する光ファイバ５５が挿入
・固定される。また、５６はＳｉ基板５１の平面部５１
ｃ上に形成された誘電体層、５７は該誘電体層５６上に
形成された電気配線パタンであり、これらは電気配線部
を構成する。なお、前述した光素子搭載部及び電気配線
部の基本的な構造は第１の実施例の場合と全く同様であ
る。

【００４０】この実施例によれば、Ｓｉ基板に設けたＶ
溝に光ファイバを挿入・固定することにより、無調心で
光素子と光ファイバとの結合を実現できるともに、浮遊
容量を低減した光素子の実装を実現でき、高速駆動可能
な光ファイバ直結型の光モジュールを提供することがで
きる。

【００４１】

【実施例３】図１１は本発明の第３の実施例を示すもの
で、ここでは電極端子数の多い光素子に対応した例を示
す。

【００４２】即ち、図中、６１はシリコン（Ｓｉ）基板
であり、上端が平坦な第１の凸部６１ａ及び第２の凸部
６１ｂと、これら凸部以外の平面部６１ｃとを備えてい
る。第１の凸部６１ａは主として光素子との電気的な接
続を行うためのもので、ここでは８つ設けられ、その上
にはＡｕＳｎ半田パタン６２が設けられている。また、
第２の凸部６１ｂは主として光素子を支持・固定するた
めのもので、ここでは１つのみ設けられ、その上にはＡ
ｕＳｎ半田パタン６３が設けられ、さらにアライメント
マーカ６４が設けられている。前記凸部６１ａ及び凸部
６１ｂは各凸部６１ａが凸部６１ｂの周囲を取り巻くよ
うに配置され、光素子搭載部を構成している。

【００４３】また、６５はＳｉ基板６１の平面部６１ｃ
上に形成された光導波路であり、この光導波路６５が光
導波部を構成する。また、６６はＳｉ基板６１の平面部
２１ｃ上に連続して形成された光導波路６５の下部クラ
ッド層からなる誘電体層であり、また、６７は該誘電体
層６６上に形成された電気配線パタンであり、これらは
電気配線部を構成する。なお、前述した光素子搭載部、
光導波部及び電気配線部の基本的な構造は第１の実施例
の場合と全く同様である。

【００４４】また、６８は電極端子数の多い光素子、例
えば２チャネルＯＥＩＣであり、予め設けたアライメン
トマーカを凸部６１ｂ上のアライメントマーカ６４に合
わせることにより、その各電極端子を凸部６１ａに当接
させ、中央部を凸部６１ｂに当接させて接続・固定する
ことができる。

【００４５】この実施例によれば、面積の広い第２の凸
部の周囲に面積の狭い第１の凸部を配置して電極端子数
の多い光素子を固定するようにしたので、実装に伴う浮
遊容量を低減できるとともに十分な固定強度を得ること
ができる。

【００４６】

【発明の効果】以上述べたように本発明の請求項１によ
れば、光素子搭載部を、電気配線パタンと接触する導電
性固定材で覆われた第１の凸部と、該第１の凸部とほぼ
高さが等しくかつ電気配線パタンと接触しない導電性固
定材で覆われた第２の凸部とで構成したことにより、光
素子の支持・固定は主として第２の凸部に行わせ、光素
子との電気的接続を第１の凸部に行わせるといった役割
分担を可能とし、これによって浮遊容量が十分に小さく
なるように第１の凸部の面積を小さく設定することが可
能となる。このため、フォトディテクタのように、ＣＲ
時定数を十分に小さくする必要がある光素子の搭載に効
果を発揮できる。また、第１及び第２の凸部の表面の高
さを概ね等しく形成することにより、第２の凸部に光素
子を接触させると同時に該光素子を第１の凸部に接触さ
せることができ、これによって、従来の半田バンプ法に
よらず、薄膜の半田を用いた接続・固定が可能となり、
その製造が極めて容易となる。

【００４７】また、本発明の請求項２によれば、第１の
凸部の上端の面積を第２の凸部の上端の面積より小さく
したことにより、光素子との間で浮遊容量の小さい電気
的接続を実現できる。

【００４８】また、本発明の請求項３によれば、光素子
の搭載時に該光素子の活性層の高さが光導波部のコアの
高さと一致するように第１の凸部の高さを設定したこと
により、光素子を第１及び第２の凸部上に置くだけで高
さ方向の位置合わせを行うことができる。

【００４９】また、本発明の請求項４によれば、光導波
部をシリコン基板上に形成した平面光導波路としたこと
により、低浮遊容量な光素子の実装が可能で高速駆動可
能な光モジュールを実現できる。

【００５０】また、本発明の請求項５によれば、光導波
部をシリコン基板に搭載した光ファイバとしたことによ
り、低浮遊容量な光素子の実装が可能で高速駆動可能な
光ファイバ直結型の光モジュールを実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のハイブリッド光集積用基板の一例を示す
斜視図

【図２】従来のハイブリッド光集積用基板の他の例を示
す斜視図

【図３】本発明のハイブリッド光集積用基板の第１の実
施例を示す斜視図

【図４】図３のハイブリッド光集積用基板に光素子を搭
載した時の状態を示す図３のＡ−Ａ’線における断面図

【図５】第１の実施例の製造工程の要部を図３のＡ−Ａ
´線における断面により示す説明図

【図６】第１の比較例を示す斜視図

【図７】第２の比較例を示す斜視図

【図８】第２の比較例の製造工程を図７のＡ−Ａ´線に
おける断面により示す説明図

【図９】第２の比較例の製造工程を図７のＡ−Ａ´線に
おける断面により示す説明図

【図１０】本発明のハイブリッド光集積用基板の第２の
実施例を示す斜視図

【図１１】本発明のハイブリッド光集積用基板の第３の
実施例を示す斜視図

【符号の説明】

２１，５１，６１…シリコン（Ｓｉ）基板、２１ａ，５
１ａ，６１ａ…第１の凸部、２１ｂ，５１ｂ，６１ｂ…
第２の凸部、２１ｃ，５１ｃ，６１ｃ…平面部、２２，
６５…光導波路、２３，５６，６６…誘電体層、２４，
５７，６７…電気配線パタン、２５，２６，５２，５
３，６２，６３…半田パタン、２７，６４…アライメン
トマーカ、２８，６８…光素子、５４…Ｖ溝、５５…光
ファイバ。

フロントページの続き (72)発明者 赤津 祐史 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光素子搭載部を構成する上端が平坦な凸
   部を備えたシリコン基板上に、光導波部と、誘電体層及
   びその上に形成された電気配線パタンよりなる電気配線
   部とを前記光素子搭載部に隣接して設けたハイブリッド
   光集積用基板において、 光素子搭載部を、電気配線パタンと接触する導電性固定
   材で覆われた第１の凸部と、該第１の凸部とほぼ高さが
   等しくかつ電気配線パタンと接触しない導電性固定材で
   覆われた第２の凸部とで構成したことを特徴とするハイ
   ブリッド光集積用基板。
2. 【請求項２】 第１の凸部の上端の面積を第２の凸部の
   上端の面積より小さくしたことを特徴とする請求項１記
   載のハイブリッド光集積用基板。
3. 【請求項３】 光素子の搭載時に該光素子の活性層の高
   さが光導波部のコアの高さと一致するように第１の凸部
   の高さを設定したことを特徴とする請求項１または請求
   項２記載のハイブリッド光集積用基板。
4. 【請求項４】 光導波部をシリコン基板上に形成した平
   面光導波路としたことを特徴とする請求項１乃至３いず
   れか記載のハイブリッド光集積用基板。
5. 【請求項５】 光導波部をシリコン基板に搭載した光フ
   ァイバとしたことを特徴とする請求項１乃至３いずれか
   記載のハイブリッド光集積用基板。