JPH095770A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JPH095770A JPH095770A JP15891095A JP15891095A JPH095770A JP H095770 A JPH095770 A JP H095770A JP 15891095 A JP15891095 A JP 15891095A JP 15891095 A JP15891095 A JP 15891095A JP H095770 A JPH095770 A JP H095770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- metal
- semiconductor chip
- integrated device
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】遮光メタルを金バンプ形成で必要とするバリア
メタルと同一工程で、半導体チップの能動素子領域上に
遮光メタルを形成し、外部からの光を遮断し、誤動作を
防止する。 【構成】シリコン基板上に能動素子部１ａを形成した半
導体チップ１上に、液晶駆動用出力信号を取り出すアル
ミパッド部２が形成され、このアルミパッド２上を開口
して、半導体チップ１上に表面保護膜６が形成される。
つぎにアルミパッド２上のバリアメタル３および表面保
護膜６上の遮光メタル４となる金属膜が同時に形成さ
れ、バリアメタル３上に金メッキで金バンプ５が形成さ
れる。
メタルと同一工程で、半導体チップの能動素子領域上に
遮光メタルを形成し、外部からの光を遮断し、誤動作を
防止する。 【構成】シリコン基板上に能動素子部１ａを形成した半
導体チップ１上に、液晶駆動用出力信号を取り出すアル
ミパッド部２が形成され、このアルミパッド２上を開口
して、半導体チップ１上に表面保護膜６が形成される。
つぎにアルミパッド２上のバリアメタル３および表面保
護膜６上の遮光メタル４となる金属膜が同時に形成さ
れ、バリアメタル３上に金メッキで金バンプ５が形成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示パネルなど
の表示装置に適用されるＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎ Ｇｌａ
ｓｓ）実装の半導体集積装置に関する。
の表示装置に適用されるＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎ Ｇｌａ
ｓｓ）実装の半導体集積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＯＧ実装は半導体チップをパッケージ
ングせずに、直接ガラス基板に実装するため、小型、軽
量、薄型にでき、液晶表示パネルなどの表示装置に適用
されている。図２は従来のＣＯＧ実装された半導体集積
装置の要部断面図を示す。液晶表示パネル駆動用の半導
体集積装置の半導体チップ１は、金バンプ５（金ででき
た突起電極）を有しており、この金バンプ５はガラス基
板９上に形成された透明電極７と接続される。この金バ
ンプ５で半導体チップ１がガラス基板９に透明電極７を
介して固着されるが、機械的強度が強めるために、半導
体チップ１は接着樹脂１３で固定される。液晶表示部２
０のガラス基板１０に形成された透明電極８と、半導体
チップ１が接続されたガラス基板９上に形成された透明
電極７との間に液晶１１が封止されている。半導体チッ
プ１から出力される液晶駆動信号は、導電性スペーサ１
２を介して透明電極８と電気的に接続され、液晶１１の
両端の電圧を制御することにより、光の透過を制御し、
それによって文字や数字などを表示する。
ングせずに、直接ガラス基板に実装するため、小型、軽
量、薄型にでき、液晶表示パネルなどの表示装置に適用
されている。図２は従来のＣＯＧ実装された半導体集積
装置の要部断面図を示す。液晶表示パネル駆動用の半導
体集積装置の半導体チップ１は、金バンプ５（金ででき
た突起電極）を有しており、この金バンプ５はガラス基
板９上に形成された透明電極７と接続される。この金バ
ンプ５で半導体チップ１がガラス基板９に透明電極７を
介して固着されるが、機械的強度が強めるために、半導
体チップ１は接着樹脂１３で固定される。液晶表示部２
０のガラス基板１０に形成された透明電極８と、半導体
チップ１が接続されたガラス基板９上に形成された透明
電極７との間に液晶１１が封止されている。半導体チッ
プ１から出力される液晶駆動信号は、導電性スペーサ１
２を介して透明電極８と電気的に接続され、液晶１１の
両端の電圧を制御することにより、光の透過を制御し、
それによって文字や数字などを表示する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップ１は通常
シリコン基板にｐ形、ｎ形の不純物を拡散し、多数の微
小なトランジスタが形成されている。このトランジスタ
に光が当たるとシリコン内部に正孔と電子の荷電粒子が
発生する光起電力効果を生じ、トランジスタを誤動作さ
せる。
シリコン基板にｐ形、ｎ形の不純物を拡散し、多数の微
小なトランジスタが形成されている。このトランジスタ
に光が当たるとシリコン内部に正孔と電子の荷電粒子が
発生する光起電力効果を生じ、トランジスタを誤動作さ
せる。
【０００４】これを防ぐため、ＣＯＧ実装では、半導体
チップ１が実装されたガラス基板９の裏面からの垂直光
１５を遮断するために、遮光シール１４をガラス基板９
に貼付けて、遮光対策している。しかし、ガラス基板９
の裏面に遮光シール１４を貼付けることは液晶パネルの
製造工数を増大させ、コストアップとなる。また半導体
チップ１に垂直に当たる垂直光１５に対しては遮光効果
はあるが、斜めに入った斜光１６はガラス基板９中を光
が進み、半導体チップ１に到達するため、遮光効果は低
く、半導体チップ１を誤動作させることも多い。
チップ１が実装されたガラス基板９の裏面からの垂直光
１５を遮断するために、遮光シール１４をガラス基板９
に貼付けて、遮光対策している。しかし、ガラス基板９
の裏面に遮光シール１４を貼付けることは液晶パネルの
製造工数を増大させ、コストアップとなる。また半導体
チップ１に垂直に当たる垂直光１５に対しては遮光効果
はあるが、斜めに入った斜光１６はガラス基板９中を光
が進み、半導体チップ１に到達するため、遮光効果は低
く、半導体チップ１を誤動作させることも多い。
【０００５】この発明の目的は、前記課題を解決するた
めに、半導体チップの能動素子領域上の表面保護膜に、
製造工程を増さずに遮光メタルを形成することで、製造
コストの増大なしに、外部からの光を遮断し、光による
誤動作を防止できる半導体集積装置を提供することであ
る。
めに、半導体チップの能動素子領域上の表面保護膜に、
製造工程を増さずに遮光メタルを形成することで、製造
コストの増大なしに、外部からの光を遮断し、光による
誤動作を防止できる半導体集積装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、半導体チップに形成される端子電極上にバリアメ
タルが選択的に被着され、このバリアメタル上に突起電
極が形成され、この突起電極がガラス基板上の透明電極
に固着される半導体集積装置において、半導体チップの
能動素子領域上に表面保護膜を介して光を遮断する遮光
メタルを選択的に形成する。この遮光メタルがバリアメ
タルと同一の金属膜で形成されるとよい。
めに、半導体チップに形成される端子電極上にバリアメ
タルが選択的に被着され、このバリアメタル上に突起電
極が形成され、この突起電極がガラス基板上の透明電極
に固着される半導体集積装置において、半導体チップの
能動素子領域上に表面保護膜を介して光を遮断する遮光
メタルを選択的に形成する。この遮光メタルがバリアメ
タルと同一の金属膜で形成されるとよい。
【０００７】半導体チップ上の表面保護膜が遮光効果を
有すると効果的である。この表面保護膜が染料を含むと
遮光効果がでる。バリアメタルが、半導体チップ上に形
成された端子電極と接する１層目の金属膜と突起電極と
接する２層目の金属膜からなる２層の金属膜で形成され
るとよい。
有すると効果的である。この表面保護膜が染料を含むと
遮光効果がでる。バリアメタルが、半導体チップ上に形
成された端子電極と接する１層目の金属膜と突起電極と
接する２層目の金属膜からなる２層の金属膜で形成され
るとよい。
【０００８】
【作用】半導体チップの能動領域上に金バンプ形成時に
必要なバリアメタルをガラス基板上の表面保護膜上に選
択的に被覆させることで、液晶表示部より斜めに入った
光に対しても遮光でき、誤動作を防止できる。また表面
保護膜に遮光性のある材料や染料を混入させることで金
バンプを形成しないボンディング方式の実装においても
遮光できる。また金バンプを形成する場合にも遮光性の
ある表面保護膜の適用で一層遮光効果を増すことができ
る。
必要なバリアメタルをガラス基板上の表面保護膜上に選
択的に被覆させることで、液晶表示部より斜めに入った
光に対しても遮光でき、誤動作を防止できる。また表面
保護膜に遮光性のある材料や染料を混入させることで金
バンプを形成しないボンディング方式の実装においても
遮光できる。また金バンプを形成する場合にも遮光性の
ある表面保護膜の適用で一層遮光効果を増すことができ
る。
【０００９】
【実施例】図１は一実施例で、ＣＯＧ実装された半導体
チップの要部断面図を示す。シリコン基板上に能動素子
部１ａを形成した半導体チップ１上に、液晶駆動用出力
信号を取り出すアルミパッド部２が形成され、このアル
ミパッド２上を開口し、半導体チップ１上に表面保護膜
６が形成される。つぎにアルミパッド２上のバリアメタ
ル３および表面保護膜６上の遮光メタル４となる金属膜
を同時に形成する。この金属膜はアルミパッド２と接す
る１層目の金属膜としてチタンまたはクロム、金バンプ
５と接する２層目の金属膜としてタングステン、ニッケ
ルまたは銀のうち一つで構成され、それぞれをスパッタ
で、露出しているアルミパッド２上および能動素子領域
１ａの表面保護膜６上を選択的に被覆し、その後エッチ
ングでバリアメタル３および遮光メタル４に分離する。
またバリアメタル３上には金メッキで金バンプ５を形成
する。バリアメタル３を２層にするのは、アルミパッド
２とバリアメタル３との密着性およびバリアメタル３と
金バンプ５との密着性とを高めるためである。
チップの要部断面図を示す。シリコン基板上に能動素子
部１ａを形成した半導体チップ１上に、液晶駆動用出力
信号を取り出すアルミパッド部２が形成され、このアル
ミパッド２上を開口し、半導体チップ１上に表面保護膜
６が形成される。つぎにアルミパッド２上のバリアメタ
ル３および表面保護膜６上の遮光メタル４となる金属膜
を同時に形成する。この金属膜はアルミパッド２と接す
る１層目の金属膜としてチタンまたはクロム、金バンプ
５と接する２層目の金属膜としてタングステン、ニッケ
ルまたは銀のうち一つで構成され、それぞれをスパッタ
で、露出しているアルミパッド２上および能動素子領域
１ａの表面保護膜６上を選択的に被覆し、その後エッチ
ングでバリアメタル３および遮光メタル４に分離する。
またバリアメタル３上には金メッキで金バンプ５を形成
する。バリアメタル３を２層にするのは、アルミパッド
２とバリアメタル３との密着性およびバリアメタル３と
金バンプ５との密着性とを高めるためである。
【００１０】遮光メタル４により、図２で説明した、半
導体チップ１の表面に垂直に入射する垂直光１５だけで
なく、液晶表示部２０からガラス基板９に斜めに入射す
る斜光１６も半導体チップ１内に進入できず、完全に遮
光できる。また表面保護膜６に遮光性の保護膜、例えば
炭素を混入した膜や光を遮断する染料を混入した膜など
を使用することで、遮光メタル４が被覆されていないア
ルミパッド２周辺を、表面保護膜６で遮光できる。また
金バンプ５を使わずワイヤボンディング方式の実装の場
合では、前記の遮光性表面保護膜を使用することで同様
の遮光効果が得られる。
導体チップ１の表面に垂直に入射する垂直光１５だけで
なく、液晶表示部２０からガラス基板９に斜めに入射す
る斜光１６も半導体チップ１内に進入できず、完全に遮
光できる。また表面保護膜６に遮光性の保護膜、例えば
炭素を混入した膜や光を遮断する染料を混入した膜など
を使用することで、遮光メタル４が被覆されていないア
ルミパッド２周辺を、表面保護膜６で遮光できる。また
金バンプ５を使わずワイヤボンディング方式の実装の場
合では、前記の遮光性表面保護膜を使用することで同様
の遮光効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】この発明により、液晶表示部から斜めに
入射した光に対しても、遮光でき、光による誤動作を防
止でき、液晶駆動用半導体集積装置の信頼性を向上でき
る。またバリアメタルとなる金属膜を遮光メタルにも利
用することで、製造工数を増加させず、従ってコストア
ップせずに高い遮光効果が得られる。また、表面保護膜
に遮光性膜を用いることで、さらに遮光効果を高めるこ
とができる。
入射した光に対しても、遮光でき、光による誤動作を防
止でき、液晶駆動用半導体集積装置の信頼性を向上でき
る。またバリアメタルとなる金属膜を遮光メタルにも利
用することで、製造工数を増加させず、従ってコストア
ップせずに高い遮光効果が得られる。また、表面保護膜
に遮光性膜を用いることで、さらに遮光効果を高めるこ
とができる。
【００１２】また、金バンプ無しのＣＯＧ実装におい
て、表面保護膜形成で遮光材料や染料を混入した材料を
用いることで、大幅な工数増せずに、高い遮光効果が得
られる。
て、表面保護膜形成で遮光材料や染料を混入した材料を
用いることで、大幅な工数増せずに、高い遮光効果が得
られる。
【図１】この発明の一実施例で、ＣＯＧ実装された半導
体チップの要部断面図
体チップの要部断面図
【図２】従来のＣＯＧ実装された半導体集積装置の要部
断面図
断面図
１ 半導体チップ １ａ 能動素子領域 ２ アルミパッド ３ バリアメタル ４ 遮光メタル ５ 金バンプ ６ 表面保護膜 ７ 透明電極 ８ 透明電極 ９ ガラス基板 １０ ガラス基板 １１ 液晶 １２ 導電スペーサ １３ 接着樹脂 １４ 遮光シール １５ 垂直光 １６ 斜光 ２０ 液晶表示部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/18 Ｈ０１Ｌ 25/04 Ｚ
Claims (5)
- 【請求項１】半導体チップに形成される端子電極上にバ
リアメタルが選択的に被着され、このバリアメタル上に
突起電極が形成され、この突起電極がガラス基板上の透
明電極に固着される半導体集積装置において、光を遮断
する遮光メタルが半導体チップの能動素子領域上に表面
保護膜を介して選択的に形成されることを特徴とする半
導体集積装置。 - 【請求項２】バリアメタルと遮光メタルとが同一の金属
膜で形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体
集積装置。 - 【請求項３】表面保護膜が遮光効果を有することを特徴
とする請求項１記載の半導体集積装置。 - 【請求項４】表面保護膜が染料を含むことを特徴とする
請求項３記載の半導体集積装置。 - 【請求項５】バリアメタルが、端子電極と接する１層目
の金属膜と突起電極と接する２層目の金属膜からなる２
層の金属膜で形成されることを特徴とする請求項１記載
の半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15891095A JPH095770A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15891095A JPH095770A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095770A true JPH095770A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15682025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15891095A Pending JPH095770A (ja) | 1995-06-26 | 1995-06-26 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH095770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720656B2 (en) | 1998-12-21 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with analysis prevention feature |
| KR100741896B1 (ko) * | 2000-10-18 | 2007-07-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 제조 방법 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15891095A patent/JPH095770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720656B2 (en) | 1998-12-21 | 2004-04-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with analysis prevention feature |
| KR100741896B1 (ko) * | 2000-10-18 | 2007-07-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 제조 방법 |
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