JPH0961834A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 工程数を増加させることなく、透明電極の配
線抵抗を低減することを可能とし、かつ配向膜塗布の不
均一化を生ずることなく、均一な液晶層厚の制御を可能
とする液晶表示素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 対向して配置された一対の透明基板と、
これら一対の透明電極の少なくとも一方の対向面に形成
されたストライプ状透明電極と、このストライプ状透明
電極上にその長手方向に不連続に形成された複数の不透
明電極と、これら不透明電極のそれぞれの上に形成され
たスペーサ層と、これらスペーサ層により所定の間隔が
維持された前記透明基板間に配置された液晶層とを具備
することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子及び
その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示素子は、薄型軽量、低消
費電力という利点を有するため、日本語ワードプロセッ
サやデスクトップパーソナルコンピュータ等のパーソナ
ルＯＡ機器の表示装置として積極的に用いられている。
このように、液晶表示素子の用途が広がるとともに、液
晶表示素子に対する大画面化、高精細化、高コントラス
ト化、高表示品位化などの要求性能はますます高くなっ
てきている。

【０００３】しかし、液晶表示素子は、大画面化され、
高精細化される程、高コントラスト比、高表示品位を実
現することが困難になる傾向がある。その原因の一つ
は、表示用透明電極の配線距離が長くかつ精細になり、
配線抵抗が大きくなるため、駆動波形の歪みが増大する
ためである。また、別の原因としては、大面積になる程
全面に渡って液晶層厚を均一に保つことが困難になり、
液晶層厚むらが増大するためである。駆動波形の歪みは
コントラスト比の低下やクロストーク表示むらを引き起
こし、液晶層厚のむらはコントラスト比や表示色のむら
を引き起こしてしまう。

【０００４】特に、ＳＴＮ（ス−パ−ツイスト）型液晶
セルは、液晶材料の複屈折性を利用した表示デバイスで
あるため、セルギャップの均一性が表示画面に大きな影
響を与えてしまう。

【０００５】これらの問題のうち、透明電極の配線抵抗
を低減するための技術として、透明電極の厚みを増大す
ることが考えられるが、あまり厚くし過ぎると液晶セル
の透過率が減少し、表示輝度が低下し、また、エッチン
グによる精細な電極パターンの形成が困難になるなどの
難点がある。そのため、このような難点のない方法とし
て、透明電極に接して低抵抗の金属の細線を形成する方
法がある。

【０００６】また、液晶層厚を均一に保つため、通常、
微小球からなる粉末状のスペーサ材を基板上に散布する
方法が採られ、このスペーサ材の形状や散布密度の精度
を向上することで、液晶層厚の均一性を向上させること
が可能である。あるいは、フォトリソグラフィにより基
板上に柱状のフォトレジストからなるスペーサを形成す
る方法も考えられている。フォトレジストなどにより基
板上にスペーサを形成する方法では、任意の位置に必要
な密度でスペーサを配置できるため、より均一な液晶層
厚の制御が可能である。

【０００７】以上のことから、今後、大画面、高コント
ラストかつ高表示品位の液晶表示素子を実現するには、
透明電極に接して低抵抗の金属の細線を形成する方法、
及び基板上にスペーサを形成する方法の適用が必要であ
る。しかし、一方、これらの技術を導入するにあたって
は、新たな問題点も発生する。

【０００８】即ち、通常、金属細線の形成は、透明電極
付基板上に金属薄膜を蒸着あるいはスパッタリングによ
り成膜する工程→フォトレジストを塗布する工程→所望
のパターンに露光、現像する工程→エッチング工程→フ
ォトレジスト剥離工程からなる。また、スペーサの形成
は、基板上にフォトレジストを塗布する工程→所望のパ
ターンに露光、現像する工程→焼成硬化する工程からな
る。

【０００９】しかし、これらの工程では、少なくとも計
２回のフォトリソグラフィ工程が新たに必要になり、こ
のことは、歩留まりの低下、製造コストの増加につなが
る。またこの場合、金属細線を形成した後、あるいは金
属細線とスペーサの両方を形成した後に配向膜の塗布を
行うことになるが、金属細線やスペーサによる段差によ
って配向膜の塗布を均一に行なうことが困難となり、表
示むら不良の原因となる。また、金属細線上に感光性樹
脂によりスペ−サ−を形成すると、セル内部空間が仕切
られるため、液晶の注入が困難であるという問題もあ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、今後の
液晶表示素子には、透明電極への低抵抗の金属細線の形
成、及び基板へのスペーサの形成が必要となるが、これ
らの技術を導入するにあたっては、工程数増加による歩
留まりの低下、製造コストの増加、あるいは基板上の段
差の増加による配向膜塗布の不均一化、更にはセル内部
空間が仕切られて液晶の注入が困難であるなどの問題点
がある。

【００１１】本発明の目的は、上記問題点を改善した、
工程数増加による歩留まりの低下や製造コストの増加を
生ずることなく、透明電極の配線抵抗を低減することを
可能とし、かつ配向膜塗布の不均一化を生ずることな
く、均一な液晶層厚の制御を可能とする液晶表示素子及
びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】第１の発明（請求項１）
は、対向して配置された一対の透明基板と、これら一対
の透明電極の少なくとも一方の対向面に形成されたスト
ライプ状透明電極と、このストライプ状透明電極上にそ
の長手方向に不連続に形成された複数の不透明電極と、
これら不透明電極のそれぞれの上に形成されたスペーサ
層と、これらスペーサ層により所定の間隔が維持された
前記透明基板間に配置された液晶層とを具備することを
特徴とする液晶表示素子を提供する。

【００１３】また、第２の発明（請求項２）は、透明電
極が形成された透明基板上にフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記フォトレジスト層の一部を選択的に除去
し、前記透明電極の一部を露出させる工程と、露出した
透明電極上に金属層をメッキする工程と、金属層上に電
着法により絶縁物層を形成する工程とを具備することを
特徴とする液晶表示素子の製造方法を提供する。

【００１４】第１の発明では、液晶駆動用の透明電極の
配線抵抗を低下させるために、透明電極上に複数の低抵
抗の不透明電極を不連続に形成するとともに、液晶層厚
の均一性を向上させるために、不透明電極上に、スペー
サ層を形成している。

【００１５】第１の発明における不透明電極としては、
透明電極の配線抵抗を低下させるほどの低い抵抗を有
し、スペーサ層との密着性が良好なものであればよく、
例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｍｏ等の金属を用いる
ことが出来る。

【００１６】液晶組成物の注入が支障なく行われるため
には、不透明電極の間隔は、１０μｍ以上であることが
好ましい。また、スペーサ層としては、絶縁性を有し、
所定のパタ−ン状に形成され、一対の透明基板間の間隔
を一定に維持し得るものならであればよく、例えばフォ
トレジストのような感光性樹脂を用いることが出来る。
感光性樹脂以外にも、印刷により形成されたインク層を
用いることも可能である。

【００１７】不透明電極は、所定のパタ−ンに形成され
たスペーサ層をマスクとして用いて不透明層をエッチン
グすることにより形成することが出来る。不透明電極及
びスペーサ層のパタ−ンの形状は任意であり、例えばス
トライプ状透明電極の一側部又は両側部に１列又は２列
形成されたものであっても、中央部に１列形成されたも
のであってもよい。しかし、パタ−ン同士を接触させず
に多数の不透明電極及びスペーサ層を配置出来ることか
ら、ストライプ状透明電極の両側部に２列形成すること
が好ましい。

【００１８】以上説明した第１の発明によると、透明電
極上への不透明電極の形成により透明電極の抵抗を下げ
ることが出来るとともに、不透明電極及びスペーサ層を
複数に区分された不連続なパタ−ンとしているため、液
晶組成物の注入に困難を生ずることがない。また、不透
明電極のパタ−ニングをスペーサ層をマスクとして行う
ことが出来るため、製造工程の簡略化が可能である。

【００１９】第２の発明では、所定のパタ−ン状に露出
した透明電極上に金属層をメッキし、次いで、この金属
層上に電着法により絶縁物層を形成することにより柱状
のスペーサを形成している。

【００２０】第２の発明における金属層としては、透明
電極の配線抵抗を低下させるほどの低い抵抗を有すると
ともに、メッキにより形成可能なものであればよく、例
えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｒ等の金属を用いることが出来る。

【００２１】また、スペーサを構成する絶縁物層として
は、金属層上に電着法により形成され、一対の透明基板
間の間隔を一定に維持し得るものならばどのようなもの
でもよく、例えばフォトレジストのような感光性樹脂を
用いることが出来る。

【００２２】第２の発明における柱状のスペーサは、具
体的には、次のような工程で形成される。なお、ここで
は単純マトリクス用のＩＴＯストライプ電極の形成され
たガラス基板上に形成する場合を例に挙げて説明する。

【００２３】（１）ＩＴＯストライプ電極の形成された
ガラス基板上にフォトレジスト層を塗布形成する。 （２）透明電極上の金属層および柱状のスペーサを形成
しようとする部分のフォトレジスト層をフォトエッチン
グにより除去し、透明電極を露出させる。

【００２４】（３）露出した透明電極上に金属をメッキ
する。 （４）金属メッキ面上に電着法により絶縁物層を所望の
セルギャップが得られる厚さに形成する。

【００２５】以上の工程によると、フォトリソグラフィ
工程が１回で済むという利点がある。また、工程（２）
で除去されずに残ったフォトレジスト層を配向膜として
使うことにより、配向膜塗布工程も省略できるととも
に、金属細線や柱状スペーサの段差による配向膜塗布む
らも回避することが出来る。

【００２６】このように、第２の発明により得られた基
板を用いて液晶表示素子を構成することによって、大画
面、高精細であっても高コントラストかつ高表示品位の
液晶表示素子を安価にかつ高歩留まりで実現できる。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
種々の実施例について説明する。なお、実施例１〜４は
第１の発明に係る実施例であり、実施例５は第２の発明
に係る実施例である。

【００２８】実施例１ 図１は、本発明の一実施例に係る液晶表示装置の構成を
示す。この液晶表示装置は、液晶表示素子１と、この液
晶表示素子１に接続された駆動装置２と、バックライト
３とから構成される。この液晶表示素子１では、一対の
透明基板４，５が対向して配置され、これら透明基板
４，５上には、ＩＴＯからなるストライプ状の透明電極
である表示用走査電極６及び信号電極７（面積抵抗８Ω
／□）と、樹脂配向膜８，９とがそれぞれ形成されてい
る。

【００２９】信号電極７上には不透明金属電極１０が形
成され、この金属電極１０上には、透明基板４，５間の
ギャップを一定に保つための感光性樹脂スペーサ１１が
形成されている。そして、透明基板４，５間のギャップ
には液晶組成物層１２が配置されるとともに、封止材１
３により封止されている。

【００３０】透明基板４，５の対向面とは反対側の面に
は光学的異方性フィルム１４，１５が設けられるととも
に、偏光板１６，１７が配置されている。以上のように
構成される液晶表示素子１の上下透明基板４，５の間隔
は６．５μｍであり、配向膜８，９には液晶分子を一方
向にそろえるラビング配向処理が施され、上下透明基板
４，５間で液晶分子が２４０°捩れたスーパーツイスト
型の液晶セルとされている。

【００３１】また、光学的異方性フィルム１４，１５に
より表示色が調整され、ノーマリブラックの白黒表示型
の液晶セルとされている。透明電極６，７は、信号
（Ｘ）電極が６４０本、走査（Ｙ）電極が４８０本で６
４０×４８０画素となっており、従って、液晶表示素子
１は約９．２インチの表示面を有する。

【００３２】次に、図１に示す液晶表示素子の製造工程
について説明する。最初に、図２を参照して、本発明の
特徴となす金属電極１０と感光性樹脂スペーサ１１とに
ついて説明する。

【００３３】本発明の不透明金属電極１０と感光性樹脂
スペーサ１１は、以下の手順に基づいて作成した。 １．幅１００μｍのＩＴＯからなる信号透明電極７が形
成されたガラス基板５上に、０．０５μｍの厚さのクロ
ム薄膜を成膜する。

【００３４】２．クロム薄膜上に０．１５μｍの厚さの
アルミニウム薄膜を成膜する。 ３．アルミニウム薄膜上に６．３μｍの厚さのネガ型感
光性樹脂を塗布する。４．ネガ型感光性樹脂層を所定の
パタ−ンに露光する。

【００３５】５．現像し、感光性樹脂スペーサ１１を形
成する。 ６．感光性樹脂スペーサ１１をマスクとして用いてクロ
ム薄膜とアルミニウム薄膜をエッチングし、クロム薄膜
とアルミニウム薄膜とからなる幅１０μｍ、長さ３０μ
ｍの金属電極１０を、信号透明電極７の両側端部に互い
違いに２列、間隔３０μｍで形成する。

【００３６】次に、このようにして形成された不透明金
属電極１０と感光性樹脂スペーサ１１とを有する透明基
板５上の、露出する信号透明電極７上にポリイミド樹脂
からなる樹脂配向膜９を形成し、この樹脂配向膜９をラ
ビング配向処理した。なお、このラビング配向処理は、
不透明金属電極１０と感光性樹脂スペーサ１１の高さが
それほど高くないため、それらの存在にもかかわらず可
能であるが、配向処理として紫外線照射による方法を用
いることにより、不透明金属電極１０と感光性樹脂スペ
ーサ１１に何ら影響されることなく配向処理を行うこと
が可能である。

【００３７】その後、感光性樹脂スペーサ１１に接着剤
を塗布し、別途、ＩＴＯからなる走査電極６及びポリイ
ミド樹脂からなる樹脂配向膜８が形成され、樹脂配向膜
８の配向処理が行われた透明基板４と、上述の透明基板
５とを対向配置し、感光性樹脂スペーサ１１を介して接
着し、液晶セルを形成した。

【００３８】次いで、液晶セルに液晶材料を注入した。
この液晶材料の注入は、一般的に用いられる真空注入装
置を用いて行った。具体的には、まず真空チャンバー内
に液晶セルを搬入し、ロータリーポンプで真空引きす
る。次に、セルの注入口を液晶に浸し、この状態のまま
大気圧に戻す。そうすることにより、セル内外の気圧差
によってセル内に液晶が注入されていく。

【００３９】本発明の液晶セルに以上の方法で液晶材料
を注入したところ、未注入部分が残ることなく、全体に
均一に液晶材料を注入することが出来た。以上のように
して作製された本発明の液晶表示装置を１／２４０ｄｕ
ｔｙでマルチプレックス駆動したところ、コントラスト
比１：３０でむらの無い良好な表示が得られた。また、
電極の面積抵抗値は１Ω／□に低下し、クロストークは
改善された。

【００４０】実施例２ 実施例１の液晶表示装置において、不透明金属電極１０
及び感光性樹脂スペーサ１１を、図３に示すように、信
号透明電極７のほぼ中央部に１列に形成したことを除い
て実施例１と同様にして液晶表示装置を作製し、その表
示性能を評価したところ、実施例１と同様の良好な表示
性能が得られた。

【００４１】実施例３ 実施例１の液晶表示装置において、不透明金属電極１０
を走査電極６上に形成したことを除いて実施例１と同様
にして液晶表示装置を作製し、その表示性能を評価した
ところ、実施例１と同様の良好な表示性能が得られた。

【００４２】比較例１ 図４に示すように、信号透明電極７の一方の側端部に連
続する不透明電極１０´及び感光性樹脂スペーサ１１´
を形成したことを除いて実施例１と同様にして液晶セル
を作製し、実施例１と同じ方法で液晶材料の注入を行っ
たところ、セル内部に液晶の未注入部分が発生した。

【００４３】比較例２ 不透明電極上の感光性樹脂膜を剥離し、球状スペーサを
散布して液晶セルを作製し、実施例１と同じ方法で液晶
材料の注入を行い、駆動したところ、ギャップむらに起
因する表示むらが見られた。

【００４４】実施例４ストライプ状の透明電極上に、図
５及び〜図６に示すような下記（１）〜（６）の種々の
パタ−ンの不透明電極および感光性樹脂膜を形成した。

【００４５】（１）１本で切れ目のないパタ−ン（図５
（ａ））。これは本発明の比較例をなすものである。 （２）（１）のパタ−ンの中間部分に１カ所、長さ３０
μｍの切り取り部分を有するパタ−ン（図５（ｂ））。

【００４６】（３）途中に４カ所、切り取り部分を設
け、切り取り部分の長さが全長の５０％を占めるパタ−
ン（図５（ｃ））。 （４）途中に１６カ所、切り取り部分を設け、切り取り
部分の長さが全長の５０％を占めるパタ−ン（図６
（ａ））。

【００４７】（５）長さ３０μｍの切り取り部分を３０
μｍのピッチで設けたパタ−ン（図６（ｂ））。 （６）（５）の構成のパタ−ンを２列、３０μｍずらし
て互い違いになるように配列したパタ−ン（図６
（ｃ））。

【００４８】不透明金属電極１０及び感光性樹脂スペー
サ１１を、以上の（１）〜（６）のパタ−ンで形成した
ことを除いて実施例１と同様にして、それぞれ１０枚の
液晶表示液晶セルを作製し、実施例１と同様の方法で液
晶材料の注入を行ったところ、以下の結果を得た。

【００４９】即ち、（１）のセルでは１０枚全部に、
（２）のセルでは８枚に、（３）のセルでは６枚に、
（４）のセルでは３枚に、それぞれ液晶材料の注入不良
が発生した。（５）及び（６）のセルは、注入不良が発
生しなかった。なお、（１）を除くセルの注入不良は、
（１）のセルに比べ、わずかなものであった。

【００５０】次に、（１）〜（６）の各セルについて、
クロスト−ク率（図７に示す表示パタ−ンＡと表示パタ
−ンＢでの表面輝度のずれ）と、ストライプ電極の面積
抵抗率を測定した。その結果、クロスト−ク率は、
（１）のセルでは３０％、（２）のセルでは５０％、
（３）及び（４）のセルでは９０％、（５）のセルでは
６０％、（６）のセルでは４０％であった。また、面積
抵抗率は、（１）のセルでは１Ω／ｃｍ² 、（２）のセ
ルでは１Ω／ｃｍ² 、（３）及び（４）のセルでは５Ω
／ｃｍ² 、（５）のセルでは３Ω／ｃｍ² 、（６）のセ
ルでは１．５Ω／ｃｍ² であった。このように、クロス
ト−ク率が低いほど面積抵抗値が低くなっている。

【００５１】以上の結果から、液晶材料の注入不良が生
ずることなく、低いクロスト−ク率及び面積抵抗値を示
す液晶セルの構成としては、（６）の液晶セルの構成が
最適であることがわかる。

【００５２】実施例５ 図８は、本発明の他の実施例に係る単純マトリクス駆動
方式のＳＴＮ型液晶表示素子の製造工程を示す図であ
る。

【００５３】本実施例に係る液晶表示素子の走査電極側
基板としては、ガラス板上に液晶表示素子を構成した後
の画素に合わせてＲＧＢカラーフィルター層が形成さ
れ、更にその上にアクリル樹脂からなるオーバーコート
層を介して走査側ＩＴＯストライプ電極が６００本形成
されているものを用いた。表示領域にかかるＩＴＯスト
ライプ電極幅は０．２３ｍｍ、電極間隔は０．０１５ｍ
ｍとした。

【００５４】信号電極側基板としては、ガラス板上に信
号側ＩＴＯストライプ電極が２画面駆動用として２段に
分かれて２４００本ずつ形成されているものを用いた。
表示領域にかかるＩＴＯストライプ電極幅は０．０７ｍ
ｍ、電極間隔は０．０１ｍｍとした。基板サイズはとも
に約１１インチである。

【００５５】走査電極側基板に対して、以下の処理を施
した。 （１）図８（ａ）に示すように、ＩＴＯストライプ電極
２２が形成された走査電極側基板２１上にフォトレジス
ト２３を約２０００オングストロームの厚さにスピンコ
ートした。

【００５６】（２）ＩＴＯストライプ電極２２上のフォ
トレジスト層２３をフォトマスクを介して露光し、現像
し、図８（ｂ）及び図９に示すような細線状のパターン
２４にＩＴＯストライプ電極２２を露出させた。個々の
パターンの寸法は１０μｍ×２４０μｍとした。

【００５７】（３）図８（ｃ）に示すように、ＩＴＯス
トライプ電極２２の露出した部分の上に銀を１０００オ
ングストロ−ムの厚さに電気メッキし、金属細線として
の銀メッキ層２５を形成した。

【００５８】（４）フォトレジスト層２３表面をラビン
ク配向処理した。 （５）銀メッキ層２５上に電着法により、柱状スペーサ
としての電着フォトレジスト２６を７μｍの厚さに付着
させた。

【００５９】（６）基板全面を露光、焼成し、電着フォ
トレジスト２６を硬化した。これにより電着フォトレジ
スト２６の厚さは約６μｍとなった。以上の工程によ
り、図８（ｄ）に示すように、金属細線２５とその上に
柱状スペーサ２６が形成された。

【００６０】次に、以上のように金属細線２５及び柱状
スペーサ２６が形成された走査電極側基板の周辺部分に
接着剤をスクリーン印刷した。他方、信号電極側基板に
も樹脂配向膜を形成し、ラビンク配向処理し、走査電極
側基板と対向させて配置し、接着した。次いで、液晶材
料を基板間に注入した後、封止した。

【００６１】その後、走査及び信号電極側基板の外側に
位相差板及び偏光板を配置してＳＴＮ型液晶セルを構成
した。このセルのセルギャップは約６μｍであった。こ
の液晶セルに８００×ＲＧＢ×６００ドットの液晶セル
を２画面１／３００デューティで駆動する駆動回路を接
続し、液晶表示素子を作製した。

【００６２】この液晶表示素子を点灯表示したところ、
表示むらのない均一な表示が得られた。また、本実施例
の製造工程によると、フォトリソグラフィ工程が１回で
済むという利点がある。更に、工程２で剥離されずに残
ったフォトレジスト層を配向膜として使うことにより、
配向膜塗布工程も省略できるとともに、金属細線や柱状
スペーサの段差による配向膜塗布むらも回避できる。

【００６３】したがってこのようにして得られた基板を
用いて液晶表示素子を構成することによって、大画面、
高精細であっても高コントラストかつ高表示品位の液晶
表示素子を安価にかつ高歩留まりで実現することが可能
である。

【００６４】比較例３ 実施例５に示す液晶表示素子の製造工程において、金属
細線の形成工程、柱状スペーサの形成工程、及び配向膜
塗布工程を、以下のような従来技術に係る工程に変更し
たことを除いて、実施例５と同様にして液晶表示素子を
製造した。

【００６５】即ち、金属細線の形成の工程は、透明電極
付基板上に銀薄膜をスパッタリングにより形成し、フォ
トレジストを塗布し、露光及び現像し、得られたフォト
レジストパタ−ンをマスクとして用いて銀薄膜を選択的
にエッチングすることにより行われた。

【００６６】スペーサ形成工程は、基板上にフォトレジ
ストを塗布し、露光、現像し、得られたフォトレジスト
パタ−ンを焼成硬化することにより行われた。このよう
にして金属細線と柱状スペーサが形成された後、樹脂配
向膜を塗布した。その他の条件は実施例５と同様であっ
た。

【００６７】この場合、この比較例では、実施例５と比
較して約１．２倍の製造コスト、約１．１倍の製造時間
がかかった。しかも金属細線と柱状スペーサの段差部に
樹脂配向膜の塗布むらがあり、画面全体に梨地状の表示
むらが発生した。

【００６８】以上の実施例では、ＳＴＮ型液晶セルを用
いた単純マトリクス駆動方式の場合の例のみを示した。
しかし、本発明の効果が得られるのはこれらの実施例の
条件に限らず、表示モードとしてはＴＮ型、強誘電液晶
型、ＶＡＮ型、ＥＣＢ型等、セルギャップの制御にスペ
−サを用いるどのような液晶表示にも適用可能である。
また、駆動方式として単純マトリックス方式に限らず、
アクティブマトリックス方式等、どのような駆動方式に
も適用可能であるとともに、透過型、半透過型、反射型
の各液晶表示装置にも適用可能である。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
素子によれば、セルギャップ均一化と配線抵抗値の低下
を同時に達成することが可能であり、そのため、液晶セ
ルの製造工程を簡略化することができる。また、スペー
サはセル内部空間を仕切らないので、液晶の注入不良を
生ずることがない。

【００７０】また、本発明の液晶表示素子の方法によれ
ば、大画面、高精細であっても高コントラストかつ高表
示品位の液晶表示素子を安価にかつ高歩留まりで実現す
ることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る液晶表示素子を示す断
面図。

【図２】図１の液晶表示素子の不透明金属電極と感光性
樹脂スペーサを取り出して示す斜視図。

【図３】本発明の他の実施例に係る液晶表示素子の不透
明金属電極と感光性樹脂スペーサを示す斜視図。

【図４】従来の液晶表示素子の不透明金属電極と感光性
樹脂スペーサを示す斜視図。

【図５】不透明金属電極と感光性樹脂スペーサの種々の
パタ−ンを示す斜視図。

【図６】不透明金属電極と感光性樹脂スペーサの種々の
パタ−ンを示す斜視図。

【図７】クロスト−ク率測定のための表示パタ−ンを示
す図。

【図８】本発明の他の実施例に係る単純マトリクス駆動
方式のＳＴＮ型液晶表示素子の製造工程を示す図。

【図９】ＩＴＯストライプ電極の露出パタ−ンを示す
図。

【符号の説明】

１…液晶表示素子、 ２…駆動装置、 ３…バックライト ４，５…透明基板、 ６…走査電極、 ７…信号電極、 ８，９…樹脂配向膜、 １０…不透明金属電極、 １１…感光性樹脂スペーサ、 １２…液晶組成物層 １３…封止材 １４，１５…光学的異方性フィルム １６，１７…偏光板 ２１…走査電極側基板 ２２…ＩＴＯストライプ電極 ２３…フォトレジスト ２４…細線状パターン ２５…銀メッキ層 ２６…電着フォトレジスト。

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【手続補正書】

【提出日】平成８年４月１１日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 羽藤 仁 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向して配置された一対の透明基板と、
   これら一対の透明電極の少なくとも一方の対向面に形成
   されたストライプ状透明電極と、このストライプ状透明
   電極上にその長手方向に不連続に形成された複数の不透
   明電極と、これら不透明電極のそれぞれの上に形成され
   たスペーサ層と、これらスペーサ層により所定の間隔が
   維持された前記透明基板間に配置された液晶層とを具備
   することを特徴とする液晶表示素子。
2. 【請求項２】 透明電極が形成された透明基板上にフォ
   トレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層
   の一部を選択的に除去し、前記透明電極の一部を露出さ
   せる工程と、露出した透明電極上に金属層をメッキする
   工程と、金属層上に電着法により絶縁物層を形成する工
   程とを具備することを特徴とする液晶表示素子の製造方
   法。