JPH0964176A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

半導体素子の製造方法

Info

Publication number
JPH0964176A
JPH0964176A JP7212004A JP21200495A JPH0964176A JP H0964176 A JPH0964176 A JP H0964176A JP 7212004 A JP7212004 A JP 7212004A JP 21200495 A JP21200495 A JP 21200495A JP H0964176 A JPH0964176 A JP H0964176A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
semiconductor device
gas
siof
silicon oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7212004A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Koizumi
賢 小泉
Masaki Yoshimaru
正樹 吉丸
Yukihiro Mori
幸博 森
Hideaki Fukuda
秀明 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NIPPON ASM KK
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
NIPPON ASM KK
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NIPPON ASM KK, Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical NIPPON ASM KK
Priority to JP7212004A priority Critical patent/JPH0964176A/ja
Priority to US08/817,954 priority patent/US5935649A/en
Priority to KR1019970702596A priority patent/KR970707574A/ko
Priority to PCT/JP1996/002335 priority patent/WO1997007537A1/ja
Priority to EP96927864A priority patent/EP0788148A4/en
Priority to TW085111617A priority patent/TW322607B/zh
Publication of JPH0964176A publication Critical patent/JPH0964176A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H10P14/6924—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being halogen doped silicon oxides, e.g. FSG
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6336—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/66—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials
    • H10P14/668—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials
    • H10P14/6681—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si
    • H10P14/6682—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the type of materials the materials being characterised by the deposition precursor materials the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/69215—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/69—Inorganic materials
    • H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
    • H10P14/6921—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon
    • H10P14/6922—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses containing silicon the material containing Si, O and at least one of H, N, C, F or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳｉＯＦからなる絶縁膜の吸湿性を低減し、
信頼性の高い半導体素子を得る。 【解決手段】 半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ
素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法
において、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する
際に、ソースガス１１〜１３とは別に不活性ガス１４を
導入する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に係り、特に、そのシリコン酸化膜を用いた層間絶
縁膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、文献 「ＰＥＣＶＤ ＳｉＯＦ膜の構造検討」
宇佐見 隆志 他 信学技報 ＳＤＭ ９４−１４６
（１９９４−１１）に開示されるものがあった。従来、
半導体素子の絶縁膜はプラズマ化学気相成長（ＰＥ−Ｃ
ＶＤ）法を用いたシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）が広く用
いられてきた。しかしながら素子の微細化及び高集積化
が進むにつれ、配線間の容量が増大し、素子の駆動力に
影響を与えるようになってきた。
【０００３】そこで、比誘電率の低い絶縁膜の要求が高
まり、低誘電率材料の一つとして、フッ素（Ｆ）添加シ
リコン酸化膜（ＳｉＯＦ）が注目をあびるようになっ
た。このＳｉＯＦは上記文献に開示されているように、
テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、酸素（Ｏ
2 ）及びＦを含むエッチングガス（例えばＣ2 Ｆ6 ，Ｃ
Ｆ4 ，ＮＦ3 ，ＨＦなど）をプラズマ放電させた反応室
中で混合することで形成できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の方法で形成したＳｉＯＦなる絶縁膜は、吸湿性が
高く、膜中に多量の水分を吸蔵するため、 （１）半導体素子の構成因子である金属配線の腐食の原
因になる。 （２）半導体素子の構成因子であるトランジスタの寿命
を劣化させる。 といった問題があり、信頼性の高い半導体素子の製造が
困難であった。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、ＳｉＯＦ
からなる絶縁膜の吸湿性を低減し、信頼性の高い半導体
素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ素を含む
シリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法におい
て、前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、
ソースガスとは別に不活性ガスを導入する。
【０００７】したがって、原料ガスの解離効率の向上を
図ることができ、より均質な膜を形成することができ
る。 （２）上記（１）記載の半導体素子の製造方法におい
て、前記不活性ガスがヘリウム、アルゴンの中から選ば
れた少なくとも一つのガスである。したがって、ＳｉＯ
Ｆ膜の圧縮ストレスが増大し、膜が緻密化することがで
きる。
【０００８】（３）上記（１）記載の半導体素子の製造
方法において、前記ソースガスにシリコンソースとして
テトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、フッ素ソ
ースとしてヘキサフロロカーボン（Ｃ2 Ｆ6 ）、酸化剤
として酸素（Ｏ2 ）を用い、不活性ガスをソースガスに
対して７倍以上の量を用いる。したがって、形成される
膜の吸湿性が改善される。
【０００９】また、ヘリウムの供給量を増やすことによ
り、よりその効果が上がる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の実施
例を示すＳｉＯＦ層間絶縁膜の形成に用いるＰＥ−ＣＶ
Ｄ装置を示す図、図２は本発明の実施例を示すＳｉＯＦ
層間絶縁膜の形成断面図である。
【００１１】図１において、１は従来と同じ平行平板型
ＰＥ−ＣＶＤ装置の反応室、その反応室１内には、ヒー
ター２、そのヒーター２上にサセプタ３、そのサセプタ
３上に処理すべきウエハ４が配置される。反応室１の上
部にはガス供給口５が形成されており、このガス供給口
５には、配管１０を介して、シリコンソースガス１１、
フッ素ソースガス１２、酸化剤１３である各ソースガス
の混合ガスを導入し、さらに不活性ガス１４を供給し、
プラズマ放電させて成膜する。なお、１５〜１８はＭＦ
Ｃ（流量制御器）である。
【００１２】すなわち、上記ＰＥ−ＣＶＤ装置にフッ素
を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソースガス１１
〜１３とは別に不活性ガス１４を導入することにより、
ウエハ４としての、図２に示すように、半導体集積回路
が形成された基板２１上にフッ素（Ｆ）添加シリコン酸
化膜（ＳｉＯＦ膜）２２を形成する。その後、ＳｉＯＦ
膜２２上には上層配線２３が形成される。
【００１３】このように構成したので、層間絶縁膜の形
成時に、電離ポテンシャルの高い不活性ガスを供給する
ことにより、各ソースガスの解離効率を向上させること
ができ、均質な層間絶縁膜を形成することができる。次
に、本発明の第２実施例について説明する。第１実施例
における不活性ガスに希ガスであるヘリウムまたはアル
ゴンを用いる。これらの希ガスをソースガスとともに反
応室へ導入し、成膜を行う。
【００１４】この場合、ソースガスと不活性ガスとして
のヘリウムまたはアルゴンの体積比は３：１以下である
ことが望ましい。このように構成したので、ＳｉＯＦ膜
の圧縮ストレスが増大し、膜が緻密になる。図３は本発
明の実施例を示すヘリウム、アルゴンの供給量に対する
ＳｉＯＦ膜の圧縮ストレスを示す図であり、縦軸は圧縮
ストレス（Ｐａ：パスカル）、横軸は各ガス流量（ｓｃ
ｃｍ）を示している。
【００１５】この図から明らかなように、ヘリウムの方
が効果が大きいが、共に供給量が増えるにつれ、膜の圧
縮ストレスが増大する傾向にあり、膜がより緻密化され
る。次に、本発明の第３実施例について説明する。第１
実施例におけるソースガスとしてシリコンソースにテト
ラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、フッ素ソース
としてヘキサフロロカーボン（Ｃ2 Ｆ6 ）、酸化剤とし
て酸素（Ｏ2 ）を、以下に示す条件で用い、不活性ガス
にヘリウムを以下の条件で用いる。
【００１６】 ＴＥＯＳ １４０ｃｃ／ｍｉｎ Ｃ2 Ｆ6 ５００ｃｃ／ｍｉｎ Ｏ2 ２０００ｃｃ／ｍｉｎ Ｈｅ １０００，２０００ｃｃ／ｍｉｎ 上記の条件で形成した２０００ÅのＳｉＯＦ膜の赤外吸
収スペクトルを図４に示す。この図において、３４００
ｃｍ-1付近のブロードなピークは膜中に吸収された水
（Ｈ2 Ｏ）を示すものである。
【００１７】図４は本発明の実施例を示す大気圧温度８
０℃、湿度８０％の条件下で３時間加湿した後に測定し
た２０００ÅのＳｉＯＦ膜の赤外吸収スペクトルを示す
図である。図４の赤外吸収スペクトルは、大気圧温度８
０℃、湿度８０％の条件下で３時間加湿した後に測定し
たものであるが、膜形成時に供給したヘリウムが多いほ
ど、加湿試験によって膜中に吸収された水が少ないのが
分かる。つまり、ヘリウムをシリコンソースガスである
ＴＥＯＳに対して７倍程度、もしくはそれ以上膜形成時
に供給してやることにより、膜の吸湿性が改善される。
【００１８】また、ヘリウムの供給量を増やすとその効
果が上がる。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、フッ素を含むシリ
コン酸化膜を形成する際に、ソースガスとは別に不活性
ガスを導入したことにより、原料ガスの解離効率の向上
を図ることができ、より均質な膜を形成することができ
る。
【００２０】（２）請求項２記載の発明によれば、不活
性ガスとしてヘリウム又はアルゴンを導入するようにし
たので、ＳｉＯＦ膜の圧縮ストレスが増大し、膜が緻密
化することができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、ソースガスにシリ
コンソースとしてテトラエチルオルソシリケート（ＴＥ
ＯＳ）、フッ素ソースとしてヘキサフロロカーボン（Ｃ
2 Ｆ6 ）、酸化剤として酸素（Ｏ2 ）を用い、不活性ガ
スをソースガスに対して７倍以上の量を用いるようにし
たので、形成される膜の吸湿性が改善される。
【００２１】また、ヘリウムの供給量を増やすことによ
り、よりその効果が上がる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すＳｉＯＦ層間絶縁膜の形
成に用いるＰＥ−ＣＶＤ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施例を示すＳｉＯＦ層間絶縁膜の形
成断面図である。
【図３】本発明の実施例を示すヘリウム、アルゴンの供
給量に対するＳｉＯＦ膜の圧縮ストレスを示す図であ
る。
【図４】本発明の実施例を示す大気圧温度８０℃、湿度
８０％の条件下で３時間加湿した後に測定した２０００
ÅのＳｉＯＦ膜の赤外吸収スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
１ 平行平板型ＰＥ−ＣＶＤ装置の反応室 ２ ヒーター ３ サセプタ ４ ウエハ ５ ガス供給口 １１ シリコンソースガス １２ フッ素ソースガス １３ 酸化剤 １４ 不活性ガス １５〜１８ ＭＦＣ（流量制御器） ２１ 基板 ２２ ＳｉＯＦ膜 ２３ 上層配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 幸博 東京都多摩市永山６丁目23番１ 日本エ ー・エス・エム株式会社内 (72)発明者 福田 秀明 東京都多摩市永山６丁目23番１ 日本エ ー・エス・エム株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路の層間絶縁膜としてフッ
    素を含むシリコン酸化膜を用いる半導体素子の製造方法
    において、 前記フッ素を含むシリコン酸化膜を形成する際に、ソー
    スガスとは別に不活性ガスを導入することを特徴とする
    半導体素子の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
    おいて、前記不活性ガスがヘリウム、アルゴンの中から
    選ばれた少なくとも一つのガスであることを特徴とする
    半導体素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の製造方法に
    おいて、前記ソースガスにシリコンソースとしてテトラ
    エチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）、フッ素ソースと
    してヘキサフロロカーボン（Ｃ2 Ｆ6 ）、酸化剤として
    酸素（Ｏ2 ）を用い、不活性ガスをソースガスに対して
    ７倍以上の量を用いることを特徴とする半導体素子の製
    造方法。
JP7212004A 1995-08-21 1995-08-21 半導体素子の製造方法 Pending JPH0964176A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7212004A JPH0964176A (ja) 1995-08-21 1995-08-21 半導体素子の製造方法
US08/817,954 US5935649A (en) 1995-08-21 1996-08-21 Method for manufacturing SiOF films
KR1019970702596A KR970707574A (ko) 1995-08-21 1996-08-21 반도체 소자의 제조 방법(Method of Producing Semiconductor Device)
PCT/JP1996/002335 WO1997007537A1 (en) 1995-08-21 1996-08-21 Method of producing semiconductor device
EP96927864A EP0788148A4 (en) 1995-08-21 1996-08-21 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
TW085111617A TW322607B (ja) 1995-08-21 1996-09-23

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7212004A JPH0964176A (ja) 1995-08-21 1995-08-21 半導体素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0964176A true JPH0964176A (ja) 1997-03-07

Family

ID=16615303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7212004A Pending JPH0964176A (ja) 1995-08-21 1995-08-21 半導体素子の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5935649A (ja)
EP (1) EP0788148A4 (ja)
JP (1) JPH0964176A (ja)
KR (1) KR970707574A (ja)
TW (1) TW322607B (ja)
WO (1) WO1997007537A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1079387A (ja) * 1996-08-02 1998-03-24 Applied Materials Inc シリカ膜のフッ素化による応力制御
WO1999050899A1 (en) * 1998-03-27 1999-10-07 Tokyo University Of Agriculture & Technology Method for forming film

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6191026B1 (en) * 1996-01-09 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Method for submicron gap filling on a semiconductor substrate
US6534409B1 (en) * 1996-12-04 2003-03-18 Micron Technology, Inc. Silicon oxide co-deposition/etching process
JPH1187340A (ja) * 1997-09-05 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP3648129B2 (ja) * 2000-05-10 2005-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム
US6887514B2 (en) 2001-05-31 2005-05-03 Dalsa Semiconductor Inc. Method of depositing optical films
EP2817433B1 (en) * 2012-02-23 2021-09-29 Pilkington Group Limited Chemical vapor deposition process for depositing a silica coating on a glass substrate
US10358717B2 (en) 2017-04-21 2019-07-23 Lam Research Corporation Method for depositing high deposition rate, thick tetraethyl orthosilicate film with low compressive stress, high film stability and low shrinkage

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175132A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Kojundo Chem Lab Co Ltd 半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
JPH06168937A (ja) * 1992-11-17 1994-06-14 Toagosei Chem Ind Co Ltd シリコン酸化膜の製造方法
JPH07254592A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH08222560A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Fujitsu Ltd 絶縁膜の形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341568A (ja) * 1991-05-16 1992-11-27 Toshiba Corp 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US5571571A (en) * 1993-06-16 1996-11-05 Applied Materials, Inc. Method of forming a thin film for a semiconductor device
JP3090561B2 (ja) * 1993-06-16 2000-09-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体装置の薄膜形成方法
JPH0790589A (ja) * 1993-09-24 1995-04-04 G T C:Kk シリコン酸化膜の形成方法
JP3152829B2 (ja) * 1994-01-18 2001-04-03 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5563105A (en) * 1994-09-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05175132A (ja) * 1991-12-20 1993-07-13 Kojundo Chem Lab Co Ltd 半導体装置のケイ素酸化膜の製造法
JPH06168937A (ja) * 1992-11-17 1994-06-14 Toagosei Chem Ind Co Ltd シリコン酸化膜の製造方法
JPH07254592A (ja) * 1994-03-16 1995-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH08222560A (ja) * 1995-02-17 1996-08-30 Fujitsu Ltd 絶縁膜の形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1079387A (ja) * 1996-08-02 1998-03-24 Applied Materials Inc シリカ膜のフッ素化による応力制御
WO1999050899A1 (en) * 1998-03-27 1999-10-07 Tokyo University Of Agriculture & Technology Method for forming film
US6746726B2 (en) 1998-03-27 2004-06-08 Tokyo University Of Agriculture & Technology Method for forming film

Also Published As

Publication number Publication date
US5935649A (en) 1999-08-10
EP0788148A4 (en) 1999-01-20
KR970707574A (ko) 1997-12-01
EP0788148A1 (en) 1997-08-06
TW322607B (ja) 1997-12-11
WO1997007537A1 (en) 1997-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3688726B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US5040046A (en) Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby
KR100328144B1 (ko) 고밀도 플라즈마-화학적 증착 기법을 사용하여 낮은 유전상수를 갖는 박막을 형성하는 방법
US6846745B1 (en) High-density plasma process for filling high aspect ratio structures
JP2697315B2 (ja) フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法
US7888273B1 (en) Density gradient-free gap fill
US6149976A (en) Method of manufacturing fluorine-containing silicon oxide films for semiconductor device
EP0572704B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor device including method of reforming an insulating film formed by low temperature CVD
KR100764963B1 (ko) 니트로플루오르화 규산염 유리층을 증착시키는 방법 및시스템과, 그에 사용되는 컴퓨터 판독 가능 저장 매체
US7001854B1 (en) Hydrogen-based phosphosilicate glass process for gap fill of high aspect ratio structures
JP3463416B2 (ja) 絶縁膜の製造方法および半導体装置
JP2008227511A (ja) 誘電体材料を含有するシリコンの形成過程における改良されたギャップ充填堆積
TW561554B (en) Filling substrate depressions with SiO2 by HDP vapor phase deposition with participation of H2O2 or H2O as reaction gas
US7176039B1 (en) Dynamic modification of gap fill process characteristics
US7285503B2 (en) Hermetic cap layers formed on low-k films by plasma enhanced chemical vapor deposition
JPH0964176A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0766186A (ja) 誘電体の異方性堆積法
JPH1187340A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2758847B2 (ja) スピンオングラス膜の形成方法
US5281557A (en) Soluble oxides for integrated circuit fabrication formed by the incomplete dissociation of the precursor gas
JP2004288979A (ja) 絶縁膜の成膜方法
US7344996B1 (en) Helium-based etch process in deposition-etch-deposition gap fill
US6090725A (en) Method for preventing bubble defects in BPSG film
JPH07161705A (ja) 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法
JPH03218905A (ja) オゾン発生装置及び該装置を用いた絶縁膜形成装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20030128