JPH0964267A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH0964267A JPH0964267A JP7221889A JP22188995A JPH0964267A JP H0964267 A JPH0964267 A JP H0964267A JP 7221889 A JP7221889 A JP 7221889A JP 22188995 A JP22188995 A JP 22188995A JP H0964267 A JPH0964267 A JP H0964267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- bonding
- wire
- lead
- insulator
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体装置用リードフレームにおいて、インナ
リードの変形を防止するとともにボンディングワイヤ長
を短くしボンディング性の向上及び樹脂封止後のワイヤ
変形を防ぎショートの不良率を低減して安定した組立て
を実施する。 【解決手段】本発明のリードフレーム１は、インナリー
ド４の先端部で、かつボンディング面とは反対側の面に
インナリード４を固定する絶縁物２を設けている。これ
により、インナリード４の変形を防ぎ、インナリード４
先端にボンディングが可能になるのでボンディングワイ
ヤ６を短くすることができる。よって、ボンディング工
程における長いボンディングワイヤ６のための変形や樹
脂封止後の樹脂変動によるボンディングワイヤ６同志の
ショートといった不具合を改善することができる。
リードの変形を防止するとともにボンディングワイヤ長
を短くしボンディング性の向上及び樹脂封止後のワイヤ
変形を防ぎショートの不良率を低減して安定した組立て
を実施する。 【解決手段】本発明のリードフレーム１は、インナリー
ド４の先端部で、かつボンディング面とは反対側の面に
インナリード４を固定する絶縁物２を設けている。これ
により、インナリード４の変形を防ぎ、インナリード４
先端にボンディングが可能になるのでボンディングワイ
ヤ６を短くすることができる。よって、ボンディング工
程における長いボンディングワイヤ６のための変形や樹
脂封止後の樹脂変動によるボンディングワイヤ６同志の
ショートといった不具合を改善することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームに関
し、特にワイヤボンディングにて半導体素子の電極パッ
ドに接続されるリードフレームに関する。
し、特にワイヤボンディングにて半導体素子の電極パッ
ドに接続されるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリードフレームについて、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【０００３】図７に示すリードフレーム１は、まず、エ
ッチング加工又はプレス加工によりインナリード４のパ
ターンを形成し、次に、めっき加工，ダウンセット加工
を行うことにより得られるが、近年のリードフレーム１
の多ピン化，インナリード４の狭ピッチ化に伴い、リー
ドフレーム１の製造工程や半導体装置の組立て工程にお
いて、インナリード４の変形によるショート，上下のば
らつきといった不具合が発生した。そこで、インナリー
ド４の変形を防ぐ手段として、図８に示すような絶縁物
２でインナリード４を固定する手法が用いられた。これ
は、従来のパターン加工，めっき加工の後に、絶縁物
２、特に片面接着剤を施したポリイミドテープが主流で
あるが、インナリード４に貼り付けて得られる。更に効
果的な手法として、図９，図１０あるいは図１１に示す
ようなインナリード４の先端部を固定する手段があり、
これにより図８のようなインナリード４の中間部を固定
する構造よりもインナリード４の変形を抑えることがで
きる。
ッチング加工又はプレス加工によりインナリード４のパ
ターンを形成し、次に、めっき加工，ダウンセット加工
を行うことにより得られるが、近年のリードフレーム１
の多ピン化，インナリード４の狭ピッチ化に伴い、リー
ドフレーム１の製造工程や半導体装置の組立て工程にお
いて、インナリード４の変形によるショート，上下のば
らつきといった不具合が発生した。そこで、インナリー
ド４の変形を防ぐ手段として、図８に示すような絶縁物
２でインナリード４を固定する手法が用いられた。これ
は、従来のパターン加工，めっき加工の後に、絶縁物
２、特に片面接着剤を施したポリイミドテープが主流で
あるが、インナリード４に貼り付けて得られる。更に効
果的な手法として、図９，図１０あるいは図１１に示す
ようなインナリード４の先端部を固定する手段があり、
これにより図８のようなインナリード４の中間部を固定
する構造よりもインナリード４の変形を抑えることがで
きる。
【０００４】一方、リードフレーム１の製造方法、特に
エッチング加工において、インナリード４の先端カット
方式がある。これは、インナリード４のピッチの狭ピッ
チ化に伴い通常のエッチングのみの製法ではインナリー
ド４の先端の形状を形成するのが困難であるため、エッ
チング加工時にインナリード４の先端部は全て隣接のイ
ンナリード４と接続し、めっき加工，絶縁物２によるイ
ンナリード４の固定を行った後金型を用いて接続された
インナリード４の先端部を切り離し、本来の形状を形成
する製造方法であるが、この際にも図８のインナリード
４の中間部を固定する構造より、図９および図１０に示
すインナリード４の先端部を固定する構造の方が変形を
防ぐ固定の強度，安定性を考慮した場合有利であるとい
える。
エッチング加工において、インナリード４の先端カット
方式がある。これは、インナリード４のピッチの狭ピッ
チ化に伴い通常のエッチングのみの製法ではインナリー
ド４の先端の形状を形成するのが困難であるため、エッ
チング加工時にインナリード４の先端部は全て隣接のイ
ンナリード４と接続し、めっき加工，絶縁物２によるイ
ンナリード４の固定を行った後金型を用いて接続された
インナリード４の先端部を切り離し、本来の形状を形成
する製造方法であるが、この際にも図８のインナリード
４の中間部を固定する構造より、図９および図１０に示
すインナリード４の先端部を固定する構造の方が変形を
防ぐ固定の強度，安定性を考慮した場合有利であるとい
える。
【０００５】こうして得られた図９，図１０あるいは図
１１に示すリードフレーム１を用いて半導体素子をＡｇ
ペーストを介してアイランド３に搭載し、次に、金属細
線（以下、ワイヤという）で半導体素子電極パッドとイ
ンナリード４を電気的に接続する。
１１に示すリードフレーム１を用いて半導体素子をＡｇ
ペーストを介してアイランド３に搭載し、次に、金属細
線（以下、ワイヤという）で半導体素子電極パッドとイ
ンナリード４を電気的に接続する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、半導体素子の小
型化が進むにつれインナリードの狭ピッチ化にも制限が
ある為にワイヤ長は長くなる一方である。図７に示す従
来のリードフレームを用いてワイヤボンディングを行っ
た場合、図１２に示すように、半導体素子５が大型の時
はボンディング性には問題はなかったが、図１３に示す
ように、半導体素子５が小さくなるにつれてワイヤ６は
長くなり、ワイヤ６が垂れ下がって隣接のインナリード
やアイランド３端部に接触する問題が発生する。
型化が進むにつれインナリードの狭ピッチ化にも制限が
ある為にワイヤ長は長くなる一方である。図７に示す従
来のリードフレームを用いてワイヤボンディングを行っ
た場合、図１２に示すように、半導体素子５が大型の時
はボンディング性には問題はなかったが、図１３に示す
ように、半導体素子５が小さくなるにつれてワイヤ６は
長くなり、ワイヤ６が垂れ下がって隣接のインナリード
やアイランド３端部に接触する問題が発生する。
【０００７】一方、図９，図１０あるいは図１１に示す
インナリード４の先端部を絶縁物２で固定した場合にお
いても絶縁処理が施されている為に隣接のインナリード
４やアイランド３の部分との接触不良という問題は改善
されるが、図１４あるいは図１５に示すように、ワイヤ
６の長さについては、先端に絶縁物２を配置してある
分、その絶縁物２を飛び越して更にインナリード４の奥
側にワイヤボンディングしなければならないので、図１
３の構造の時よりもワイヤ６は長くなってしまう。これ
により、樹脂封止工程の樹脂の流れによるワイヤ６の変
形は増大し、図１６に示すように樹脂封止後にワイヤ６
同志の接触不良が発生しやすくなるという問題がある。
インナリード４の先端部を絶縁物２で固定した場合にお
いても絶縁処理が施されている為に隣接のインナリード
４やアイランド３の部分との接触不良という問題は改善
されるが、図１４あるいは図１５に示すように、ワイヤ
６の長さについては、先端に絶縁物２を配置してある
分、その絶縁物２を飛び越して更にインナリード４の奥
側にワイヤボンディングしなければならないので、図１
３の構造の時よりもワイヤ６は長くなってしまう。これ
により、樹脂封止工程の樹脂の流れによるワイヤ６の変
形は増大し、図１６に示すように樹脂封止後にワイヤ６
同志の接触不良が発生しやすくなるという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、ワイヤとインナリードや
アイランドとの接触不良及び樹脂封止後のワイヤ同志の
接触不良のないリードフレームを提供することにある。
アイランドとの接触不良及び樹脂封止後のワイヤ同志の
接触不良のないリードフレームを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子を
搭載するアイランドと、このアイランドの周囲に配置さ
れ前記半導体素子の電極パッドと金属細線を介して電気
的に接続する複数のインナリードとを有する半導体装置
用リードフレームにおいて、前記インナリードの前記金
属細線がボンディングされる面の反対側の面に前記複数
のインナリードのそれぞれを固定する絶縁物を配置する
か、又は前記インナリードの先端部に形成された段差部
に前記インナリードの表面と同一平面となるように前記
インナリードのそれぞれを固定する絶縁物を充填したこ
とを特徴とする。
搭載するアイランドと、このアイランドの周囲に配置さ
れ前記半導体素子の電極パッドと金属細線を介して電気
的に接続する複数のインナリードとを有する半導体装置
用リードフレームにおいて、前記インナリードの前記金
属細線がボンディングされる面の反対側の面に前記複数
のインナリードのそれぞれを固定する絶縁物を配置する
か、又は前記インナリードの先端部に形成された段差部
に前記インナリードの表面と同一平面となるように前記
インナリードのそれぞれを固定する絶縁物を充填したこ
とを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１１】図１は本発明の第１の実施の形態の平面
図、図２は図１のリードフレームに半導体素子を搭載し
ワイヤにて接続した断面図、図３は図１のインナリード
のボンディング方法の一例を説明する断面図である。本
発明の第１の実施の形態は、図１に示すように、まず、
図７に示す従来のリードフレーム１と同様にエッチング
加工あるいはプレス加工にてインナリード４を含むパタ
ーン形成を行う。次に、インナリード４のボンディング
領域にめっきを施す。次に、図８あるいは図９，図１０
に示す従来のリードフレーム１のボンディングを行う面
と反対側の面にポリイミドテープ等の絶縁物２を貼り付
け、その後、必要あれば、先端カット加工，ダウンセッ
ト加工を行う。
図、図２は図１のリードフレームに半導体素子を搭載し
ワイヤにて接続した断面図、図３は図１のインナリード
のボンディング方法の一例を説明する断面図である。本
発明の第１の実施の形態は、図１に示すように、まず、
図７に示す従来のリードフレーム１と同様にエッチング
加工あるいはプレス加工にてインナリード４を含むパタ
ーン形成を行う。次に、インナリード４のボンディング
領域にめっきを施す。次に、図８あるいは図９，図１０
に示す従来のリードフレーム１のボンディングを行う面
と反対側の面にポリイミドテープ等の絶縁物２を貼り付
け、その後、必要あれば、先端カット加工，ダウンセッ
ト加工を行う。
【００１２】次に、図２に示すように、このようにして
得られたリードフレーム１のアイランド３にＡｇペース
トを介して半導体素子５を搭載し、ワイヤ６にてワイヤ
ボンディングを行う。ワイヤボンディング方法の一例
は、図３に示すように、ボンディング装置のヒータプレ
ート７上にリードフレーム１を設置してワイヤボンディ
ングを行うが、ボンディング面と反対側の面に絶縁物２
が貼り付けられているので、インナリード４の最先端に
ボンディングが可能となり、ワイヤ６の長さを短くでき
る。また、最先端部を固定しているので、インナリード
４の変形に対しても従来と同等以上の効果を得ることが
できる。
得られたリードフレーム１のアイランド３にＡｇペース
トを介して半導体素子５を搭載し、ワイヤ６にてワイヤ
ボンディングを行う。ワイヤボンディング方法の一例
は、図３に示すように、ボンディング装置のヒータプレ
ート７上にリードフレーム１を設置してワイヤボンディ
ングを行うが、ボンディング面と反対側の面に絶縁物２
が貼り付けられているので、インナリード４の最先端に
ボンディングが可能となり、ワイヤ６の長さを短くでき
る。また、最先端部を固定しているので、インナリード
４の変形に対しても従来と同等以上の効果を得ることが
できる。
【００１３】図４は図１のインナリードのボンディング
方法の他の例を説明する断面図である。図１のリードフ
レーム１を用いたボンディング方法の他の例は、図４に
示すように、ボンディング装置のヒータプレート７の絶
縁物２と対応する位置にあらかじめ絶縁物２と嵌合する
溝を設けておく。この溝に絶縁物２を嵌合させてインナ
リード４をヒータプレート７上に配置することにより、
インナリード４は絶縁物２を除く全面でヒータプレート
７と密着することができ、ボンディング性が更に向上す
る。
方法の他の例を説明する断面図である。図１のリードフ
レーム１を用いたボンディング方法の他の例は、図４に
示すように、ボンディング装置のヒータプレート７の絶
縁物２と対応する位置にあらかじめ絶縁物２と嵌合する
溝を設けておく。この溝に絶縁物２を嵌合させてインナ
リード４をヒータプレート７上に配置することにより、
インナリード４は絶縁物２を除く全面でヒータプレート
７と密着することができ、ボンディング性が更に向上す
る。
【００１４】図５は本発明の第２の実施の形態のリード
フレームに半導体素子を搭載しワイヤにて接続した断面
図である。図５に示すように、本発明の第２の実施の形
態のリードフレーム１は、まず、エッチング加工あるい
はプレス加工にてインナリード４を含むパターンを形成
する。次に、インナリード４の先端部の絶縁物２を充填
する部分にハーフエッチングあるいはコイニングを施し
段差部を形成する。次に、この段差部に絶縁物２を充填
し、インナリード４と絶縁物２が同一平面になるように
成形した後、めっき加工あるいはダウンセット加工を行
う。
フレームに半導体素子を搭載しワイヤにて接続した断面
図である。図５に示すように、本発明の第２の実施の形
態のリードフレーム１は、まず、エッチング加工あるい
はプレス加工にてインナリード４を含むパターンを形成
する。次に、インナリード４の先端部の絶縁物２を充填
する部分にハーフエッチングあるいはコイニングを施し
段差部を形成する。次に、この段差部に絶縁物２を充填
し、インナリード４と絶縁物２が同一平面になるように
成形した後、めっき加工あるいはダウンセット加工を行
う。
【００１５】図６は図５のインナリードのボンディング
方法の一例を説明する断面図である。図６に示すよう
に、このようにして得られたリードフレーム１をボンデ
ィング装置のヒータプレート７上に設置してワイヤボン
ディングを行うが、インナリード４と絶縁物２の表面が
同一平面上にあるので、ヒータプレート７の面と完全に
密着でき、ボンディング性は更に向上できる。
方法の一例を説明する断面図である。図６に示すよう
に、このようにして得られたリードフレーム１をボンデ
ィング装置のヒータプレート７上に設置してワイヤボン
ディングを行うが、インナリード４と絶縁物２の表面が
同一平面上にあるので、ヒータプレート７の面と完全に
密着でき、ボンディング性は更に向上できる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インナリ
ード先端部かつボンディング面と反対側の面に絶縁物に
よるインナリードの固定を行っているので、インナリー
ドの変形を防止し、なおかつ、インナリードの最先端部
の位置にワイヤボンディングを行うことが可能になり飛
躍的にワイヤ長を短くすることができる。これにより、
従来長ワイヤのため発生していたボンディング時のワイ
ヤ垂れ、カール，又樹脂封止後のワイヤの変形や隣接ワ
イヤとの接触といった不具合を改善することができ、ボ
ンディングによる不良率及び樹脂封止後のショートの不
良率を低減（０％）でき、安定した組立てを実施するこ
とができる効果がある。
ード先端部かつボンディング面と反対側の面に絶縁物に
よるインナリードの固定を行っているので、インナリー
ドの変形を防止し、なおかつ、インナリードの最先端部
の位置にワイヤボンディングを行うことが可能になり飛
躍的にワイヤ長を短くすることができる。これにより、
従来長ワイヤのため発生していたボンディング時のワイ
ヤ垂れ、カール，又樹脂封止後のワイヤの変形や隣接ワ
イヤとの接触といった不具合を改善することができ、ボ
ンディングによる不良率及び樹脂封止後のショートの不
良率を低減（０％）でき、安定した組立てを実施するこ
とができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施の形態の平面図である。
【図２】図１のリードフレームに半導体素子を搭載しワ
イヤにて接続した断面図である。
イヤにて接続した断面図である。
【図３】図１のインナリードのボンディング方法の一例
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図４】図１のインナリードのボンディング方法の他の
例を説明する断面図である。
例を説明する断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態のリードフレームに
半導体素子を搭載しワイヤにて接続した断面図である。
半導体素子を搭載しワイヤにて接続した断面図である。
【図６】図５のインナリードのボンディング方法の一例
を説明する断面図である。
を説明する断面図である。
【図７】従来のリードフレームの第１の例の平面図であ
る。
る。
【図８】従来のリードフレームの第２の例の平面図であ
る。
る。
【図９】従来のリードフレームの第３の例の平面図であ
る。
る。
【図１０】図９の絶縁物で固定した部分の部分拡大平面
図である。
図である。
【図１１】従来のリードフレームの第４の例の平面図で
ある。
ある。
【図１２】従来のリードフレームに大型の半導体素子を
搭載しワイヤにて接続した断面図である。
搭載しワイヤにて接続した断面図である。
【図１３】従来のリードフレームに小型の半導体素子を
搭載した場合のワイヤの垂れの状態を示す断面図であ
る。
搭載した場合のワイヤの垂れの状態を示す断面図であ
る。
【図１４】従来のリードフレームのインナリードの先端
部を絶縁物で固定した場合のワイヤの状態を示す固定部
の断面図である。
部を絶縁物で固定した場合のワイヤの状態を示す固定部
の断面図である。
【図１５】従来のリードフレームのインナリードの先端
部を絶縁物で固定した場合のワイヤの状態を示す半導体
素子搭載部の断面図である。
部を絶縁物で固定した場合のワイヤの状態を示す半導体
素子搭載部の断面図である。
【図１６】従来のリードフレームのインナリードの先端
部を絶縁物で固定し樹脂封止後のワイヤ同志の接触状態
を示す平面図である。
部を絶縁物で固定し樹脂封止後のワイヤ同志の接触状態
を示す平面図である。
１ リードフレーム ２ 絶縁物 ３ アイランド ４ インナリード ５ 半導体素子 ６ ワイヤ ７ ヒータプレート
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するアイランドと、こ
のアイランドの周囲に配置され前記半導体素子の電極パ
ッドと金属細線を介して電気的に接続する複数のインナ
リードとを有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記インナリードの前記金属細線がボンディングさ
れる面の反対側の面に前記複数のインナリードのそれぞ
れを固定する絶縁物を配置したことを特徴とするリード
フレーム。 - 【請求項２】 前記絶縁物が複数のインナリードの先端
部に配置されていることを特徴とする請求項１記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項３】 前記絶縁物がインナリードの先端部に形
成された段差部に前記インナリードの表面と同一平面と
なるように充填されていることを特徴とする請求項１記
載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7221889A JPH0964267A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7221889A JPH0964267A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964267A true JPH0964267A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16773770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7221889A Pending JPH0964267A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964267A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228058A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP7221889A patent/JPH0964267A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228058A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970812 |