JPH0964602A - 伝送線路 - Google Patents
伝送線路Info
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- JPH0964602A JPH0964602A JP7214963A JP21496395A JPH0964602A JP H0964602 A JPH0964602 A JP H0964602A JP 7214963 A JP7214963 A JP 7214963A JP 21496395 A JP21496395 A JP 21496395A JP H0964602 A JPH0964602 A JP H0964602A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部で
の特性インピーダンスの変化による反射損を低減するこ
とができる伝送線路を得ることを目的とする。 【解決手段】 基板１の面に設けられたＲＦマイクロス
トリップ線路２ＡとＤＣマイクロストリップ線路３Ａの
交差部において、前記ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
を下部線路とし、前記ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
を上部線路であるエアブリッジ４とした。 【効果】 交差部での特性インピーダンスの変化による
反射損を低減することが可能となり、積極的な回路の小
型化、高機能化が実現できるという効果を奏する。
の特性インピーダンスの変化による反射損を低減するこ
とができる伝送線路を得ることを目的とする。 【解決手段】 基板１の面に設けられたＲＦマイクロス
トリップ線路２ＡとＤＣマイクロストリップ線路３Ａの
交差部において、前記ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
を下部線路とし、前記ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
を上部線路であるエアブリッジ４とした。 【効果】 交差部での特性インピーダンスの変化による
反射損を低減することが可能となり、積極的な回路の小
型化、高機能化が実現できるという効果を奏する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯以
上の周波数で用いる平面回路（ＭＭＩＣ）等に使用され
る伝送線路に関するものである。
上の周波数で用いる平面回路（ＭＭＩＣ）等に使用され
る伝送線路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の伝送線路について図２０及び図２
１を参照しながら説明する。図２０は、従来のスイッチ
回路の平面を示す図である。また、図２１は、図２０の
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部を示す斜視図
である。
１を参照しながら説明する。図２０は、従来のスイッチ
回路の平面を示す図である。また、図２１は、図２０の
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部を示す斜視図
である。
【０００３】図２０及び図２１において、１はＧａＡｓ
基板、２はＲＦマイクロストリップ線路、３はＤＣマイ
クロストリップ線路、４はエアブリッジ部である。ま
た、５はＲＦ信号入力パッド、６及び７はＲＦ信号出力
パッド、８及び９はＤＣ印加用パッド、１０及び１１は
ＦＥＴゲート電極である。
基板、２はＲＦマイクロストリップ線路、３はＤＣマイ
クロストリップ線路、４はエアブリッジ部である。ま
た、５はＲＦ信号入力パッド、６及び７はＲＦ信号出力
パッド、８及び９はＤＣ印加用パッド、１０及び１１は
ＦＥＴゲート電極である。
【０００４】ＤＣ印加用パッド８、９から電圧を例えば
０／−５Ｖと切替えることで、ＲＦ信号入力パッド５か
ら入力されるＲＦ信号をＲＦ信号出力パッド６あるいは
７に出力させる。
０／−５Ｖと切替えることで、ＲＦ信号入力パッド５か
ら入力されるＲＦ信号をＲＦ信号出力パッド６あるいは
７に出力させる。
【０００５】回路パターン内でのＤＣ印加用パッド８、
９の位置は回路の実装あるいはシステム側から制限され
るため、ＲＦマイクロストリップ線路２と、ＤＣマイク
ロストリップ線路３とを交差させる必要が生じる。
９の位置は回路の実装あるいはシステム側から制限され
るため、ＲＦマイクロストリップ線路２と、ＤＣマイク
ロストリップ線路３とを交差させる必要が生じる。
【０００６】このＲＦマイクロストリップ線路２と、Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路３の交差部において、従来
は、図２１に示すように、ＤＣマイクロストリップ線路
３側をエアブリッジとしていた。
Ｃマイクロストリップ線路３の交差部において、従来
は、図２１に示すように、ＤＣマイクロストリップ線路
３側をエアブリッジとしていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
伝送線路では、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差
部での特性インピーダンスの変化による反射損が大きい
という問題点があった。
伝送線路では、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差
部での特性インピーダンスの変化による反射損が大きい
という問題点があった。
【０００８】この発明は、前述した問題点を解決するた
めになされたもので、ＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロ
ストリップ線路交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができる伝送線路を得ること
を目的とする。
めになされたもので、ＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロ
ストリップ線路交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができる伝送線路を得ること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る伝送線路
は、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ線路と
ＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記ＲＦマ
イクロストリップ線路を上部線路であるエアブリッジと
したものである。
は、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ線路と
ＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記ＲＦマ
イクロストリップ線路を上部線路であるエアブリッジと
したものである。
【００１０】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅と前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅とを同じにしたものである。
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅と前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅とを同じにしたものである。
【００１１】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅よりも狭くしたものである。
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅よりも狭くしたものである。
【００１２】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の約半分にしたものである。
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の約半分にしたものである。
【００１３】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の半分以下にしたものである。
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅を前記ＲＦマイクロ
ストリップ線路の線路幅の半分以下にしたものである。
【００１４】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分の線路幅
を前記ＲＦマイクロストリップ線路の基板に接した部分
の線路幅よりも狭くしたものである。
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分の線路幅
を前記ＲＦマイクロストリップ線路の基板に接した部分
の線路幅よりも狭くしたものである。
【００１５】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅とを同じにしたものである。
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅とを同じにしたものである。
【００１６】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅よりも狭くしたものである。
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅よりも狭くしたものである。
【００１７】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の約半分にしたものである。
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の約半分にしたものである。
【００１８】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の半分以下にしたものである。
アブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリップ
線路の線路幅の半分以下にしたものである。
【００１９】また、この発明に係る伝送線路は、前記Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分前後にイ
ンピーダンス変換部を設けたものである。
Ｆマイクロストリップ線路のエアブリッジ部分前後にイ
ンピーダンス変換部を設けたものである。
【００２０】また、この発明に係る伝送線路は、前記エ
アブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設け、前
記エアブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリ
ップ線路の線路幅とを同じにしたものである。
アブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設け、前
記エアブリッジ部分の線路幅を前記ＤＣマイクロストリ
ップ線路の線路幅とを同じにしたものである。
【００２１】また、この発明に係る伝送線路は、基板面
に設けられた第１のＲＦマイクロストリップ線路と第２
のＲＦマイクロストリップ線路の交差部において、前記
第２のＲＦマイクロストリップ線路を下部線路とし、前
記第１のＲＦマイクロストリップ線路を上部線路である
エアブリッジとしたものである。
に設けられた第１のＲＦマイクロストリップ線路と第２
のＲＦマイクロストリップ線路の交差部において、前記
第２のＲＦマイクロストリップ線路を下部線路とし、前
記第１のＲＦマイクロストリップ線路を上部線路である
エアブリッジとしたものである。
【００２２】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅と前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたも
のである。
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅と前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたも
のである。
【００２３】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅を前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたも
のである。
１のＲＦマイクロストリップ線路の線路幅を前記第２の
ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたも
のである。
【００２４】また、この発明に係る伝送線路は、前記第
１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路の交差部の線
路幅を前記第１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路
の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたものであ
る。
１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路の交差部の線
路幅を前記第１及び第２のＲＦマイクロストリップ線路
の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたものであ
る。
【００２５】さらに、この発明に係る伝送線路は、前記
交差部の前記上部線路及び前記下部線路間に誘電体を挿
入したものである。
交差部の前記上部線路及び前記下部線路間に誘電体を挿
入したものである。
【００２６】
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１について
図１から図７までを参照しながら説明する。図１は、こ
の実施の形態１のＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交
差部を示す斜視図である。また、図２及び図３は、この
実施の形態１及び従来例のエアブリッジ部分の断面とそ
れぞれの電磁界解析に用いた線路モデルを示す図であ
る。さらに、図４から図７までは、この実施の形態１の
電磁界解析の計算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を
示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
図１から図７までを参照しながら説明する。図１は、こ
の実施の形態１のＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交
差部を示す斜視図である。また、図２及び図３は、この
実施の形態１及び従来例のエアブリッジ部分の断面とそ
れぞれの電磁界解析に用いた線路モデルを示す図であ
る。さらに、図４から図７までは、この実施の形態１の
電磁界解析の計算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を
示す図である。なお、各図中、同一符号は同一又は相当
部分を示す。
【００２７】図１において、１は基板厚が１００μｍの
ＧａＡｓ基板、２ＡはＡｕ等からなり膜厚が２μｍ、線
路幅が７０μｍのＲＦマイクロストリップ線路、３Ａは
Ａｕ等からなり膜厚が２μｍ、線路幅がｗ１（＝７０、
４０、２０、１０μｍ）のＤＣマイクロストリップ線
路、４は高さが４μｍのエアブリッジ部である。
ＧａＡｓ基板、２ＡはＡｕ等からなり膜厚が２μｍ、線
路幅が７０μｍのＲＦマイクロストリップ線路、３Ａは
Ａｕ等からなり膜厚が２μｍ、線路幅がｗ１（＝７０、
４０、２０、１０μｍ）のＤＣマイクロストリップ線
路、４は高さが４μｍのエアブリッジ部である。
【００２８】なお、上記エアブリッジ部４の高さは、Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路３Ａの表（上）面からＲＦマ
イクロストリップ線路２Ａの下面までの距離である。ま
た、ストリップ線路はＴＥＭ波を伝送させることができ
るのに対して、このマイクロストリップ線路は進行方向
にも電磁界分布を持った混成波を伝送させることができ
る。さらに、この実施の形態１は、下側に接地導体をも
つグラウンデッドコプレーナ線路（ＧＣＰＷ：Ｇrounde
d Ｃo-Ｐlanar Ｗaveguide）に関するものである。下側
に接地導体をもたないコプレーナ線路に較べて、このグ
ラウンデッドコプレーナ線路はその電界が下側の接地導
体に向けて走っている割合が高い。その割合はグラウン
デッドコプレーナ線路の基板厚に依存する。
Ｃマイクロストリップ線路３Ａの表（上）面からＲＦマ
イクロストリップ線路２Ａの下面までの距離である。ま
た、ストリップ線路はＴＥＭ波を伝送させることができ
るのに対して、このマイクロストリップ線路は進行方向
にも電磁界分布を持った混成波を伝送させることができ
る。さらに、この実施の形態１は、下側に接地導体をも
つグラウンデッドコプレーナ線路（ＧＣＰＷ：Ｇrounde
d Ｃo-Ｐlanar Ｗaveguide）に関するものである。下側
に接地導体をもたないコプレーナ線路に較べて、このグ
ラウンデッドコプレーナ線路はその電界が下側の接地導
体に向けて走っている割合が高い。その割合はグラウン
デッドコプレーナ線路の基板厚に依存する。
【００２９】図１に示すように、ＲＦマイクロストリッ
プ線路２Ａ側をエアブリッジとすることにより、ＲＦ／
ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性インピーダ
ンスの変化を最小とすることが可能となる。
プ線路２Ａ側をエアブリッジとすることにより、ＲＦ／
ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性インピーダ
ンスの変化を最小とすることが可能となる。
【００３０】図２及び図３において、それぞれの（ａ）
は交差部の断面、（ｂ）はその線路モデルを示し、１２
は空気、１３はシールド導体を示す。
は交差部の断面、（ｂ）はその線路モデルを示し、１２
は空気、１３はシールド導体を示す。
【００３１】図４から図７までにおいて、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１）））である。
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１）））である。
【００３２】ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部
について電磁界解析を行い、その計算（シミュレーショ
ン）結果を図４〜図７に示す。この実施の形態１のシミ
ュレーションについては、図２（ａ）に示す実施の形態
１のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）
に示す線路モデルに基づいて行った。同様に、従来例の
シミュレーションについては、図３（ａ）に示す従来例
のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）に
示す線路モデルに基づいて行った。
について電磁界解析を行い、その計算（シミュレーショ
ン）結果を図４〜図７に示す。この実施の形態１のシミ
ュレーションについては、図２（ａ）に示す実施の形態
１のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）
に示す線路モデルに基づいて行った。同様に、従来例の
シミュレーションについては、図３（ａ）に示す従来例
のエアブリッジ部分の断面に対応させて、同図（ｂ）に
示す線路モデルに基づいて行った。
【００３３】図４〜図７のグラフには、ＲＦマイクロス
トリップ線路２Ａをエアブリッジとした実施の形態１を
＊印で、ＲＦマイクロストリップ線路２を下部線路とし
た従来例を〇印でプロットしたものを示す。なお、従来
のＲＦマイクロストリップ線路２は、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍの場合の計算例である。また、略
直線状にプロットされているものは、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍであって、交差なしの通常のマイ
クロストリップスルー線路の通過損失を表わす。
トリップ線路２Ａをエアブリッジとした実施の形態１を
＊印で、ＲＦマイクロストリップ線路２を下部線路とし
た従来例を〇印でプロットしたものを示す。なお、従来
のＲＦマイクロストリップ線路２は、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍの場合の計算例である。また、略
直線状にプロットされているものは、線路長が１３０μ
ｍ、線路幅が７０μｍであって、交差なしの通常のマイ
クロストリップスルー線路の通過損失を表わす。
【００３４】図４は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が７０μｍの場合のＲＦ信号の通過損失を
表す。また、図５は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が４０μｍの場合を表す。また、図６は、
ＲＦマイクロストリップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、
ＤＣマイクロストリップ線路３Ａの線路幅ｗ１が２０μ
ｍの場合を表す。さらに、図７は、ＲＦマイクロストリ
ップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリ
ップ線路３Ａの線路幅ｗ１が１０μｍの場合を表す。な
お、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ及びＤＣマイクロ
ストリップ線路３Ａの線路長は１３０μｍの場合であ
る。
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が７０μｍの場合のＲＦ信号の通過損失を
表す。また、図５は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
の線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリップ線路３Ａ
の線路幅ｗ１が４０μｍの場合を表す。また、図６は、
ＲＦマイクロストリップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、
ＤＣマイクロストリップ線路３Ａの線路幅ｗ１が２０μ
ｍの場合を表す。さらに、図７は、ＲＦマイクロストリ
ップ線路２Ａの線路幅が７０μｍ、ＤＣマイクロストリ
ップ線路３Ａの線路幅ｗ１が１０μｍの場合を表す。な
お、ＲＦマイクロストリップ線路２Ａ及びＤＣマイクロ
ストリップ線路３Ａの線路長は１３０μｍの場合であ
る。
【００３５】これらの図より、従来のＲＦマイクロスト
リップ線路２が下部線路となる場合（〇印）よりも、こ
の実施の形態１によるＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
がエアブリッジとなる場合（×印）の方が低損失となる
ことがわかる。
リップ線路２が下部線路となる場合（〇印）よりも、こ
の実施の形態１によるＲＦマイクロストリップ線路２Ａ
がエアブリッジとなる場合（×印）の方が低損失となる
ことがわかる。
【００３６】ＲＦマイクロストリップ線路の特性インピ
ーダンスは下記の式１によって表される。なお、式１に
おいて、Ｚ0は特性インピーダンス、Ｌは単位長さ当た
りのインダクタンス、Ｃは単位長さ当たりの線路導体と
グランド導体間のキャパシタンスである。
ーダンスは下記の式１によって表される。なお、式１に
おいて、Ｚ0は特性インピーダンス、Ｌは単位長さ当た
りのインダクタンス、Ｃは単位長さ当たりの線路導体と
グランド導体間のキャパシタンスである。
【００３７】Ｚ0＝√（Ｌ／Ｃ） ・・・ 式１
【００３８】交差のあるＲＦマイクロストリップ線路の
場合は、単なるマイクロストリップスルー線路の場合と
比較して、式１のキャパシタンスＣが大きくなるため、
特性インピーダンスは小さくなる。また、解析の結果、
キャパシタンスＣの増加の程度が、図２及び図３に示す
ように、従来例よりもこの実施の形態１の方が小さいた
め、低損失となることが明らかとなった。
場合は、単なるマイクロストリップスルー線路の場合と
比較して、式１のキャパシタンスＣが大きくなるため、
特性インピーダンスは小さくなる。また、解析の結果、
キャパシタンスＣの増加の程度が、図２及び図３に示す
ように、従来例よりもこの実施の形態１の方が小さいた
め、低損失となることが明らかとなった。
【００３９】以上のように、この実施の形態１によれば
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性イン
ピーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できる。
ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ線路交差部での特性イン
ピーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できる。
【００４０】実施の形態２．この発明の実施の形態２に
ついて図８から図１０までを参照しながら説明する。図
８は、この実施の形態２のＲＦ／ＤＣマイクロストリッ
プ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図９及び図
１０は、この実施の形態２の電磁界解析の計算結果であ
って、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
ついて図８から図１０までを参照しながら説明する。図
８は、この実施の形態２のＲＦ／ＤＣマイクロストリッ
プ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図９及び図
１０は、この実施の形態２の電磁界解析の計算結果であ
って、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
【００４１】図８において、１はＧａＡｓ基板、２Ｂは
ＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロスト
リップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦマ
イクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅
ｗ２は、ＧａＡｓ基板１に接した線路部分の線路幅より
も狭くなっている。また、基本的な構造、材質等は上記
実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図８に示すと
おりである。
ＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロスト
リップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦマ
イクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅
ｗ２は、ＧａＡｓ基板１に接した線路部分の線路幅より
も狭くなっている。また、基本的な構造、材質等は上記
実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図８に示すと
おりである。
【００４２】図９及び図１０において、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
【００４３】図９及び図１０のグラフには、ＲＦマイク
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅ｗ２
が７０μｍの場合を〇印で、線路幅ｗ２が４０μｍの場
合を×印で、線路幅ｗ２が２０μｍの場合を＊印でプロ
ットしたものを示す。なお、図９及び図１０は縦軸のス
ケールが相違するだけである。また、略直線状にプロッ
トされているものは、交差なしの通常のマイクロストリ
ップスルー線路の通過損失を表わす。
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅ｗ２
が７０μｍの場合を〇印で、線路幅ｗ２が４０μｍの場
合を×印で、線路幅ｗ２が２０μｍの場合を＊印でプロ
ットしたものを示す。なお、図９及び図１０は縦軸のス
ケールが相違するだけである。また、略直線状にプロッ
トされているものは、交差なしの通常のマイクロストリ
ップスルー線路の通過損失を表わす。
【００４４】上記実施の形態１で、線路交差部における
損失の増大は、式１のキャパシタンスＣの増大による特
性インピーダンスの変化に帰因することを示した。そこ
で、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部
４の特性インピーダンスをＧａＡｓ基板１に接した線路
部分の特性インピーダンスと一致させるために、この実
施の形態２のエアブリッジ部４の線路幅ｗ２は、ＧａＡ
ｓ基板１に接した線路部分の線路幅よりも狭くなってい
る。
損失の増大は、式１のキャパシタンスＣの増大による特
性インピーダンスの変化に帰因することを示した。そこ
で、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部
４の特性インピーダンスをＧａＡｓ基板１に接した線路
部分の特性インピーダンスと一致させるために、この実
施の形態２のエアブリッジ部４の線路幅ｗ２は、ＧａＡ
ｓ基板１に接した線路部分の線路幅よりも狭くなってい
る。
【００４５】このようにすることで、図９及び図１０に
示すように、交差部でのキャパシタンスＣの増大を最小
とし、一方で式１のインダクタンスＬを増加させ、特性
インピーダンスの変化を抑制することができ、交差部で
の損失を低減できる。
示すように、交差部でのキャパシタンスＣの増大を最小
とし、一方で式１のインダクタンスＬを増加させ、特性
インピーダンスの変化を抑制することができ、交差部で
の損失を低減できる。
【００４６】実施の形態３．この発明の実施の形態３に
ついて図１１から図１３までを参照しながら説明する。
図１１は、この実施の形態３のＲＦ／ＤＣマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１２
及び図１３は、この実施の形態３の電磁界解析の計算結
果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
ついて図１１から図１３までを参照しながら説明する。
図１１は、この実施の形態３のＲＦ／ＤＣマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１２
及び図１３は、この実施の形態３の電磁界解析の計算結
果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
【００４７】図１１において、１はＧａＡｓ基板、２Ｃ
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロス
トリップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦ
マイクロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の前後
にインピーダンス変換部１４を設け、交差部での反射の
影響を低減している。また、基本的な構造、材質等は上
記実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図１１に示
すとおりである。
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＡはＤＣマイクロス
トリップ線路、４はエアブリッジ部である。なお、ＲＦ
マイクロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の前後
にインピーダンス変換部１４を設け、交差部での反射の
影響を低減している。また、基本的な構造、材質等は上
記実施の形態１と同様であり、各部の寸法は図１１に示
すとおりである。
【００４８】図１２及び図１３において、横軸は周波数
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメー
タ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ
２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＤＣマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
【００４９】図１２及び図１３のグラフには、ＲＦマイ
クロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の高さｈが
２μｍの場合を〇印で、高さｈが１５μｍの場合を×印
でプロットしたものを示す。なお、図１２及び図１３は
縦軸のスケールが相違するだけである。また、略直線状
にプロットされているものは、交差なしの通常のマイク
ロストリップスルー線路の通過損失を表わす。
クロストリップ線路２Ｃのエアブリッジ部４の高さｈが
２μｍの場合を〇印で、高さｈが１５μｍの場合を×印
でプロットしたものを示す。なお、図１２及び図１３は
縦軸のスケールが相違するだけである。また、略直線状
にプロットされているものは、交差なしの通常のマイク
ロストリップスルー線路の通過損失を表わす。
【００５０】ＲＦマイクロストリップ線路２Ｃのエアブ
リッジ部４の特性インピーダンスと、ＧａＡｓ基板１に
接した線路部分の特性インピーダンスの違いによるエア
ブリッジ部４での反射を打ち消すため、エアブリッジ部
４前後の線路幅を調整するように、インピーダンス変換
部１４を設け、交差部での反射の影響を低減できる。
リッジ部４の特性インピーダンスと、ＧａＡｓ基板１に
接した線路部分の特性インピーダンスの違いによるエア
ブリッジ部４での反射を打ち消すため、エアブリッジ部
４前後の線路幅を調整するように、インピーダンス変換
部１４を設け、交差部での反射の影響を低減できる。
【００５１】実施の形態４．この発明の実施の形態４に
ついて図１４から図１８までを参照しながら説明する。
図１４は、この実施の形態４のＲＦ／ＲＦマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１５
から図１８までは、この実施の形態４の電磁界解析の計
算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
ついて図１４から図１８までを参照しながら説明する。
図１４は、この実施の形態４のＲＦ／ＲＦマイクロスト
リップ線路交差部を示す斜視図である。さらに、図１５
から図１８までは、この実施の形態４の電磁界解析の計
算結果であって、ＲＦ信号の通過損失を示す図である。
【００５２】図１４において、１はＧａＡｓ基板、２Ｂ
及び２ＤはＲＦマイクロストリップ線路、４はエアブリ
ッジ部である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ線
路交差部において、両方の線路幅が狭くなっている。ま
た、基本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様で
あり、各部の寸法は図１４に示すとおりである。
及び２ＤはＲＦマイクロストリップ線路、４はエアブリ
ッジ部である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ線
路交差部において、両方の線路幅が狭くなっている。ま
た、基本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様で
あり、各部の寸法は図１４に示すとおりである。
【００５３】図１５から図１８までにおいて、横軸は周
波数（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメ
ータ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ
（Ｓ２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
波数（ＧＨＺ）、縦軸はＲＦ信号の通過損失（Ｓパラメ
ータ：│Ｓ21│）（ｄＢ２０：２０ｌｏｇ10（ｍａｇ
（Ｓ２１））、ｄＢ１０：１０ｌｏｇ10（ｍａｇ（Ｓ２
１）））である。なお、ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ
線路交差部についての電磁界解析（シミュレーション）
は上記実施の形態１と同様である。
【００５４】図１５〜図１８のグラフには、ＲＦマイク
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の前後の線路
幅の変化がステップ状（例えば、エアブリッジ部４の線
路幅ｗ４（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が７
０μｍへ変化した場合）の場合を〇印で、線路幅の変化
がテーパ状（例えば、エアブリッジ部４の線路幅ｗ４
（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が３０→５０
→７０μｍへ１５μｍ線路長毎に変化した場合）の場合
を＊印でプロットしたものを示す。なお、略直線状にプ
ロットされているものは、交差なしの通常のマイクロス
トリップスルー線路の通過損失を表わす。
ロストリップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の前後の線路
幅の変化がステップ状（例えば、エアブリッジ部４の線
路幅ｗ４（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が７
０μｍへ変化した場合）の場合を〇印で、線路幅の変化
がテーパ状（例えば、エアブリッジ部４の線路幅ｗ４
（＝５、２０μｍ）からその前後の線路幅が３０→５０
→７０μｍへ１５μｍ線路長毎に変化した場合）の場合
を＊印でプロットしたものを示す。なお、略直線状にプ
ロットされているものは、交差なしの通常のマイクロス
トリップスルー線路の通過損失を表わす。
【００５５】図１５及び図１６は、ＲＦマイクロストリ
ップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場
合のＲＦ信号の通過損失を表す。なお、図１５及び図１
６は縦軸のスケールが相違するだけである。また、図１
７及び図１８は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエ
アブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場合のＲＦ信号の
通過損失を表す。なお、図１７及び図１８は縦軸のスケ
ールが相違するだけである。これらの図からわかるよう
に、エアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場合は、ステ
ップ接続よりもテーパ接続した方が損失が少なくなって
いる。また、エアブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場
合は、ステップ接続もテーパ接続もあまり変わらない。
ップ線路２Ｂのエアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場
合のＲＦ信号の通過損失を表す。なお、図１５及び図１
６は縦軸のスケールが相違するだけである。また、図１
７及び図１８は、ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂのエ
アブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場合のＲＦ信号の
通過損失を表す。なお、図１７及び図１８は縦軸のスケ
ールが相違するだけである。これらの図からわかるよう
に、エアブリッジ部４の線路幅が５μｍの場合は、ステ
ップ接続よりもテーパ接続した方が損失が少なくなって
いる。また、エアブリッジ部４の線路幅が２０μｍの場
合は、ステップ接続もテーパ接続もあまり変わらない。
【００５６】ＲＦ／ＲＦマイクロストリップ線路交差部
において、両ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂ、２Ｄの
特性インピーダンスの変化を最小化あるいは補償するた
めに、エアブリッジ部４とその下部線路共に交差しない
部分の線路幅よりも狭くした構造は、上記実施の形態１
で述べた式１のキャパシタンスＣの増大を小さくするた
めの構造である。
において、両ＲＦマイクロストリップ線路２Ｂ、２Ｄの
特性インピーダンスの変化を最小化あるいは補償するた
めに、エアブリッジ部４とその下部線路共に交差しない
部分の線路幅よりも狭くした構造は、上記実施の形態１
で述べた式１のキャパシタンスＣの増大を小さくするた
めの構造である。
【００５７】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、上記各実施の形態と同様に、交差部での特性インピ
ーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減するこ
とが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が実
現できる。
ば、上記各実施の形態と同様に、交差部での特性インピ
ーダンスの変化による反射損（通過損失）を低減するこ
とが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が実
現できる。
【００５８】実施の形態５．この発明の実施の形態５に
ついて図１９を参照しながら説明する。図１９は、この
実施の形態５のＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロストリ
ップ線路交差部を示す斜視図である。
ついて図１９を参照しながら説明する。図１９は、この
実施の形態５のＲＦ／ＤＣ、ＲＦ／ＲＦマイクロストリ
ップ線路交差部を示す斜視図である。
【００５９】図１９において、１はＧａＡｓ基板、２Ａ
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＢはＤＣマイクロス
トリップ線路、２ＥはＲＦマイクロストリップ線路、４
はエアブリッジ部、１５は誘電体材料である。なお、基
本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様である。
はＲＦマイクロストリップ線路、３ＢはＤＣマイクロス
トリップ線路、２ＥはＲＦマイクロストリップ線路、４
はエアブリッジ部、１５は誘電体材料である。なお、基
本的な構造、材質等は上記実施の形態１と同様である。
【００６０】この実施の形態５は、交差部で発生する容
量を回路要素として積極的に利用するための構造で、交
差部での両線路間に誘電体材料１５を充填したものであ
る。なお、交差部面積を適当に調整することができる。
量を回路要素として積極的に利用するための構造で、交
差部での両線路間に誘電体材料１５を充填したものであ
る。なお、交差部面積を適当に調整することができる。
【００６１】
【発明の効果】この発明に係る伝送線路は、以上説明し
たとおり、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ
線路とＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、
前記ＤＣマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記
ＲＦマイクロストリップ線路を上部線路であるエアブリ
ッジとしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することが可能となり、積極的な回
路の小型化、高機能化が実現できるという効果を奏す
る。
たとおり、基板面に設けられたＲＦマイクロストリップ
線路とＤＣマイクロストリップ線路の交差部において、
前記ＤＣマイクロストリップ線路を下部線路とし、前記
ＲＦマイクロストリップ線路を上部線路であるエアブリ
ッジとしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することが可能となり、積極的な回
路の小型化、高機能化が実現できるという効果を奏す
る。
【００６２】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅と前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じ
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅と前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じ
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
【００６３】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭
くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭
くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
【００６４】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の約半分
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の約半分
にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化によ
る反射損を低減することができるという効果を奏する。
【００６５】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の半分以
下にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができるという効果を奏す
る。
明したとおり、前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の半分以
下にしたので、交差部での特性インピーダンスの変化に
よる反射損を低減することができるという効果を奏す
る。
【００６６】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分の線路幅を前記ＲＦマイクロストリップ線
路の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたので、交
差部での特性インピーダンスの変化による反射損を低減
することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分の線路幅を前記ＲＦマイクロストリップ線
路の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたので、交
差部での特性インピーダンスの変化による反射損を低減
することができるという効果を奏する。
【００６７】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
【００６８】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
【００６９】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の約半分にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の約半分にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
【００７０】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の半分以下にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の半分以下にしたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
【００７１】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設けたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設けたの
で、交差部での特性インピーダンスの変化による反射損
を低減することができるという効果を奏する。
【００７２】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記エアブリッジ部分前後にインピーダ
ンス変換部を設け、前記エアブリッジ部分の線路幅を前
記ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにした
ので、交差部での特性インピーダンスの変化による反射
損を低減することができるという効果を奏する。
明したとおり、前記エアブリッジ部分前後にインピーダ
ンス変換部を設け、前記エアブリッジ部分の線路幅を前
記ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにした
ので、交差部での特性インピーダンスの変化による反射
損を低減することができるという効果を奏する。
【００７３】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、基板面に設けられた第１のＲＦマイクロ
ストリップ線路と第２のＲＦマイクロストリップ線路の
交差部において、前記第２のＲＦマイクロストリップ線
路を下部線路とし、前記第１のＲＦマイクロストリップ
線路を上部線路であるエアブリッジとしたので、交差部
での特性インピーダンスの変化による反射損を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できるという効果を奏する。
明したとおり、基板面に設けられた第１のＲＦマイクロ
ストリップ線路と第２のＲＦマイクロストリップ線路の
交差部において、前記第２のＲＦマイクロストリップ線
路を下部線路とし、前記第１のＲＦマイクロストリップ
線路を上部線路であるエアブリッジとしたので、交差部
での特性インピーダンスの変化による反射損を低減する
ことが可能となり、積極的な回路の小型化、高機能化が
実現できるという効果を奏する。
【００７４】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅と前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅とを同じにしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅と前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅とを同じにしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。
【００７５】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅を前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅よりも狭くしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。
明したとおり、前記第１のＲＦマイクロストリップ線路
の線路幅を前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の線
路幅よりも狭くしたので、交差部での特性インピーダン
スの変化による反射損を低減することができるという効
果を奏する。
【００７６】また、この発明に係る伝送線路は、以上説
明したとおり、前記第１及び第２のＲＦマイクロストリ
ップ線路の交差部の線路幅を前記第１及び第２のＲＦマ
イクロストリップ線路の基板に接した部分の線路幅より
も狭くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することができるという効果を奏す
る。
明したとおり、前記第１及び第２のＲＦマイクロストリ
ップ線路の交差部の線路幅を前記第１及び第２のＲＦマ
イクロストリップ線路の基板に接した部分の線路幅より
も狭くしたので、交差部での特性インピーダンスの変化
による反射損を低減することができるという効果を奏す
る。
【００７７】さらに、この発明に係る伝送線路は、以上
説明したとおり、前記交差部の前記上部線路及び前記下
部線路間に誘電体を挿入したので、交差部で発生する容
量を回路要素として利用することができるという効果を
奏する。
説明したとおり、前記交差部の前記上部線路及び前記下
部線路間に誘電体を挿入したので、交差部で発生する容
量を回路要素として利用することができるという効果を
奏する。
【図１】 この発明の実施の形態１に係るＲＦ／ＤＣ線
路交差部を示す斜視図である。
路交差部を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施の形態１に係るエアブリッジ
部分の断面とその電磁界解析に用いた線路モデルを示す
図である。
部分の断面とその電磁界解析に用いた線路モデルを示す
図である。
【図３】 従来例に係るエアブリッジ部分の断面とその
電磁界解析に用いた線路モデルを示す図である。
電磁界解析に用いた線路モデルを示す図である。
【図４】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。
失を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。
失を示す図である。
【図６】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。
失を示す図である。
【図７】 この発明の実施の形態１のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。
失を示す図である。
【図８】 この発明の実施の形態２に係るＲＦ／ＤＣ線
路交差部を示す斜視図である。
路交差部を示す斜視図である。
【図９】 この発明の実施の形態２のＲＦ信号の通過損
失を示す図である。
失を示す図である。
【図１０】 この発明の実施の形態２のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１１】 この発明の実施の形態３に係るＲＦ／ＤＣ
線路交差部を示す斜視図である。
線路交差部を示す斜視図である。
【図１２】 この発明の実施の形態３のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１３】 この発明の実施の形態３のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１４】 この発明の実施の形態４に係るＲＦ／ＲＦ
線路交差部を示す斜視図である。
線路交差部を示す斜視図である。
【図１５】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１６】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１７】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１８】 この発明の実施の形態４のＲＦ信号の通過
損失を示す図である。
損失を示す図である。
【図１９】 この発明の実施の形態５に係るＲＦ／Ｄ
Ｃ、ＲＦ／ＲＦ線路交差部を示す斜視図である。
Ｃ、ＲＦ／ＲＦ線路交差部を示す斜視図である。
【図２０】 従来のスイッチ回路を示す平面図である。
【図２１】 図２０の線路交差部を示す斜視図である。
１ ＧａＡｓ基板、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ Ｒ
Ｆマイクロストリップ線路、３Ａ、３Ｂ ＤＣマイクロ
ストリップ線路、４ エアブリッジ部、１５誘電体材
料。
Ｆマイクロストリップ線路、３Ａ、３Ｂ ＤＣマイクロ
ストリップ線路、４ エアブリッジ部、１５誘電体材
料。
Claims (17)
- 【請求項１】 基板面に設けられたＲＦマイクロストリ
ップ線路とＤＣマイクロストリップ線路の交差部におい
て、前記ＤＣマイクロストリップ線路を下部線路とし、
前記ＲＦマイクロストリップ線路を上部線路であるエア
ブリッジとする構造を特徴とする伝送線路。 - 【請求項２】 前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅と前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅とを同じ
にしたことを特徴とする請求項１記載の伝送線路。 - 【請求項３】 前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭
くしたことを特徴とする請求項１記載の伝送線路。 - 【請求項４】 前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の約半分
にしたことを特徴とする請求項３記載の伝送線路。 - 【請求項５】 前記ＤＣマイクロストリップ線路の線路
幅を前記ＲＦマイクロストリップ線路の線路幅の半分以
下にしたことを特徴とする請求項３記載の伝送線路。 - 【請求項６】 前記ＲＦマイクロストリップ線路のエア
ブリッジ部分の線路幅を前記ＲＦマイクロストリップ線
路の基板に接した部分の線路幅よりも狭くしたことを特
徴とする請求項１記載の伝送線路。 - 【請求項７】 前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたこと
を特徴とする請求項６記載の伝送線路。 - 【請求項８】 前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅よりも狭くしたこと
を特徴とする請求項６記載の伝送線路。 - 【請求項９】 前記エアブリッジ部分の線路幅を前記Ｄ
Ｃマイクロストリップ線路の線路幅の約半分にしたこと
を特徴とする請求項８記載の伝送線路。 - 【請求項１０】 前記エアブリッジ部分の線路幅を前記
ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅の半分以下にした
ことを特徴とする請求項８記載の伝送線路。 - 【請求項１１】 前記ＲＦマイクロストリップ線路のエ
アブリッジ部分前後にインピーダンス変換部を設けたこ
とを特徴とする請求項６記載の伝送線路。 - 【請求項１２】 前記エアブリッジ部分の線路幅を前記
ＤＣマイクロストリップ線路の線路幅とを同じにしたこ
とを特徴とする請求項１１記載の伝送線路。 - 【請求項１３】 基板面に設けられた第１のＲＦマイク
ロストリップ線路と第２のＲＦマイクロストリップ線路
の交差部において、前記第２のＲＦマイクロストリップ
線路を下部線路とし、前記第１のＲＦマイクロストリッ
プ線路を上部線路であるエアブリッジとする構造を特徴
とする伝送線路。 - 【請求項１４】 前記第１のＲＦマイクロストリップ線
路の線路幅と前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の
線路幅とを同じにしたことを特徴とする請求項１３記載
の伝送線路。 - 【請求項１５】 前記第１のＲＦマイクロストリップ線
路の線路幅を前記第２のＲＦマイクロストリップ線路の
線路幅よりも狭くしたことを特徴とする請求項１３記載
の伝送線路。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２のＲＦマイクロスト
リップ線路の交差部の線路幅を前記第１及び第２のＲＦ
マイクロストリップ線路の基板に接した部分の線路幅よ
りも狭くしたことを特徴とする請求項１４又は１５記載
の伝送線路。 - 【請求項１７】 前記交差部の前記上部線路及び前記下
部線路間に誘電体を挿入したことを特徴とする請求項１
又は１３記載の伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214963A JPH0964602A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214963A JPH0964602A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964602A true JPH0964602A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16664475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7214963A Pending JPH0964602A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964602A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
| JP2011101327A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | 信号伝送路 |
| JP2014187653A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2015133660A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 富士通株式会社 | 集積回路及び送受信装置 |
-
1995
- 1995-08-23 JP JP7214963A patent/JPH0964602A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010187220A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | New Japan Radio Co Ltd | 高周波回路調整機構及び方法 |
| JP2011101327A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Canon Inc | 信号伝送路 |
| JP2014187653A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JP2015133660A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 富士通株式会社 | 集積回路及び送受信装置 |
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