JPH0971862A - 基板面外部磁場印加機構及び方法 - Google Patents
基板面外部磁場印加機構及び方法Info
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- JPH0971862A JPH0971862A JP25460395A JP25460395A JPH0971862A JP H0971862 A JPH0971862 A JP H0971862A JP 25460395 A JP25460395 A JP 25460395A JP 25460395 A JP25460395 A JP 25460395A JP H0971862 A JPH0971862 A JP H0971862A
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- magnetic field
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- magnet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板のエッチング分布の大幅な向上及び基板
の膜特性の安定化を図ると共に、基板面磁場印加磁石の
員数低減によるコスト低減を可能とするに好適な基板面
磁場印加機構を提供することにある。 【構成】 真空容器内に配置されたターゲット電極と、
成膜される基板と、基板を保持して搬送する基板搬送治
具と、該基板搬送治具を搬送する搬送手段からなるスパ
ッタリング装置であって、基板のバイアスクリーニング
または基板表面のガス出し終了後、基板を成膜するにあ
たって基板搬送治具を搬送する時に、チャッキング機構
2にチャッキングされている基板面磁場印加磁石301
をシリンダ7によって昇降し、また、モータ5によって
回転して基板搬送治具に着装し、基板の成膜完了時に、
前記磁石301を基板搬送治具から取り外す着脱機構を
設ける。
の膜特性の安定化を図ると共に、基板面磁場印加磁石の
員数低減によるコスト低減を可能とするに好適な基板面
磁場印加機構を提供することにある。 【構成】 真空容器内に配置されたターゲット電極と、
成膜される基板と、基板を保持して搬送する基板搬送治
具と、該基板搬送治具を搬送する搬送手段からなるスパ
ッタリング装置であって、基板のバイアスクリーニング
または基板表面のガス出し終了後、基板を成膜するにあ
たって基板搬送治具を搬送する時に、チャッキング機構
2にチャッキングされている基板面磁場印加磁石301
をシリンダ7によって昇降し、また、モータ5によって
回転して基板搬送治具に着装し、基板の成膜完了時に、
前記磁石301を基板搬送治具から取り外す着脱機構を
設ける。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
係り、特に、基板の成膜中に基板面に外部磁場を印加す
る必要がある場合の基板面外部磁場印加機構及び方法に
関する。
係り、特に、基板の成膜中に基板面に外部磁場を印加す
る必要がある場合の基板面外部磁場印加機構及び方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】スパッタリング装置は、種々の材料の薄
膜化手段の1つとして、各方面で利用されている。この
スパッタリング装置によるスパッタリング法には、10
~1〜10~4Torr程度の真空中でアルゴン等のガスを
放電させて、この時に生じたイオンでターゲットをスパ
ッタリングし、これにより飛散したスパッタ粒子をター
ゲットに対面した位置に配置されている基板面上に堆積
させて薄膜を形成する方法、また、イオン源から電極に
加えた電位により電界を形成し、この電界によってイオ
ンを引出し、これをターゲットに衝突させてターゲット
を発散させ、これを基板面上に堆積させるイオンビーム
スパッタ法がある。これらの方法を用いたスパッタリン
グ装置は、用途に応じて様々なタイプが実用化されてい
る。そのタイプとして、バッチ式スパッタリング装置、
インライン式スパッタ装置、マルチチャンバー式スパッ
タ装置などがある。バッチ式スパッタリング装置は、基
板の処理が終了する毎にチャンバーを開放するため、真
空排気の時間がかかり、効率的な処理の実行ができな
い。そのために、この点を改善したインライン式スパッ
タ装置は、複数の真空室を直線上に配列し、基板の仕込
及び取り出しの部屋以外は、常に真空状態に保ったまま
基板を処理することにより、量産用装置として使用され
ている。また、マルチチャンバー式スパッタ装置は、基
板搬送ロボットを備えた真空状態の搬送室を設け、搬送
室の周りに複数の処理室を配置して、基板を処理する。
これらのスパッタ装置において、基板面に外部磁場を印
加しながら成膜する必要がある場合には、インライン式
では主に真空チャンバーの外部からのヘルムホルツコイ
ルによる方式が採用され、マルチチャンバー式等ではそ
の構造上の制約から永久磁石による方式が採られてい
る。この場合、従来の永久磁石による方式では、予め基
板トレイ毎に或いは基板サセプタと呼ばれる基板搬送治
具毎に永久磁石方を組み込んでいた。
膜化手段の1つとして、各方面で利用されている。この
スパッタリング装置によるスパッタリング法には、10
~1〜10~4Torr程度の真空中でアルゴン等のガスを
放電させて、この時に生じたイオンでターゲットをスパ
ッタリングし、これにより飛散したスパッタ粒子をター
ゲットに対面した位置に配置されている基板面上に堆積
させて薄膜を形成する方法、また、イオン源から電極に
加えた電位により電界を形成し、この電界によってイオ
ンを引出し、これをターゲットに衝突させてターゲット
を発散させ、これを基板面上に堆積させるイオンビーム
スパッタ法がある。これらの方法を用いたスパッタリン
グ装置は、用途に応じて様々なタイプが実用化されてい
る。そのタイプとして、バッチ式スパッタリング装置、
インライン式スパッタ装置、マルチチャンバー式スパッ
タ装置などがある。バッチ式スパッタリング装置は、基
板の処理が終了する毎にチャンバーを開放するため、真
空排気の時間がかかり、効率的な処理の実行ができな
い。そのために、この点を改善したインライン式スパッ
タ装置は、複数の真空室を直線上に配列し、基板の仕込
及び取り出しの部屋以外は、常に真空状態に保ったまま
基板を処理することにより、量産用装置として使用され
ている。また、マルチチャンバー式スパッタ装置は、基
板搬送ロボットを備えた真空状態の搬送室を設け、搬送
室の周りに複数の処理室を配置して、基板を処理する。
これらのスパッタ装置において、基板面に外部磁場を印
加しながら成膜する必要がある場合には、インライン式
では主に真空チャンバーの外部からのヘルムホルツコイ
ルによる方式が採用され、マルチチャンバー式等ではそ
の構造上の制約から永久磁石による方式が採られてい
る。この場合、従来の永久磁石による方式では、予め基
板トレイ毎に或いは基板サセプタと呼ばれる基板搬送治
具毎に永久磁石方を組み込んでいた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】インライン式スパッタ
装置において、成膜中に基板面に磁場を印加する場合、
外部磁場の強度や方向を容易に変えられることから、ヘ
ルムホルツコイル方式による場合が多い。しかし、これ
は装置が大型化するとともに、コイル用電源が必要とな
るなど、コスト高になる傾向がある。これに対して、マ
ルチチャンバー式スパッタ装置における永久磁石よる方
式は、装置構造上は優利になるが、基板搬送治具毎に永
久磁石が必要となり、また、予め基板搬送治具に永久磁
石を組み込むため、磁場方向を変えることが出来なかっ
た。さらに、成膜前に、基板側にパワーを投入して、バ
イアスクリーニングをする場合、該永久磁石の磁場の影
響によりエッチング分布が悪くなる、という問題があっ
た。また、基板表面のガス出しのために、基板をいった
ん300度程度に加熱するような場合においては、永久
磁石の熱劣化が発生し、この磁場強度の変化によって基
板の膜特性の安定化を損ねる、という問題があった。な
お、マルチチャンバー式スパッタ装置では、特にその装
置構成上、ヘルムホルツコイルを取り付けにくいため、
永久磁石方式を採用せざるを得ない。
装置において、成膜中に基板面に磁場を印加する場合、
外部磁場の強度や方向を容易に変えられることから、ヘ
ルムホルツコイル方式による場合が多い。しかし、これ
は装置が大型化するとともに、コイル用電源が必要とな
るなど、コスト高になる傾向がある。これに対して、マ
ルチチャンバー式スパッタ装置における永久磁石よる方
式は、装置構造上は優利になるが、基板搬送治具毎に永
久磁石が必要となり、また、予め基板搬送治具に永久磁
石を組み込むため、磁場方向を変えることが出来なかっ
た。さらに、成膜前に、基板側にパワーを投入して、バ
イアスクリーニングをする場合、該永久磁石の磁場の影
響によりエッチング分布が悪くなる、という問題があっ
た。また、基板表面のガス出しのために、基板をいった
ん300度程度に加熱するような場合においては、永久
磁石の熱劣化が発生し、この磁場強度の変化によって基
板の膜特性の安定化を損ねる、という問題があった。な
お、マルチチャンバー式スパッタ装置では、特にその装
置構成上、ヘルムホルツコイルを取り付けにくいため、
永久磁石方式を採用せざるを得ない。
【0004】本発明の目的は、上記した事情に鑑み、基
板のエッチング分布の大幅な向上及び基板の膜特性の安
定化を図ると共に、永久磁石(基板面磁場印加磁石)の
員数低減によるコスト低減を可能とするに好適な基板面
磁場印加機構及び方法を提供することにある。
板のエッチング分布の大幅な向上及び基板の膜特性の安
定化を図ると共に、永久磁石(基板面磁場印加磁石)の
員数低減によるコスト低減を可能とするに好適な基板面
磁場印加機構及び方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、基板を成膜するにあたって基板搬送治具を搬送する
時に、基板面磁場印加磁石を前記基板搬送治具に着脱す
る着脱機構を設け、また、この着脱機構に基板面磁場印
加磁石を昇降する機構と、回転する機構を設ける。ま
た、上記目的は、基板を成膜するにあたって基板搬送治
具を搬送する時に、予め保持している基板面磁場印加磁
石を着脱機構によって前記基板搬送治具に装着し、基板
の成膜完了時に、前記磁石を取り外すことによって、達
成される。また、基板のバイアスクリーニングまたは基
板表面のガス出しは、基板面磁場印加磁石を基板搬送治
具に装着する前に実施し、基板のバイアスクリーニング
または基板表面のガス出し終了後、着脱機構を用いて前
記磁石を基板搬送治具に装着し、基板面に磁場を印加し
た状態で成膜することによって、達成される。
に、基板を成膜するにあたって基板搬送治具を搬送する
時に、基板面磁場印加磁石を前記基板搬送治具に着脱す
る着脱機構を設け、また、この着脱機構に基板面磁場印
加磁石を昇降する機構と、回転する機構を設ける。ま
た、上記目的は、基板を成膜するにあたって基板搬送治
具を搬送する時に、予め保持している基板面磁場印加磁
石を着脱機構によって前記基板搬送治具に装着し、基板
の成膜完了時に、前記磁石を取り外すことによって、達
成される。また、基板のバイアスクリーニングまたは基
板表面のガス出しは、基板面磁場印加磁石を基板搬送治
具に装着する前に実施し、基板のバイアスクリーニング
または基板表面のガス出し終了後、着脱機構を用いて前
記磁石を基板搬送治具に装着し、基板面に磁場を印加し
た状態で成膜することによって、達成される。
【0006】
【作用】本発明では、基板面磁場印加磁石を基板搬送治
具に対して自動的に着脱可能な構造とし、成膜前の基板
のバイアスクリーニングを磁石のない状態で行ってその
エッチング分布の大幅改善を図り、また、基板表面のガ
ス出しの加熱時にも基板面磁場印加磁石を外して実行し
て磁石の熱劣化を防止し、磁場強度の安定化して基板の
膜特性の安定化を図る。さらに、必要とする基板面磁場
印加磁石は1組あれば充分であり、その都度、この1組
の磁石を真空中で基板搬送治具より着脱し、その員数の
低減によるコスト低減を可能とする。
具に対して自動的に着脱可能な構造とし、成膜前の基板
のバイアスクリーニングを磁石のない状態で行ってその
エッチング分布の大幅改善を図り、また、基板表面のガ
ス出しの加熱時にも基板面磁場印加磁石を外して実行し
て磁石の熱劣化を防止し、磁場強度の安定化して基板の
膜特性の安定化を図る。さらに、必要とする基板面磁場
印加磁石は1組あれば充分であり、その都度、この1組
の磁石を真空中で基板搬送治具より着脱し、その員数の
低減によるコスト低減を可能とする。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1は、本発明の一実施例を示す基板面外部磁場
印加機構の構成図である。基板面外部磁場印加機構は、
真空チャンバー上面フランジ1、基板面磁場印加磁石
(永久磁石)301のチャッキング機構2、回転ベルト
4、回転モータ5、ベロー6、昇降シリンダ7、上部プ
レート8、昇降ロッド9、スリーブ11、昇降プレート
21、ベアリング24a)、24b)からなる。基板面
磁場印加磁石301のチャッキング機構2は、真空チャ
ンバー上面フランジ1にベアリング24a)、24b)
によって支持され、その上部が回転ベルト4によって回
転モータ5と連結される。回転モータ5は、昇降プレー
ト21に固定され、チャッキング機構2とともに昇降す
る。昇降プレート21は、スリーブ11及び昇降ロッド
9をガイドにして上下に移動する。昇降ロッド9は、そ
の一端が真空チャンバー上面フランジ1に固定され、そ
の他端に上部プレート8が固定される。上部プレート8
に昇降シリンダ7が固定され、昇降シリンダ7は上部昇
降プレート12を介して昇降プレート21及びチャッキ
ング機構2等を昇降させる。チャッキング機構2の真空
は、ベロー6によりチャッキング機構2の昇降動作時も
保持される。チャッキング機構2には基板面磁場印加磁
石301が着脱され、回転モータ5が回転すると、回転
ベルト4を介してチャッキング機構2を回転させる。ま
た、昇降シリンダ7が作動すると、昇降プレート12に
連結している昇降プレート21が昇降ロッド9をガイド
にして上下に移動し、これに伴い、昇降プレート21と
連結しているチャッキング機構2、回転モータ5を昇降
させる。
する。図1は、本発明の一実施例を示す基板面外部磁場
印加機構の構成図である。基板面外部磁場印加機構は、
真空チャンバー上面フランジ1、基板面磁場印加磁石
(永久磁石)301のチャッキング機構2、回転ベルト
4、回転モータ5、ベロー6、昇降シリンダ7、上部プ
レート8、昇降ロッド9、スリーブ11、昇降プレート
21、ベアリング24a)、24b)からなる。基板面
磁場印加磁石301のチャッキング機構2は、真空チャ
ンバー上面フランジ1にベアリング24a)、24b)
によって支持され、その上部が回転ベルト4によって回
転モータ5と連結される。回転モータ5は、昇降プレー
ト21に固定され、チャッキング機構2とともに昇降す
る。昇降プレート21は、スリーブ11及び昇降ロッド
9をガイドにして上下に移動する。昇降ロッド9は、そ
の一端が真空チャンバー上面フランジ1に固定され、そ
の他端に上部プレート8が固定される。上部プレート8
に昇降シリンダ7が固定され、昇降シリンダ7は上部昇
降プレート12を介して昇降プレート21及びチャッキ
ング機構2等を昇降させる。チャッキング機構2の真空
は、ベロー6によりチャッキング機構2の昇降動作時も
保持される。チャッキング機構2には基板面磁場印加磁
石301が着脱され、回転モータ5が回転すると、回転
ベルト4を介してチャッキング機構2を回転させる。ま
た、昇降シリンダ7が作動すると、昇降プレート12に
連結している昇降プレート21が昇降ロッド9をガイド
にして上下に移動し、これに伴い、昇降プレート21と
連結しているチャッキング機構2、回転モータ5を昇降
させる。
【0008】図2は、チャッキング機構2に着脱される
基板面磁場印加磁石を示す。基板面外部磁場印加磁石3
01a)、301b)は磁石連結金具302によって連
結し、磁石連結金具302には、基板搬送治具(図4に
示す。)170に基板面外部磁場印加磁石301a)、
301b)を装着する時に案内するガイドピン303を
設ける。
基板面磁場印加磁石を示す。基板面外部磁場印加磁石3
01a)、301b)は磁石連結金具302によって連
結し、磁石連結金具302には、基板搬送治具(図4に
示す。)170に基板面外部磁場印加磁石301a)、
301b)を装着する時に案内するガイドピン303を
設ける。
【0009】図3は、基板搬送治具を示す。基板搬送治
具170に基板180を基板押え金具402によって固
定する。基板搬送治具170にはガイド穴404を設
け、基板面外部磁場印加磁石装着時に、図3のガイドピ
ン303がガイド穴404に案内されて結合し、基板搬
送治具170に基板面磁場印加磁石を装着する。ここ
で、基板180の磁場方向を変えるときは、基板搬送治
具170にガイド穴405を設け、磁石連結金具302
のガイドピン303が基板搬送治具170のガイド穴4
05に案内され、結合する。
具170に基板180を基板押え金具402によって固
定する。基板搬送治具170にはガイド穴404を設
け、基板面外部磁場印加磁石装着時に、図3のガイドピ
ン303がガイド穴404に案内されて結合し、基板搬
送治具170に基板面磁場印加磁石を装着する。ここ
で、基板180の磁場方向を変えるときは、基板搬送治
具170にガイド穴405を設け、磁石連結金具302
のガイドピン303が基板搬送治具170のガイド穴4
05に案内され、結合する。
【0010】図4に、本実施例の基板面外部磁場印加機
構をマルチチャンバースパッタリング装置に適用する場
合を示す。マルチチャンバースパッタリング装置は、基
板180の仕込・取出室10、仕切弁110を介して仕
込・取出室10に連結した搬送室20、それぞれ仕切弁
110を介して搬送室20に連結したスパッタ1室3
0、スパッタ2室40及びイオンビームスパッタ室50
からなる。また、それぞれの部屋は、仕切弁110によ
り独立に真空あるいは大気の状態にすることが出来る。
仕込・取出室10には、基板180が図3に示すように
基板搬送治具170に保持された状態で、少なくとも1
枚収納されている。基板180を仕込・取出室10に仕
込んだ後、仕込・取出室10は、扉190を閉めて排気
口60に接続された真空排気装置(図示せず)により、
その内部を真空状態に保持する。また、基板180を取
り出すには、扉190を開いて仕込・取出室10を大気
状態とする。このようにして、基板180は、仕込・取
出室10が大気状態で扉190を開くことによって、そ
の仕込み、取り出しを行う。そして、仕込/取出室10
内には、図示されていない基板バイアスクリーニングの
ステージが設けられる。搬送室20には、基板搬送治具
170に基板面磁場印加磁石301a)、301b)を
装着するための本実施例の基板面磁場印加機構(図1)
が基板面磁場印加磁石の着脱ステージ31として設備さ
れると共に、搬送ロボット70が設備される。スパッタ
1室30には、ターゲット電極120a)及び120
b)が取り付けられる。ターゲット電極120a)及び
120b)は、通常スパッタ1室30の下面から取り付
けられ、上面から基板電極160が支持され、図示され
ていないガス導入系により該スパッタ1室30にガスを
導入した状態で、やはり図示されていないスパッタ電源
により、スパッタ電極120a)又は120b)にパワ
ーを入れることによって、ターゲットがスパッタされ、
基板電極160に保持された基板に膜を形成する。ここ
で、基板電極160は、基板移動機構(図示せず)によ
り、回転軸200のまわりに回転することが出来るた
め、ターゲット電極120a)と120b)とそれぞれ
対応する位置に容易に移動することが可能である。ま
た、スパッタ1室30は、排気口80に接続された排気
装置(図示せず)によって、その内部を真空に保つこと
が出来る。スパッタ2室40も、スパッタ1室30とほ
ぼ同じ構成であり、ターゲット電極120c)及び12
0d)、排気口80を有する。イオンビームスパッタ室
50には、前述と同様な基板電極の他に、ターゲットホ
ルダ150、イオンビームスパッタ用イオン源130及
びアシストイオン源140が備っている。ターゲットホ
ルダ150には、例えば4種類のターゲットの取付が可
能であり、また、アシストイオン源140は、ミリング
用イオン源としての使用も可能であり、基板180の同
一処理中でのミリングとスパッタが可能となる。例え
ば、磁気抵抗効果膜は、下地膜との接触抵抗が問題とな
るため、基板表面のクリーニング実施後成膜している
が、従来別々の装置で実施していたために、そのクリー
ニングの効果は薄れがちであったが、本マルチチャンバ
ースパッタリング装置によれば、途中大気に開放するこ
となく、基板表面のミリング後、スパッタ1室30又は
スパッタ2室40での連続的な成膜が可能となる。ここ
で、イオンビームスパッタ室50は、排気100から排
気装置(図示せず)によって真空に排気される。
構をマルチチャンバースパッタリング装置に適用する場
合を示す。マルチチャンバースパッタリング装置は、基
板180の仕込・取出室10、仕切弁110を介して仕
込・取出室10に連結した搬送室20、それぞれ仕切弁
110を介して搬送室20に連結したスパッタ1室3
0、スパッタ2室40及びイオンビームスパッタ室50
からなる。また、それぞれの部屋は、仕切弁110によ
り独立に真空あるいは大気の状態にすることが出来る。
仕込・取出室10には、基板180が図3に示すように
基板搬送治具170に保持された状態で、少なくとも1
枚収納されている。基板180を仕込・取出室10に仕
込んだ後、仕込・取出室10は、扉190を閉めて排気
口60に接続された真空排気装置(図示せず)により、
その内部を真空状態に保持する。また、基板180を取
り出すには、扉190を開いて仕込・取出室10を大気
状態とする。このようにして、基板180は、仕込・取
出室10が大気状態で扉190を開くことによって、そ
の仕込み、取り出しを行う。そして、仕込/取出室10
内には、図示されていない基板バイアスクリーニングの
ステージが設けられる。搬送室20には、基板搬送治具
170に基板面磁場印加磁石301a)、301b)を
装着するための本実施例の基板面磁場印加機構(図1)
が基板面磁場印加磁石の着脱ステージ31として設備さ
れると共に、搬送ロボット70が設備される。スパッタ
1室30には、ターゲット電極120a)及び120
b)が取り付けられる。ターゲット電極120a)及び
120b)は、通常スパッタ1室30の下面から取り付
けられ、上面から基板電極160が支持され、図示され
ていないガス導入系により該スパッタ1室30にガスを
導入した状態で、やはり図示されていないスパッタ電源
により、スパッタ電極120a)又は120b)にパワ
ーを入れることによって、ターゲットがスパッタされ、
基板電極160に保持された基板に膜を形成する。ここ
で、基板電極160は、基板移動機構(図示せず)によ
り、回転軸200のまわりに回転することが出来るた
め、ターゲット電極120a)と120b)とそれぞれ
対応する位置に容易に移動することが可能である。ま
た、スパッタ1室30は、排気口80に接続された排気
装置(図示せず)によって、その内部を真空に保つこと
が出来る。スパッタ2室40も、スパッタ1室30とほ
ぼ同じ構成であり、ターゲット電極120c)及び12
0d)、排気口80を有する。イオンビームスパッタ室
50には、前述と同様な基板電極の他に、ターゲットホ
ルダ150、イオンビームスパッタ用イオン源130及
びアシストイオン源140が備っている。ターゲットホ
ルダ150には、例えば4種類のターゲットの取付が可
能であり、また、アシストイオン源140は、ミリング
用イオン源としての使用も可能であり、基板180の同
一処理中でのミリングとスパッタが可能となる。例え
ば、磁気抵抗効果膜は、下地膜との接触抵抗が問題とな
るため、基板表面のクリーニング実施後成膜している
が、従来別々の装置で実施していたために、そのクリー
ニングの効果は薄れがちであったが、本マルチチャンバ
ースパッタリング装置によれば、途中大気に開放するこ
となく、基板表面のミリング後、スパッタ1室30又は
スパッタ2室40での連続的な成膜が可能となる。ここ
で、イオンビームスパッタ室50は、排気100から排
気装置(図示せず)によって真空に排気される。
【0011】次に、本実施例をマルチチャンバースパッ
タリング装置に適用した場合の動作を説明する。まず、
仕込/取出室10に基板180を基板搬送治具170の
取付けた状態(図3)で複数枚セットする。この状態で
は、図2の基板面外部磁場印加磁石301は、基板搬送
治具170に装着されていない。搬送ロボット70で基
板搬送治具170を1枚取りにいき、そして、仕込/取
出室10内の図示されていない基板バイアスクリーニン
グのステージに移す。通常、基板バイアスクリーニング
のステージは、仕込/取出室10内のエレベータの一番
上の段に設けられている。また、基板表面のガス出しの
ために、基板をいったん300度程度に加熱するような
場合においては、仕込/取出室10内の図示されていな
い基板表面のガス出しのステージに移す。ここで、基板
180は、基板面外部磁場印加磁石301のない状態
で、基板がバイアスクリーニングされ、また、ガス出し
され、これらの処理後、仕込/取出室10から搬送室2
0の着脱ステージ31に基板搬送治具170と共に移さ
れる。一方、このとき、図1の基板面外部磁場印加機構
のチャッキング機構2には図2の基板面磁場印加磁石3
01a)、301b)が保持されている。着脱ステージ
31に移された基板搬送治具170の位置及び向きに対
して、基板面外部磁場印加機構の昇降シリンダ7及び回
転モータ5が作動して、チャッキング機構2を上下に移
動すると共に、回転させ、基板面磁場印加磁石301
a)、301b)を基板搬送治具170に装着する。こ
のとき、磁石連結金具302のガイドピン303が基板
搬送治具170のガイド穴404に案内され、結合す
る。その後、基板面磁場印加磁石301a)、301
b)を装着した基板搬送治具170は、着脱ステージ3
1からスパッタ1室30やスパッタ2室40及びイオン
ビームスパッタ室50に搬送ロボット70により搬送さ
れ、各処理室の基板搬送治具保持ステージ(図示せず)
で保持された状態で成膜処理される。成膜処理後、再
び、各処理室から着脱ステージ31に基板面磁場印加磁
石301a)、301b)を装着した基板搬送治具17
0は搬送され、基板面磁場印加磁石301a)、301
b)をチャッキング機構2により基板搬送治具170か
ら取り外す。その後、基板搬送治具170は、搬送ロボ
ット70により仕込/取出室10に戻される。ここで、
基板面磁場印加磁石301a)、301b)を基板搬送
治具170に装着するに際し、基板180の磁場方向を
変えるときは、磁石連結金具302のガイドピン303
が基板搬送治具170のガイド穴405に結合するよう
に、回転モータ5によりチャッキング機構2を回転す
る。これは、特に、多層膜を形成する場合、一連の処理
の途中で基板面磁場印加磁石301a)、301b)の
装着の向きを変えることによって、途中で基板面外部磁
場の向きを変えることが出来るので、その膜特性の飛躍
的向上が図れる。
タリング装置に適用した場合の動作を説明する。まず、
仕込/取出室10に基板180を基板搬送治具170の
取付けた状態(図3)で複数枚セットする。この状態で
は、図2の基板面外部磁場印加磁石301は、基板搬送
治具170に装着されていない。搬送ロボット70で基
板搬送治具170を1枚取りにいき、そして、仕込/取
出室10内の図示されていない基板バイアスクリーニン
グのステージに移す。通常、基板バイアスクリーニング
のステージは、仕込/取出室10内のエレベータの一番
上の段に設けられている。また、基板表面のガス出しの
ために、基板をいったん300度程度に加熱するような
場合においては、仕込/取出室10内の図示されていな
い基板表面のガス出しのステージに移す。ここで、基板
180は、基板面外部磁場印加磁石301のない状態
で、基板がバイアスクリーニングされ、また、ガス出し
され、これらの処理後、仕込/取出室10から搬送室2
0の着脱ステージ31に基板搬送治具170と共に移さ
れる。一方、このとき、図1の基板面外部磁場印加機構
のチャッキング機構2には図2の基板面磁場印加磁石3
01a)、301b)が保持されている。着脱ステージ
31に移された基板搬送治具170の位置及び向きに対
して、基板面外部磁場印加機構の昇降シリンダ7及び回
転モータ5が作動して、チャッキング機構2を上下に移
動すると共に、回転させ、基板面磁場印加磁石301
a)、301b)を基板搬送治具170に装着する。こ
のとき、磁石連結金具302のガイドピン303が基板
搬送治具170のガイド穴404に案内され、結合す
る。その後、基板面磁場印加磁石301a)、301
b)を装着した基板搬送治具170は、着脱ステージ3
1からスパッタ1室30やスパッタ2室40及びイオン
ビームスパッタ室50に搬送ロボット70により搬送さ
れ、各処理室の基板搬送治具保持ステージ(図示せず)
で保持された状態で成膜処理される。成膜処理後、再
び、各処理室から着脱ステージ31に基板面磁場印加磁
石301a)、301b)を装着した基板搬送治具17
0は搬送され、基板面磁場印加磁石301a)、301
b)をチャッキング機構2により基板搬送治具170か
ら取り外す。その後、基板搬送治具170は、搬送ロボ
ット70により仕込/取出室10に戻される。ここで、
基板面磁場印加磁石301a)、301b)を基板搬送
治具170に装着するに際し、基板180の磁場方向を
変えるときは、磁石連結金具302のガイドピン303
が基板搬送治具170のガイド穴405に結合するよう
に、回転モータ5によりチャッキング機構2を回転す
る。これは、特に、多層膜を形成する場合、一連の処理
の途中で基板面磁場印加磁石301a)、301b)の
装着の向きを変えることによって、途中で基板面外部磁
場の向きを変えることが出来るので、その膜特性の飛躍
的向上が図れる。
【0012】このように、本実施例では、基板面外部磁
場印加機構及びその方法により、基板面磁場印加磁石を
基板搬送治具に対して自動的に着脱可能であるので、成
膜前の基板のバイアスクリーニングには、基板面磁場印
加磁石を外しておくことが出来、エッチング分布の大幅
改善が可能となる。また、基板表面のガス出しのため
に、成膜前にいったん300℃程度まで加熱する様なプ
ロセスにおいても、加熱時には基板面磁場印加磁石を外
しておけるので、該磁石の熱劣化による膜の磁気特性の
低下を心配する必要がなく、基板の膜特性の安定化が図
れる。また、基板面磁場印加磁石の装着の向きを変える
ことが容易に出来、特に、多層膜を形成する場合に、一
連の処理の途中で基板面外部磁場の向きを変えることに
よって、その膜特性の飛躍的向上が図れる。また、通
常、基板搬送治具は、9〜12枚程度を一度にセットす
るが、従来はこの基板搬送治具毎に基板面磁場印加磁石
が必要であったのに対し、本実施例では、1組の基板面
磁場印加磁石を処理毎に各基板搬送治具に装着するの
で、基板面磁場印加磁石は1組のみで済み、その員数の
低減によるコスト低減を可能とする。なお、本発明は、
基板面外部磁場印加機構及び方法をマルチチャンバース
パッタリング装置に適用する場合について説明したが、
バッチ式スパッタリング装置、インライン式スパッタ装
置等に適用できることは云うまでもない。
場印加機構及びその方法により、基板面磁場印加磁石を
基板搬送治具に対して自動的に着脱可能であるので、成
膜前の基板のバイアスクリーニングには、基板面磁場印
加磁石を外しておくことが出来、エッチング分布の大幅
改善が可能となる。また、基板表面のガス出しのため
に、成膜前にいったん300℃程度まで加熱する様なプ
ロセスにおいても、加熱時には基板面磁場印加磁石を外
しておけるので、該磁石の熱劣化による膜の磁気特性の
低下を心配する必要がなく、基板の膜特性の安定化が図
れる。また、基板面磁場印加磁石の装着の向きを変える
ことが容易に出来、特に、多層膜を形成する場合に、一
連の処理の途中で基板面外部磁場の向きを変えることに
よって、その膜特性の飛躍的向上が図れる。また、通
常、基板搬送治具は、9〜12枚程度を一度にセットす
るが、従来はこの基板搬送治具毎に基板面磁場印加磁石
が必要であったのに対し、本実施例では、1組の基板面
磁場印加磁石を処理毎に各基板搬送治具に装着するの
で、基板面磁場印加磁石は1組のみで済み、その員数の
低減によるコスト低減を可能とする。なお、本発明は、
基板面外部磁場印加機構及び方法をマルチチャンバース
パッタリング装置に適用する場合について説明したが、
バッチ式スパッタリング装置、インライン式スパッタ装
置等に適用できることは云うまでもない。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板面磁場印加磁石を基板搬送治具に対して自動的に着
脱可能であるので、成膜前の基板のバイアスクリーニン
グには、基板面磁場印加磁石を外しておくことが出来、
エッチング分布の大幅改善が可能となる。また、基板表
面のガス出しのために、成膜前にいったん300℃程度
まで加熱する様なプロセスにおいても、加熱時には基板
面磁場印加磁石を外しておけるので、該磁石の熱劣化に
よる膜の磁気特性の低下を心配する必要がなく、基板の
膜特性の安定化が図れる。また、基板面磁場印加磁石の
装着の向きを変えることが容易に出来、特に、多層膜を
形成する場合に、一連の処理の途中で基板面外部磁場の
向きを変えることによって、その膜特性の飛躍的向上が
図れる。また、通常、基板搬送治具は、9〜12枚程度
を一度にセットするが、従来はこの基板搬送治具毎に基
板面磁場印加磁石が必要であったのに対し、本発明で
は、1組の基板面磁場印加磁石を処理毎に各基板搬送治
具に装着するので、基板面磁場印加磁石は1組のみで済
み、その員数の低減によるコスト低減を可能とする。
基板面磁場印加磁石を基板搬送治具に対して自動的に着
脱可能であるので、成膜前の基板のバイアスクリーニン
グには、基板面磁場印加磁石を外しておくことが出来、
エッチング分布の大幅改善が可能となる。また、基板表
面のガス出しのために、成膜前にいったん300℃程度
まで加熱する様なプロセスにおいても、加熱時には基板
面磁場印加磁石を外しておけるので、該磁石の熱劣化に
よる膜の磁気特性の低下を心配する必要がなく、基板の
膜特性の安定化が図れる。また、基板面磁場印加磁石の
装着の向きを変えることが容易に出来、特に、多層膜を
形成する場合に、一連の処理の途中で基板面外部磁場の
向きを変えることによって、その膜特性の飛躍的向上が
図れる。また、通常、基板搬送治具は、9〜12枚程度
を一度にセットするが、従来はこの基板搬送治具毎に基
板面磁場印加磁石が必要であったのに対し、本発明で
は、1組の基板面磁場印加磁石を処理毎に各基板搬送治
具に装着するので、基板面磁場印加磁石は1組のみで済
み、その員数の低減によるコスト低減を可能とする。
【図1】本発明の一実施例を示す基板面外部磁場印加機
構の構成図
構の構成図
【図2】本発明による基板面磁場印加磁石の構成図
【図3】本発明による基板搬送治具の構成図
【図4】本発明をマルチチャンバースパッタリング装置
に適用する場合の例
に適用する場合の例
1 真空チャンバー上面フランジ 2 基板面磁場印加磁石(永久磁石)のチャッキング機
構 4 回転ベルト 5 回転モータ 6 ベロー 7 昇降シリンダ7 8 上部プレート 9 昇降ロッド 11 スリーブ 21 昇降プレート 24 ベアリング 20 搬送室 21 昇降プレート 31 着脱 ステージ 70 真空搬送ロボット 170 基板搬送治具 180 基板 301 基板面磁場印加磁石(永久磁石)
構 4 回転ベルト 5 回転モータ 6 ベロー 7 昇降シリンダ7 8 上部プレート 9 昇降ロッド 11 スリーブ 21 昇降プレート 24 ベアリング 20 搬送室 21 昇降プレート 31 着脱 ステージ 70 真空搬送ロボット 170 基板搬送治具 180 基板 301 基板面磁場印加磁石(永久磁石)
Claims (9)
- 【請求項1】 真空容器と、該真空容器内に配置された
ターゲット電極と、該ターゲット電極と対向する位置に
配置されて、該ターゲット電極をスパッタリングするこ
とにより飛散したスパッタ粒子が堆積して成膜される基
板と、該基板を保持して搬送する基板搬送治具と、該基
板搬送治具を搬送する搬送手段からなるスパッタリング
装置であって、前記基板を成膜するにあたって前記基板
搬送治具を搬送する時に、基板面磁場印加磁石を前記基
板搬送治具に着脱する着脱機構を設けることを特徴とす
る基板面外部磁場印加機構。 - 【請求項2】 真空容器と、該真空容器内に配置された
ターゲット電極と、該ターゲット電極と対向する位置に
配置されて、該ターゲット電極をスパッタリングするこ
とにより飛散したスパッタ粒子が堆積して成膜される基
板からなる成膜室と、前記基板を保持搬送する基板搬送
治具を真空状態のまま搬送する搬送手段を有する搬送室
を備えたマルチチャンバースパッタリング装置であっ
て、前記基板を成膜するにあたって前記搬送室から前記
成膜室に前記基板前記基板搬送治具を搬送する時に、基
板面磁場印加磁石を前記基板搬送治具に着脱する着脱機
構を設けることを特徴とする基板面外部磁場印加機構。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2において、着脱
機構は、基板面磁場印加磁石を昇降する機構と、回転す
る機構を有することを特徴とする基板面外部磁場印加機
構。 - 【請求項4】 請求項1、請求項2または請求項3にお
いて、1組の基板面磁場印加磁石を連結する連結手段及
び基板搬送治具にそれぞれガイド手段を設け、これらの
ガイド手段を介して前記基板面磁場印加磁石を前記基板
搬送治具に装着することを特徴とする基板面外部磁場印
加機構。 - 【請求項5】 基板を保持搬送する基板搬送治具を搬送
手段によって搬送すると共に、真空容器内に配置された
ターゲット電極をスパッタリングすることにより飛散し
たスパッタ粒子を堆積して基板を成膜するスパッタリン
グ方法であって、前記基板を成膜するにあたって前記基
板搬送治具を搬送する時に、予め保持している基板面磁
場印加磁石を着脱機構によって前記基板搬送治具に装着
し、前記基板の成膜完了時に、前記磁石を取り外すこと
を特徴とする基板面外部磁場印加方法。 - 【請求項6】 搬送室から複数の成膜室に基板を保持搬
送する基板搬送治具を搬送手段によって搬送すると共
に、真空容器内に配置されたターゲット電極をスパッタ
リングすることにより飛散したスパッタ粒子を堆積して
基板を成膜するマルチチャンバースパッタリング方法で
あって、前記基板を成膜するにあたって前記搬送室から
前記成膜室に前記基板前記基板搬送治具を搬送する時
に、予め保持している基板面磁場印加磁石を着脱機構に
よって前記基板搬送治具に装着し、前記基板の成膜が完
了して前記搬送室に前記基板搬送治具を搬送した時に、
前記磁石を取り外すことを特徴とする基板面外部磁場印
加方法。 - 【請求項7】 請求項5または請求項6において、基板
のバイアスクリーニングまたは基板表面のガス出しは、
基板面磁場印加磁石を基板搬送治具に装着する前に実施
し、基板のバイアスクリーニングまたは基板表面のガス
出し終了後、着脱機構を用いて前記磁石を基板搬送治具
に装着することを特徴とする基板面外部磁場印加方法。 - 【請求項8】 請求項5または請求項6において、基板
面磁場印加磁石の着脱は、着脱機構を昇降し、回転して
実行することを特徴とする基板面外部磁場印加方法。 - 【請求項9】 請求項5から請求項8のいずれかにおい
て、基板に多層膜を形成するときに、その都度、基板搬
送治具を成膜室から搬送室に戻して、着脱機構を用いて
基板面磁場印加磁石の向きを変え、基板面の磁場の方向
を変えることを特徴とする基板面外部磁場印加方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460395A JPH0971862A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 基板面外部磁場印加機構及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25460395A JPH0971862A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 基板面外部磁場印加機構及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971862A true JPH0971862A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=17267336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25460395A Pending JPH0971862A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 基板面外部磁場印加機構及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6099706A (en) * | 1997-12-16 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming apparatus which applies a parallel magnetic field across a substrate |
| CN108858088A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-23 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种工件台及其传片方法 |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP25460395A patent/JPH0971862A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6099706A (en) * | 1997-12-16 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Magnetic film forming apparatus which applies a parallel magnetic field across a substrate |
| CN108858088A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-23 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种工件台及其传片方法 |
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