JPH0973093A - 液晶表示装置、及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置、及びその製造方法Info
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- JPH0973093A JPH0973093A JP22896895A JP22896895A JPH0973093A JP H0973093 A JPH0973093 A JP H0973093A JP 22896895 A JP22896895 A JP 22896895A JP 22896895 A JP22896895 A JP 22896895A JP H0973093 A JPH0973093 A JP H0973093A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、液晶表示装置のセルギャップ不良
による表示不良を改善することを目的とする。 【解決手段】 柱状スペーサー１３を表示外領域にも形
成し、表示外領域は柱状スペーサー１３の本数を密にす
る。または、表示外領域は柱状スペーサー１３の太さを
太くする。これにより、アレイ基板１と対向基板２との
貼り合わせの時に基板周辺部に強い圧力が掛かってもセ
ルギャップが正常に保たれ、表示不良を防止することが
できる。
による表示不良を改善することを目的とする。 【解決手段】 柱状スペーサー１３を表示外領域にも形
成し、表示外領域は柱状スペーサー１３の本数を密にす
る。または、表示外領域は柱状スペーサー１３の太さを
太くする。これにより、アレイ基板１と対向基板２との
貼り合わせの時に基板周辺部に強い圧力が掛かってもセ
ルギャップが正常に保たれ、表示不良を防止することが
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、詳しくは柱状スペーサー構造を持つ液晶表示装置に
関する。
り、詳しくは柱状スペーサー構造を持つ液晶表示装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶表示装置は形成工程で２枚の
基板を貼り合わせるときに、２枚の基板のうちの片側の
基板にシール材を塗布し、他方の基板と重ね合わせ、プ
レス装置で圧力を掛けながらシール材を硬化させる手法
がとられている。このとき基板の外周部に強い圧力が掛
かりやすいため、外周部の基板間隔が小さくなりやす
く、セルギャップ不良に起因する表示不良の原因となる
ことがあった。一方、セルギャップ不良対策として基板
全面のスペーサー密度を高くすると、液晶層に真空泡が
発生しやすくなるという問題があった。
基板を貼り合わせるときに、２枚の基板のうちの片側の
基板にシール材を塗布し、他方の基板と重ね合わせ、プ
レス装置で圧力を掛けながらシール材を硬化させる手法
がとられている。このとき基板の外周部に強い圧力が掛
かりやすいため、外周部の基板間隔が小さくなりやす
く、セルギャップ不良に起因する表示不良の原因となる
ことがあった。一方、セルギャップ不良対策として基板
全面のスペーサー密度を高くすると、液晶層に真空泡が
発生しやすくなるという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みなされたもので、セルギャップ不良による表示不
良を低減し、歩留まりが高く表示性能の良い液晶表示装
置を提供することを目的とする。
に鑑みなされたもので、セルギャップ不良による表示不
良を低減し、歩留まりが高く表示性能の良い液晶表示装
置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
構成及び製造方法によれば、基板外周部の表示外領域に
高密度で柱状スペーサーを形成する、または表示外領域
の柱状スペーサーを太く形成することによって、基板貼
り合わせ時に基板の外周部に強い圧力が掛かかっても、
強い圧力に耐えることができ、外周部のギャップが小さ
くなることがない。
構成及び製造方法によれば、基板外周部の表示外領域に
高密度で柱状スペーサーを形成する、または表示外領域
の柱状スペーサーを太く形成することによって、基板貼
り合わせ時に基板の外周部に強い圧力が掛かかっても、
強い圧力に耐えることができ、外周部のギャップが小さ
くなることがない。
【０００５】
（実施例１）以下に本発明の一実施例を図面を用いて詳
細に説明する。図１は、本実施例の液晶表示装置の断面
図であり、図２はアレイパターンを示す平面図であり、
図３は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）６部分の拡大断面図である。
なお、図１は図２におけるＡ−Ａ‘での断面図である。
まず、下側基板であるアレイ基板１と上側基板である対
向基板２とが平行に配置され液晶３を挟持し、シール材
４によって封着されている。
細に説明する。図１は、本実施例の液晶表示装置の断面
図であり、図２はアレイパターンを示す平面図であり、
図３は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）６部分の拡大断面図である。
なお、図１は図２におけるＡ−Ａ‘での断面図である。
まず、下側基板であるアレイ基板１と上側基板である対
向基板２とが平行に配置され液晶３を挟持し、シール材
４によって封着されている。
【０００６】まず、アレイ基板１は、厚さ１．１ｍｍの
ガラス基板５にスイッチング素子としてＴＦＴ６（図
２、図３）が形成され、そのＴＦＴ６に画素電極７が接
続されている。そして最上層に配向膜８が形成されてい
る。また、アレイ基板１には、後に対向基板２と貼り合
わせたときに対向基板２に形成されている柱状スペーサ
ー１３の当たる部分に高さを合わせるためのダミーパタ
ーン２５が形成されている。
ガラス基板５にスイッチング素子としてＴＦＴ６（図
２、図３）が形成され、そのＴＦＴ６に画素電極７が接
続されている。そして最上層に配向膜８が形成されてい
る。また、アレイ基板１には、後に対向基板２と貼り合
わせたときに対向基板２に形成されている柱状スペーサ
ー１３の当たる部分に高さを合わせるためのダミーパタ
ーン２５が形成されている。
【０００７】次に対向基板２は、厚さ１．１ｍｍのガラ
ス基板１０上に黒色の遮光層１１と遮光層１１の間隙に
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色層１２（Ｒ）、１２（Ｇ）、１
２（Ｂ）が形成されている。遮光層１１は各画素間はマ
トリクス状に、外周部は幅広の帯状に形成されている。
そして、外周部に配された遮光層１１の内側を表示領域
とし、外周部に配された遮光層１１を含みそれより外側
を表示外領域とする。表示外領域にはシール材４の外側
をも含むこととする。さらに対向基板２には、柱状スペ
ーサー１３が表示領域と表示外領域とに作り込まれてい
る。柱状スペーサー１３は遮光層１１上に形成されてお
り表示外領域に形成されている柱状スペーサー１３の本
数の密度が表示領域に形成されている柱状スペーサーの
本数の密度より高くなっている。さらに、対向基板２に
は全面に共通電極１４が形成されており、そして最上層
に配向膜１５が形成されている。
ス基板１０上に黒色の遮光層１１と遮光層１１の間隙に
Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色層１２（Ｒ）、１２（Ｇ）、１
２（Ｂ）が形成されている。遮光層１１は各画素間はマ
トリクス状に、外周部は幅広の帯状に形成されている。
そして、外周部に配された遮光層１１の内側を表示領域
とし、外周部に配された遮光層１１を含みそれより外側
を表示外領域とする。表示外領域にはシール材４の外側
をも含むこととする。さらに対向基板２には、柱状スペ
ーサー１３が表示領域と表示外領域とに作り込まれてい
る。柱状スペーサー１３は遮光層１１上に形成されてお
り表示外領域に形成されている柱状スペーサー１３の本
数の密度が表示領域に形成されている柱状スペーサーの
本数の密度より高くなっている。さらに、対向基板２に
は全面に共通電極１４が形成されており、そして最上層
に配向膜１５が形成されている。
【０００８】なお、本発明の第１の基板は本実施例中の
対向基板２に対応し、同様に第２の基板はアレイ基板１
に、第１の透明電極は共通電極１４に、第２の透明電極
は画素電極７に、それぞれ対応する。
対向基板２に対応し、同様に第２の基板はアレイ基板１
に、第１の透明電極は共通電極１４に、第２の透明電極
は画素電極７に、それぞれ対応する。
【０００９】次に本実施例の液晶表示装置の製造工程を
説明する。まず、対向基板２の製造工程を説明する。厚
さ１．１ｍｍのガラス基板１０上に感光性の黒色樹脂を
スピンナー等を用いて塗布し、約９０℃で１０分乾燥さ
せた後、所定のパターン形状のフォトマスクを用いて露
光した後、アルカリ性の溶液にて現像を行い、２００℃
で６０分の焼成をして膜厚約２．０μｍの遮光層１１を
形成する。
説明する。まず、対向基板２の製造工程を説明する。厚
さ１．１ｍｍのガラス基板１０上に感光性の黒色樹脂を
スピンナー等を用いて塗布し、約９０℃で１０分乾燥さ
せた後、所定のパターン形状のフォトマスクを用いて露
光した後、アルカリ性の溶液にて現像を行い、２００℃
で６０分の焼成をして膜厚約２．０μｍの遮光層１１を
形成する。
【００１０】次に、赤色の顔料を分散させた紫外線硬化
型アクリル樹脂をスピンナーにて塗布し、赤を着色した
い部分と柱状スペーサー１３を形成したい部分とに紫外
線が照射されるようなフォトマスクを介して紫外線を照
射し、例えばＫＯＨの１％水溶液で約１０秒間現像し、
赤の着色層１２（Ｒ）と３層構造の柱状スペーサー１３
の一層を形成する。ここで、後に基板の外周部は切り落
とされることになるがその切り落とされる領域にも柱状
スペーサー１３を形成しておく。（図４参照）こうする
ことにより、貼り合わせ時にセルギャップ不良を起こり
にくくなるという効果がある。同様に緑、青についても
着色したい部分と柱状スペーサー１３を形成したい部分
に着色層１２（Ｇ）、１２（Ｂ）を繰り返し形成し、そ
れぞれ２３０℃で６０分焼成する。このようにして着色
層１２（Ｒ）、１２（Ｇ）、１２（Ｂ）と柱状スペーサ
ー１３を形成する。このとき赤、緑、青の着色層１２
（Ｒ）、１２（Ｇ）、１２（Ｂ）の膜厚はそれぞれ１．
５μｍとし、柱状スペーサーの柱の直径は１２（Ｒ）が
１０μｍ、１２（Ｇ）が１３μｍ、１２（Ｂ）が１６μ
ｍで上層ほど太くした。このようにすることによって柱
状スペーサー１３が逆テーパー状になり、後に共通電極
１４を基板全面に被覆したときに柱状スペーサー１３の
側面に共通電極１４が付きにくくなるので、電気的にア
レイ基板１と導通する可能性が非常に小さくなる。そし
て、表示領域は１ｍｍ2あたり約３０個、表示外領域は
１ｍｍ2あたり約６０個の柱状スペーサーを形成した。
このとき柱状スペーサーは１３遮光層１１の上に形成さ
れ、さらに、表示領域に形成された柱状スペーサー１３
はアレイ基板１と貼り合わせたときにゲート線２０、ま
たは信号線３０の上にくるように配置されており、表示
外領域は高さを合わせるためにダミーパターン２５の上
にくるように配置されている。本実施例での柱状スペー
サー１３は、表示領域はゲート絶縁膜２１と信号線３０
の上に、表示外領域はゲート線２０とゲート絶縁膜２１
のダミーパターンの上２５に載っている。さらに、後の
ラビング処理で柱状スペーサー１３が障害になってラビ
ングの陰の領域ができてしまうので、その陰の部分が遮
光層１１の領域内でおさまり、表示に影響を及ぼさない
位置にくるように柱状スペーサー１３の配置を考慮する
必要もある。
型アクリル樹脂をスピンナーにて塗布し、赤を着色した
い部分と柱状スペーサー１３を形成したい部分とに紫外
線が照射されるようなフォトマスクを介して紫外線を照
射し、例えばＫＯＨの１％水溶液で約１０秒間現像し、
赤の着色層１２（Ｒ）と３層構造の柱状スペーサー１３
の一層を形成する。ここで、後に基板の外周部は切り落
とされることになるがその切り落とされる領域にも柱状
スペーサー１３を形成しておく。（図４参照）こうする
ことにより、貼り合わせ時にセルギャップ不良を起こり
にくくなるという効果がある。同様に緑、青についても
着色したい部分と柱状スペーサー１３を形成したい部分
に着色層１２（Ｇ）、１２（Ｂ）を繰り返し形成し、そ
れぞれ２３０℃で６０分焼成する。このようにして着色
層１２（Ｒ）、１２（Ｇ）、１２（Ｂ）と柱状スペーサ
ー１３を形成する。このとき赤、緑、青の着色層１２
（Ｒ）、１２（Ｇ）、１２（Ｂ）の膜厚はそれぞれ１．
５μｍとし、柱状スペーサーの柱の直径は１２（Ｒ）が
１０μｍ、１２（Ｇ）が１３μｍ、１２（Ｂ）が１６μ
ｍで上層ほど太くした。このようにすることによって柱
状スペーサー１３が逆テーパー状になり、後に共通電極
１４を基板全面に被覆したときに柱状スペーサー１３の
側面に共通電極１４が付きにくくなるので、電気的にア
レイ基板１と導通する可能性が非常に小さくなる。そし
て、表示領域は１ｍｍ2あたり約３０個、表示外領域は
１ｍｍ2あたり約６０個の柱状スペーサーを形成した。
このとき柱状スペーサーは１３遮光層１１の上に形成さ
れ、さらに、表示領域に形成された柱状スペーサー１３
はアレイ基板１と貼り合わせたときにゲート線２０、ま
たは信号線３０の上にくるように配置されており、表示
外領域は高さを合わせるためにダミーパターン２５の上
にくるように配置されている。本実施例での柱状スペー
サー１３は、表示領域はゲート絶縁膜２１と信号線３０
の上に、表示外領域はゲート線２０とゲート絶縁膜２１
のダミーパターンの上２５に載っている。さらに、後の
ラビング処理で柱状スペーサー１３が障害になってラビ
ングの陰の領域ができてしまうので、その陰の部分が遮
光層１１の領域内でおさまり、表示に影響を及ぼさない
位置にくるように柱状スペーサー１３の配置を考慮する
必要もある。
【００１１】本実施例のように着色層１２と同時に柱状
スペーサー１３を形成すれば、スペーサーを形成する工
程を１つ減らすことができるが、着色層と同時に形成し
なくても、着色層を形成した後に顔料の入っていない樹
脂を用いて別に形成してもかまわない。
スペーサー１３を形成すれば、スペーサーを形成する工
程を１つ減らすことができるが、着色層と同時に形成し
なくても、着色層を形成した後に顔料の入っていない樹
脂を用いて別に形成してもかまわない。
【００１２】その後、共通電極１４としてＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜をスパッタ法にて１
５００オングストロームの厚さに形成する。この上に、
例えばポリイミドを形成しラビング処理を行って配向膜
１５を形成し、対向基板２が完成する。
ｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜をスパッタ法にて１
５００オングストロームの厚さに形成する。この上に、
例えばポリイミドを形成しラビング処理を行って配向膜
１５を形成し、対向基板２が完成する。
【００１３】次にアレイ基板１の製造方法は、厚さ１．
１ｍｍのガラス基板５上に成膜とパターニングを繰り返
してＴＦＴ６を形成する。図３に示すようにＭｏＷ（モ
リブデン・タングステン）、あるいはＭｏＴａ（モリブ
デン・タンタル）等から成るゲート線２０、図示しない
補助容量線、及び補助容量線と一体のトランスファ用の
引き出し電極を形成し、そのうえにＳｉＯXをプラズマ
ＣＶＤ法により、４０００オングストロームの暑さに堆
積し、ゲート絶縁膜２１を形成する。ここで、後に対向
基板２と貼り合わせたときに対向基板２に形成されてい
る柱状スペーサー１３が当たる位置に、高さ合わせのた
めにゲート線２０とゲート絶縁膜２１とでダミーパター
ン２５を形成しておく。このダミーパターン２５はゲー
ト絶縁膜２１と信号線３０によって形成してもかまわな
い。
１ｍｍのガラス基板５上に成膜とパターニングを繰り返
してＴＦＴ６を形成する。図３に示すようにＭｏＷ（モ
リブデン・タングステン）、あるいはＭｏＴａ（モリブ
デン・タンタル）等から成るゲート線２０、図示しない
補助容量線、及び補助容量線と一体のトランスファ用の
引き出し電極を形成し、そのうえにＳｉＯXをプラズマ
ＣＶＤ法により、４０００オングストロームの暑さに堆
積し、ゲート絶縁膜２１を形成する。ここで、後に対向
基板２と貼り合わせたときに対向基板２に形成されてい
る柱状スペーサー１３が当たる位置に、高さ合わせのた
めにゲート線２０とゲート絶縁膜２１とでダミーパター
ン２５を形成しておく。このダミーパターン２５はゲー
ト絶縁膜２１と信号線３０によって形成してもかまわな
い。
【００１４】その上に、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）から成る半導体層２２をプラズマＣＶＤ法により形
成し所定の形状にパターニングする。さらに、場合によ
っては図示しないｎ+ａ−Ｓｉオーミックコンタクト層
を介して、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏから成る電極を形成し、所
望の形状にパターニングすることによってソース電極２
３、ドレイン電極２４を形成する。
ン）から成る半導体層２２をプラズマＣＶＤ法により形
成し所定の形状にパターニングする。さらに、場合によ
っては図示しないｎ+ａ−Ｓｉオーミックコンタクト層
を介して、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏから成る電極を形成し、所
望の形状にパターニングすることによってソース電極２
３、ドレイン電極２４を形成する。
【００１５】次に、透明電極であるＩＴＯをソース電極
２３に接触させるようにパターニングして画素電極７を
形成する。最後に、ポリイミド等を形成し、ラビング処
理を行うことにより配向膜８を形成する。
２３に接触させるようにパターニングして画素電極７を
形成する。最後に、ポリイミド等を形成し、ラビング処
理を行うことにより配向膜８を形成する。
【００１６】この後、対向基板２の配向膜１５の周辺に
沿って注入口の部分以外にシール材４を印刷する。次に
アレイ基板１の配向膜８と、対向基板２の配向膜１５が
それぞれ対向し、かつラビング方向が９０°の角度をな
すように重ね合わせ、加熱することでシール材４を硬化
させ、貼り合わせる。
沿って注入口の部分以外にシール材４を印刷する。次に
アレイ基板１の配向膜８と、対向基板２の配向膜１５が
それぞれ対向し、かつラビング方向が９０°の角度をな
すように重ね合わせ、加熱することでシール材４を硬化
させ、貼り合わせる。
【００１７】次に、真空中に空セルを置き、注入口に液
晶材料を浸した状態で徐々に真空状態から大気圧に戻す
ことによって液晶３を注入することができる。そして、
基板外周部を切り落として本実施例における所望の液晶
表示装置が得られる。
晶材料を浸した状態で徐々に真空状態から大気圧に戻す
ことによって液晶３を注入することができる。そして、
基板外周部を切り落として本実施例における所望の液晶
表示装置が得られる。
【００１８】なお、本実施例はＴＦＴアレイ基板を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置であり、対向基
板側に遮光層が形成された構造であるが、本発明は遮光
層がアレイ基板上に形成された構造の液晶表示装置にも
適用できる。この場合、柱状スペーサーが形成される基
板と、遮光層が形成される基板とが異なることもある。
たアクティブマトリクス型液晶表示装置であり、対向基
板側に遮光層が形成された構造であるが、本発明は遮光
層がアレイ基板上に形成された構造の液晶表示装置にも
適用できる。この場合、柱状スペーサーが形成される基
板と、遮光層が形成される基板とが異なることもある。
【００１９】また、ＴＦＴの構造は本実施例のように逆
スタガ型のみに限るものでなく、さらには上下基板にス
トライプ状の電極を備えたシンプルマトリクス型液晶表
示装置にも適用可能である。
スタガ型のみに限るものでなく、さらには上下基板にス
トライプ状の電極を備えたシンプルマトリクス型液晶表
示装置にも適用可能である。
【００２０】このように、本実施例は多くの変更及び修
正をつけ加えるられることは勿論である。 （実施例２）本実施例は、図５に示すように、実施例１
における対向基板２の表示外領域を表示領域に近い側の
領域（Ｄ１）と表示領域から遠い側の領域（Ｄ２）との
２つの領域に分割し、柱状スペーサーの本数の密度を、
表示領域は１ｍｍ2に約３０個、Ｄ１は１ｍｍ2に約４５
個、Ｄ２は１ｍｍ2に約６０個とした。
正をつけ加えるられることは勿論である。 （実施例２）本実施例は、図５に示すように、実施例１
における対向基板２の表示外領域を表示領域に近い側の
領域（Ｄ１）と表示領域から遠い側の領域（Ｄ２）との
２つの領域に分割し、柱状スペーサーの本数の密度を、
表示領域は１ｍｍ2に約３０個、Ｄ１は１ｍｍ2に約４５
個、Ｄ２は１ｍｍ2に約６０個とした。
【００２１】なお、上記のＤ１、Ｄ２ように領域を明確
に分けることなく、表示領域から離れていくに従い、徐
々に密度を高くしていってもかまわない。他の構成等は
実施例１と同様である。
に分けることなく、表示領域から離れていくに従い、徐
々に密度を高くしていってもかまわない。他の構成等は
実施例１と同様である。
【００２２】本実施例によれば、柱状スペーサー１３の
密度を高くすることで発生し易くなる真空泡を、表示領
域の近くに発生させることを防止でき、かつセルギャプ
不良をも低減することができる。
密度を高くすることで発生し易くなる真空泡を、表示領
域の近くに発生させることを防止でき、かつセルギャプ
不良をも低減することができる。
【００２３】（実施例３）本実施例は図６に示すよう
に、表示領域と表示外領域とで柱状スペーサー１３の体
積を変える構造である。液晶表示装置の場合２枚の基板
がほぼ平行に配置されているので、柱状スペーサーの体
積を変えることが柱状スペーサーの太さを変えることと
ほぼ同義であるといえる。ただし、柱状スペーサーがテ
ーパー状であったり、太さが途中で変化している柱状ス
ペーサーの場合はこの限りではない。
に、表示領域と表示外領域とで柱状スペーサー１３の体
積を変える構造である。液晶表示装置の場合２枚の基板
がほぼ平行に配置されているので、柱状スペーサーの体
積を変えることが柱状スペーサーの太さを変えることと
ほぼ同義であるといえる。ただし、柱状スペーサーがテ
ーパー状であったり、太さが途中で変化している柱状ス
ペーサーの場合はこの限りではない。
【００２４】本実施例は、表示領域には、柱状スペーサ
ー１３を形成する１２（Ｒ）の直径を約１０μｍ、１２
（Ｇ）の直径を約１３μｍ、１２（Ｂ）の直径を約１６
μｍの太さとし、表示外領域には１２（Ｒ）の直径を約
２０μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２６μｍ、１２（Ｂ）
の直径を約３２μｍの太さで形成した柱状スペーサー１
３を形成した。
ー１３を形成する１２（Ｒ）の直径を約１０μｍ、１２
（Ｇ）の直径を約１３μｍ、１２（Ｂ）の直径を約１６
μｍの太さとし、表示外領域には１２（Ｒ）の直径を約
２０μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２６μｍ、１２（Ｂ）
の直径を約３２μｍの太さで形成した柱状スペーサー１
３を形成した。
【００２５】他の構成等は実施例１と同様である （実施例４）本実施例は図７に示すように、表示外領域
を表示領域に近い側の領域Ｄ３と表示領域から遠い側の
領域Ｄ４とに分割し、表示領域には、柱状スペーサー１
３を形成する１２（Ｒ）の直径を約１０μｍ、１２
（Ｇ）の直径を約１３μｍ、１２（Ｂ）の直径を約１６
μｍの太さとし、表示外領域のＤ３には１２（Ｒ）の直
径を約１５μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２０μｍ、１２
（Ｂ）の直径を約２４μｍの太さで形成した柱状スペー
サー１３を形成し、表示外領域のＤ４には１２（Ｒ）の
直径を約２０μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２６μｍ、１
２（Ｂ）の直径を約３２μｍの太さで形成した柱状スペ
ーサー１３を形成した。
を表示領域に近い側の領域Ｄ３と表示領域から遠い側の
領域Ｄ４とに分割し、表示領域には、柱状スペーサー１
３を形成する１２（Ｒ）の直径を約１０μｍ、１２
（Ｇ）の直径を約１３μｍ、１２（Ｂ）の直径を約１６
μｍの太さとし、表示外領域のＤ３には１２（Ｒ）の直
径を約１５μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２０μｍ、１２
（Ｂ）の直径を約２４μｍの太さで形成した柱状スペー
サー１３を形成し、表示外領域のＤ４には１２（Ｒ）の
直径を約２０μｍ、１２（Ｇ）の直径を約２６μｍ、１
２（Ｂ）の直径を約３２μｍの太さで形成した柱状スペ
ーサー１３を形成した。
【００２６】なお、上記のＤ３、Ｄ４のように明確に領
域を分割せずに表示領域から遠くにいくに従い徐々に柱
状スペーサーの直径を大きくしていってもかまわない。
（図８参照）他の構成等は実施例１と同様である。各実
施例とも実施例１と同様に、遮光層がアレイ基板上に形
成された構造等をはじめ、さまざまな変形が可能なこと
は言うまでもない。
域を分割せずに表示領域から遠くにいくに従い徐々に柱
状スペーサーの直径を大きくしていってもかまわない。
（図８参照）他の構成等は実施例１と同様である。各実
施例とも実施例１と同様に、遮光層がアレイ基板上に形
成された構造等をはじめ、さまざまな変形が可能なこと
は言うまでもない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、貼り合わせ時に起因す
るセルギャップ不良による歩留まりの悪さを改善し、表
示性能の良い液晶表示装置を安価に提供することができ
る。
るセルギャップ不良による歩留まりの悪さを改善し、表
示性能の良い液晶表示装置を安価に提供することができ
る。
【図１】本発明の実施例１における液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例における液晶表示装置のアレ
イパターンを示す平面図である。
イパターンを示す平面図である。
【図３】本発明の一実施例における液晶表示装置の薄膜
トランジスタの構造を示す拡大断面図である。
トランジスタの構造を示す拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施例における液晶表示装置の断面
図であり、基板外週部の切り落とされる領域に形成され
た柱状スペーサー、及びダミーパターンを示す図であ
る。
図であり、基板外週部の切り落とされる領域に形成され
た柱状スペーサー、及びダミーパターンを示す図であ
る。
【図５】本発明の実施例２における液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図６】本発明の実施例３における液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図７】本発明の実施例４における液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図８】本発明の実施例４の変形例における液晶表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
１…アレイ基板 ２…対向基板 ３…液晶 ４…シール材 ５、１０…ガラス基板 ６…薄膜トランジスタ ７…画素電極 ８、１５…配向膜 １１…遮光層 １２（Ｒ）、１２（Ｇ）、１２（Ｂ）…着色層 １３…柱状スペーサー １４…共通電極 ２０…ゲート線 ２１…ゲート絶縁膜 ２５…ダミーパターン ３０…信号線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉内 昭一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 緑川 輝行 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とに液晶が挟持
され、 前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隔を保つ複数の柱状スペーサーと、前記液晶に電
圧を与える第１の透明電極とを備え、 前記第２の基板には前記液晶に電圧を与える第２の透明
電極を備えた液晶表示装置において、 前記液晶表示装置は外周部に表示を行わない表示外領域
と、その内側に表示を行う表示領域とが存在し、前記表
示外領域に形成された前記柱状スペーサーの本数の密度
は、前記表示領域に形成された前記柱状スペーサーの本
数の密度より高いことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記表示外領域に形成された柱状スペー
サーの本数の密度は前記表示領域から遠ざかるほど高い
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記表示外領域は表示領域からの距離に
より複数の領域に分割され、分割された領域のうち表示
領域から遠い領域ほど前記柱状スペーサーの本数の密度
が高いことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 第１の基板と第２の基板とに液晶が挟持
され、 前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隔を保つ複数の柱状スペーサーと、前記液晶に電
圧を与える第１の透明電極とを備え、 前記第２の基板には前記液晶に電圧を与える透明電極を
備えた液晶表示装置において、 前記液晶表示装置は外周部に表示を行わない表示外領域
と、その内側に表示を行う表示領域とが存在し、前記表
示外領域に形成された前記柱状スペーサーの体積が、前
記表示領域に形成された前記柱状スペーサーの体積より
大きいことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記表示外領域に形成された柱状スペー
サーの体積は前記表示領域から遠ざかるほど大きいこと
を特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記表示外領域は表示領域からの距離に
より複数の領域に分割され、分割された領域のうち表示
領域から遠い領域ほど前記柱状スペーサーの体積が大き
いことを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記第２の基板には、前記柱状スペーサ
ーの当たる領域にダミーパターンが形成されていること
を特徴とする請求項１または４記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 第１の基板と第２の基板とに液晶が挟持
され、前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第２
の基板との間隔を保つ複数の柱状スペーサーと、第１の
透明電極とを備え、 前記第２の基板には、ゲート線、ゲート絶縁膜、信号線
を含む薄膜トランジスタと、第２の透明電極とを備えた
液晶表示装置の製造方法であって、 前記第２の基板の製造工程は、 前記薄膜トランジスタを形成する工程の一部で、前記柱
状スペーサーと当たる領域にダミーパターンを形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記ダミーパターンを形成する工程は、
前記ゲート線を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜を形
成する工程とからなることを特徴とする請求項８記載の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記ダミーパターンを形成する工程
は、前記ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記信号線を
形成する工程とからなることを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１１】 第１の基板と第２の基板とに液晶が挟
持され、前記第１の基板には、前記第１の基板と前記第
２の基板との間隔を保つ複数の柱状スペーサーと、第１
の透明電極とを備えた液晶表示装置であって、 前記第１の基板に前記柱状スペーサーを形成する工程
と、 前記打２の基板の前記柱状スペーサーが当たる領域にダ
ミーパターンを形成する工程と、 前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせる工程
と、 前記貼り合わされた第１及び第２の基板を切り落とす工
程と、を含む液晶表示装置の製造方法において、 前記柱状スペーサーを形成する工程で前記第１の基板の
切り落とされる領域にも前記柱状スペーサーを形成し、 前記ダミーパターンを形成する工程で、前記切り落とさ
れる領域に形成された柱状スペーサーの当たる領域にも
ダミーパターンを形成することを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JPH0973093A (ja) |
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6638781B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6909115B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film |
| US7002659B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal panel and liquid crystal projector |
| US7053971B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-05-30 | Citzen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| KR100617041B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN1293419C (zh) * | 2004-07-07 | 2007-01-03 | 友达光电股份有限公司 | 具有间隙壁支撑结构的平面显示器 |
| KR100672649B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100685956B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| KR100710171B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2007183632A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| KR100801209B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2008-02-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정표시장치 |
| US7327076B2 (en) * | 2004-11-29 | 2008-02-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission display having a spacer |
| US7330234B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2008083315A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置および電子機器 |
| JP2008225511A (ja) * | 2008-06-20 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
| JPWO2007046170A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2009-04-23 | シャープ株式会社 | カラーフィルタ基板及びそれを用いた表示装置 |
| JP2009109658A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7567334B2 (en) | 2002-07-31 | 2009-07-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Liquid-crystal display device comprising a depression formed on inner surface of a substrate for receiving excess liquid crystal |
| US7656496B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-02-02 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| US7791705B2 (en) * | 2005-01-07 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus |
| US8009261B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device comprising a plurality of first and second supports |
| US8859353B2 (en) | 1999-07-06 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| CN105093658A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
| CN105182626A (zh) * | 2015-10-16 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示器及其制造方法 |
| JP2020154252A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN112531001A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及制作方法、显示装置 |
| JP2022156864A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP22896895A patent/JPH0973093A/ja active Pending
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465268B2 (en) | 1997-05-22 | 2002-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US6743650B2 (en) | 1997-05-22 | 2004-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing an electro-optical device |
| US8854593B2 (en) | 1997-05-22 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| US7330234B2 (en) | 1999-05-14 | 2008-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6909115B2 (en) | 1999-05-14 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device applying to the crystalline semiconductor film |
| US8026518B2 (en) | 1999-05-14 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7696514B2 (en) | 1999-05-14 | 2010-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix display device having a column-like spacer |
| US7391055B1 (en) | 1999-05-14 | 2008-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Capacitor, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9052551B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8859353B2 (en) | 1999-07-06 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US9395584B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9786787B2 (en) | 1999-07-06 | 2017-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US9069215B2 (en) | 1999-07-06 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9343570B2 (en) | 1999-07-06 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| US6638781B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7605902B2 (en) | 1999-07-06 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7173281B2 (en) | 1999-07-06 | 2007-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2013190825A (ja) * | 1999-07-06 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US7002659B1 (en) | 1999-11-30 | 2006-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal panel and liquid crystal projector |
| KR100801209B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2008-02-05 | 소니 가부시끼 가이샤 | 액정표시장치 |
| US7053971B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-05-30 | Citzen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal display panel |
| US7567334B2 (en) | 2002-07-31 | 2009-07-28 | Nec Lcd Technologies, Ltd | Liquid-crystal display device comprising a depression formed on inner surface of a substrate for receiving excess liquid crystal |
| US7656496B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-02-02 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100617041B1 (ko) * | 2004-04-30 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| CN1293419C (zh) * | 2004-07-07 | 2007-01-03 | 友达光电股份有限公司 | 具有间隙壁支撑结构的平面显示器 |
| KR100685956B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7327076B2 (en) * | 2004-11-29 | 2008-02-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission display having a spacer |
| KR100710171B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2007-04-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100672649B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 |
| US7791705B2 (en) * | 2005-01-07 | 2010-09-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display apparatus |
| US8009261B2 (en) | 2005-09-22 | 2011-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device comprising a plurality of first and second supports |
| US8125593B2 (en) | 2005-10-18 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color filter substrate including support members and display device using the same |
| JP4801671B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-10-26 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JPWO2007046170A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2009-04-23 | シャープ株式会社 | カラーフィルタ基板及びそれを用いた表示装置 |
| JP2007183632A (ja) * | 2005-12-29 | 2007-07-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示パネル及びその製造方法 |
| JP2008083315A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置および電子機器 |
| JP2009109658A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2008225511A (ja) * | 2008-06-20 | 2008-09-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
| CN105093658A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示面板及装置 |
| CN105182626A (zh) * | 2015-10-16 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示器及其制造方法 |
| WO2017063426A1 (zh) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
| US10162223B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-12-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| JP2020154252A (ja) * | 2019-03-22 | 2020-09-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US11543721B2 (en) | 2019-03-22 | 2023-01-03 | Japan Display Inc. | Display device |
| CN112531001A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及制作方法、显示装置 |
| JP2022156864A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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