JPH0976498A - インク噴射記録ヘッド - Google Patents

インク噴射記録ヘッド

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JPH0976498A
JPH0976498A JP7238246A JP23824695A JPH0976498A JP H0976498 A JPH0976498 A JP H0976498A JP 7238246 A JP7238246 A JP 7238246A JP 23824695 A JP23824695 A JP 23824695A JP H0976498 A JPH0976498 A JP H0976498A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ラインヘッドの様な極端に長いヘッドにおいて
も全ての発熱抵抗体の発熱温度を均一化できる手段を提
供する。 【構成】シリコン基板の第1面上に形成された薄膜抵抗
体と薄膜導体からなる複数個の発熱抵抗体52と、該発
熱抵抗体を駆動するべく同一シリコン基板上に形成され
たドライバ回路と、個別インク通路の全てが連通するべ
く前記シリコン基板上に設けられた共通インク通路と、
該共通インク通路の全長にわたって導通されるようシリ
コン基板に設けられた共通インク溝ととからなるインク
噴射記録ヘッドにおいて、共通インク溝が複数の分割イ
ンク溝61a,61B…によって構成され、各分割イン
ク溝の外側に低抵抗の迂回共通配線70を、各分割イン
ク溝の内側に共通配線54をそれぞれ設け、前記迂回共
通配線と前記共通配線とを、前記共通インク溝の各分割
部において配線72で接続した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、熱エネルギを利用して
インク液滴を記録媒体に向けて飛翔させる形式の記録装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】パルス加熱によってインクの一部を急速
に気化させ、その膨張力によってインク液滴をオリフィ
スから吐出させる方式のインクジェット記録装置は特開
昭48−9622号公報、特開昭54−51837号公
報等によって開示されている。
【0003】このパルス加熱の最も簡便な方法は発熱抵
抗体にパルス通電することであり、これら従来の発熱抵
抗体の共通する基本的構成は、薄膜抵抗体と薄膜導体を
酸化防止層で被覆し、この上に該酸化防止層のキャビテ
ーション破壊を防ぐ目的で、耐キャビテーション層を1
〜2層被覆するというものであった。
【0004】この複雑な多層構造を抜本的に簡略化する
ものとして、特開平06−71888号公報に記載のよ
うに、前記酸化防止層と耐キャビテーション層を不要と
する発熱抵抗体を用いて印字する方法がある。この場合
は、薄膜抵抗体がインクと直接接触しているため、パル
ス加熱によるインクの急激な気化とそれによるインクの
吐出特性が大幅に改善され、熱効率の大幅な改善と吐出
周波数の向上を図ることができた。このような画期的な
性能を実現できた最大の理由は、耐パルス性、耐酸化
性、耐電食性に優れたTa−Si−SiO合金薄膜抵抗
体とNi薄膜導体のみから構成される発熱抵抗体を用い
たことにある(特願平07−43968号参照)。
【0005】このように、従来技術に比較して、大幅に
小さな投入エネルギでインク噴射が可能となったので、
この発熱抵抗体を駆動用LSIチップ上のデバイス領域
に近接して形成しても、もはやLSIデバイスを加熱し
て温度上昇をもたらすこともなく、非常に簡単な構成の
モノリシックLSIヘッドを実現することができるよう
になった。これについては特願平07−135185号
公報に記載の通りである。この新しい技術によって、多
くのインク噴射ノズルを持つオンデマンド型インクジェ
ットプリントヘッドが高密度に、しかも2次元的に集積
化して製造することができるようになり、しかもその駆
動を制御する配線本数が大幅に削減できるので実装方法
も非常に簡略化することができた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のような、ドライ
バ回路一体型の薄膜プロセスのみで製造する方式のサー
マルインク噴射記録ヘッドにおいて、一列に並ぶノズル
数が多くなればその分だけ共通薄膜導体の長さが長くな
り、この抵抗値が大きくなって薄膜発熱抵抗体の抵抗値
に対して無視できない大きさとなる。特に共通薄膜導体
として比抵抗の大きなNi薄膜導体を用いる場合は問題
となる。即ち、薄膜発熱抵抗体に流れる電流値がその位
置によって異なることになり、発熱量即ち発熱温度が各
抵抗体によって異なるという不都合が発生することにな
る。
【0007】例えば、図5に示す回路構成において、4
00dpi(ドット/インチ)の薄膜発熱抵抗体52の
抵抗をR1〜Rn〜R、共通薄膜配線導体54の抵抗を
r、各ドライバデバイス56をつなぐ薄膜導体の抵抗を
lとしたとき、R、r、lは次のようになる。 R〜200Ω :Ta−Si−SiO合金薄膜抵抗体
の場合 r〜0.08Ω :厚さ1μm ×巾80μm のNi薄
膜導体の場合 l〜0.01Ω :厚さ1μm ×巾200μm のAl
薄膜導体の場合。
【0008】ここで、n=128とした場合の印加電力
は、配線抵抗の最も小さなR1 に対しては W1=5×
10~32、最も大きなRnに対しては Wn=4.47×
10~32 となる。即ち、 Rnの発熱温度をインクの
吐出に必要な300℃とすると、R1 は約333℃とな
り、抵抗体は破断せず実用可能である。
【0009】しかし、ノズル数を多くして、n=256
とした場合の印加電力は、W1=5×10~32、Wn=
4.02×10~32となり、Rnの発熱温度を300℃
とするとR1は約368 ℃にもなり、R1のヒータ寿命
が短く実用不可となる。
【0010】本発明は、このような問題を解決し、ライ
ンヘッドの様な極端に長いヘッドにおいても全ての発熱
抵抗体の発熱温度を均一化できる方法を提供することを
目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は、シリコン基
板の第1面上に形成された薄膜抵抗体と薄膜導体からな
る複数個の発熱抵抗体と、該発熱抵抗体を駆動するべく
同一シリコン基板上に形成されたドライバ回路と、前記
複数個の発熱抵抗体に順次パルス通電することによって
該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂直方向にインク滴を吐出
する複数個の吐出口と、該複数個の吐出口のそれぞれに
対応して該シリコン基板上に設けられた複数個の個別イ
ンク通路と、該個別インク通路の全てが連通するべく前
記シリコン基板上に設けられた共通インク通路と、該共
通インク通路の全長にわたって導通されるよう前記シリ
コン基板に設けられた共通インク溝とからなり、前記シ
リコン基板の前記第1面上に配設された隔壁層に前記個
別インク通路及び前記共通インク通路が形成され、該隔
壁層上のオリフィスプレートに前記複数個の吐出口が形
成されたインク噴射記録ヘッドにおいて、前記共通イン
ク溝が複数の分割インク溝によって構成され、前記各分
割インク溝の外側に低抵抗の迂回共通配線を、前記各分
割インク溝の内側に共通配線をそれぞれ設け、前記迂回
共通配線と前記共通配線とを、前記共通インク溝の各分
割部において前記共通配線で接続したことによって達成
される。
【0012】本発明の他の特徴は、前記共通インク溝の
内側に共通配線を設け、前記ドライバ回路の外側もしく
は前記共通インク溝の外側を配線領域として低抵抗の迂
回共通配線を設け、該迂回共通配線の一端を前記共通配
線に接続したことにある。
【0013】ここで、インク溝の外側とは、インク溝か
ら見て発熱抵抗体と反対の側を指し、ドライバ回路の外
側とは、ドライバ回路から見て発熱抵抗体と反対の側を
指すものとする。
【0014】
【作用】本発明によれば、共通薄膜配線導体の抵抗値を
小さくするために、共通インク溝61を複数に分割し、
インク溝外側に低抵抗の迂回共通配線を設け、これとN
i共通配線とを共通インク溝の各分割部においてNi配
線で接続する。
【0015】これによって長いNi共通配線54のライ
ン抵抗を引き下げることができる。あるいはまた、ドラ
イバ回路の外側もしくは共通インク溝の外側に、低抵抗
の迂回共通配線を設けることによっても、長い薄膜配線
導体のライン抵抗を引き下げることができる。
【0016】
【実施例】
〔実施例1〕以下、図面を用いて実施例を説明する。図
1は本発明が適用されるインクジェットプリンタの要部
断面図、図2はインク噴射記録ヘッドのノズル列の断面
図であり、このA−A断面を図3に示す。さらに、図4
は、発熱抵抗体や配線導体及びドライバデバイスを接続
する回路構成を示している。まず、図1において、ベル
ト式プリヒータ27によって加熱された記録紙20は、
吸着搬送器28によってフルカラーラインヘッド1の直
下を一定速度で搬送される。この時、4列に並べられた
ノズル列から4色のインクを吐出するフルカラーライン
ヘッド1によって印刷される。外部から供給された4色
のインクはそれぞれフレーム2のインク供給口に導か
れ、フレーム内の共通インク溝63、シリコン基板に間
歇的にあけられている連結穴62、シリコン基板内共通
インク溝61を経由して各吐出ノズル59より吐出され
る。
【0017】各吐出ノズル59は、図2の紙面の垂直方
向に例えば62.5μmピッチ(400ドット/イン
チ)で1680ノズル並んでおり、1680ノズル×4
列=6720個のノズルが1基板で構成されているヘッ
ド1に含まれている。A4フルカラーラインヘッドとし
ては、この6720個のノズルから構成されている相互
に対称型のヘッド1を2基板、同一フレーム2上に中央
部で直線的に突き合わせる形でダイボンディングして作
られる。
【0018】シリコン基板1にTa−Si−SiO合金
薄膜抵抗体とNi金属薄膜をスパッタ法で形成し、フォ
トエッチングで薄膜発熱抵抗体52、個別薄膜導体5
3、共通薄膜配線導体54を形成する。また、この発熱
抵抗体52を駆動するべく同一シリコン基板上に駆動用
LSIデバイス部56が形成されており、スルーホール
を通して個別薄膜導体53と接続されている。複数個の
発熱抵抗体52に順次パルス通電することによってこの
発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂直方向にインク滴を吐出す
る複数個の吐出ノズル59がオリフィスプレート58に
設けられている。これら複数個の吐出口ノズル59のそ
れぞれに対応してシリコン基板51上に複数個の個別イ
ンク通路60が設けられ、個別薄膜配線導体53、共通
薄膜配線導体54はいずれも1μm厚さのNi薄膜を用
いており、いずれも保護層を被覆していない。ドライバ
ICデバイス部56はシフトレジスタとドライバ回路か
ら構成されており、ラインヘッド1の両端から入力され
る駆動信号によって駆動される。
【0019】図3、図4の回路構成において、52は薄
膜発熱抵抗体、54は共通薄膜配線導体、56はドライ
バデバイスであり、各共通インク溝61の両側とドライ
バICデバイス部56の上部及び外周を配線領域として
利用している。ここでは、共通薄膜配線導体54の抵抗
値を小さくするために、共通インク溝61を複数に分割
し(61A〜61C)、インク溝外側に低抵抗の迂回共
通配線(Al)70を設け、これとNi共通配線54と
を共通インク溝の各分割部の接続点71においてスルー
ホールを通してNi配線72と接続する。
【0020】これによって長いNi共通配線54のライ
ン抵抗を引き下げることができる。
【0021】例えば、図4に示す回路構成において、n
=512とした場合、全体を2分割(256ヒータ×
2)すれば全ての薄膜発熱抵抗体52の抵抗R(R1
Rn)を200Ωと一定としても、n=400付近の最
低発熱温度(300℃)とn=1付近の最高発熱温度
(335℃)の差は最大でも35℃となる。
【0022】すなわち、従来法ではn=256の場合に
おいてさえ発熱温度差が68℃にもなって実用不能であ
ったものが、本方式採用によってn=512においてさ
えこれが35℃以下にすることができ、抵抗体は破断せ
ず実用化が可能となる。
【0023】しかし、n=1024以上となるとこのま
まのAl配線では温度差が67℃以上となって実用不能
であるが、このAl配線巾を200μmから800μm
とすることによってこの温度差を大巾に低減できる。例
えば本実施例の最初に触れたA4ラインヘッド用のn=
1680の場合について説明する。この場合、全体を8
分割(210ヒータ×8)し、分割インク溝を8個とす
る。この時の最低発熱温度はn=1578付近のヒータ
で、これを300℃とすると、最高発熱温度はn=1付
近の335℃となり、ヒータは破断することなく実用化
可能となる。また、実際にラインヘッドを試作して印字
テストを行ったが、1億ドット以上の信頼性テストに合
格した。
【0024】〔実施例2〕上記実施例のn=1680の
ケースでは、Al配線巾を0.8mmとすることによっ
て発熱温度差を35℃以下にすることができた。しかし
これでは電源と迂回共通配線のAl配線だけで0.8m
m×2以上の巾を占有することになり、ラインヘッドの
小型化にとって若干の問題を生ずることになる。これを
解決する具体的な実施例を以下に説明する。ここではn
=1680で8分割とすることは前の実施例と同じであ
るが、Al配線巾は400μmと狭くした。但し、8ヶ
の各分割インク溝61A〜61Hに属する発熱ヒータの
抵抗値を、R(61A)=200Ωから4Ωずつ順次低
減させてR(61B)=196Ω,…,R(61H)=
172Ωとする。抵抗値をこのようにするのは、ヒータ
の巾を順次1%ずつ広くし、長さを順次1%ずつ短くす
ることによって可能である。また、この程度のヒータの
変形ではインクの吐出にも影響を与えないことを確認し
ている。
【0025】この条件で各ヒータに投入される印加電力
を計算して発熱温度を推定すると、最低発熱温度は各ブ
ロックの中心付近であり、最も低いところは61Hに属
するn=1581付近のヒータであること、また最高発
熱温度は各ブロックの先頭ヒータで、特に61Aのn=
1が最も高くなることが分かる。n=1581の発熱温
度が300℃となるように印加電力(×パルス巾)を投
入すると、同一条件の印加電力でn=1のヒータは32
0℃となる。即ち、1680個の全てのヒータは300
〜320℃の範囲内で動作させることが可能である。実
際のヘッドでは製造に伴うバラツキがこの程度の温度差
を発生させることもあり、現実には320℃±20℃程
度の範囲で稼働することになる。このようにして試作し
たラインヘッドで印字させたところ、印字品質に何らの
不都合も認められず、1億ドット以上の印字を完全に達
成し、信頼性の点でも何らの不都合も認められなかっ
た。
【0026】尚、ブロック毎に低減させる抵抗値は、各
ブロックの先頭ヒータが同一発熱温度になるように決定
すれば良く、また、ヒータの形状がインクの吐出とかノ
ズルの配列密度に影響を与えない範囲にとどめられるよ
うに共通配線導体の抵抗値を決定すれば良い。
【0027】上記の実施例ではヒータの最大変形量が各
約7%であり、またこれを達成させるためにAl配線巾
を400μmとしたのもこの理由である。もし、Al配
線巾を200μmと更に狭くすると、R(61H)=1
33Ωとする必要があり、これを実現するにはR(61
A)=200Ωのヒータを20%短くし、巾を20%広
くすることが必要である。これは特にノズルの配列密度
を低下させることにもなり、望ましくない。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、ラインヘッドの様な非
常に長いヘッドにおいても、全ての発熱抵抗体の発熱温
度をほぼ均一にしたインク噴射記録ヘッドを提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるインクジェットプリンタの
要部縦断面図である。
【図2】図1のインク噴射記録ヘッドのノズル列の断面
図である。
【図3】本発明の一実施例になるインク噴射記録ヘッド
を示すもので、図2のA−A’断面に相当する図であ
る。
【図4】図3の実施例のインク噴射記録ヘッドにおける
ドライブ回路を示す図である。
【図5】従来例におけるドライブ回路の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
51…シリコン基板、52…薄膜発熱抵抗体、54…共
通薄膜配線導体、56…ドライバデバイス、60…個別
インク通路、61…共通インク通路、70…迂回共通配
線(Al)

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】シリコン基板の第1面上に形成された薄膜
    抵抗体と薄膜導体からなる複数個の発熱抵抗体と、該発
    熱抵抗体を駆動するべく同一シリコン基板上に形成され
    たドライバ回路と、前記複数個の発熱抵抗体に順次パル
    ス通電することによって該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂
    直方向にインク滴を吐出する複数個の吐出口と、該複数
    個の吐出口のそれぞれに対応して該シリコン基板上に設
    けられた複数個の個別インク通路と、該個別インク通路
    の全てが連通するべく前記シリコン基板上に設けられた
    共通インク通路と、該共通インク通路の全長にわたって
    導通されるよう前記シリコン基板に設けられた共通イン
    ク溝とからなり、前記シリコン基板の前記第1面上に配
    設された隔壁層に前記個別インク通路及び前記共通イン
    ク通路が形成され、該隔壁層上のオリフィスプレートに
    前記複数個の吐出口が形成されたインク噴射記録ヘッド
    において、 前記共通インク溝が複数の分割インク溝によって構成さ
    れ、前記各分割インク溝の外側に低抵抗の迂回共通配線
    を、前記各分割インク溝の内側に共通配線をそれぞれ設
    け、前記迂回共通配線と前記共通配線とを、前記共通イ
    ンク溝の各分割部において前記共通配線で接続したこと
    を特徴とするインク噴射記録ヘッド。
  2. 【請求項2】シリコン基板の第1面上に形成された薄膜
    抵抗体と薄膜導体からなる複数個の発熱抵抗体と、該発
    熱抵抗体を駆動するべく同一シリコン基板上に形成され
    たドライバ回路と、前記複数個の発熱抵抗体に順次パル
    ス通電することによって該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂
    直方向にインク滴を吐出する複数個の吐出口と、該複数
    個の吐出口のそれぞれに対応して該シリコン基板上に設
    けられた複数個の個別インク通路と、該個別インク通路
    の全てが連通するべく前記シリコン基板上に設けられた
    共通インク通路と、該共通インク通路の全長にわたって
    導通されるよう前記シリコン基板に設けられた共通イン
    ク溝とからなり、前記シリコン基板の前記第1面上に配
    設された隔壁層に前記個別インク通路及び前記共通イン
    ク通路が形成され、該隔壁層上のオリフィスプレートに
    前記複数個の吐出口が形成されたインク噴射記録ヘッド
    において、 前記共通インク溝の内側に共通配線を設け、前記ドライ
    バ回路の外側を配線領域として低抵抗の迂回共通配線を
    設け、該迂回共通配線の一端を前記共通配線に接続した
    ことを特徴とするインク噴射記録ヘッド。
  3. 【請求項3】シリコン基板の第1面上に形成された薄膜
    抵抗体と薄膜導体からなる複数個の発熱抵抗体と、該発
    熱抵抗体を駆動するべく同一シリコン基板上に形成され
    たドライバ回路と、前記複数個の発熱抵抗体に順次パル
    ス通電することによって該発熱抵抗体と垂直又はほぼ垂
    直方向にインク滴を吐出する複数個の吐出口と、該複数
    個の吐出口のそれぞれに対応して該シリコン基板上に設
    けられた複数個の個別インク通路と、該個別インク通路
    の全てが連通するべく前記シリコン基板上に設けられた
    共通インク通路と、該共通インク通路の全長にわたって
    導通されるよう前記シリコン基板に設けられた共通イン
    ク溝とからなり、前記シリコン基板の前記第1面上に配
    設された隔壁層に前記個別インク通路及び前記共通イン
    ク通路が形成され、該隔壁層上のオリフィスプレートに
    前記複数個の吐出口が形成されたインク噴射記録ヘッド
    において、 前記共通インク溝の内側に共通配線を設け、前記共通イ
    ンク溝の外側を配線領域として低抵抗の迂回共通配線を
    設け、該迂回共通配線の一端を前記共通配線に接続した
    ことを特徴とするインク噴射記録ヘッド。
  4. 【請求項4】請求項1記載のインク噴射記録ヘッドにお
    いて、前記各分割インク溝に属する複数個の発熱抵抗体
    の抵抗値が、該各分割インク溝単位で調整され、全ての
    発熱抵抗体がほぼ同一発熱温度となるように選定された
    値であることを特徴とするインク噴射記録ヘッド。
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