JPH097729A - 半導体アレスタおよびコンビネーション型アレスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ガスチューブ型アレスタとの組み合わせが容
易な半導体アレスタを提供する。 【構成】 金属プレート１２、１４は互いに対向して隙
間を開けて積層され、その間に３組のダイオード群５６
〜６０とサイリスタＴ１が並列に接続される。各ダイオ
ード群５６〜６０を構成する２つのダイオード間にはリ
ード２０〜２４が接続され、これらは合成樹脂からなる
パッケージ２６で封止される。ダイオード群５６〜６０
とサイリスタＴ１はパッケージ２６内の隅部に配置さ
れ、一のダイオード群６０とこのダイオード群６０と隣
合うサイリスタＴ１との間の金属プレート１２、１４の
端縁形状はその中央方向に向かって凹状に形成される。
当該凹状に形成された端縁側となるパッケージ２６の一
端面には金属プレート１２、１４の積層方向に延びる凹
溝２８が形成され、ダイオード群６０に接続されるリー
ド２４の他端側は凹溝２８内に突出する板状に形成さ
れ、透孔３２を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体アレスタ、詳細
には、直撃雷、誘導雷等によって発生する異常高電圧か
ら通信機器等を保護する半導体アレスタに関し、特にダ
イオード・ブリッジ・サイリスタ型の半導体アレスタに
関する。また、半導体アレスタとガスチューブ型アレス
タ（避雷管）とを組み合わせたコンビネーション型アレ
スタに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のダイオード・ブリッジ・サイリス
タ型の半導体アレスタ５０の構造を、図８〜図１２を用
いて半導体アレスタ５０を構成するダイオード・ブリッ
ジ（Ｄ１〜Ｄ６）とサイリスタＴ１の接続と共に説明す
る。５２、５４は互いに対向して隙間を開けて配された
Ｔ字状の第１の金属プレートと第２の金属プレートであ
る。ダイオードＤ１とダイオードＤ２、ダイオードＤ３
とダイオードＤ４、ダイオードＤ５とダイオードＤ６は
それぞれ極性が同一方向となるように直列に接続され、
一つのダイオード群５６、５８、６０を構成する。これ
らのダイオード群５６、５８、６０は両金属プレート５
２、５４間に、それぞれの極性が同一方向となるように
並列に接続されている。

【０００３】また、サイリスタＴ１もダイオード群５
６、５８、６０と並列に２つの金属プレート５２、５４
間に接続されている。６２、６４、６６は金属製のリー
ドであり、それぞれの一端側が各ダイオード群５６、５
８、６０を構成する２つのダイオード（ダイオードＤ１
とダイオードＤ２、ダイオードＤ３とダイオードＤ４、
ダイオードＤ５とダイオードＤ６）間にそれぞれ介在さ
れて接続されている。各ダイオード群５６、５８、６０
はＴ字状の金属プレート５２、５４の３つの端部に配さ
れているため、リード６２、６４、６６も当該３つの端
部に接続される。６８は合成樹脂材料で形成されたパッ
ケージであり、外形が四角柱形状に形成されて第１の金
属プレート５２、第２の金属プレート５４、ダイオード
Ｄ１〜Ｄ６、サイリスタＴ１およびリード６２〜６６の
一端側を封止する。そして、リード６２〜６６の他端側
は、パッケージ６８の金属プレート５２、５４の端縁方
向（図８、図９中の上下端縁）に位置する端面からパッ
ケージ６８の外方へ突出し、リード６６は上端面から、
またリード６２、６４は下端面から突出している。よっ
て、概略の外形形状は図１２に示すごとくになる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記の半導体アレスタ
５０は応答速度は速いが、大電流には弱いので、応答速
度は遅いが、大電流に強い図１３、図１４のようなガス
チューブ型アレスタ７０と組み合わせることで欠点を補
うことができる。これはコンビネーション型アレスタと
呼ばれる。ここでガスチューブ型アレスタ７０の構造に
ついて概略説明すると、側面から接地リード７２が延出
された接地電極７４を挟んで両側に各ライン電極７６を
配置し、これらの電極７４、７６間を絶縁スペーサ７８
で気密封着し不活性ガスを封入して形成されている。ま
た、８０はフェイルセイフ機構の一部を構成する接触片
であり、同じくフェイルセイフ機構の一部を構成する絶
縁シート８２を介在させた状態で電極７４、７６間にわ
たるようにアレスタ７０の周面に取り付けられている。
このフェイルセイフ機構は、長時間に渡って放電が連続
した場合に、アレスタ７０が発熱して発火するのを防止
するものである。よって、このフェイルセイフ機構はガ
スチューブ型アレスタ７０の必須の構成要素となってい
る。

【０００５】しかしながら、ガスチューブ型アレスタ７
０と組み合わせて図１５の様なコンビネーション型アレ
スタを製作する場合に、上記従来の半導体アレスタ５０
には次の様な課題が有る。ガスチューブ型アレスタ７０
との組み合わせ構造は、組み合わせた際の専有面積をな
るべく小さくすることや、アレスタ７０の側面に延出さ
れた接地リード７２が接地されるため当該側面が通常は
アレスタ７０の下面となることを考慮すると、ガスチュ
ーブ型アレスタ７０と半導体アレスタ５０をガスチュー
ブ型アレスタ７０の上面か下面（図１３や図１４の上
面、下面）に接触させて取り付ける構造にならざるを得
ない。しかし、ガスチューブ型アレスタ７０の上面には
通常、フェイルセイフ機構があるため、上面への取り付
けは困難である。また下面に取り付けようとすると、下
面には接地リード７２が突出しているため、接地リード
７２を折曲して半導体アレスタ５０のパッケージ６８を
避けながらリード６６と接続する必要があり、接地リー
ド７２をパッケージ６８の外壁面に沿って大きく曲げな
ければならず、加工に手間がかかると共に接地リード７
２と接地電極７４との接合部分にストレスが加わり破損
の恐れが高くなる。また、リード６６と接地リード７２
との接続も難しい等、やはり取り付けが困難であるとい
う課題がある。

【０００６】従って、本発明は上記課題を解決すべくな
され、その目的とするところは、ガスチューブ型アレス
タとの組み合わせが容易な半導体アレスタと、当該半導
体アレスタを用いることで製造が容易に行えるコンビネ
ーション型アレスタを提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、本発明に係る半
導体アレスタは、互いに対向して隙間を開けて積層され
た第１の金属プレートおよび第２の金属プレートと、極
性が同一方向となるように直列に接続された２つのダイ
オードから構成され、それぞれの極性が同一方向となる
ように前記２つの金属プレート間に並列に接続された３
組のダイオード群と、該ダイオード群と並列に前記２つ
の金属プレート間に接続されたサイリスタと、一端側が
前記各ダイオード群を構成する２つのダイオード間にそ
れぞれ接続された３つのリードと、前記第１の金属プレ
ート、前記第２の金属プレート、前記ダイオード群、前
記サイリスタおよび前記リードの一端側を封止する合成
樹脂からなるパッケージとを具備する半導体アレスタに
おいて、前記３つのダイオード群および前記サイリスタ
は、前記パッケージ内の隅部にそれぞれ配置され、前記
ダイオード群の内の一のダイオード群と該一のダイオー
ド群と隣合う前記サイリスタとの間の前記金属プレート
の端縁形状は、金属プレートの中央方向に向かって凹状
に形成され、前記金属プレートの前記凹状に形成された
端縁側に位置する前記パッケージの一端面には、前記金
属プレートの積層方向に延びる凹溝が形成され、前記一
のダイオード群に接続される前記リードの他端側は前記
凹溝内に突出する板状に形成されると共に、透孔が設け
られていることを特徴とする。この構成を採用すること
により、ガスチューブ型アレスタの接地リードを透孔に
挿通させて、凹溝内に配することができるので、ガスチ
ューブ型アレスタとの組み合わせが容易に行え、コンビ
ネーション型アレスタの製造が簡単に行える。また、前
記透孔の内周面には、透孔の中心方向に向けて延出する
延出部を形成させておくと、延出部がガスチューブ型ア
レスタの接地リードの周面と確実に当接でき、接地リー
ドが透孔から抜けにくくなる。また、前記金属プレート
の形状は具体的には、略コ字状または略Ｈ字状に形成す
ればよい。

【０００８】また、本発明に係るコンビネーション型ア
レスタは、側面から接地リードが延出された接地電極を
挟んで両側に各ライン電極を配置し、これらの電極間を
絶縁スペーサで気密封着し不活性ガスを封入したガスチ
ューブ型アレスタと、本発明に係る半導体アレスタとを
具備し、前記ガスチューブ型アレスタは、前記接地リー
ドが前記半導体アレスタに設けられた透孔内に挿入され
て半導体アレスタと一体的に組み合わされて電気的に接
続されていることを特徴とする。

【０００９】

【作用】作用について説明する。３つのダイオード群お
よびサイリスタは、パッケージ内の隅部にそれぞれ配置
されているので、ダイオード群の内の一のダイオード群
と当該一のダイオード群と隣合うサイリスタとの間の金
属プレートの端縁形状を、金属プレートの中央方向に向
かって凹状に形成できる。よって凹状の金属プレートの
端縁形状に合わせて当該端縁側に位置するパッケージの
一端面に金属プレートの積層方向に延びる凹溝が形成で
きる。この凹溝内に一のダイオード群に接続されるリー
ドの他端側を板状に形成して突出させ、透孔を設ける
と、当該リードの他端側はパッケージの中央部分に近く
配置できる。よって、ガスチューブ型アレスタの接地リ
ードを容易に透孔に挿通させて、凹溝内に配することが
でき、ガスチューブ型アレスタとの組み合わせが簡単に
行える。

【００１０】

【実施例】以下、本発明に係る半導体アレスタおよびコ
ンビネーション型アレスタの好適な実施例を添付図面に
基づいて詳細に説明する。まず、図１〜図５を用いて半
導体アレスタ１０の一実施例の構成について説明する。
なお、半導体アレスタ１０を構成するダイオード・ブリ
ッジ（Ｄ１〜Ｄ６）とサイリスタＴ１の接続は、従来例
と同じであり、説明は省略する（但し、本実施例では第
１の金属プレートは１２であり、第２の金属プレートは
１４である）。第１の金属プレート１２と第２の金属プ
レート１４はそれぞれ一例として図１に示すような略コ
字状に形成され、２つの端部および２つの折曲部分はダ
イオード群５６〜６０やサイリスタＴ１が取り付けられ
る接点１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ（第１の金属プ
レート１２）、１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、１８ｄ（第２
の金属プレート１４）となっている。具体的には、２つ
の端部には接点１６ａ、１６ｄと接点１８ａ、１８ｄが
あり、２つの折曲部分には接点１６ｂ、１６ｃと接点１
８ｂ、１８ｃがある。また、第１の金属プレート１２と
第２の金属プレート１４は、図１の前後方向に互いに対
向して隙間を開けて積層するように配されている。な
お、金属プレート１２、１４の形状は、ダイオード群の
内の一のダイオード群（本実施例では一例としてダイオ
ード群６０）と当該一のダイオード群と隣合うサイリス
タＴ１との間の金属プレート１２、１４の端縁形状が、
当該金属プレートの中央方向に向かって凹状に形成され
ていればよいので、略コ字状に代えて例えば略Ｈ字状と
し、この４つの端部に上記接点を配する構成としてもよ
い。

【００１１】第１の金属プレート１２と第２の金属プレ
ート１４の各接点間（１６ａと１８ａ間、・・・、１６
ｄ〜１８ｄ間）には、従来例で説明した３つのダイオー
ド群５６、５８、６０（それぞれの極性は同一方向）と
サイリスタＴ１がはんだ接合によって取り付けられてい
る。これにより、各３つのダイオード群５６、５８、６
０とサイリスタＴ１は２つの金属プレート１２、１４間
に並列に接続される。具体的には、接点１６ａと１８ａ
の間にはサイリスタＴ１、接点１６ｂと１８ｂの間、接
点１６ｃと１８ｃの間、接点１６ｄと１８ｄの間にはダ
イオード群５６、５８、６０がそれぞれ配されている
が、サイリスタＴ１とダイオード群６０は配置を入れ換
えてもよい。２０、２２、２４は３つのリードであり、
各リード２０、２２、２４の一端側が図５に示すよう
に、各ダイオード群５６、５８、６０を構成する２つの
ダイオード（Ｄ１とＤ２、Ｄ３とＤ４、Ｄ５とＤ６）間
にそれぞれ介在されて接続されている。２６はパッケー
ジであり、合成樹脂材料で形成され、２つの金属プレー
ト１２、１４、ダイオード群５６、５８、６０、サイリ
スタＴ１およびリード２０〜２４の一端側を封止する。
なお、パッケージ２６は一般的な半導体素子用パッケー
ジと同様に略四角柱に形成されている。

【００１２】さらに詳細に説明すると、２つの金属プレ
ート１２、１４の各接点１６ａ〜１６ｄ、１８ａ〜１８
ｄはパッケージ２６の４隅に配されており、よって３つ
のダイオード群５６〜６０およびサイリスタＴ１も、パ
ッケージ２６内の隅部にそれぞれ配置されることにな
る。また、金属プレート１２、１４の凹状に形成された
端縁側に位置するパッケージ２６の一端面（一例として
図１、２、３の上端面、図４の前面）の略中央部分に
は、金属プレート１２、１４の積層方向に延びる凹溝２
８が形成されている。各接点１６ａ〜１６ｄ、１８ａ〜
１８ｄがパッケージ２６の４隅に配され、かつ金属プレ
ート１２、１４の端縁がパッケージ２６の中央部分方向
へ凹状となるように形成されているため、凹溝２８も深
く形成することができる。この凹溝２８はパッケージ２
６の金属プレート面と略平行な対向面間にわたり、形成
されている。本実施例における前記対向面は具体的に
は、図１〜図３では前後面であり、また図４では上下面
である。また、パッケージ２６の前記一端面と対向する
他端面中央部分（一例として図１、２、３の下端面中央
部分）には、後述するように他端面から突出する２つの
リード２０、２２間の縁面放電開始電圧を高めるため
に、縁面距離を長くすべく一例としてＶ字状の溝３０が
形成されている。Ｖ字溝３０もまた金属プレート１２、
１４の各接点１６ａ〜１６ｄ、１８ａ〜１８ｄがパッケ
ージ２６の４隅に配されているために、形成し易いし、
また深く形成して縁面距離を十分に確保することが可能
となる。特に金属プレート１２、１４の形状を略Ｈ字状
とすれば、凹溝２８とＶ字溝３０の両方ともに深く形成
できる。そして一のダイオード群６０に接続されるリー
ド２４の他端側は凹溝２８内に突出する板状に形成され
ると共に、凹溝２８内に露出する部分に透孔３２が設け
られている。また、他のリード２０、２２の他端側は前
述のＶ字溝３０が形成された他端面（図２、３の下端
面）からＶ字溝３０を挟んで突出し、直角に折曲されて
いる。

【００１３】また、透孔３２の内周面には、透孔３２の
中心方向に向けて延出する延出部３４が形成され、延出
部３４の先端同士の間隔は、後述するガスチューブ型ア
レスタ７０の接地リード７２の外径より小さくなるよう
に形成されている。よって、接地リード７２が透孔３２
内に挿入された際に、延出部３４が接地リード７２を挟
持して接地リード７２が透孔３２から抜けにくい構造と
なっている。また、各金属プレート１２、１４間に配さ
れたダイオード群５６、５８、６０およびサイリスタＴ
１の各金属プレート１２、１４およびリード２０〜２４
との接続構造は従来例と同様であり、一例としてサイリ
スタＴ１とダイオード群５６の接続構造を図５に示す。
金属プレート１２、１４とサイリスタＴ１との間、金属
プレート１２、１４とダイオード群５６を構成するダイ
オードＤ１、Ｄ２との間、ダイオードＤ１、Ｄ２とリー
ド２０との間ははんだ接合されている。

【００１４】次に、上述した半導体アレスタ１０とガス
チューブ型アレスタ７０とを組み合わせたコンビネーシ
ョン型アレスタ３６の構造について図６、図７を用いて
説明する。なお、ガスチューブ型アレスタ７０の構造は
従来例で説明した構造と同様である。まず、半導体アレ
スタ１０のリード２０〜２４とガスチューブ型アレスタ
７０の接地リード７２および２つのライン電極７６との
電気的接続は、接地リード７２とリード２４、２つのラ
イン電極７６にはリード２０、２２がそれぞれ接続され
る構造となる。従来例で説明したように、コンビネーシ
ョン型アレスタ３６の部品専有面積を考慮すると、半導
体アレスタ１０とガスチューブ型アレスタ７０の組み立
て構造は、半導体アレスタ１０をガスチューブ型アレス
タ７０の上面か下面に、言い換えればガスチューブ型ア
レスタ７０を半導体アレスタ１０の上面か下面に接触さ
せて取り付ける構造とする必要があるため、図４とは上
下が逆になるが、図６や図７に示すように半導体アレス
タ１０の他端面（Ｖ字溝３０が形成された面）から延出
して同一方向へ直角に折曲されたリード２０、２２の延
出方向（図６や図７の上方向）からガスチューブ型アレ
スタ７０を、接地リード７２を透孔３２に挿入しながら
半導体アレスタ１０の上面に密着させて取り付ける。接
地リード７２は透孔３２の延出部３４に挿入した後には
んだ付けしても良い。

【００１５】その後に、半導体アレスタ１０の上方に折
曲されたリード２０、２２とガスチューブ型アレスタ７
０の２つのライン電極７６とをはんだ接合等により電気
的に接続して、コンビネーション型アレスタ３６が完成
する。また、本実施例のように半導体アレスタ１０の他
端面に突出するリード２０、２２の間隔を、予めガスチ
ューブ型アレスタ７０の２つのライン電極７６の間隔に
合わせて形成することで組み立て時のはんだ接合が容易
に行える。また、半導体アレスタ１０のガスチューブ型
アレスタ７０の外周面との当接面（図５の下面、図７の
上面）には、ガスチューブ型アレスタ７０の外周面形状
に合わせた形状の溝（一例としてＵ字溝）３８を形成す
ることで、組み立て時の安定度が増す。なお、この溝３
８の断面形状はガスチューブ型アレスタ７０が多角柱で
あれば、それに対応して角形凹溝にすればよい。

【００１６】またさらに、ガスチューブ型アレスタ７０
の接地リード７２と接続される半導体アレスタ１０のリ
ード２４は凹溝２８内に配され、パッケージ２６の中心
部分に近い位置にあるため、図７に示すように接地リー
ド７２の曲げ角度が従来例と比べて少なくてもリード２
４と接続することができ、接地リード７２と接地電極７
４との接続部分に大きなストレスが加わらず、故障の可
能性が低くなる。また、上述したように半導体アレスタ
１０は、ガスチューブ型アレスタ７０の接地リード７２
側の外周面に取り付けるできるので、接地リード７２と
反対側に位置する外周面に取り付けられたガスチューブ
型アレスタ７０のフェイルセイフ機構が、半導体アレス
タ１０との組み合わせに際して邪魔になることはない。

【００１７】以上、本発明の好適な実施例について種々
述べてきたが、本発明は上述する実施例に限定されるも
のではなく、発明の精神を逸脱しない範囲で多くの改変
を施し得るのはもちろんである。

【００１８】

【発明の効果】本発明に係る半導体アレスタを用いる
と、３つのダイオード群およびサイリスタは、パッケー
ジ内の隅部にそれぞれ配置されているので、ダイオード
群の内の一のダイオード群と当該一のダイオード群と隣
合うサイリスタとの間の金属プレートの端縁形状を、当
該金属プレートの中央方向に向かって凹状に形成でき、
さらに凹状の金属プレートの端縁形状に合わせて当該端
縁側に位置するパッケージの一端面に金属プレートの積
層方向に延びる凹溝が形成できる。これによりこの凹溝
内に一のダイオード群に接続されるリードの他端側を板
状に形成して突出させ、透孔を設けると、当該リードの
他端側はパッケージの中央部分に近く配置できる。よっ
て、ガスチューブ型アレスタの接地リードを容易に透孔
に挿通させて、凹溝内に配することができ、ガスチュー
ブ型アレスタとの組み合わせが簡単に行えるので、コン
ビネーション型アレスタの製造が簡単に行える。また、
透孔の内周面には、透孔の中心方向に向けて延出する延
出部を形成させておくと、延出部がガスチューブ型アレ
スタの接地リードの周面と確実に当接でき、接地リード
が透孔から抜けにくくなる。また、本発明に係る半導体
アレスタを用いたコンビネーション型アレスタは、半導
体アレスタとガスチューブ型アレスタとの組み合わせが
容易に行え、作業性が向上し、また接地リードの折曲の
程度も従来例よりも少なくて済むので、接地リードと接
地電極との間に加わるストレスも少なくなることから、
製品の品質も向上するという著効を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体アレスタのパッケージ内の
金属プレートの形状、接点の配置、および凹溝の形状・
配置を示す説明図

【図２】本発明に係る半導体アレスタのパッケージ内の
リードの形状および配置を示す説明図

【図３】図１、図２の金属プレートとリードとの配置を
示す説明図

【図４】本発明に係る半導体アレスタの正面図

【図５】金属プレートとダイオード群、サイリスタの接
合状態を示すための図３のＡ−Ａ断面図

【図６】本発明に係る半導体アレスタを用いたコンビネ
ーション型アレスタの構成を示す正面図

【図７】図６のＢ−Ｂ断面図

【図８】従来の半導体アレスタのパッケージ内の金属プ
レートの形状、接点の配置、およびリードの形状・配置
を示す平面図

【図９】図８の側面図

【図１０】図８の正面図

【図１１】ダイオード・ブリッジ・サイリスタ型の半導
体アレスタの回路図

【図１２】図８の半導体アレスタの外形を示す斜視図

【図１３】一般的なガスチューブ型アレスタの構成を示
す正面図

【図１４】図１３の側面図

【図１５】従来の半導体アレスタと図１３のガスチュー
ブ型アレスタを用いたコンビネーション型アレスタの組
み立て構造を示す側面図

【符号の説明】

１０ 半導体アレスタ １２ 第１の金属プレート １４ 第２の金属プレート ２０、２２、２４ リード ２６ パッケージ ２８ 凹溝 ３２ 透孔 ５６、５８、６０ ダイオード群 Ｔ１ サイリスタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向して隙間を開けて積層された
   第１の金属プレートおよび第２の金属プレートと、極性
   が同一方向となるように直列に接続された２つのダイオ
   ードから構成され、それぞれの極性が同一方向となるよ
   うに前記２つの金属プレート間に並列に接続された３組
   のダイオード群と、該ダイオード群と並列に前記２つの
   金属プレート間に接続されたサイリスタと、一端側が前
   記各ダイオード群を構成する２つのダイオード間にそれ
   ぞれ接続された３つのリードと、前記第１の金属プレー
   ト、前記第２の金属プレート、前記ダイオード群、前記
   サイリスタおよび前記リードの一端側を封止する合成樹
   脂からなるパッケージとを具備する半導体アレスタにお
   いて、 前記３つのダイオード群および前記サイリスタは、前記
   パッケージ内の隅部にそれぞれ配置され、 前記ダイオード群の内の一のダイオード群と該一のダイ
   オード群と隣合う前記サイリスタとの間の前記金属プレ
   ートの端縁形状は、金属プレートの中央方向に向かって
   凹状に形成され、 前記金属プレートの前記凹状に形成された端縁側に位置
   する前記パッケージの一端面には、前記金属プレートの
   積層方向に延びる凹溝が形成され、 前記一のダイオード群に接続される前記リードの他端側
   は前記凹溝内に突出する板状に形成されると共に、透孔
   が設けられていることを特徴とする半導体アレスタ。
2. 【請求項２】 前記透孔の内周面には、透孔の中心方向
   に向けて延出する延出部が形成されていることを特徴と
   する請求項１記載の半導体アレスタ。
3. 【請求項３】 前記金属プレートは略コ字状または略Ｈ
   字状に形成されていることを特徴とする請求項１または
   ２記載の半導体アレスタ。
4. 【請求項４】 側面から接地リードが延出された接地電
   極を挟んで両側に各ライン電極を配置し、これらの電極
   間を絶縁スペーサで気密封着し不活性ガスを封入したガ
   スチューブ型アレスタと、 請求項１、２または３記載の半導体アレスタとを具備
   し、 前記ガスチューブ型アレスタは、前記接地リードが前記
   半導体アレスタに設けられた透孔内に挿入されて半導体
   アレスタと一体的に組み合わされて電気的に接続されて
   いることを特徴とするコンビネーション型アレスタ。