JPH097997A - アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスク - Google Patents
アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスクInfo
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- JPH097997A JPH097997A JP14992895A JP14992895A JPH097997A JP H097997 A JPH097997 A JP H097997A JP 14992895 A JP14992895 A JP 14992895A JP 14992895 A JP14992895 A JP 14992895A JP H097997 A JPH097997 A JP H097997A
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- rectangular
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アンダーエッチングの補正を行いながら、最
小の溝幅を実現する。 【構成】 ホトエッチングにより、シリコンウェハの
｛１００｝面に各辺が｛１１０｝面と平行な方形枠状の
溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成する場
合に、エッチングマスク２１の方形パターン２２の各頂
点にその頂点を中心とし、一辺の長さＨが上記溝の深さ
ｔの２倍とされ、各辺が｛１００｝面と平行とされた正
方形パターン３１を付加し、このエッチングマスク２１
によってシリコンウェハを選択エッチングする。深さｔ
の溝をエッチングするために最低限必要な溝幅と、方形
台状部頂点のアンダーエッチング補正用の正方形パター
ン３１の配置に必要な溝幅はほぼ等しく、アンダーエッ
チング補正のために溝幅を広げる必要はない。
小の溝幅を実現する。 【構成】 ホトエッチングにより、シリコンウェハの
｛１００｝面に各辺が｛１１０｝面と平行な方形枠状の
溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成する場
合に、エッチングマスク２１の方形パターン２２の各頂
点にその頂点を中心とし、一辺の長さＨが上記溝の深さ
ｔの２倍とされ、各辺が｛１００｝面と平行とされた正
方形パターン３１を付加し、このエッチングマスク２１
によってシリコンウェハを選択エッチングする。深さｔ
の溝をエッチングするために最低限必要な溝幅と、方形
台状部頂点のアンダーエッチング補正用の正方形パター
ン３１の配置に必要な溝幅はほぼ等しく、アンダーエッ
チング補正のために溝幅を広げる必要はない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はシリコンウェハの異方
性エッチングに関し、特に異方性エッチングによってシ
リコンウェハ上に方形台形状を作成する際のアンダーエ
ッチング（アンダーカット）を補正する方法に関する。
性エッチングに関し、特に異方性エッチングによってシ
リコンウェハ上に方形台形状を作成する際のアンダーエ
ッチング（アンダーカット）を補正する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】はじめに、シリコンウェハの｛１００｝
面を使用した異方性エッチングについて説明する。例え
ば、｛１００｝面上にエッチングマスクとして長方形の
穴を各辺が｛１１０｝面と平行になるように作成する
と、そのマスクを用いてエッチングされた形状は、図３
に示したように穴の各面が｛１１１｝面で囲まれた形状
になる。これは｛１１１｝面のエッチングレートが他の
結晶面のエッチングレートに比較して遅いことによる。
この時、マスクの穴の幅（エッチングされた穴の幅）を
ｘとすると、エッチング深さ（穴の深さ）ｔが下式で示
す値になった時、エッチングは自動的に停止する。
面を使用した異方性エッチングについて説明する。例え
ば、｛１００｝面上にエッチングマスクとして長方形の
穴を各辺が｛１１０｝面と平行になるように作成する
と、そのマスクを用いてエッチングされた形状は、図３
に示したように穴の各面が｛１１１｝面で囲まれた形状
になる。これは｛１１１｝面のエッチングレートが他の
結晶面のエッチングレートに比較して遅いことによる。
この時、マスクの穴の幅（エッチングされた穴の幅）を
ｘとすると、エッチング深さ（穴の深さ）ｔが下式で示
す値になった時、エッチングは自動的に停止する。
【０００３】ｔ＝（ｘ／２）tan ５4.７４° エッチング深さｔがこの値よりも小さい時は、図４に示
すような断面形状を有する溝が形成されることになる。
一方、｛１００｝面上にエッチングマスク２１として図
５Ａに示すように、方形パターン２２を囲む方形枠状の
穴２３を各辺が｛１１０｝面と平行になるように作成す
るとする。この時、シリコンウェハ２４のエッチング後
の形状としては図５Ｂ，Ｃのようになることを期待して
いるが、実際には方形枠状の溝２５で囲まれた方形台状
部２６の各頂点部分において、図６Ａに示すように稜線
２７がエッチングの進行に伴いエッチングマスク２１の
方形パターン２２の内部に進行し、即ちアンダーエッチ
ングが発生する。
すような断面形状を有する溝が形成されることになる。
一方、｛１００｝面上にエッチングマスク２１として図
５Ａに示すように、方形パターン２２を囲む方形枠状の
穴２３を各辺が｛１１０｝面と平行になるように作成す
るとする。この時、シリコンウェハ２４のエッチング後
の形状としては図５Ｂ，Ｃのようになることを期待して
いるが、実際には方形枠状の溝２５で囲まれた方形台状
部２６の各頂点部分において、図６Ａに示すように稜線
２７がエッチングの進行に伴いエッチングマスク２１の
方形パターン２２の内部に進行し、即ちアンダーエッチ
ングが発生する。
【０００４】このアンダーエッチングの発生は図６Ａに
示したように直線が組合わさった形状がエッチングマス
ク２１のある面上に出現することより、特定の結晶面の
エッチングレートが他の結晶面のエッチングレートに比
較して遅いことに起因していると考えられている。この
アンダーエッチングを補正すべく、即ち方形台状部２６
の体積減少を防止すべく、従来においては方形枠状の溝
２５に囲まれた方形台状部２６を作成する際には、方形
台状部２６と対応するエッチングマスク２１の方形パタ
ーン２２の各頂点に、図６Ｂに示すような補正パターン
２８を配置していた。
示したように直線が組合わさった形状がエッチングマス
ク２１のある面上に出現することより、特定の結晶面の
エッチングレートが他の結晶面のエッチングレートに比
較して遅いことに起因していると考えられている。この
アンダーエッチングを補正すべく、即ち方形台状部２６
の体積減少を防止すべく、従来においては方形枠状の溝
２５に囲まれた方形台状部２６を作成する際には、方形
台状部２６と対応するエッチングマスク２１の方形パタ
ーン２２の各頂点に、図６Ｂに示すような補正パターン
２８を配置していた。
【０００５】補正パターン２８は方形パターン２２の頂
点を中心とし、各辺が｛１１０｝面と平行とされた正方
形状とされ、その対角線長さの１／２が、この補正パタ
ーン２８がない状態で所定の深さまでエッチングした時
に発生する方形台状部２６の頂点の後退量、即ちアンダ
ーエッチング量ｙ（図６Ｂ参照）と等しくされる。
点を中心とし、各辺が｛１１０｝面と平行とされた正方
形状とされ、その対角線長さの１／２が、この補正パタ
ーン２８がない状態で所定の深さまでエッチングした時
に発生する方形台状部２６の頂点の後退量、即ちアンダ
ーエッチング量ｙ（図６Ｂ参照）と等しくされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のような補正パタ
ーン２８を用いる場合、例えば図７に示したように、補
正パターン２８が、作成しようとする溝２５を塞ぐ大き
さになると、エッチングマスク２１の方形枠状の穴２３
は長方形の穴に分断され、長方形の穴によりエッチング
することになるので、図３で説明したようなエッチング
形状となって、ある深さに達するとエッチングは停止
し、よって図５Ｂ，Ｃに示したような方形台形状を作成
することができなくなる。従って、溝２５の幅は補正パ
ターン２８によって塞がれない大きさとする必要があ
る。
ーン２８を用いる場合、例えば図７に示したように、補
正パターン２８が、作成しようとする溝２５を塞ぐ大き
さになると、エッチングマスク２１の方形枠状の穴２３
は長方形の穴に分断され、長方形の穴によりエッチング
することになるので、図３で説明したようなエッチング
形状となって、ある深さに達するとエッチングは停止
し、よって図５Ｂ，Ｃに示したような方形台形状を作成
することができなくなる。従って、溝２５の幅は補正パ
ターン２８によって塞がれない大きさとする必要があ
る。
【０００７】ここで、図５Ｂ，Ｃに示したような方形枠
状の溝２５に囲まれた方形台状部２６を、アンダーエッ
チングの補正を行いながら作成する場合に必要な溝２５
の幅を考える。溝２５の所要深さ（エッチング深さ）を
ｔとすると、この時最低限必要なエッチングマスク２１
の穴２３の幅ｘ1 は、 ｘ1 ＝２ｔ／tan ５4.７４° ≒1.４１ｔ となる。一方、マスク２１内部に進行する面のエッチン
グレートは、｛１００｝面のエッチングレートに比較し
て2.３倍程度大きく、つまりアンダーエッチング量ｙは
エッチング深さの2.３倍程度となるため、ｙ＝2.３ｔと
すると、補正に必要な溝２５の幅ｘ2 は、 ｘ2 ＝ｙ／√２ ≒1.６６ｔ となる。従って、ｘ2 ＞ｘ1 となり、溝幅をアンダーエ
ッチング補正のために、本来のエッチング形状を作成す
るために必要な大きさより大きくしなければならず、こ
のことは例えば溝２５を介して方形台状部２６を有する
枠体を作成する上で、その外形を小さくしようとする時
の妨げになっていた。
状の溝２５に囲まれた方形台状部２６を、アンダーエッ
チングの補正を行いながら作成する場合に必要な溝２５
の幅を考える。溝２５の所要深さ（エッチング深さ）を
ｔとすると、この時最低限必要なエッチングマスク２１
の穴２３の幅ｘ1 は、 ｘ1 ＝２ｔ／tan ５4.７４° ≒1.４１ｔ となる。一方、マスク２１内部に進行する面のエッチン
グレートは、｛１００｝面のエッチングレートに比較し
て2.３倍程度大きく、つまりアンダーエッチング量ｙは
エッチング深さの2.３倍程度となるため、ｙ＝2.３ｔと
すると、補正に必要な溝２５の幅ｘ2 は、 ｘ2 ＝ｙ／√２ ≒1.６６ｔ となる。従って、ｘ2 ＞ｘ1 となり、溝幅をアンダーエ
ッチング補正のために、本来のエッチング形状を作成す
るために必要な大きさより大きくしなければならず、こ
のことは例えば溝２５を介して方形台状部２６を有する
枠体を作成する上で、その外形を小さくしようとする時
の妨げになっていた。
【０００８】また、方形台状部２６の大きさを小さくす
る時、エッチングマスク２１の方形パターン２２の幅ａ
が、（√２）ｙより小さくなると、図８に示したように
補正パターン２８同士が重なってしまい、この場合エッ
チングするとマスク下部に破線で示したような形状の残
渣２９ができてしまうため、所望のエッチング形状が得
られず、よって方形パターン２２の幅ａは、 ａ≧（√２）ｙ 即ち、ａ≧√２×2.３ｔ にする必要があった。
る時、エッチングマスク２１の方形パターン２２の幅ａ
が、（√２）ｙより小さくなると、図８に示したように
補正パターン２８同士が重なってしまい、この場合エッ
チングするとマスク下部に破線で示したような形状の残
渣２９ができてしまうため、所望のエッチング形状が得
られず、よって方形パターン２２の幅ａは、 ａ≧（√２）ｙ 即ち、ａ≧√２×2.３ｔ にする必要があった。
【０００９】この発明の目的はアンダーエッチングの補
正を行いながら、方形枠状の溝に囲まれた方形台状部を
作成する場合に、従来より溝幅を狭くすることができ、
かつ方形台状部の大きさを小さくすることができるアン
ダーエッチングの補正方法及びそれに使用する補正マス
クを提供することにある。
正を行いながら、方形枠状の溝に囲まれた方形台状部を
作成する場合に、従来より溝幅を狭くすることができ、
かつ方形台状部の大きさを小さくすることができるアン
ダーエッチングの補正方法及びそれに使用する補正マス
クを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ホト
エッチングにより、シリコンウェハの｛１００｝面に各
辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と平行な方形枠
状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成す
る方法におけるアンダーエッチングの補正方法であっ
て、シリコンウェハに方形台状部と対応する方形パター
ンを有し、かつその方形パターンの各頂点にその頂点を
中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの２倍とされ、各
辺がシリコンウェハの｛１００｝面と平行とされた正方
形パターンが付加されたエッチングマスクが形成され、
そのエッチングマスクによってシリコンウェハが選択エ
ッチングされる。
エッチングにより、シリコンウェハの｛１００｝面に各
辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と平行な方形枠
状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成す
る方法におけるアンダーエッチングの補正方法であっ
て、シリコンウェハに方形台状部と対応する方形パター
ンを有し、かつその方形パターンの各頂点にその頂点を
中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの２倍とされ、各
辺がシリコンウェハの｛１００｝面と平行とされた正方
形パターンが付加されたエッチングマスクが形成され、
そのエッチングマスクによってシリコンウェハが選択エ
ッチングされる。
【００１１】請求項２の発明は、シリコンウェハの｛１
００｝面に各辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と
平行な方形枠状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台
状部を作成するホトエッチングに用いる露光用のマスク
であって、方形台状部に対応する方形パターンの各頂点
に、その頂点を中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの
２倍とされ、各辺がシリコンウェハの｛１００｝面と平
行とされた正方形状のパターンが付加される。
００｝面に各辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と
平行な方形枠状の溝を形成し、その溝で囲まれた方形台
状部を作成するホトエッチングに用いる露光用のマスク
であって、方形台状部に対応する方形パターンの各頂点
に、その頂点を中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの
２倍とされ、各辺がシリコンウェハの｛１００｝面と平
行とされた正方形状のパターンが付加される。
【００１２】
【実施例】この発明の実施例を図１を参照して説明す
る。なお、図５と対応する部分には同一符号を付してあ
る。この例ではアンダーエッチングを補正するために、
エッチングマスク２１の方形パターン２２の各頂点に、
補正パターンとして図１に示すように正方形パターン３
１が付加される。正方形パターン３１は方形パターン２
２の頂点を中心とし、各辺がシリコンウェハ２４の｛１
００｝面と平行とされており、その一辺の長さＨは以下
のように設定される。
る。なお、図５と対応する部分には同一符号を付してあ
る。この例ではアンダーエッチングを補正するために、
エッチングマスク２１の方形パターン２２の各頂点に、
補正パターンとして図１に示すように正方形パターン３
１が付加される。正方形パターン３１は方形パターン２
２の頂点を中心とし、各辺がシリコンウェハ２４の｛１
００｝面と平行とされており、その一辺の長さＨは以下
のように設定される。
【００１３】正方形パターン３１は｛１００｝面で囲ま
れた形状をもつので、｛１００｝面と同一のエッチング
レートで、この正方形パターン３１内部にアンダーエッ
チングが進行していく。従って、溝２５のエッチング深
さをｔとすると、 Ｈ＝２ｔ とすることにより、アンダーエッチングが補正された所
望の方形台状部２６を作成することができる。
れた形状をもつので、｛１００｝面と同一のエッチング
レートで、この正方形パターン３１内部にアンダーエッ
チングが進行していく。従って、溝２５のエッチング深
さをｔとすると、 Ｈ＝２ｔ とすることにより、アンダーエッチングが補正された所
望の方形台状部２６を作成することができる。
【００１４】一方、この正方形パターン３１による補正
に必要な溝２５の幅ｘ3 は、 ｘ3 ＝Ｈ／√２ ≒1.４１ｔ となり、即ち深さｔの溝２５をエッチングするために最
低限必要な溝幅ｘ1 ≒1.４１ｔとほぼ等しい値となる。
従って、この例によればアンダーエッチングの補正を行
いながら、最小の溝幅を実現できる。
に必要な溝２５の幅ｘ3 は、 ｘ3 ＝Ｈ／√２ ≒1.４１ｔ となり、即ち深さｔの溝２５をエッチングするために最
低限必要な溝幅ｘ1 ≒1.４１ｔとほぼ等しい値となる。
従って、この例によればアンダーエッチングの補正を行
いながら、最小の溝幅を実現できる。
【００１５】また、方形パターン２２の幅ａの最小値
は、この正方形パターン３１同士が重ならなければよい
ので、 ａ＝（√２）Ｈ ＝√２×２ｔ となり、即ち従来の補正パターン２８における幅ａの最
小値（√２×2.３ｔ）より小さくすることができ、言い
換えれば補正用のパターンがない時のアンダーエッチン
グ量をｙとする時、幅ａを（√２）ｙより小さくするこ
とができる。
は、この正方形パターン３１同士が重ならなければよい
ので、 ａ＝（√２）Ｈ ＝√２×２ｔ となり、即ち従来の補正パターン２８における幅ａの最
小値（√２×2.３ｔ）より小さくすることができ、言い
換えれば補正用のパターンがない時のアンダーエッチン
グ量をｙとする時、幅ａを（√２）ｙより小さくするこ
とができる。
【００１６】エッチングマスクはホトリソグラフィー技
術を用いて形成されるものであり、ウェハ上に例えばス
ピンコーティング等によって一様に塗布したホトレジス
トに露光用のマスクを通して光を選択的に照射すること
により、所要のパターンを有するエッチングマスクが形
成される。従って、上述したようなエッチングマスク２
１を形成するためには、その正方形パターン３１が付加
された方形パターン２２と同様のパターンを有する露光
用マスクが用いられる。
術を用いて形成されるものであり、ウェハ上に例えばス
ピンコーティング等によって一様に塗布したホトレジス
トに露光用のマスクを通して光を選択的に照射すること
により、所要のパターンを有するエッチングマスクが形
成される。従って、上述したようなエッチングマスク２
１を形成するためには、その正方形パターン３１が付加
された方形パターン２２と同様のパターンを有する露光
用マスクが用いられる。
【００１７】図２はこの発明の好適な用途として、シリ
コンウェハより形成される加速度センサチップを示した
ものである。図中、４１は枠体、４２は質量体、４３は
質量体４２を枠体４１に支持するヒンジを示す。この発
明によれば、このような加速度センサチップを作成する
場合に、アンダーエッチングによる質量体４２の体積減
少を防止でき、かつ全体として小さくすることができ、
よって小型高性能な加速度センサを得ることができる。
コンウェハより形成される加速度センサチップを示した
ものである。図中、４１は枠体、４２は質量体、４３は
質量体４２を枠体４１に支持するヒンジを示す。この発
明によれば、このような加速度センサチップを作成する
場合に、アンダーエッチングによる質量体４２の体積減
少を防止でき、かつ全体として小さくすることができ、
よって小型高性能な加速度センサを得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
ホトエッチングにより、シリコンウェハの｛１００｝面
に各辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と平行な方
形枠状の溝を形成して、その溝で囲まれた方形台状部を
作成する場合に、方形台状部のアンダーエッチングを補
正することができ、かつ溝幅を所要のエッチング深さを
得るために最低限必要な幅とすることができ、つまりア
ンダーエッチングの補正を行いながら、最小の溝幅を実
現することができる。
ホトエッチングにより、シリコンウェハの｛１００｝面
に各辺がそのシリコンウェハの｛１１０｝面と平行な方
形枠状の溝を形成して、その溝で囲まれた方形台状部を
作成する場合に、方形台状部のアンダーエッチングを補
正することができ、かつ溝幅を所要のエッチング深さを
得るために最低限必要な幅とすることができ、つまりア
ンダーエッチングの補正を行いながら、最小の溝幅を実
現することができる。
【００１９】また、方形台状部の幅を従来の補正パター
ンを用いる方法に比し、小さくすることができる。
ンを用いる方法に比し、小さくすることができる。
【図１】この発明の実施例を説明するための図。
【図２】Ａはこの発明の実施に好適な加速度センサチッ
プを示す平面図、Ｂはその断面図。
プを示す平面図、Ｂはその断面図。
【図３】Ａは長方形の穴（幅小）のマスクによるエッチ
ング形状を示す平面図、Ｂはその断面図。
ング形状を示す平面図、Ｂはその断面図。
【図４】Ａは長方形の穴（幅大）のマスクによるエッチ
ング形状を示す平面図、Ｂはその断面図。
ング形状を示す平面図、Ｂはその断面図。
【図５】Ａはマスクパターンを示す平面図、Ｂは作成し
たいエッチング形状を示す平面図、ＣはＢの断面図。
たいエッチング形状を示す平面図、ＣはＢの断面図。
【図６】Ａは方形台状部の頂点部分におけるアンダーエ
ッチングを説明するための図、Ｂは従来の補正パターン
を説明するための図。
ッチングを説明するための図、Ｂは従来の補正パターン
を説明するための図。
【図７】補正パターンが方形枠状の穴を塞いだ状態を示
す図。
す図。
【図８】方形台状部の幅が狭く、補正パターン同士が重
なった状態及びその時のエッチング形状を説明するため
の図。
なった状態及びその時のエッチング形状を説明するため
の図。
２１ エッチングマスク ２２ 方形パターン ２４ シリコンウェハ ２５ 溝 ２６ 方形台状部 ３１ 正方形パターン
Claims (2)
- 【請求項１】 ホトエッチングにより、シリコンウェハ
の｛１００｝面に各辺がそのシリコンウェハの｛１１
０｝面と平行な方形枠状の溝を形成し、その溝で囲まれ
た方形台状部を作成する方法におけるアンダーエッチン
グの補正方法であって、 上記シリコンウェハに、上記方形台状部と対応する方形
パターンを有し、かつその方形パターンの各頂点にその
頂点を中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの２倍とさ
れ、各辺が上記シリコンウェハの｛１００｝面と平行と
された正方形パターンが付加されたエッチングマスクを
形成し、 そのエッチングマスクによって上記シリコンウェハを選
択エッチングすることを特徴とするアンダーエッチング
の補正方法。 - 【請求項２】 シリコンウェハの｛１００｝面に各辺が
そのシリコンウェハの｛１１０｝面と平行な方形枠状の
溝を形成し、その溝で囲まれた方形台状部を作成するホ
トエッチングに用いる露光用のマスクであって、 上記方形台状部に対応する方形パターンの各頂点に、そ
の頂点を中心とし、一辺の長さが上記溝の深さの２倍と
され、各辺が上記シリコンウェハの｛１００｝面と平行
とされた正方形状のパターンが付加されていることを特
徴とするアンダーエッチング補正マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992895A JP3950488B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14992895A JP3950488B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097997A true JPH097997A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3950488B2 JP3950488B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=15485642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14992895A Expired - Lifetime JP3950488B2 (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | アンダーエッチング補正方法及びアンダーエッチング補正マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3950488B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
| JP2013122487A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 金属格子の製造方法、金属格子およびｘ線撮像装置 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP14992895A patent/JP3950488B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
| JP2013122487A (ja) * | 2011-12-09 | 2013-06-20 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 金属格子の製造方法、金属格子およびｘ線撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3950488B2 (ja) | 2007-08-01 |
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