JPH0980134A - コルピッツ発振器型磁気センサ - Google Patents
コルピッツ発振器型磁気センサInfo
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- JPH0980134A JPH0980134A JP23134095A JP23134095A JPH0980134A JP H0980134 A JPH0980134 A JP H0980134A JP 23134095 A JP23134095 A JP 23134095A JP 23134095 A JP23134095 A JP 23134095A JP H0980134 A JPH0980134 A JP H0980134A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コルピッツ発振器型磁気センサにおいて、入力
電圧の変動及びアモルファス磁性体インピーダンスのば
らつきがあっても、安定的な発振を可能とする。 【解決手段】アモルファス磁性体１と直列にインダクタ
Ｌα１２を配置する。アモルファス磁性体を抵抗Ｒｗと
インダクタＬｗとが直列に接続されている素子とみなし
たとき、次式（１）を満足するように上記インダクタは
配置される。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ
（１） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
電圧の変動及びアモルファス磁性体インピーダンスのば
らつきがあっても、安定的な発振を可能とする。 【解決手段】アモルファス磁性体１と直列にインダクタ
Ｌα１２を配置する。アモルファス磁性体を抵抗Ｒｗと
インダクタＬｗとが直列に接続されている素子とみなし
たとき、次式（１）を満足するように上記インダクタは
配置される。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ
（１） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファス磁性
体ワイヤ、アモルファス磁性体リボン、アモルファス磁
性体膜等で構成されるアモルファス磁性体をコルピッツ
発振器のインダクタンス部に挿入したコルピッツ発振器
型磁気センサの改良に関する。ここに、コルピッツ発振
器とは、並列同調回路のコンデンサを２個直列に配置し
電圧分割を行う形式の発振器をいう。
体ワイヤ、アモルファス磁性体リボン、アモルファス磁
性体膜等で構成されるアモルファス磁性体をコルピッツ
発振器のインダクタンス部に挿入したコルピッツ発振器
型磁気センサの改良に関する。ここに、コルピッツ発振
器とは、並列同調回路のコンデンサを２個直列に配置し
電圧分割を行う形式の発振器をいう。
【０００２】
【従来の技術】図４に従来のコルピッツ発振器型磁気セ
ンサを示す。アモルファス磁性体ワイヤ１は、その一方
の側において抵抗器２を介して電源Ｖｃｃと直列に接続
されている。さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１は、
他方の側においてコンデンサ３を介してアースされてい
る。さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１にはトランジ
スタ４のベースが接続されている。トランジスタ４のエ
ミッタは抵抗器５を介してアースされており、トランジ
スタ４のコレクタは抵抗器２を介して電源Ｖｃｃに接続
されている。アモルファス磁性体ワイヤ１には、バイア
ス磁界を与えるコイル６が巻回されており、コイル６
は、その一方の側において、バイアス磁界の大きさを調
整する抵抗器７を介して電源Ｖｃｃに接続し、他方の側
においてアースされている。また、アモルファス磁性体
ワイヤ１には、コンデンサ８が接続されている。
ンサを示す。アモルファス磁性体ワイヤ１は、その一方
の側において抵抗器２を介して電源Ｖｃｃと直列に接続
されている。さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１は、
他方の側においてコンデンサ３を介してアースされてい
る。さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１にはトランジ
スタ４のベースが接続されている。トランジスタ４のエ
ミッタは抵抗器５を介してアースされており、トランジ
スタ４のコレクタは抵抗器２を介して電源Ｖｃｃに接続
されている。アモルファス磁性体ワイヤ１には、バイア
ス磁界を与えるコイル６が巻回されており、コイル６
は、その一方の側において、バイアス磁界の大きさを調
整する抵抗器７を介して電源Ｖｃｃに接続し、他方の側
においてアースされている。また、アモルファス磁性体
ワイヤ１には、コンデンサ８が接続されている。
【０００３】発振部は、アモルファス磁性体ワイヤ１、
抵抗器２、コンデンサ３、トランジスタ４、抵抗器５及
びコンデンサ８から構成されており、インダクタンス部
はアモルファス磁性体ワイヤ１で構成されている。発振
部は抵抗器２によって電源Ｖｃｃから交流的に分離され
ている。発振部はアモルファス磁性体ワイヤ１、コンデ
ンサ３，８との共振により発振し、発振信号Ｖosc を発
生させる。この発振信号Ｖosc は、発振部と接続してい
る直流変換（検波・ＬＰＦ）回路９に入り、その後、増
幅回路１０に入力され、端子１１から磁気センサとして
の出力が発信される。バイアス磁界は抵抗器７とコイル
６とにより印加される。
抵抗器２、コンデンサ３、トランジスタ４、抵抗器５及
びコンデンサ８から構成されており、インダクタンス部
はアモルファス磁性体ワイヤ１で構成されている。発振
部は抵抗器２によって電源Ｖｃｃから交流的に分離され
ている。発振部はアモルファス磁性体ワイヤ１、コンデ
ンサ３，８との共振により発振し、発振信号Ｖosc を発
生させる。この発振信号Ｖosc は、発振部と接続してい
る直流変換（検波・ＬＰＦ）回路９に入り、その後、増
幅回路１０に入力され、端子１１から磁気センサとして
の出力が発信される。バイアス磁界は抵抗器７とコイル
６とにより印加される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のコ
ルピッツ発振器型磁気センサは、アモルファス磁性体ワ
イヤ１をコルピッツ発振器のインダクタンス部に挿入し
た構造になっている。アモルファス磁性体ワイヤ１は、
磁界によって、その抵抗とインダクタンスとを変化させ
る性質を有する。このため、発振部の振幅が磁界に応じ
て変化する。この振幅の変化を直流変換し、増幅するこ
とによって、磁気センサとして用いることができる。
ルピッツ発振器型磁気センサは、アモルファス磁性体ワ
イヤ１をコルピッツ発振器のインダクタンス部に挿入し
た構造になっている。アモルファス磁性体ワイヤ１は、
磁界によって、その抵抗とインダクタンスとを変化させ
る性質を有する。このため、発振部の振幅が磁界に応じ
て変化する。この振幅の変化を直流変換し、増幅するこ
とによって、磁気センサとして用いることができる。
【０００５】この従来のコルピッツ発振器型磁気センサ
では、入力電圧が０．１ボルト程度変動すると、発振が
停止するという問題があった。また、インダクタンス部
に挿入するアモルファス磁性体ワイヤによっては、全く
発振しない場合もある。すなわち、従来のコルピッツ発
振器型磁気センサは安定した発振を行うことができない
という問題を有していた。
では、入力電圧が０．１ボルト程度変動すると、発振が
停止するという問題があった。また、インダクタンス部
に挿入するアモルファス磁性体ワイヤによっては、全く
発振しない場合もある。すなわち、従来のコルピッツ発
振器型磁気センサは安定した発振を行うことができない
という問題を有していた。
【０００６】本発明は、このような従来のコルピッツ発
振器型磁気センサの問題点に鑑みてなされたものであ
り、入力電圧の変動及びアモルファス磁性体ワイヤのイ
ンピーダンスにばらつきがあっても、安定的に発振を行
うことができるコルピッツ発振器型磁気センサを提供す
ることを目的とする。
振器型磁気センサの問題点に鑑みてなされたものであ
り、入力電圧の変動及びアモルファス磁性体ワイヤのイ
ンピーダンスにばらつきがあっても、安定的に発振を行
うことができるコルピッツ発振器型磁気センサを提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明に係るコルピッツ発振器型磁気センサは、ア
モルファス磁性体をコルピッツ発振器のインダクタンス
部に挿入したコルピッツ発振器型磁気センサにおいて、
アモルファス磁性体と直列にインダクタＬαを配置した
ことを特徴とする。
め、本発明に係るコルピッツ発振器型磁気センサは、ア
モルファス磁性体をコルピッツ発振器のインダクタンス
部に挿入したコルピッツ発振器型磁気センサにおいて、
アモルファス磁性体と直列にインダクタＬαを配置した
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明の好ましい実施態様において
は、アモルファス磁性体を抵抗ＲｗとインダクタＬｗと
が直列に接続されている素子とみなしたとき、下記の安
定発振条件式（１）を満足するように前記インダクタＬ
αを配置したことを特徴とする。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （１） （１）式において、 Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数 である。
は、アモルファス磁性体を抵抗ＲｗとインダクタＬｗと
が直列に接続されている素子とみなしたとき、下記の安
定発振条件式（１）を満足するように前記インダクタＬ
αを配置したことを特徴とする。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （１） （１）式において、 Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数 である。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に本発明に係るコルピッツ発
振器型磁気センサの一実施形態を示す。アモルファス磁
性体ワイヤ１は、その一方の側において抵抗器２を介し
て電源Ｖｃｃと直列に接続されている。さらに、アモル
ファス磁性体ワイヤ１は、他方の側においてインダクタ
Ｌα１２及びコンデンサ３を介してアースされている。
さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１は、インダクタＬ
α１２を介してトランジスタ４のベースに接続されてい
る。トランジスタ４のエミッタは抵抗器５を介してアー
スされており、トランジスタ４のコレクタは抵抗器２を
介して電源Ｖｃｃに接続されている。
振器型磁気センサの一実施形態を示す。アモルファス磁
性体ワイヤ１は、その一方の側において抵抗器２を介し
て電源Ｖｃｃと直列に接続されている。さらに、アモル
ファス磁性体ワイヤ１は、他方の側においてインダクタ
Ｌα１２及びコンデンサ３を介してアースされている。
さらに、アモルファス磁性体ワイヤ１は、インダクタＬ
α１２を介してトランジスタ４のベースに接続されてい
る。トランジスタ４のエミッタは抵抗器５を介してアー
スされており、トランジスタ４のコレクタは抵抗器２を
介して電源Ｖｃｃに接続されている。
【００１０】アモルファス磁性体ワイヤ１には、バイア
ス磁界を与えるコイル６が巻回されており、コイル６
は、その一方の側において、バイアス磁界の大きさを調
整する抵抗器７を介して電源Ｖｃｃに接続し、他方の側
においてアースされている。また、アモルファス磁性体
ワイヤ１には、コンデンサ８が接続されている。
ス磁界を与えるコイル６が巻回されており、コイル６
は、その一方の側において、バイアス磁界の大きさを調
整する抵抗器７を介して電源Ｖｃｃに接続し、他方の側
においてアースされている。また、アモルファス磁性体
ワイヤ１には、コンデンサ８が接続されている。
【００１１】発振部は、アモルファス磁性体ワイヤ１、
インダクタＬα１２，抵抗器２、コンデンサ３、トラン
ジスタ４、抵抗器５及びコンデンサ８から構成されてお
り、インダクタンス部はアモルファス磁性体ワイヤ１と
インダクタＬα１２から構成されている。発振部はアモ
ルファス磁性体ワイヤ１、インダクタＬα１２とコンデ
ンサ３，８との共振により発振し、Ｖosc の発振信号を
発生させる。この発振信号Ｖosc は、発振部と接続して
いる直流変換（検波・ＬＰＦ）回路９に入り、その後、
増幅回路１０に入力され、端子１１から磁気センサとし
ての出力が発信される。バイアス磁界は抵抗器７とコイ
ル６とにより印加される。
インダクタＬα１２，抵抗器２、コンデンサ３、トラン
ジスタ４、抵抗器５及びコンデンサ８から構成されてお
り、インダクタンス部はアモルファス磁性体ワイヤ１と
インダクタＬα１２から構成されている。発振部はアモ
ルファス磁性体ワイヤ１、インダクタＬα１２とコンデ
ンサ３，８との共振により発振し、Ｖosc の発振信号を
発生させる。この発振信号Ｖosc は、発振部と接続して
いる直流変換（検波・ＬＰＦ）回路９に入り、その後、
増幅回路１０に入力され、端子１１から磁気センサとし
ての出力が発信される。バイアス磁界は抵抗器７とコイ
ル６とにより印加される。
【００１２】すなわち、本実施形態に係るコルピッツ発
振器型磁気センサは、従来のコルピッツ発振器型磁気セ
ンサ（図４）と比較して、インダクタＬα１２がアモル
ファス磁性体ワイヤ１に直列に挿入されている点が異な
っている。
振器型磁気センサは、従来のコルピッツ発振器型磁気セ
ンサ（図４）と比較して、インダクタＬα１２がアモル
ファス磁性体ワイヤ１に直列に挿入されている点が異な
っている。
【００１３】以上のように構成されている本実施形態に
係るコルピッツ発振器型磁気センサは次のように作用す
る。図２は、高周波電源からアモルファス磁性体ワイヤ
１の両端に高周波電流を通電し、アモルファス磁性体ワ
イヤ１の長手方向にヘルムホルツコイルで磁界を印加す
ることにより求めたワイヤインピーダンスの外部磁界依
存特性を表すグラフである。図２からわかるように、磁
界の大きさによってアモルファス磁性体ワイヤ１の抵抗
とリアクタンスが変化している。測定は、組成が(Fe6Co
94)72.5Si12. 5B15、直径が５０μｍ、有効長さ（アモル
ファス磁性体ワイヤを半田付けしている電極間の長さ）
が５ｍｍのアモルファス磁性体ワイヤ１を用いて行っ
た。アモルファス磁性体ワイヤの他に、アモルファス磁
性体リボン、アモルファス磁性体膜等を用いることもで
きる。また、アモルファス磁性体ワイヤの寸法はそのイ
ンピーダンスとの関係において決定される。
係るコルピッツ発振器型磁気センサは次のように作用す
る。図２は、高周波電源からアモルファス磁性体ワイヤ
１の両端に高周波電流を通電し、アモルファス磁性体ワ
イヤ１の長手方向にヘルムホルツコイルで磁界を印加す
ることにより求めたワイヤインピーダンスの外部磁界依
存特性を表すグラフである。図２からわかるように、磁
界の大きさによってアモルファス磁性体ワイヤ１の抵抗
とリアクタンスが変化している。測定は、組成が(Fe6Co
94)72.5Si12. 5B15、直径が５０μｍ、有効長さ（アモル
ファス磁性体ワイヤを半田付けしている電極間の長さ）
が５ｍｍのアモルファス磁性体ワイヤ１を用いて行っ
た。アモルファス磁性体ワイヤの他に、アモルファス磁
性体リボン、アモルファス磁性体膜等を用いることもで
きる。また、アモルファス磁性体ワイヤの寸法はそのイ
ンピーダンスとの関係において決定される。
【００１４】図２の特性を有するアモルファス磁性体ワ
イヤ１を図４に示した従来のコルピッツ発振器型磁気セ
ンサに用いた場合、電源電圧の大きさにかかわらず、発
振は起こらなかった。この理由は次の通りである。
イヤ１を図４に示した従来のコルピッツ発振器型磁気セ
ンサに用いた場合、電源電圧の大きさにかかわらず、発
振は起こらなかった。この理由は次の通りである。
【００１５】アモルファス磁性体ワイヤを抵抗とインダ
クタンスとが直列に接続されている素子とみなした場
合、図４に示したコルピッツ発振器型磁気センサの安定
発振条件は次式（２）で求められる。 （ωＬｗ）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （２） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
クタンスとが直列に接続されている素子とみなした場
合、図４に示したコルピッツ発振器型磁気センサの安定
発振条件は次式（２）で求められる。 （ωＬｗ）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （２） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
【００１６】従来のコルピッツ発振器型磁気センサにお
いて発振が全く起こらなかったのは、図２の特性を有す
るアモルファス磁性体ワイヤでは、抵抗がリアクタンス
よりも大きくなっており、上式（２）で示される安定発
振条件を満足しないからである。コルピッツ発振器型磁
気センサに使用されるアモルファス磁性体ワイヤでは、
抵抗分がリアクタンスよりも大きい場合がほとんどであ
り、図４に示したようなコルピッツ発振器型磁気センサ
の構成では安定的に発振を行わせることが極めて難し
い。
いて発振が全く起こらなかったのは、図２の特性を有す
るアモルファス磁性体ワイヤでは、抵抗がリアクタンス
よりも大きくなっており、上式（２）で示される安定発
振条件を満足しないからである。コルピッツ発振器型磁
気センサに使用されるアモルファス磁性体ワイヤでは、
抵抗分がリアクタンスよりも大きい場合がほとんどであ
り、図４に示したようなコルピッツ発振器型磁気センサ
の構成では安定的に発振を行わせることが極めて難し
い。
【００１７】このため、本発明に係るコルピッツ発振器
型磁気センサにおいては、図１に示した実施形態のよう
に、インダクタンスＬα１２をアモルファス磁性体ワイ
ヤ１と直列に挿入し、リアクタンスを増加させることに
より、安定的に発振を行わせている。本発明に係るコル
ピッツ発振器型磁気センサの発振条件は次式（１）で表
される。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （１） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
型磁気センサにおいては、図１に示した実施形態のよう
に、インダクタンスＬα１２をアモルファス磁性体ワイ
ヤ１と直列に挿入し、リアクタンスを増加させることに
より、安定的に発振を行わせている。本発明に係るコル
ピッツ発振器型磁気センサの発振条件は次式（１）で表
される。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （１） Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数
【００１８】このように、インダクタＬα１２の値を適
当に選択することによって、上式（１）で表される安定
発振条件を満足させることができるようになり、安定し
た発振を行うことができる。
当に選択することによって、上式（１）で表される安定
発振条件を満足させることができるようになり、安定し
た発振を行うことができる。
【００１９】実施例 以下、本発明に係るコルピッツ発振器型磁気センサにつ
いて行った実験の結果を述べる。アモルファス磁性体ワ
イヤ１としては、組成が(Fe6Co94)72.5Si12.5B15、磁歪
定数λS ＝−１０-7、直径が５０μｍ、有効長さが５ｍ
ｍのものを用いた。コイル６は、巻き数１００ターン、
コイル径５ｍｍのものを用い、約３〔Ｏｅ〕の磁界を発
生させるように抵抗器７の抵抗値を定めた。抵抗器２，
５の値は、各々３００Ω，２２Ωとし、コンデンサ３，
８の値は各々１５０ｐＦ，５１ｐＦとした。トランジス
タ４には、高い周波数でも使用できる２ＳＣ２０２６を
用いた。インダクタＬα１２は、前述の発振条件式
（１）を満足するものを用いた。
いて行った実験の結果を述べる。アモルファス磁性体ワ
イヤ１としては、組成が(Fe6Co94)72.5Si12.5B15、磁歪
定数λS ＝−１０-7、直径が５０μｍ、有効長さが５ｍ
ｍのものを用いた。コイル６は、巻き数１００ターン、
コイル径５ｍｍのものを用い、約３〔Ｏｅ〕の磁界を発
生させるように抵抗器７の抵抗値を定めた。抵抗器２，
５の値は、各々３００Ω，２２Ωとし、コンデンサ３，
８の値は各々１５０ｐＦ，５１ｐＦとした。トランジス
タ４には、高い周波数でも使用できる２ＳＣ２０２６を
用いた。インダクタＬα１２は、前述の発振条件式
（１）を満足するものを用いた。
【００２０】図２の結果より、アモルファス磁性体ワイ
ヤのリアクタンスωＬｗ＝１８Ω、抵抗Ｒｗ＝４０Ω、
Ａ＝１５００Ωとすると、発振条件式（１）の右辺は６
１６００となる。インダクタＬα１２を３．５μＨのイ
ンダクタとすることにより、 リアクタンスωＬα＝２π×１４ＭＨｚ×３．５μＨ＝
３０８Ω となり、発振条件式（１）の左辺＝１０６２７６とな
る。すなわち、発振条件式（１）の左辺の値が右辺の値
よりも大きくなり、安定した発振を行うことができるよ
うになった。この発振信号を直流変換回路９に入力し、
増幅回路１０で増幅することにより、センサ出力が得ら
れる。
ヤのリアクタンスωＬｗ＝１８Ω、抵抗Ｒｗ＝４０Ω、
Ａ＝１５００Ωとすると、発振条件式（１）の右辺は６
１６００となる。インダクタＬα１２を３．５μＨのイ
ンダクタとすることにより、 リアクタンスωＬα＝２π×１４ＭＨｚ×３．５μＨ＝
３０８Ω となり、発振条件式（１）の左辺＝１０６２７６とな
る。すなわち、発振条件式（１）の左辺の値が右辺の値
よりも大きくなり、安定した発振を行うことができるよ
うになった。この発振信号を直流変換回路９に入力し、
増幅回路１０で増幅することにより、センサ出力が得ら
れる。
【００２１】このセンサ出力の磁界特性を求めた結果を
図３に示す。−１〔Ｏｅ〕〜２〔Ｏｅ〕の範囲での磁界
の向きと大きさとを求めることができた。この磁界範囲
は、バイアス磁界をさらに印加することにより広げるこ
とができる。また、アモルファス磁性体ワイヤ１にバイ
アスコイルと同じようにフィードバックコイルを巻き、
二重コイル構造とし、センサ出力をフィードバックコイ
ルで磁界としてフィードバックすることにより、磁界検
出可能な範囲はさらに広がり、直線性も向上する。
図３に示す。−１〔Ｏｅ〕〜２〔Ｏｅ〕の範囲での磁界
の向きと大きさとを求めることができた。この磁界範囲
は、バイアス磁界をさらに印加することにより広げるこ
とができる。また、アモルファス磁性体ワイヤ１にバイ
アスコイルと同じようにフィードバックコイルを巻き、
二重コイル構造とし、センサ出力をフィードバックコイ
ルで磁界としてフィードバックすることにより、磁界検
出可能な範囲はさらに広がり、直線性も向上する。
【００２２】また、本発明に係るコルピッツ発振器型磁
気センサを数十台試作し、安定的に発振するか否かの実
験を行ったところ、全てのセンサにおいて安定的な発振
を確認した。この結果から、本発明に係るコルピッツ発
振器型磁気センサは従来のセンサにおいて問題とされて
いた発振の停止を完全に解決したものと結論することが
できる。
気センサを数十台試作し、安定的に発振するか否かの実
験を行ったところ、全てのセンサにおいて安定的な発振
を確認した。この結果から、本発明に係るコルピッツ発
振器型磁気センサは従来のセンサにおいて問題とされて
いた発振の停止を完全に解決したものと結論することが
できる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るコルピッツ
発振器型磁気センサによれば、発振の停止という従来の
センサにおける問題を解決することができ、入力電圧が
数ボルト変動しても、あるいは、アモルファス磁性体を
変えた場合でも、安定的な発振を確保することができ
る。
発振器型磁気センサによれば、発振の停止という従来の
センサにおける問題を解決することができ、入力電圧が
数ボルト変動しても、あるいは、アモルファス磁性体を
変えた場合でも、安定的な発振を確保することができ
る。
【００２４】また、本発明に係るコルピッツ発振器型磁
気センサによれば、全てのセンサが安定的に発振するこ
とが可能になるので、コルピッツ発振器型磁気センサの
量産も可能である。
気センサによれば、全てのセンサが安定的に発振するこ
とが可能になるので、コルピッツ発振器型磁気センサの
量産も可能である。
【図１】本発明に係るコルピッツ発振器型磁気センサの
一実施形態の回路図である。
一実施形態の回路図である。
【図２】アモルファス磁性体ワイヤインピーダンスの磁
界特性の一例を示すグラフである。
界特性の一例を示すグラフである。
【図３】本発明に係るコルピッツ発振器型磁気センサの
出力の磁界特性を示すグラフである。
出力の磁界特性を示すグラフである。
【図４】従来のコルピッツ発振器型磁気センサの構造を
示す回路図である。
示す回路図である。
１ アモルファス磁性体ワイヤ ２ 抵抗器 ３ コンデンサ ４ トランジスタ ５ 抵抗器 ６ コイル ７ 抵抗器 ８ コンデンサ ９ 直流変換回路 １０ 増幅回路 １１ 端子 １２ インダクタ
Claims (2)
- 【請求項１】 アモルファス磁性体をコルピッツ発振器
のインダクタンス部に挿入したコルピッツ発振器型磁気
センサにおいて、アモルファス磁性体と直列にインダク
タＬαを配置したことを特徴とするコルピッツ発振器型
磁気センサ。 - 【請求項２】 アモルファス磁性体を抵抗Ｒｗとインダ
クタＬｗとが直列に接続されている素子とみなしたと
き、下記の安定発振条件式（１）を満足するように前記
インダクタＬαを配置したことを特徴とする請求項１に
記載のコルピッツ発振器型磁気センサ。 （ωＬｗ＋ωＬα）2 ＞ Ｒｗ2 ＋ＡＲｗ （１） （１）式において、 Ａ＝Ｒｐ・ｈie／Ｒｐ＋ｈie ｈie：トランジスタの入力抵抗 Ｒｐ：ｈieと並列に入る抵抗全ての合成抵抗 ω：発振時の角周波数 である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134095A JPH0980134A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コルピッツ発振器型磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23134095A JPH0980134A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コルピッツ発振器型磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980134A true JPH0980134A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16922105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23134095A Pending JPH0980134A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コルピッツ発振器型磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0980134A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183889B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-02-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance element, and magnetic head, thin film magnetic head, azimuth sensor and autocanceler using the same |
| US6975110B2 (en) | 2003-04-23 | 2005-12-13 | Keio University | Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems |
| JP2022073519A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 磁気センサ |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP23134095A patent/JPH0980134A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6183889B1 (en) | 1997-08-28 | 2001-02-06 | Alps Electric Co., Ltd. | Magneto-impedance element, and magnetic head, thin film magnetic head, azimuth sensor and autocanceler using the same |
| US6975110B2 (en) | 2003-04-23 | 2005-12-13 | Keio University | Magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect, method for driving magnetic sensor utilizing magnetoresistance effect and magnetic recording systems |
| JP2022073519A (ja) * | 2020-11-02 | 2022-05-17 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 磁気センサ |
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