JPH098083A - 半導体集積回路用フィルムキャリヤ - Google Patents

半導体集積回路用フィルムキャリヤ

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JPH098083A
JPH098083A JP15577595A JP15577595A JPH098083A JP H098083 A JPH098083 A JP H098083A JP 15577595 A JP15577595 A JP 15577595A JP 15577595 A JP15577595 A JP 15577595A JP H098083 A JPH098083 A JP H098083A
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JP
Japan
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film
pattern
insulating substrate
film carrier
present
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Withdrawn
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JP15577595A
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English (en)
Inventor
Hirosaku Nagasawa
啓作 長沢
Shigemitsu Muraoka
重光 村岡
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁基板として薄いフィルムを用いながら平
面性に優れた半導体実装用フィルムキャリヤを提供する
ことにある。 【構成】 厚みが40μm以下であるフィルムを絶縁基
板とし、そのフィルムの片面に接着された金属層よりな
る配線パターン、および各配線パターン間及び/又はデ
バイスホ−ルを長さ方向に分断したフィルム上にフィル
ムの幅方向に少なくともその幅の80%以上にわたる補
強用パターンが設けられていることを特徴とする半導体
集積回路用フィルムキャリヤ。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路(以下、
ICと称する)用フィルムキャリヤに関するものであ
り、更に詳しくは絶縁基板フィルムに薄膜を用いたフィ
ルムキャリヤに関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICの実装方法の一つであるフィルムキ
ャリヤ法は、特公昭47−3206号公報、日刊工業新
聞社発行「電子技術」第16巻 第11号 93〜97
(1974)、日経マグロウヒル発行「日経エレクトロ
ニクス」1974年8月12日号 121〜136頁、
日経マグロウヒル発行「日経エレクトロニクス」197
1年6月6日号 60〜67頁等にその基本技術が示さ
れており、これらは例えばMini−Mod方式(米国
ゼネラルエレクトリック社の商標)、チップキャリヤ方
式、テープオートメーテッドボンディング(TAB)方
式などと呼ばれており、これらの方式により、生産性の
向上、製造費の削減などを図ることができる。
【0003】従来のフィルムキャリヤとしては、基板の
素材として50μm以上の厚みのポリイミドフィルム、
ポリエステルフィルム、エポキシ樹脂含浸ガラスシート
などを用い、これらの長尺シートに銅箔を接着し、パタ
ーンエッチングしたものが一般的に用いられている。フ
ィルムキャリヤは、LCDのドライバーICの実装用、
多ピンLSIチップであるゲートアレイのTABパッケ
ージ、サーマルヘッド等、多ピン、薄型の用途で広く使
われている。
【0004】フィルムキャリヤに対する要求も更なるフ
ァインピッチ化、コストダウンがあり、絶縁基板も熱膨
張係数の低い芳香族ポリアミド(以下、アラミドとい
う)フィルムなどの提案があり、またアラミドフィルム
の優れた機械的特性からより薄いフィルムを絶縁基板に
用いることが試みられている。LCD用途においては、
ICの形状を細い長方形とし、インナーリードおよびア
ウターリードをその両側に平行に出した、いわゆるスリ
ムTABが液晶パネルの外寸法を小型化する上で行われ
ている。しかし、上記の如く薄いフィルムを絶縁基板と
した場合、フィルムキャリヤの平面性が損なわれること
が判明した。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、絶縁
基板として薄いフィルムを用いながら平面性に優れた半
導体実装用フィルムキャリヤを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために鋭意研究した結果、平面性を損ねてい
る原因が接着剤の硬化収縮によるものであることを究明
し、これを克服する方策を更に詳しく検討して本発明に
至ったものである。即ち本発明の目的は、厚みが40μ
m以下であるフィルムを絶縁基板とし、そのフィルムの
片面に接着された金属層よりなる配線パターンが設けら
れており、かつ各配線パターン間又は/及びデバイスホ
−ルを長さ方向に分断したフィルム上にフィルムの幅方
向に少なくともその幅の80%以上にわたる補強用パタ
ーンが設けられていることを特徴とする半導体集積回路
用フィルムキャリヤによって達成される。
【0007】
【実施例】本発明の詳細を、具体的にフィルムキャリヤ
の概略図により以下に説明する。図1は従来のフィルム
キャリヤの概略の構成を示すものであり、(イ)から
(ロ)で1配線パターンを形成する。絶縁基板フィルム
1の上に、銅箔などの金属による配線2が設けられてお
り、配線には、ICとの接続に用いられるインナーリー
ド3、入出力回路との接続に用いられるアウターリード
4などの部分が設けられている。絶縁基板フィルムには
スプロケットホール5、デバイスホール6、アウターリ
ードホール7などが設けられている。
【0008】図2は、図1のフィルムキャリヤのA部の
断面図であり、絶縁基板フィルム1上に配線2が接着剤
層8を介して設置されており、接着剤層8の硬化収縮に
よる絶縁基板フィルムとの寸法上の歪みを支えるべき銅
箔が配線2として分断されているため、フィルムキャリ
ヤが変形している。図3は本発明のフィルムキャリヤの
平面の概略を示すものであり、各配線パターンの間に補
強用のパターン(以下補強用パターンと称する)9が設
置されている。図4は図3のフィルムキャリヤのB部の
断面を示すものであり、従来のフィルムキャリヤの断面
を示した図2で見られた変形が、本発明のフィルムキャ
リヤでは補強用パターン9がフィルムキャリヤのほぼ全
幅にわたって連続して設置されており、接着剤層8の硬
化収縮により発生した歪みを支えているため変形が発生
していない。
【0009】図5は、本発明の他の実施態様を示すフィ
ルムキャリヤの平面図である。この例ではデバイスホー
ル6を2分割し、その中央の絶縁基板フィルム10上に
本発明の補強用パターン9’を設置している。この例で
はICが装着されるデバイスホール部分にも補強用パタ
ーンが設置されているため、IC実装に際しフィルムキ
ャリヤの平面性が保たれ、その操作をさらに容易にでき
る。なお、本実施態様において、配線パターン間に設置
された補強用パターン9は省略されることも許される。
【0010】本発明を実施するにおいて、図3および図
5に示した本発明の実施態様で、配線パターン間に設置
された補強用パターン9は、各パターン間の全てに設置
されても、適当な間隔で間引いて設置されてもよい。本
発明に用いられる絶縁基板は厚みが40μm以下のフィ
ルムであり、従来よりも薄いフィルムを用いることで絶
縁基板のコストが低減できる他、フィルムキャリヤの柔
軟性が増し、ICの実装における各種の応用や利点が期
待できる。
【0011】配線を形成する銅箔についても、従来から
用いられる銅または銅を主体とする合金が用いられてよ
い。その厚みについても、配線の密度他の設計上から任
意に選択されてよい。本発明に用いられるフィルムは、
フィルムキャリヤは製造工程や、IC実装時、液晶パネ
ル実装時に加熱されることが多く、好ましくは200℃
での熱収縮率が0.1%以下の耐熱性で表されるフィル
ムである。
【0012】また、フィルムの強度は25kg/mm2
以上、好ましくは30kg/mm2以上であるべきであ
り、フィルムキャリヤ製造工程や、IC実装、液晶パネ
ル実装などの作業時のフィルムの破損を防ぐ上で好まし
い。フィルムの弾性率も、用いられるフィルムの厚みが
従来のものに比べて薄いため、フィルムキャリヤの製
造、実装などの工程で加わる力による無用な変形を防
ぎ、フィルム上に形成された配線の破壊を防止する上
で、600kg/mm2以上、更には800kg/mm2
以上が好ましい。更に、フィルムの伸度は10〜100
%であることが好ましい。
【0013】これらのフィルムの特性は、長尺方向、幅
方向のいずれにおいても満足されるべきである。フィル
ムキャリヤの配線パターンによってはそれらが必ずしも
同じである必要はないが、好ましくはできる限り長尺方
向、幅方向の特性が近い、いわゆるバランスタイプが選
ばれるべきである。本発明に用いられるフィルムは、ポ
リエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート
などのポリエステルフィルムが安価な利点から用いられ
て良いが、上記のより好ましい特性を満足するフィルム
としては、アラミド樹脂やポリイミド樹脂よりなるフィ
ルムの一部のものが使用可能である。
【0014】本発明に用いられるアラミド樹脂として
は、次の構成単位からなる群より選択された単位より実
質的に構成される。 −NH−Ar1−NH− (A) −CO−Ar2−CO− (B) −NH−Ar3−CO− (C) ここでAr1、Ar2、Ar3は少なくとも1個の芳香環
を含み、同一でも異なっていてもよく、これらの代表例
としては下記一般式のものが挙げられる。
【0015】
【化1】
【0016】また、これらの芳香環の環上の水素の一部
が、ハロゲン基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基
などで置換されているものも含む。また、Xは−O−、
−CH2−、−SO2−、−S−、−CO−などである。
特に、全ての芳香環の80モル%以上がパラ位にて結合
されているアラミド樹脂は、本発明に用いられるフィル
ムを製造する上で好ましい。
【0017】本発明に用いられるポリイミド樹脂として
は、ポリマーの繰り返し単位の中に芳香環とイミド基を
それぞれ1個以上含むものであり、下記一般式(1)又
は(2)の一般式で表されるものである。
【0018】
【化2】
【0019】ここでAr4及びAr6は少なくとも1個の
芳香環を含み、イミド環を形成する2個のカルボニル基
は芳香環上の隣接する炭素原子に結合している。このA
4は、芳香族テトラカルボン酸またはその無水物に由
来する。代表例としては、下記一般式で表されるものが
ある。ここでYは、−O−、−CO−、−CH2−、−
S−、−SO2−などである。
【0020】
【化3】
【0021】また、上記(2)のAr6は無水トリカル
ボン酸、あるいはそのハライドに由来する。(1)及び
(2)のAr5、Ar7は、少なくとも1個の芳香環を含
み、芳香族ジアミン、芳香族イソシアネートに由来す
る。Ar5またはAr7の代表例としては下記一般式で表
されるものがある。
【0022】
【化4】
【0023】ここで、これらの芳香環の環上の水素の一
部が、ハロゲン基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ
基などで置換されているものも含む。Zは、−O−、−
CH 2−、−S−、−SO2−、−CO−などである。特
に、Ar5、Ar7の80%以上がパラ位に結合された芳
香環であるポリイミド樹脂が、本発明に用いられるフィ
ルムを製造する上で好ましい。
【0024】また、本発明のアラミド樹脂またはポリイ
ミド樹脂には、フィルムの物性を損ねたり、本発明の目
的に反しない限り、滑剤、酸化防止剤、その他の添加剤
などや、他のポリマーが含まれていてもよい。本発明の
フィルムの製造法については、特に限定されるものでは
なく、それぞれの樹脂に適した製造法が取られてよい。
【0025】まずアラミド樹脂については、有機溶剤可
溶のものでは、直接溶剤中で重合するか、一旦ポリマー
を単離した後再溶解するなどして溶液とし、ついで乾式
法または湿式法にて製膜される。また、ポリパラフェニ
レンテレフタルアミド(以下、PPTAと称する)等の
有機溶剤に難溶のものについては、濃硫酸などに溶解し
て溶液とし、ついで乾湿式法または湿式法にて製膜され
る。
【0026】本発明を実施する上で、アラミド樹脂はア
ミド結合の水との親和性により吸湿による寸法変化が大
きいきらいがあるため、アラミド樹脂フィルムの湿度膨
張係数の制御には特に留意する必要がある。アラミド樹
脂フィルムの湿度膨張係数の制御の方法としては、ポリ
マーの主鎖中にCl基、NO2基などを導入する方法の
他、フィルムを十分熱処理して結晶化を進める方法、フ
ィルムを構成するアラミド分子の末端基のCOOH基へ
の結合金属イオンの種類、量を選択する方法などの方法
が任意に用いられる。
【0027】一方、ポリイミド樹脂については、有機溶
剤中にてテトラカルボン酸無水物と芳香族ジアミンを反
応させて、ポリアミド酸とし、この溶液をそのまま、ま
たは一旦閉環処理してポリイミドとした後再度溶剤に溶
解して溶液を得、それらを乾式法または湿式法にて製膜
される。乾式法では、溶液はダイから押し出され、金属
ドラムやエンドレスベルトなどの支持体上にキャストさ
れ、キャストされた溶液が自己支持性あるフィルムを形
成するまで乾燥またはイミド化反応が進められる。
【0028】湿式法では、溶液はダイから直接凝固液中
に押し出されるか、乾式と同様に金属ドラムまたはエン
ドレスベルト上にキャストされた後、凝固液中に導か
れ、凝固される。ついでこれらのフィルムはフィルム中
の溶剤や無機塩などを洗浄され、延伸、乾燥、熱処理な
どの処理を受ける。
【0029】本発明に用いる基板フィルムには、易滑
剤、染料や顔料などの着色剤、難燃剤、帯電防止剤、酸
化防止剤、その他の改質剤が、それらが本発明の目的に
反しない限り含まれていてもよい。本発明のフィルムキ
ャリヤは上記の耐熱性フィルムなどを基板とし、そのフ
ィルムの片面または両面に銅などの金属層よりなる配線
配線パターンが積層されたものであり、通常、基板フィ
ルムと接着剤を塗布した後、スプロケットホール及び必
要に応じてデバイスホールをパンチングし、金属層をラ
ミネートし、エッチングによってパターニングを行うと
いう通常のプロセスで製造される。金属層としては通常
銅箔が用いられるが、特別なものとして、線膨張率が8
×10-6mm/mm/℃以下の金属である鉄−ニッケル
を主成分とする合金やタンタル、モリブデン等の低線膨
張率の金属等を用いることもでき、特に、PPTAフィ
ルムなどの線膨張率が低い基板フィルムとの組み合せに
おいて、インナーリードとIC実装時の熱膨張が少ない
利点がある。
【0030】基板フィルムと金属との積層は、通常エポ
キシ系等の接着剤を介してなされるが、接着剤に関して
は特に制限するものではない。本発明のフィルムキャリ
ヤは、熱圧着等通常の方法で、ICとインナーリードボ
ンディングされる。また、両面タイプの場合、表側は、
通常の方法で、裏側の配線パターンからはスルーホール
を介して表裏の両面の配線にボンディングすることもで
きる。 (特性の測定法)本発明の特性値の測定法は次の通りで
ある。 (1)フィルムの厚み、強度、伸度、弾性率の測定法 フィルムの厚みは、直径2mmの測定面を持つダイヤル
ゲージで測定する。
【0031】強度、伸度、弾性率は、定速伸長型強伸度
測定機を用い、測定長100mm、引っ張り速度50m
m/分で測定したものである。 (2)熱収縮率の測定法 フィルムから2cm×5cmの試料片を切り出し、4c
mの間隔に刃物で傷をつけて標識とし、予め23℃、5
5%RHの雰囲気下に72時間放置した後、標識間の距
離を読み取り顕微鏡にて測定し、次いで200℃の熱風
式オーブンに2時間拘束することなく放置した後、再度
23℃、55%RHの雰囲気下に72時間放置した後、
標識間の距離を読み取り顕微鏡にて測定して求めた。
【0032】
【参考例】本発明を実施する上で好ましいPPTAフィ
ルムの製造法を以下に示す。なおフィルムの特性は、
(長尺方向の値)−(幅方向の値)の如く表す。濃度9
9.5%の濃硫酸にηinh=6.1のPPTAを60
℃で溶解し、ポリマー濃度12%の原液を調製した。こ
の原液を、60℃に保ったまま、真空下に脱気した。タ
ンクからフィルタを通し、ギアポンプにより送液し、
0.4mm×750mmのスリットを有するTダイか
ら、タンタル製のベルト上にド−プをキャストし、相対
湿度約5%、温度約105℃の空気を吹き付けて、流延
ド−プを光学等方化し、ベルトと共に5℃の水の中に導
いて凝固させた。ついで凝固フィルムをベルトから引き
剥し、約30℃の温水で洗浄し、次に0.5%NaOH
水溶液にて中和し、更に室温の水にて洗浄した後、更に
炭酸ガスを吸収させてpH5.0に調整した水にて処理
した後、再度水洗した。洗浄の終了したフィルムを乾燥
させずに1.01倍縦方向に延伸し、次いで横方向に
1.05倍テンターで延伸した後、200℃で定長乾燥
し、400℃で定長熱処理し、次いで350℃で弛緩熱
処理した後巻取り、厚さ38μm、強度39−38Kg
/mm2、弾性率1020−990Kg/mm2、伸度3
5−36%、熱収縮率0.04−0.04%のフィルム
を得た。
【0033】
【発明の効果】本発明の半導体集積回路用フィルムキャ
リヤによれば、厚みの薄い絶縁基板フィルムを用いても
平面性が保たれるため、従来よりも薄いフィルムを用い
ることで絶縁基板のコストが低減できる他、フィルムキ
ャリヤの柔軟性が増し、ICの実装における各種の応用
や利点が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のフィルムキャリヤの平面の概略を示す図
である
【図2】図1のA部の断面図である。
【図3】本発明のフィルムキャリヤの一例の平面の概略
を示す図である。
【図4】図3のB部の断面図である。
【図5】本発明のフィルムキャリヤの別の例の平面の概
略を示す図である。
【符号の説明】
1 絶縁基板フィルム 2 配線 3 インナーリード 4 アウターリード 5 スプロケットホール 6 デバイスホール 7 アウターリードホール 8 接着剤層 9、9’ 補強用パターン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 厚みが40μm以下であるフィルムを絶
    縁基板とし、そのフィルムの片面に接着された金属層よ
    りなる配線パターンが設けられており、かつ各配線パタ
    ーン間又は/及びデバイスホ−ルを長さ方向に分断した
    フィルム上にフィルムの幅方向に少なくともその幅の8
    0%以上にわたる補強用パターンが設けられていること
    を特徴とする半導体集積回路用フィルムキャリヤ。
  2. 【請求項2】 強度が25kg/mm2以上、弾性率が
    600kg/mm2以上、200℃での熱収縮率が0.
    1%以下、湿度膨張係数が30×10-6以下のフィルム
    であって、その厚みが40μm以下であるフィルムを絶
    縁基板とし、そのフィルムの片面に接着された金属層よ
    りなる配線パターンが設けられており、かつ各配線パタ
    ーン間又は/及びデバイスホ−ルを長さ方向に分断した
    フィルム上ににフィルムの幅方向に少なくともその幅の
    80%以上にわたる補強用パターンが設けられているこ
    とを特徴とする半導体集積回路用フィルムキャリヤ。
JP15577595A 1995-06-22 1995-06-22 半導体集積回路用フィルムキャリヤ Withdrawn JPH098083A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200279983A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-03 Toshiba Hokuto Electronics Corporation Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

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