JPH0982846A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法及びそれに用いるリードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法及びそれに用いるリードフレーム

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JPH0982846A
JPH0982846A JP7260940A JP26094095A JPH0982846A JP H0982846 A JPH0982846 A JP H0982846A JP 7260940 A JP7260940 A JP 7260940A JP 26094095 A JP26094095 A JP 26094095A JP H0982846 A JPH0982846 A JP H0982846A
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JP7260940A
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Hisamitsu Ishikawa
寿光 石川
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップ上にリードフレームのインナー
リードを半導体チップ上に載置する構造（ＬＯＣ）の樹
脂封止型半導体装置においてインナーリードと半導体チ
ップとを接着する接着体を接着時に空隙が生じないよう
にして高信頼性の半導体装置を一般市場に供給し、これ
を用いた機器の信頼性を高める。 【解決手段】 複数の接続電極が主面に形成された半導
体基板１と、インナーリード７とこのインナーリードと
連続的につながるアウターリード６とからなり、このイ
ンナーリードが前記主面に固着された複数のリードと、
前記インナーリードと前記接続電極１０とを電気的に接
続するボンディングワイヤ４と、前記半導体基板、前記
インナーリード、前記ボンディングワイヤとを樹脂封止
する樹脂封止体２とを備え前記インナーリードは、少な
くとも１つの球状の接続体２０によって前記主面に固着
されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、安定した樹脂封止
が可能なＬＯＣ（Lead On Chip) 構造の樹脂封止型半導
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、多ピンもしくは多端子を有するＩ
ＣやＬＳＩなどの半導体装置において半導体素子（半導
体チップ）と外部リードとの間を電気的に接続する手段
としてはワイヤボンディング法とワイヤレスボンディン
グ法が知られている。ワイヤボンディング法は、半導体
チップに形成されたボンディングパッドなどの接続電極
と外部リードとの間をアルミニウム、金などの金属細線
により接続する方法である。接合手段としては熱圧着
法、超音波ボンディング法及びその両方を併用する方法
がある。一方、ワイヤレスボンディング法は、半導体チ
ップ上の全接続電極を特定のバンプや金属リードによっ
て外部端子に１度に接続する方法であり、テープキャリ
ア方式、フリップ半導体チップ方式、ビームリード方式
などが知られている。図１９は、従来のワイヤボンディ
ングにより形成された半導体装置であって樹脂封止体に
より保護されている。このワイヤボンディング法による
樹脂封止型半導体装置は、半導体チップをリードフレー
ムに搭載し、ボンディングワイヤで両者を電気的に接続
し、これらを樹脂封止するように構成されている。
【０００３】Ｆｅ−４２Ｎｉ合金やＣｕなど金属製のリ
ードフレーム３は、ダイパッド５、インナーリード７及
びアウターリード６とを一体に有する。ダイパッド５上
にシリコン半導体などの半導体チップ１が導電性接着剤
８などで接着される。インナーリード７の先端は、半導
体チップ１と対向しており、半導体チップ１とインナー
リード７とはボンディングワイヤ４により接続される。
ボンディングワイヤ４は半導体チップ１の主面に形成さ
れたパッド電極などの接続電極（図示せず）に接続され
る。半導体チップ１、ボンディングワイヤ４、ダイパッ
ド５及びインナーリード７は、エポキシ樹脂などの樹脂
封止体２によって封止されている。図１９に示すように
樹脂封止体内の半導体チップの接続電極とリードフレー
ムを構成するインナーリード先端とは所定の距離で隔て
られている。したがって、樹脂封止体はその距離の分だ
け無駄な空間を有していることになり、この無駄な空間
が半導体装置の小形化の妨げになっている。そこでイン
ナーリードの先端を半導体チップの接続電極が形成され
ている主面上に載せてその無駄な空間を無くし、その分
半導体チップのサイズを大きくできる方法が行われるよ
うになった。これがＬＯＣ構造の半導体装置である。
【０００４】図２０及び図２１を参照して従来技術を用
いたＬＯＣ構造の樹脂封止型半導体装置を説明する。図
２０は、樹脂封止型半導体装置の透過平面図、図２１
は、図２０のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図である。ア
ウターリード６とインナーリード７とを備えたリードフ
レーム３は、接着剤層９によって半導体チップ１に接続
されている。この接着剤層９は、インナーリード７の先
端を半導体チップ１の主面に固着している。接着剤層９
には、例えば、ポリイミドテープなどの電気的に絶縁性
を有する高分子材料が用いられる。半導体チップ１の表
面には、半導体チップ１の内部に形成された集積回路と
外部回路とを電気的に接合するパッド電極１０が形成さ
れている。リードフレーム３のインナーリード７と半導
体チップ１のパッド電極１０とは、その用途により所望
の形でボンディングワイヤ４によって電気的に接続され
ている。その後、半導体チップ１、インナーリード７、
ボンディングワイヤ４、接着剤層９などは、樹脂封止体
２により封止され保護されている。図２１によれば、半
導体チップ１上には多数のリードフレーム３のインナー
リード７が配置されており、そのインナーリード７を半
導体チップ１に接合する接着剤層９は、並列している多
数本のインナーリード７を一括して接合している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術による樹
脂封止型半導体装置においては、半導体チップ１にリー
ドフレームのインナーリード７を接着剤層９を用いて接
合する場合に、半導体チップ１を加熱された金属製のブ
ロックに載置し、既に接着剤層９が貼り付けられたイン
ナーリード７を、数ミクロンの非常に微細な間隙をもっ
て重ね合わせた後、インナーリード７の上方表面から加
熱された金属製ブロックにより加圧し圧着する方法が一
般的である。この場合、インナーリード７の下部に存在
する接着剤層９は、半導体チップ１側とインナーリード
７側とから圧力が加わり、押し潰されるが、隣接するイ
ンナーリード７間に存在する接着剤層９は、加熱するの
みで加圧されることはない。その為、接着剤層９が熱膨
脹すると共に、インナーリード７の下部に存在する接着
剤層９が押し潰されることにより、半導体チップ１表面
と接着剤層９との間に空隙が形成される。半導体チップ
１、インナーリード７、接着剤層９及びボンディングワ
イヤ４等は、樹脂封止体２に封止され保護されるが、前
記半導体チップ１表面と接着剤層９との間に形成された
空隙は樹脂封止内に残る。
【０００６】樹脂封止型半導体装置は、現在殆どは表面
実装型であり、実装工程で加熱される。また、樹脂封止
体は、大気中より水分を吸着し、その内部にまで水分を
含んでおり、その水分は、異なる材料間の界面に集中す
ることも解明されている。前記実装工程の加熱により、
半導体装置中に含まれた水分、特に前記界面に集中した
水分が蒸発し気化することにより膨脹し、樹脂封止体２
に亀裂を発生させたり、半導体チップ１と樹脂封止体２
との界面に剥離を発生せしめ半導体装置の放熱特性を劣
化させるなどの不具合を生じさせることが確認されてい
る。前述のように隣接するインナーリード７間に存在す
る接着剤層９と半導体チップ１表面に空隙が発生した場
合、その空隙が吸湿した水分の蓄積部となり、蓄積した
水分は、やはり、実装の加熱肯定により蒸発・気化し、
不具合を生じせしめる原因となる。また、実装工程で偶
々問題とならなかったとしても半導体装置を利用した機
器の使用環境によっては半導体装置は吸湿し、隣接する
インナーリード７の電気的なリークを引き起こすなどの
不具合を生じせしめることもある。
【０００７】インナーリード７の幅は、リードフレーム
を製作する金属薄板の厚さに依存する。すなわち、イン
ナーリード７の厚さにより、インナーリード７の幅が決
定される。現在、一般的には板厚０．１２５ｍｍが、樹
脂封止型半導体装置に使用される最薄の金属薄板であ
り、従ってインナーリード７の幅も０．１２５ｍｍ、ま
た、端子間隔も０．１２５ｍｍと非常に微細に加工され
ている。現状の技術では、接着剤層９は単一な高分子材
料であり、インナーリード７を形成している金属薄板と
比較して非常に軟質な材料であり、小片に加工すること
は困難である。本発明は、このような事情によりなされ
たものであり、半導体チップ上にリードフレームのイン
ナーリードを半導体チップ上に載置する構造（ＬＯＣ構
造）の樹脂封止型半導体装置において、インナーリード
と半導体チップとを接着する接着体を接着時に空隙が生
じないような構造にすることにより、高信頼性の半導体
装置を一般市場に供給し、その半導体装置を利用した機
器の信頼性を高める樹脂封止型半導体装置を提供する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムを構成するインナーリードの各々に個別に単一の材料
で構成された少なくとも１つの球状の接着体を事前に接
合しておくことに特徴がある。請求項１の発明は、複数
の接続電極が主面に形成された半導体基板と、インナー
リードとこのインナーリードと連続的につながるアウタ
ーリードとからなり、このインナーリードが前記主面に
固着された複数のリードと、前記インナーリードと前記
接続電極とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体基板、前記インナーリード、前記ボンディン
グワイヤとを樹脂封止する樹脂封止体とを備え、前記イ
ンナーリードは、少なくとも１つの球状の接続体によっ
て前記主面に固着されている樹脂封止型半導体装置を特
徴とする。請求項２の発明は、請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置において、前記球状の接続体はシリコン
変性ポリイミド、シリコーン系接着剤、アクリル系接着
剤のいづれかを材料とすることを特徴とする。請求項３
の発明は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記球状の接続体は接着性の高い第１の合成樹脂
からなる外側部材とこの第１の合成樹脂より前記接続体
の接続時の温度における硬度が高い第２の合成樹脂から
なる内側部材とから構成されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３に記載の樹脂封止型半導体
装置において、前記第１の合成樹脂は、シリコン変性ポ
リイミドからなり、前記第２の合成樹脂は、ポリイミド
からなることを特徴とする。
【０００９】請求項５の発明は、インナーリードとこの
インナーリードと連続的につながるアウターリードとか
らなる複数のリードを有するリード部と、前記複数のリ
ードを支持するフレーム部と、前記インナーリードのそ
れぞれに接合された少なくとも１つの球状の接着体とを
備え、前記球状の接着体は、前記インナーリードを半導
体基板に接合させるリードフレームに特徴がある。請求
項６の発明は、請求項５に記載のリードフレームにおい
て、前記球状の接続体は、シリコン変性ポリイミド、シ
リコーン系接着剤、アクリル系接着剤のいづれかを材料
とすることを特徴とする。請求項７の発明は、請求項５
に記載のリードフレームにおいて、前記球状の接続体
は、接着性の高い第１の合成樹脂からなる外側部材とこ
の第１の合成樹脂より前記接続体の接続時の温度におけ
る硬度が高い第２の合成樹脂からなる内側部材とから構
成されていることを特徴とする。請求項８の発明は、請
求項５に記載のリードフレームにおいて、前記第１の合
成樹脂は、シリコン変性ポリイミドからなり、前記第２
の合成樹脂は、ポリイミドからなることを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項７に記載のリードフレームに
おいて、前記インナーリードの前記球状の接続体が接合
される領域には、窪みが形成されていることを特徴とす
る。請求項１０の発明は、請求項５乃至請求項８のいづ
れかに記載のリードフレームにおいて、前記インナーリ
ードの前記球状の接続体が接合される領域は、粗面化さ
れていることを特徴とする。
【００１０】請求項１１の発明は、リードフレームを構
成するインナーリードに少なくとも１つの球状の接着体
を接合する工程と、前記リードフレームを主面に複数の
接続電極が露出している半導体基板に載置する工程と、
前記インナーリードに接合している前記球状の接続体を
前記半導体基板の主面に接触させ、加圧し加熱して前記
インナーリードと前記半導体基板の主面とを接続する工
程と、前記インナーリードと前記接続電極とをボンディ
ングワイヤにより電気的に接続する工程と、前記半導体
基板、前記球状の接続体、前記インナーリード及び前記
ボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを備えている
樹脂封止型半導体装置の製造方法に特徴がある。
【００１１】本発明は、半導体チップ上にリードフレー
ムのインナーリードを半導体チップ上に載置する構造
（ＬＯＣ構造）の樹脂封止型半導体装置において、各イ
ンナーリード毎にこのインナーリードを半導体チップに
固定する少なくとも１つの球状の接着体を独立した形状
で個別に存在させることにより、高信頼性の半導体装置
を一般市場に供給し、その半導体装置を利用した機器の
信頼性を高めることができる。さらに、接着体間にも十
分樹脂が充填されるので樹脂封止体の気密性を高くする
ことができる。また、リードフレームのそれぞれのイン
ナーリード先端部に接合した球状の接着体は、インナー
リードと半導体チップとの接着時に空隙が生じないよう
に両者を接合させることができる。また、インナーリー
ド先端部の球状の接着体は、半導体チップとの接着面が
球状であれば良く、インナーリードとの接合面は平坦で
も良い。したがって、半球状の接着体を用いても良い。
接着体を球状にする接合方法は、選択的に必要な部分に
のみ、接着体を配置することができる非常に有効な技術
である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。まず、図１及至図３を参照して第
１の実施の形態を説明する。図１は、ＬＯＣ構造の樹脂
封止型半導体装置の透過平面図、図２は、図１のＡ−
Ａ′線に沿う部分の断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ′線
に沿う部分の断面図である。半導体チップ１は、アウタ
ーリード６とインナーリード７とを備えたリードフレー
ム３は、例えば、シリコン変性ポリイミドなどの球状の
接着体２０によって半導体チップに接続されている。こ
の接着体２０は、各インナーリード７のそれぞれの先端
を半導体チップ１の主面に固着している。接着体２０に
は、シリコン変性ポリイミドなどの電気的に絶縁性を有
する高分子材料が用いられる。接着体２０は、球状であ
るが、半導体チップ１とインナーリード７とを接続する
際に加熱圧着されるので、接着後は平坦な膜になってい
る。本発明では、前記変性ポリイミド以外に、シリコー
ン系接着剤やアクリル系接着剤なども用いることができ
る。半導体チップ１の前記主面には、半導体チップ１の
内部に形成された集積回路と外部回路とを電気的に接合
する接続電極（パッド電極）１０が複数形成されてい
る。リードフレーム３のインナーリード７と半導体チッ
プ１のパッド電極１０とはその用途により所望の形でボ
ンディングワイヤ４によって電気的に接続されている。
【００１３】その後、半導体チップ１、インナーリード
７、ボンディングワイヤ４、接着体２０などは、樹脂封
止体２により封止され保護されている。半導体チップ１
上には多数のインナーリード７が配置されており、その
インナーリード７を半導体チップ１に接合する多数の接
着体２０は、並列している多数のインナーリード７をそ
れぞれ個別に接合している。半導体チップ１にリードフ
レーム３を接着体２０で接合する場合、半導体チップ１
を加熱された金属製のブロックに設置し、次に、既に接
着体２０が貼り付けられたリードフレーム３を数ミクロ
ンの非常に微細な間隙をもって重ね合わせた後リードフ
レーム３の上方から加熱された金属製ブロックにより加
圧、圧着する方法が一般的にとられる。ＬＯＣ構造の樹
脂封止型半導体装置において、リードフレームと半導体
チップとは、リードフレームが半導体チップ上に外部回
路と接続させるために配置された露出したパッド電極１
０から所定の距離だけ離れて載置されるように接続さ
れ、リードフレーム３とパッド電極１０とはボンディン
グワイヤ４によって接続されている。このように接着体
は、緊密に半導体チップとインナーリードとを接続する
ので、高信頼性の樹脂封止型半導体装置が得られ、さら
に、インナーリード間には接着体が配置されていないの
で、流動樹脂がその間を間隙無く侵入し、気密性の高い
樹脂封止体を形成する。
【００１４】次に、図４乃至図９を参照して前述の樹脂
封止型半導体装置の製造方法について説明する。図４
は、製造工程を示すフローチャート図、図５は、この樹
脂封止型半導体装置に使用するリードフレームの平面
図、図６は、インナーリード接合装置の断面図、図７
は、インナーリードを半導体チップに接合する製造工程
断面図、図８は、ワイヤボンディング工程を説明する半
導体基板の断面図、図９は、樹脂封止体を形成する樹脂
金型の断面図である。図４に示すように、シリコン半導
体などのウェーハを準備し、このウェーハに対して、プ
ロービング作業及びダイシング作業を順次施して半導体
チップを製造する（ウェーハ作成工程）。また、これら
と平行してＣｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ−４２Ｎｉなどの金属
性素材を準備し、この素材に対してフォトパターン作
業、エッチング作業、メッキ作業及び接着体接合作業を
順次施して、球状の接着体を有するリードフレームを製
造する（リードフレーム製造工程）。次に、半導体チッ
プ上にリードフレームを載置し、インナーリードが半導
体チップの所定の位置に配置されるように保持する（リ
ードフレーム搭載工程）。次に、インナーリードを半導
体チップへ接合する（インナーリード接合工程）。次
に、インナーリードと半導体チップのパッド電極間をボ
ンディングワイヤで電気的に接続する（ワイヤボンディ
ング工程）。
【００１５】その後、半導体チップ、インナーリード、
ボンディングワイヤ、接着体等をエポキシ樹脂などの合
成樹脂によりトランスファモールド法などを用いて樹脂
封止する（樹脂封止工程）。その後、外装処理工程、ア
ウターリードフォーム工程が順次施され、このようにし
て図１に示す樹脂封止型半導体装置が製造される。その
後にこの樹脂封止型半導体装置に対して製品検査が行わ
れる。次に、図５乃至図９を参照してリードフレーム搭
載工程から樹脂封止工程までを詳細に説明する。この樹
脂封止型半導体装置に用いられるリードフレーム３は、
例えば、図５に示すようにＦｅ−４２％Ｎｉ合金やＣｕ
などからなる帯状の金属板から構成されている。リード
フレーム３には、インナーリード７とアウターリード６
とからなるリードを複数有するリード部３２と、複数の
リードを支持するフレーム部３１とリードフレームを移
動させる送り孔３３から構成されている。インナーリー
ド７は、インナーリード列が１対向かい合うように配置
されその対向する部分が半導体チップの主面に載置され
るようになっている。
【００１６】インナーリードを半導体チップに接合する
ために、リードフレームと半導体チップとはそれぞれを
保持し、加熱する加熱ボンダーを用いる（図６）。半導
体チップ１は、加熱ボンダーである金属ダイ１１に搭載
され、金属ダイ１１に設けられた真空チャックにより保
持固定されている。シリコン半導体などから構成された
半導体チップ１の主面は、ＳｉＯ2 などの絶縁膜からな
るパッシベーション膜（図示せず）によって保護されて
いる。パッシベーション膜は、半導体基板１上に形成さ
れ、半導体基板内部に形成された集積回路（図示せず）
と電気的に接続されているＡｌなどの金属配線（図示せ
ず）を被覆保護している。金属配線の先端部分にはパッ
ド電極１０が形成されていて、この部分がパッシベーシ
ョン膜から露出している。一方、インナーリード７は、
加熱ボンダーである金属ブロック１２に保持固定されて
いる。金属ダイ１１及び金属ブロック１２は、上下に移
動し、まず、金属ダイ１１を上に移動させて、金属ブロ
ック１２が保持しているインナーリード７の先端部に取
り付けられている接着体２０と半導体チップ１の主面と
の間隔が２〜３μｍ程度まで接近させる。この状態で、
金属ダイ１１及び金属ブロック１２を接着温度まで加熱
する。そして、金属ブロック１２を下へ移動させて接着
体２０を１〜３秒程度加熱し圧着してインナーリード７
を半導体チップ１に固着する（インナーリード接合工
程）。
【００１７】この実施の形態では、接着体２０の材料に
シリコン変性ポリイミドを用いているので、この接着温
度を４２５℃にしている。この材料では接着温度は、２
００〜５００℃が適当である。接着体の材料がシリコー
ン系接着剤なら接着温度は、３００℃程度が適当であ
り、アクリル系接着剤なら２５０℃程度が好ましい。接
着体を先に加熱するためにその両面から加熱する必要が
あり、そのために金属ダイ１１と金属ブロック１２の両
面から均一に加熱するのが好ましい。図７を参照して、
この接着時の接着体の状態を説明する。インナーリード
７に保持された接着体２０の表面は、半導体チップ１に
接触する前は、球状になっている（図７（ａ））。そし
て、接着体２０が半導体チップ１に着地し、表面が平坦
になってくる（図７（ｂ））。接着体２０の最初の表面
状態が球状であるので、半導体チップ１に接触したとき
から次第に平坦になるまで、接着体２０と半導体チップ
１との間の空気は常に外側に押し出され両者の間に止ま
るようなことはない。したがって、両者が完全に接着さ
れたあとの接着体２０は、気泡のない気密で平坦な接着
層になる（図７（ｃ））。
【００１８】次に、半導体チップ１に固着されたインナ
ーリード７の先端部と半導体チップ１の主面上に形成さ
れたパッド電極１０とをＡｕなどの金属細線からなるボ
ンディングワイヤ４で電気的に接続する。ワイヤボンダ
ー１３を移動させながらパッド電極１０からインナーリ
ード７の先端部へボンディングする（図８）。ワイヤボ
ンディングが終了してから半導体チップを樹脂封止する
（図９）。樹脂封止体２は、樹脂金型１４内の上型１５
及び下型１６で構成されるキャビティ内において、例え
ば、トランスファーモールド法により形成される。この
場合の樹脂注入条件は、注入樹脂がエポキシ樹脂からな
り、これは、粘度が１５±５Ｐａ・ｓに流動化されてい
る。注入時間は、約１０±１秒である。金型に付随する
ポット２５に供給された樹脂タブレットは、流動化され
プランジャの下降により、カルを通り、カルからランナ
ーを通ってキャビティ入り口のゲート１７に供給され、
ゲート１７からキャビティ内に供給される。流動樹脂の
流れは、ゲート１７からキャビティに入り込み、キャビ
ティ内を充填し樹脂封止体２を形成する。樹脂封止され
た半導体装置は、後工程を経て製品を完成させる。
【００１９】次に、図１０乃至図１３を参照して球状の
接着体を製造する方法及びこの球状の接着体をリードフ
レームに接合する方法について説明する。図１０は、リ
ードフレームのインナーリードに球状の接着体を接合す
る工程を示す製造工程斜視図である。例えば、ＮＭＰ
（ノルマル・メチル・ピロリロン）などの溶媒を含むシ
リコン変性ポリイミド溶液がタンク（図示せず）に収納
されている。タンクのシリコン変性ポリイミド溶液は、
パイプを介してノズル１８から滴下されるようになって
いる。このシリコン変性ポリイミド溶液をノズル１８か
らインナーリード７に滴下する（図１０（ａ））。ノズ
ル１８から吐出された一滴１９は、インナーリード７の
上に滴下され、表面張力で球状に硬化し、インナーリー
ド７に接合した球状の接着体２０が形成される（図１０
（ｂ））。この球状の接着体２０を強固に接合するため
にインナーリード７の球状の接着体の接続部に処理を施
すことができる。図１１は、この様な処理を施したイン
ナーリードの斜視図及び断面図である。図１１（ａ）に
示すインナーリード７は、球状の接着体が接合される部
分に窪み２１が形成されており、球状の接着体が強固に
接合されるようになっている。図１１（ｂ）に示すイン
ナーリード７は、球状の接着体が接合される部分が粗面
化されている。
【００２０】この粗面化領域２２も球状の接着体を強固
に接合する。図１１（ｃ）に示すインナーリード７は、
球状の接着体が接合される部分に半球状の窪み２３が形
成されている。球状の接着体２０がこの窪み２３に密着
されているので、より強固な接合が可能になる。球状の
接着体の大きさは、インナーリードの幅により定められ
る。０．１２５ｍｍの幅のインナーリードに対して、例
えば、０．１ｍｍ径のようにこれより若干径を小さくし
ておくのが好ましい。０．１２５〜０．１５ｍｍ幅のイ
ンナーリードに対して、０．１〜０．１５ｍｍ径の球状
の接着体を用いるのが良い。図１２は、球状の接着体を
形成してから、この球状の接着体をインナーリードに装
着する方法を説明する断面図及び斜視図である。容器２
４に硬化促進剤もしくは硬化促進溶液２５を満たし、そ
の中にノズル１８から吐出されるシリコン変性ポリイミ
ド溶液１９を滴下すると、シリコン変性ポリイミド溶液
１９は表面張力により球状に固まって、接着体２０が形
成される（図１２（ａ））。次に、形成された多量の球
状の接着体２０をリードフレームに振り掛けると、イン
ナーリード７の窪み２１に球状の接着体２０が入り込
む。この球状の接着体２０を部分的に加熱融着させて、
窪み２１に固着させる（図１２（ｂ））。この窪みは、
図１１（ｃ）に示す半球状の窪み２３なら密着性が大き
くなる。さらに、窪み２３の半径と球状の接着体２０の
半径が等しければ、一層密着性が向上する。
【００２１】図１３は、図１０の方法と同様に球状の接
着体をインナーリードに直接形成する方法である。図は
その方法を説明する斜視図である。整列するインナーリ
ード７に渡って、例えば、シリコン変性ポリイミドの接
着剤層９が貼り付けられている（図１３（ａ））。次
に、リードフレームと接着剤層９とを７００〜８００℃
程度に加熱する。接着剤層９は、溶融し、各インナーリ
ード７の上に個別の球状の接着体２０として接合される
（図１３（ｂ））。インナーリードの表面に撥水処理を
施して形の良い球状の接着体を形成することもできる。
【００２２】次に、図１４乃至図１６を参照して第２の
実施の形態を説明する。球状の接着体を用いてインナー
リードと半導体チップとを接合する場合に、例えば、シ
リコン変性ポリイミドの接着体であると４２５℃に達す
る。このような高温になると接着体が変形し過ぎて半導
体チップとインナーリード間が接近し過ぎて不具合が生
じることがある。この実施の形態では、球状の接着体の
中に接合温度でも硬度の低下しない材料を介在させて前
記接近し過ぎを防ぐことに特徴がある。すなわち、球状
の接着体２０は、接着性のある外側部材２０１にシリコ
ン変性ポリイミドを用い、接合温度において硬度の大き
い内側部材２０２に従来の接着剤層に用いられるポリイ
ミドテープ材を内包させる２層構造とする（図１４
（ａ））。図１４（ｂ）は、接着材料に用いられる高分
子材料の硬度の温度依存性を示す特性図である。縦軸
は、高分子材料の硬度（無単位）を示し、横軸に接着剤
として用いた際の接合温度を示している。曲線Ａは、ポ
リイミドの硬度−接合温度曲線であり、曲線Ｂは、シリ
コン変性ポリイミドの硬度−接合温度曲線である。接合
温度が２００℃のときは、外側部材２０１と内側部材２
０２とは、硬度にさほどの差はない。しかし、４２５℃
であると、外側部材２０１は軟化するが、内側部材は、
余り軟化しない。したがって、球状の接着体は、接合時
において大きく変形して半導体チップとインナーリード
間が異常に接近することはなく、適度な間隔を保つこと
ができる。
【００２３】図１５は、前述の接合時に硬度の異なる２
層構造の球状の接着体を製造する方法とこの球状の接着
体をインナーリードに接続する方法を説明する。例え
ば、ＮＭＰなどの溶媒を含むシリコン変性ポリイミド溶
液及びポリイミド溶液がそれぞれタンク（図示せず）か
ら供給され、パイプを介してノズル２６より滴下される
ようになっている。ノズル２６は、シリコン変性ポリイ
ミドを滴下する外側のノズル２７とポリイミドを滴下す
る内側のノズル２８から構成され、内側にポリイミドが
配置されたシリコン変性ポリイミドの塊が形成される。
この塊がノズル２６からインナーリード７上に滴下し、
表面張力で球状に硬化し、球状の接着体を形成する（図
１５（ａ））。球状の接着体を形成する工程と球状の接
着体をリードフレームに接合する工程を一体化できる。
図１５（ｂ）の方法では、ノズル２６から滴下された塊
を図１２に示すように希硫酸の容器中に入れて球状の接
着体２０を予め形成しておく。この球状の接着体２０を
インナーリード７の窪み２１（もしくは図６（ｃ）に示
す窪み２３）に固定してリードフレームに球状の接着体
２０を装着する。また、図１６の方法では、予め内側部
材２０２となるポリイミドの球状の接着体をインナーリ
ードに装着しておく。そして、その球状の接着体を被覆
するようにインナーリード７の上にシリコン変性ポリイ
ミドのテープ２９を載置する。
【００２４】次に、インナーリード７を含むリードフレ
ームとテープ２９とを７００〜８００℃程度に加熱す
る。テープ２９は溶融され、各インナーリード７の上の
内側部材２０２がシリコン変性ポリイミドの外側部材２
０１に包まれ、層状の球状の接着体２０が各インナーリ
ード７の上に個別に形成される（図１６（ｂ））。イン
ナーリードの表面に撥水処理を施して形の良い球状の接
着体を形成することもできる。球状の接着体は、接合時
において大きく変形して半導体チップとインナーリード
間が異常に接近することはなく適度な間隔を保つことが
できる。次に、図１７及び図１８を参照してリードフレ
ーム上の球状の接着体の配置について説明する。第１及
び第２の発明の実施の形態では、１つのインナーリード
の先端部分に１つの球状の接着体を形成していたが、本
発明では、球状の接着体の数やインナーリード上の位置
についてこのように限定されるものではない。インナー
リードの半導体チップ上に配置された部分が長い場合、
前記先端部分と前記半導体チップ上に配置された部分の
根元部分に球状の接着体を配置してインナーリードを安
定させる（図１７（ａ））。さらに長い場合、前記先端
部分と前記インナーリードの半導体チップ上に配置され
た部分の根本部分とに球状の接着体を配置するのに加え
て、この両端に形成された球状の接着体の間に少なくと
も１つの球状の接着体を形成する（図１７（ｂ））。
【００２５】この図では、１つの球状の接着体を前記球
状の接着体の間に形成してインナーリードを安定させ
る。また、１つのインナーリード７に複数の分岐リード
を形成し、そのそれぞれの先端部分に球状の接着体７を
配置することもできる（図１７（ｃ））。分岐リードの
それぞれに球状の接着体が付いているのでインナーリー
ドを安定させることができる。図１８では、信号線の間
に電源線７１（５Ｖ）、７２（０Ｖ）を配線する。この
電源線７１、７２は、それぞれ複数のパッド電極１０と
ボンディングワイヤ４で接続されている。球状の接着体
２０は、インナーリード７の半導体チップ１上に配置さ
れた部分の両端とボンディングワイヤ４が接続されてい
る部分の近傍に配置されており、ボンディング時にイン
ナーリードを安定させることができる。また、接合領域
を広くすることができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、樹脂封止を気密に行うことが
でき高信頼性の樹脂封止型半導体装置及びこれを用いた
機器を得ることができる。球状の接着体をリードフレー
ムに取り付けるので後工程に格別の変更はなく現在の技
術の手法を使用することができ特に新しい設備などを必
要としない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の透過平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ′線に沿う部分の断面図。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
すフローチャート図。
【図５】本発明の樹脂封止型半導体装置に用いるリード
フレームの平面図。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置のインナーリー
ド接合装置の断面図。
【図７】本発明の樹脂封止型半導体装置のインナーリー
ドの接合を説明する断面図。
【図８】本発明に用いるボンディングワイヤのボンディ
ング装置の断面図。
【図９】本発明に用いる樹脂封止体を製造する樹脂金型
の断面図。
【図１０】本発明の接着体をインナーリードに接合する
方法を説明する斜視図。
【図１１】本発明の接着体を接合する領域を示す斜視図
及び断面図。
【図１２】本発明の接着体を製造する方法及び接合方法
を示す断面図及び斜視図。
【図１３】本発明の接着体をインナーリードに接合する
方法を示す斜視図。
【図１４】本発明の接着体を取り付けたインナーリード
断面図及び接着体材料の硬度の温度依存性を説明する硬
度−接合温度特性図。
【図１５】本発明の接着体を製造する方法及び接合方法
を示す断面図及び斜視図。
【図１６】本発明の接着体をインナーリードに接合する
方法を示す斜視図。
【図１７】本発明の半導体基板上のインナーリードの配
置を説明する断面図及び斜視図。
【図１８】本発明の半導体基板上のインナーリードの配
置を説明する平面図。
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図。
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の平面図。
【図２１】図２０のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。
【符号の説明】
１・・・半導体基板、 ２・・・樹脂封止体、３・・
・リードフレーム、 ４・・・ボンディングワイヤ、
５・・・ダイパッド、 ６・・・アウターリード、７
・・・インナーリード、 ８・・・導電性接着剤、 ９
・・・接着剤層、１０・・・パッド電極、 １１・・
・バンプ電極、１３・・・ワイヤボンダー、 １４・
・・樹脂金型、 １５・・・上型、１６・・・下型、
１７・・・ゲート、１８、２６、２７、２８・・・ノ
ズル、１９・・・シリコン変性ポリイミド溶液、 ２
０・・・球状の接着体、２１・・・窪み、 ２２・・
・粗面、 ２３・・・円形の窪み、２４・・・硫酸容
器、 ２５・・・硫酸、２９・・・シリコン変性ポリ
イミドテープ、７１・・・電源線（ＶCC）、 ７２・
・・電源線（ＶSS）、２０１・・・外側部材、２０２・
・・内側部材。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、リードフレー
ムを構成するインナーリードの各々に個別に単一の材料
で構成された少なくとも１つの球状の接着体を事前に接
合しておくことに特徴がある。請求項１の発明は、複数
の接続電極が主面に形成された半導体基板と、インナー
リードとこのインナーリードと連続的につながるアウタ
ーリードとからなり、このインナーリードが前記主面に
固着された複数のリードと、前記インナーリードと前記
接続電極とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記半導体基板、前記インナーリード、前記ボンディン
グワイヤとを樹脂封止する樹脂封止体とを備え、前記イ
ンナーリードは、少なくとも１つの球状の接着体によっ
て前記主面に固着されている樹脂封止型半導体装置を特
徴とする。請求項２の発明は、請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置において、前記球状の接着体はシリコン
変性ポリイミド、シリコーン系接着剤、アクリル系接着
剤のいづれかを材料とすることを特徴とする。請求項３
の発明は、請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置にお
いて、前記球状の接着体は接着性の高い第１の合成樹脂
からなる外側部材とこの第１の合成樹脂より前記接着体
の接続時の温度における硬度が高い第２の合成樹脂から
なる内側部材とから構成されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項３に記載の樹脂封止型半導体
装置において、前記第１の合成樹脂は、シリコン変性ポ
リイミドからなり、前記第２の合成樹脂は、ポリイミド
からなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】請求項５の発明は、インナーリードとこの
インナーリードと連続的につながるアウターリードとか
らなる複数のリードを有するリード部と、前記複数のリ
ードを支持するフレーム部と、前記インナーリードのそ
れぞれに接合された少なくとも１つの球状の接着体とを
備え、前記球状の接着体は、前記インナーリードを半導
体基板に接合させるリードフレームに特徴がある。請求
項６の発明は、請求項５に記載のリードフレームにおい
て、前記球状の接着体は、シリコン変性ポリイミド、シ
リコーン系接着剤、アクリル系接着剤のいづれかを材料
とすることを特徴とする。請求項７の発明は、請求項５
に記載のリードフレームにおいて、前記球状の接着体
は、接着性の高い第１の合成樹脂からなる外側部材とこ
の第１の合成樹脂より前記接着体の接続時の温度におけ
る硬度が高い第２の合成樹脂からなる内側部材とから構
成されていることを特徴とする。請求項８の発明は、請
求項５に記載のリードフレームにおいて、前記第１の合
成樹脂は、シリコン変性ポリイミドからなり、前記第２
の合成樹脂は、ポリイミドからなることを特徴とする。
請求項９の発明は、請求項７に記載のリードフレームに
おいて、前記インナーリードの前記球状の接着体が接合
される領域には、窪みが形成されていることを特徴とす
る。請求項１０の発明は、請求項５乃至請求項８のいづ
れかに記載のリードフレームにおいて、前記インナーリ
ードの前記球状の接着体が接合される領域は、粗面化さ
れていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】請求項１１の発明は、リードフレームを構
成するインナーリードに少なくとも１つの球状の接着体
を接合する工程と、前記リードフレームを主面に複数の
接続電極が露出している半導体基板に載置する工程と、
前記インナーリードに接合している前記球状の接着体を
前記半導体基板の主面に接触させ、加圧し加熱して前記
インナーリードと前記半導体基板の主面とを接続する工
程と、前記インナーリードと前記接続電極とをボンディ
ングワイヤにより電気的に接続する工程と、前
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の接続電極が主面に形成された半導
    体基板と、 インナーリードとこのインナーリードと連続的につなが
    るアウターリードとからなり、このインナーリードが前
    記主面に固着された複数のリードと、 前記インナーリードと前記接続電極とを電気的に接続す
    るボンディングワイヤと、 前記半導体基板、前記インナーリード、前記ボンディン
    グワイヤとを樹脂封止する樹脂封止体とを備え、 前記インナーリードは、少なくとも１つの球状の接続体
    によって前記主面に固着されていることを特徴とする樹
    脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記球状の接続体はシリコン変性ポリイ
    ミド、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤のいづれ
    かを材料とすることを特徴とする請求項１に記載の樹脂
    封止型半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記球状の接続体は接着性の高い第１の
    合成樹脂からなる外側部材とこの第１の合成樹脂より前
    記接続体の接続時の温度における硬度が高い第２の合成
    樹脂からなる内側部材とから構成されていることを特徴
    とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記第１の合成樹脂は、シリコン変性ポ
    リイミドからなり、前記第２の合成樹脂は、ポリイミド
    からなることを特徴とする請求項３に記載の樹脂型半導
    体装置。
  5. 【請求項５】 インナーリードとこのインナーリードと
    連続的につながるアウターリードとからなる複数のリー
    ドを有するリード部と、 前記複数のリードを支持するフレーム部と、 前記インナーリードのそれぞれに接合された少なくとも
    １つの球状の接着体とを備え、 前記球状の接着体は、前記インナーリードを半導体基板
    に接合させることを特徴とするリードフレーム。
  6. 【請求項６】 前記球状の接続体は、シリコン変性ポリ
    イミド、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤のいづ
    れかを材料とすることを特徴とする請求項５に記載のリ
    ードフレーム。
  7. 【請求項７】 前記球状の接続体は、接着性の高い第１
    の合成樹脂からなる外側部材とこの第１の合成樹脂より
    前記接続体の接続時の温度における硬度が高い第２の合
    成樹脂からなる内側部材とから構成されていることを特
    徴とする請求項５に記載のリードフレーム。
  8. 【請求項８】 前記第１の合成樹脂は、シリコン変性ポ
    リイミドからなり、前記第２の合成樹脂は、ポリイミド
    からなることを特徴とする請求項７に記載のリードフレ
    ーム。
  9. 【請求項９】 前記インナーリードの前記球状の接続体
    が接合される領域には、窪みが形成されていることを特
    徴とする請求項５乃至請求項８のいづれかに記載のリー
    ドフレーム。
  10. 【請求項１０】 前記インナーリードの前記球状の接続
    体が接合される領域は、粗面化されていることを特徴と
    する請求項５乃至請求項８のいづれかに記載のリードフ
    レーム。
  11. 【請求項１１】 リードフレームを構成するインナーリ
    ードに少なくとも１つの球状の接着体を接合する工程
    と、 前記リードフレームを主面に複数の接続電極が露出して
    いる半導体基板に載置する工程と、 前記インナーリードに接合している前記球状の接続体を
    前記半導体基板の主面に接触させ、加圧し加熱して前記
    インナーリードと前記半導体基板の主面とを接続する工
    程と、 前記インナーリードと前記接続電極とをボンディングワ
    イヤにより電気的に接続する工程と、 前記半導体基板、前記球状の接続体、前記インナーリー
    ド及び前記ボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを
    備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999041783A1 (de) * 1998-02-12 1999-08-19 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbaugruppe
US6211573B1 (en) 1997-06-12 2001-04-03 Nec Corporation Semiconductor device with an improved lead-chip adhesion structure and lead frame to be used therefor
JP2007208188A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6211573B1 (en) 1997-06-12 2001-04-03 Nec Corporation Semiconductor device with an improved lead-chip adhesion structure and lead frame to be used therefor
KR100337404B1 (ko) * 1997-06-12 2002-07-18 가네꼬 히사시 반도체장치및리드프레임
WO1999041783A1 (de) * 1998-02-12 1999-08-19 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbaugruppe
JP2007208188A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 樹脂封止型半導体装置

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