JPH0985619A - 表面研削方法及びその装置 - Google Patents
表面研削方法及びその装置Info
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- JPH0985619A JPH0985619A JP20883695A JP20883695A JPH0985619A JP H0985619 A JPH0985619 A JP H0985619A JP 20883695 A JP20883695 A JP 20883695A JP 20883695 A JP20883695 A JP 20883695A JP H0985619 A JPH0985619 A JP H0985619A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 36
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェーハ表面の平坦度を向上させること
ができる表面研削方法及びその装置を提供する。 【構成】半導体ウェーハ１０はテーブル１２に保持さ
れ、砥石１４によって表面が研削される。非接触センサ
２２、２４、２６が半導体ウェーハ１０の上方に配置さ
れ、研削中の半導体ウェーハ１０の厚さを検出する。各
々の厚さ情報はＣＰＵ２８に出力される。圧電素子３
２、３４、３６、３８が、砥石軸２０に固着されたフラ
ンジ４１と架台４０との間に挟まれて等間隔に配置され
る。圧電素子３２〜３８に印加される電圧は、ＣＰＵ２
８に制御された圧電素子制御装置３０によって制御され
る。圧電素子３２〜３８が駆動されると、砥石軸２０は
テーブル１２に対して揺動して姿勢制御される。加工中
のセンサ２２、２４、２６の検出値をＣＰＵ２８にて演
算すると、テーブル１２と砥石軸２０との傾き方向と大
きさとが分かり、その値を修正するように圧電素子３２
〜３８を駆動して砥石軸２０を姿勢制御すれば半導体ウ
ェーハ１０の表面が平坦に研削される。
ができる表面研削方法及びその装置を提供する。 【構成】半導体ウェーハ１０はテーブル１２に保持さ
れ、砥石１４によって表面が研削される。非接触センサ
２２、２４、２６が半導体ウェーハ１０の上方に配置さ
れ、研削中の半導体ウェーハ１０の厚さを検出する。各
々の厚さ情報はＣＰＵ２８に出力される。圧電素子３
２、３４、３６、３８が、砥石軸２０に固着されたフラ
ンジ４１と架台４０との間に挟まれて等間隔に配置され
る。圧電素子３２〜３８に印加される電圧は、ＣＰＵ２
８に制御された圧電素子制御装置３０によって制御され
る。圧電素子３２〜３８が駆動されると、砥石軸２０は
テーブル１２に対して揺動して姿勢制御される。加工中
のセンサ２２、２４、２６の検出値をＣＰＵ２８にて演
算すると、テーブル１２と砥石軸２０との傾き方向と大
きさとが分かり、その値を修正するように圧電素子３２
〜３８を駆動して砥石軸２０を姿勢制御すれば半導体ウ
ェーハ１０の表面が平坦に研削される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面研削方法及びそ
の装置に係り、特に半導体ウェーハやハードディスク等
の表面研削方法及びその装置に関する。
の装置に係り、特に半導体ウェーハやハードディスク等
の表面研削方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、スライシングマシンによって薄
片状に切断されたウェーハは、後工程として表面研削装
置によって表面が研削される。前記表面研削装置は、前
記ウェーハをチャックテーブル上に支持して、このウェ
ーハの表面と砥石との平行度を調整したのち、砥石を回
転させると共に砥石をウェーハの表面に押し付けてウェ
ーハの表面を研削する。
片状に切断されたウェーハは、後工程として表面研削装
置によって表面が研削される。前記表面研削装置は、前
記ウェーハをチャックテーブル上に支持して、このウェ
ーハの表面と砥石との平行度を調整したのち、砥石を回
転させると共に砥石をウェーハの表面に押し付けてウェ
ーハの表面を研削する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近では、回路パター
ンの高集積化にともないウェーハ表面の平坦度や平行度
が高精度に要求されている。しかしながら、従来の表面
研削装置では、研削中の雰囲気温度や加工液の温度変
化、或いは砥石の撓み等によってウェーハ表面と砥石と
の平行度が悪化してしまい、これにより、研削後のウェ
ーハ表面の平坦度や平行度が悪化するという欠点があ
る。
ンの高集積化にともないウェーハ表面の平坦度や平行度
が高精度に要求されている。しかしながら、従来の表面
研削装置では、研削中の雰囲気温度や加工液の温度変
化、或いは砥石の撓み等によってウェーハ表面と砥石と
の平行度が悪化してしまい、これにより、研削後のウェ
ーハ表面の平坦度や平行度が悪化するという欠点があ
る。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、被加工物表面の平坦度、平行度を向上させる
ことができる表面研削方法及びその装置を提供すること
を目的とする。
たもので、被加工物表面の平坦度、平行度を向上させる
ことができる表面研削方法及びその装置を提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成する為に、被加工物支持テーブルに支持された被加工
物の表面に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表
面を研削する表面研削方法に於いて、研削加工中の前記
被加工物の厚さを３点以上の複数箇所測定し、該測定さ
れた複数箇所の厚さがそれぞれ所定の値となるように、
前記被加工物支持テーブル及び／又は前記砥石を姿勢制
御して被加工物の表面を研削することを特徴とする。
成する為に、被加工物支持テーブルに支持された被加工
物の表面に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表
面を研削する表面研削方法に於いて、研削加工中の前記
被加工物の厚さを３点以上の複数箇所測定し、該測定さ
れた複数箇所の厚さがそれぞれ所定の値となるように、
前記被加工物支持テーブル及び／又は前記砥石を姿勢制
御して被加工物の表面を研削することを特徴とする。
【０００６】また、本発明は、前記目的を達成する為
に、被加工物支持テーブルに支持された被加工物の表面
に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表面を研削
する表面研削装置に於いて、研削加工中の前記被加工物
の厚さを測定する３個以上の複数の測定手段を設け、該
複数の測定手段で測定された複数箇所の厚さがそれぞれ
所定の値となるように、前記被加工物支持テーブル及び
／又は前記砥石を姿勢制御する制御手段を設けたことを
特徴とする。
に、被加工物支持テーブルに支持された被加工物の表面
に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表面を研削
する表面研削装置に於いて、研削加工中の前記被加工物
の厚さを測定する３個以上の複数の測定手段を設け、該
複数の測定手段で測定された複数箇所の厚さがそれぞれ
所定の値となるように、前記被加工物支持テーブル及び
／又は前記砥石を姿勢制御する制御手段を設けたことを
特徴とする。
【０００７】本発明によれば、先ず、被加工物を被加工
物支持テーブルに保持して、被加工物の表面に、回転す
る砥石を押し付けて被加工物表面の研削を開始する。そ
して、研削加工中の被加工物の厚さを複数の測定手段に
よって複数箇所測定し、そして、複数の測定手段で測定
された複数箇所の厚さがそれぞれ所定の値となるよう
に、被加工物支持テーブル及び／又は砥石の姿勢を制御
手段によって姿勢制御する。
物支持テーブルに保持して、被加工物の表面に、回転す
る砥石を押し付けて被加工物表面の研削を開始する。そ
して、研削加工中の被加工物の厚さを複数の測定手段に
よって複数箇所測定し、そして、複数の測定手段で測定
された複数箇所の厚さがそれぞれ所定の値となるよう
に、被加工物支持テーブル及び／又は砥石の姿勢を制御
手段によって姿勢制御する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る表面研削方法及びその装置の好ましい実施の形態を詳
説する。図１は本発明に係る表面研削装置がウェーハ表
面研削装置に適用された実施例を示す要部構造図であ
る。同図に示す表面研削装置は、半導体ウェーハ１０を
保持するテーブル１２と、半導体ウェーハ１０の表面を
研削する砥石１４とを備えている。前記テーブル１２
は、その上面に真空吸着部が形成されており、この真空
吸着部によって半導体ウェーハ１０が研削面を上方に向
けて支持される。また、テーブル１２の下部にはスピン
ドル１６が設けられ、スピンドル１６には図示しないモ
ータが連結される。前記テーブル１２は、前記モータか
らの回転力がスピンドル１６を介して伝達されることに
より回転することができる。
る表面研削方法及びその装置の好ましい実施の形態を詳
説する。図１は本発明に係る表面研削装置がウェーハ表
面研削装置に適用された実施例を示す要部構造図であ
る。同図に示す表面研削装置は、半導体ウェーハ１０を
保持するテーブル１２と、半導体ウェーハ１０の表面を
研削する砥石１４とを備えている。前記テーブル１２
は、その上面に真空吸着部が形成されており、この真空
吸着部によって半導体ウェーハ１０が研削面を上方に向
けて支持される。また、テーブル１２の下部にはスピン
ドル１６が設けられ、スピンドル１６には図示しないモ
ータが連結される。前記テーブル１２は、前記モータか
らの回転力がスピンドル１６を介して伝達されることに
より回転することができる。
【０００９】前記砥石１４は、カップ型に形成されて砥
石軸２０の下部に固着される。砥石軸２０は、図示しな
いモータと図示しない昇降装置とに連結されている。従
って、砥石１４を前記モータで回転させると共に昇降移
動機構で下降させて半導体ウェーハ１０の表面に押し付
け、そして、テーブル１２を回転させると半導体ウェー
ハ１０の表面が研削される。
石軸２０の下部に固着される。砥石軸２０は、図示しな
いモータと図示しない昇降装置とに連結されている。従
って、砥石１４を前記モータで回転させると共に昇降移
動機構で下降させて半導体ウェーハ１０の表面に押し付
け、そして、テーブル１２を回転させると半導体ウェー
ハ１０の表面が研削される。
【００１０】ところで、半導体ウェーハ１０の上方には
３つの非接触センサ２２、２４、２６が配置される。こ
れらの非接触センサ２２、２４、２６は研削中に半導体
ウェーハ１０の厚さＨを検出するもので、図２に示すよ
うに半径方向に所定の間隔で配置される。前記非接触セ
ンサ２２、２４、２６で検出された各々の厚さ情報はＣ
ＰＵ２８に出力される。ＣＰＵ２８は、前記厚さ情報に
基づいて圧電素子制御装置３０を制御し、砥石軸２０の
姿勢制御を行う。このＣＰＵ２８による砥石軸２０の姿
勢制御方法については後述する。
３つの非接触センサ２２、２４、２６が配置される。こ
れらの非接触センサ２２、２４、２６は研削中に半導体
ウェーハ１０の厚さＨを検出するもので、図２に示すよ
うに半径方向に所定の間隔で配置される。前記非接触セ
ンサ２２、２４、２６で検出された各々の厚さ情報はＣ
ＰＵ２８に出力される。ＣＰＵ２８は、前記厚さ情報に
基づいて圧電素子制御装置３０を制御し、砥石軸２０の
姿勢制御を行う。このＣＰＵ２８による砥石軸２０の姿
勢制御方法については後述する。
【００１１】一方、４つの圧電素子３２、３４、３６、
３８が、砥石軸２０に固着された円板状のフランジ４１
と架台４０との間に挟まれて配置される（圧電素子３８
は圧電素子３６と直径方向の対向位置にある）。圧電素
子３２〜３８は９０°毎に等間隔に配置され、前記圧電
素子制御装置３０から電圧が印加されると図中上下方向
に駆動することができる。従って、圧電素子３２〜３８
が駆動されると、砥石軸２０は架台４０に対して揺動し
て姿勢制御される。これにより、圧電素子３２〜３８に
印加する電圧を各々制御すれば、半導体ウェーハ１０の
研削面に対する砥石軸２０の直角度をだすことができ
る。
３８が、砥石軸２０に固着された円板状のフランジ４１
と架台４０との間に挟まれて配置される（圧電素子３８
は圧電素子３６と直径方向の対向位置にある）。圧電素
子３２〜３８は９０°毎に等間隔に配置され、前記圧電
素子制御装置３０から電圧が印加されると図中上下方向
に駆動することができる。従って、圧電素子３２〜３８
が駆動されると、砥石軸２０は架台４０に対して揺動し
て姿勢制御される。これにより、圧電素子３２〜３８に
印加する電圧を各々制御すれば、半導体ウェーハ１０の
研削面に対する砥石軸２０の直角度をだすことができ
る。
【００１２】次に、ＣＰＵ２８によるテーブル１２の姿
勢制御方法について説明する。ＣＰＵ２８は、図９に示
す非接触センサ２２、２４、２６からテーブル１２の吸
着部までの高さＬA 、ＬB 、ＬC に基づいて、非接触セ
ンサ２２、２４、２６で得られた半導体ウェーハ１０の
研削面までの各々の距離ｌA 、ｌB 、ｌC を減算し、こ
の減算した寸法を半導体ウェーハ１０の厚さＨA 、
ＨB 、ＨC として判断する。そして、ＣＰＵ２８は前記
厚さＨA 、ＨB 、ＨC に基づいて圧電素子制御装置３０
を制御する。半導体ウェーハ１０の厚さが均一で、表面
が完全に平坦であれば３箇所の厚さＨA 、ＨB 、ＨC は
等しくなる。次に、前記制御方法を図２に示した半導体
ウェーハ１０と砥石１４の模式図を用いて説明する。
勢制御方法について説明する。ＣＰＵ２８は、図９に示
す非接触センサ２２、２４、２６からテーブル１２の吸
着部までの高さＬA 、ＬB 、ＬC に基づいて、非接触セ
ンサ２２、２４、２６で得られた半導体ウェーハ１０の
研削面までの各々の距離ｌA 、ｌB 、ｌC を減算し、こ
の減算した寸法を半導体ウェーハ１０の厚さＨA 、
ＨB 、ＨC として判断する。そして、ＣＰＵ２８は前記
厚さＨA 、ＨB 、ＨC に基づいて圧電素子制御装置３０
を制御する。半導体ウェーハ１０の厚さが均一で、表面
が完全に平坦であれば３箇所の厚さＨA 、ＨB 、ＨC は
等しくなる。次に、前記制御方法を図２に示した半導体
ウェーハ１０と砥石１４の模式図を用いて説明する。
【００１３】図２は半導体ウェーハ１０と砥石１４との
位置関係を示す図であり、図中大径の円は半導体ウェー
ハ１０を示し、図中小径の円は砥石１４を示す。また、
同図に示すＯ1 点は半導体ウェーハ１０（テーブル１
２）の回転中心であり、Ｏ2 点は砥石軸２０の軸心であ
る。３つの非接触センサ２２、２４、２６は図２の
Ｃ1 、Ｂ1 、Ａ1 点に配置されていて、この点での半導
体ウェーハ１０の厚さは前記の様にＨC 、ＨB 、ＨA で
ある。
位置関係を示す図であり、図中大径の円は半導体ウェー
ハ１０を示し、図中小径の円は砥石１４を示す。また、
同図に示すＯ1 点は半導体ウェーハ１０（テーブル１
２）の回転中心であり、Ｏ2 点は砥石軸２０の軸心であ
る。３つの非接触センサ２２、２４、２６は図２の
Ｃ1 、Ｂ1 、Ａ1 点に配置されていて、この点での半導
体ウェーハ１０の厚さは前記の様にＨC 、ＨB 、ＨA で
ある。
【００１４】また、図２のＡ、Ｂ、Ｃ点はＡ1 、Ｂ1 、
Ｃ1 点とテーブル１２（中心Ｏ1 ）上の同心円上の点で
あり、Ａ、Ｂ、Ｃ点の半導体ウェーハ１０の厚さも
ＨA 、Ｈ B 、ＨC である。また、砥石１４のｘ、ｙ軸上
のＸ、Ｙ点の仮想厚さをＨX 、ＨY とし、砥石１４が傾
いている時に最も低い点をＫ点とし、Ｋ点の仮想厚さを
ＨK とする。
Ｃ1 点とテーブル１２（中心Ｏ1 ）上の同心円上の点で
あり、Ａ、Ｂ、Ｃ点の半導体ウェーハ１０の厚さも
ＨA 、Ｈ B 、ＨC である。また、砥石１４のｘ、ｙ軸上
のＸ、Ｙ点の仮想厚さをＨX 、ＨY とし、砥石１４が傾
いている時に最も低い点をＫ点とし、Ｋ点の仮想厚さを
ＨK とする。
【００１５】ここで、図３に示すように線分Ｏ2 Ｋ上の
任意の点Ｒｍのウェーハ厚さＨｍは、Ｈｍ＝（ＨK ／
Ｒ）Ｒｍと表され、従って、図２に示す円上の各点Ａ、
Ｂ、Ｃの厚さＨA 、ＨB 、ＨC は、各点Ａ、Ｂ、Ｃから
線分Ｏ2 Ｋに垂線を引いて、線分Ｏ2 Ｋの交点位置の厚
さと等しくなる。従って、Ｈｍ＝（ＨK ／Ｒ）Ｒｍの比
例式のＲｍの値を選択すれば各交点位置の厚さを求める
ことができる。
任意の点Ｒｍのウェーハ厚さＨｍは、Ｈｍ＝（ＨK ／
Ｒ）Ｒｍと表され、従って、図２に示す円上の各点Ａ、
Ｂ、Ｃの厚さＨA 、ＨB 、ＨC は、各点Ａ、Ｂ、Ｃから
線分Ｏ2 Ｋに垂線を引いて、線分Ｏ2 Ｋの交点位置の厚
さと等しくなる。従って、Ｈｍ＝（ＨK ／Ｒ）Ｒｍの比
例式のＲｍの値を選択すれば各交点位置の厚さを求める
ことができる。
【００１６】Ｋ点が図２のＹ点と一致する時（即ち、Ｙ
点が最も低い点になる時）、研削中の半導体ウェーハ１
０の断面形状は図４となり、ＨA ＞ＨB ＞ＨC となる。
また、Ｋ点の角度θが（α＋β）／２と（β＋γ）／２
との間にある時（即ち、（α＋β）／２と（β＋γ）／
２との間に最も低い点がある時）、半導体ウェーハ１０
の断面形状は図５となり、ＨA ＞ＨC ＞ＨB となる。
点が最も低い点になる時）、研削中の半導体ウェーハ１
０の断面形状は図４となり、ＨA ＞ＨB ＞ＨC となる。
また、Ｋ点の角度θが（α＋β）／２と（β＋γ）／２
との間にある時（即ち、（α＋β）／２と（β＋γ）／
２との間に最も低い点がある時）、半導体ウェーハ１０
の断面形状は図５となり、ＨA ＞ＨC ＞ＨB となる。
【００１７】また、Ｋ点の角度θが（α＋β）／２より
大きい時、半導体ウェーハ１０の形状は図６となり、Ｈ
C ＞ＨB ＞ＨA となる。更に、Ｋ点がＹ点の反対側と一
致する時（Ｙ点が最も高い点になる時）、半導体ウェー
ハ１０の断面形状は図７となり、ＨC ＞ＨB ＞ＨA とな
る。即ち、研削中に常時ＨA 、ＨB 、ＨC の大小を判別
すると、現在研削中の半導体ウェーハ１０の形状が分か
るので、その値をＣＰＵ２８によって算出することによ
り、砥石軸２０とテーブル１２との直角度変化の位相と
大きさとを計算することができる。
大きい時、半導体ウェーハ１０の形状は図６となり、Ｈ
C ＞ＨB ＞ＨA となる。更に、Ｋ点がＹ点の反対側と一
致する時（Ｙ点が最も高い点になる時）、半導体ウェー
ハ１０の断面形状は図７となり、ＨC ＞ＨB ＞ＨA とな
る。即ち、研削中に常時ＨA 、ＨB 、ＨC の大小を判別
すると、現在研削中の半導体ウェーハ１０の形状が分か
るので、その値をＣＰＵ２８によって算出することによ
り、砥石軸２０とテーブル１２との直角度変化の位相と
大きさとを計算することができる。
【００１８】図２に於いて、 ＨK ＝√（ＨX 2 ＋ＨY 2 ） ＨA ＝ＨK ｃｏｓ（θ−α） ＨB ＝ＨK ｃｏｓ（θ−β） ＨC ＝ＨK ｃｏｓ（θ−γ） ＨX ＝ＨK ｓｉｎθ ＨY ＝ＨK ｃｏｓθ ｔａｎθ＝ＨX ／ＨY と置くことができ、 ｔａｎθ＝−〔（ＨB −ＨC ）ｃｏｓα＋（ＨC −
ＨA ）ｃｏｓβ＋（ＨA −ＨB ）ｃｏｓγ〕／〔（ＨB
−ＨC ）ｓｉｎα＋（ＨC −ＨA ）ｓｉｎβ＋（Ｈ A −
ＨB ）ｓｉｎγ〕 ＨK ＝（ＨA −ＨB ）／〔ｃｏｓ（θ−α）−ｃｏｓ
（θ−β）〕 ＨX ＝ＨK ｓｉｎθ ＨY ＝ＨK ｃｏｓθ となり、従って、研削中のＡ、Ｂ、Ｃ点の厚さの差から
最下点の位相角θと厚さＨK 、更にＨX 、ＨY を求める
ことができる。砥石軸２０をＸ方向に−ＨX 、Ｙ方向に
−ＨY だけ揺動させることにより傾いていた直角度が修
正できるので、砥石軸２０がＸ方向に−ＨX 、Ｙ方向に
−ＨY だけ傾くように、ＣＰＵ２８によって圧電素子３
２〜３８に印加する電圧を制御する。これにより、砥石
軸２０が研削中の半導体ウェーハ１０の研削面に対して
直角に姿勢制御されるので、半導体ウェーハ１０の表面
が平坦に研削され、その平坦度が向上する。
ＨA ）ｃｏｓβ＋（ＨA −ＨB ）ｃｏｓγ〕／〔（ＨB
−ＨC ）ｓｉｎα＋（ＨC −ＨA ）ｓｉｎβ＋（Ｈ A −
ＨB ）ｓｉｎγ〕 ＨK ＝（ＨA −ＨB ）／〔ｃｏｓ（θ−α）−ｃｏｓ
（θ−β）〕 ＨX ＝ＨK ｓｉｎθ ＨY ＝ＨK ｃｏｓθ となり、従って、研削中のＡ、Ｂ、Ｃ点の厚さの差から
最下点の位相角θと厚さＨK 、更にＨX 、ＨY を求める
ことができる。砥石軸２０をＸ方向に−ＨX 、Ｙ方向に
−ＨY だけ揺動させることにより傾いていた直角度が修
正できるので、砥石軸２０がＸ方向に−ＨX 、Ｙ方向に
−ＨY だけ傾くように、ＣＰＵ２８によって圧電素子３
２〜３８に印加する電圧を制御する。これにより、砥石
軸２０が研削中の半導体ウェーハ１０の研削面に対して
直角に姿勢制御されるので、半導体ウェーハ１０の表面
が平坦に研削され、その平坦度が向上する。
【００１９】本実施例では、砥石軸２０側に圧電素子３
２〜３８を設けて砥石１４を姿勢制御するようにした
が、図１に示すようにテーブル１２側に圧電素子３２
´、３４´、３６´、３８´を設けてテーブル１２側を
姿勢制御しても良く、またテーブル１２及び砥石１４の
両方に圧電素子を設けて両方を姿勢制御しても良い。本
実施例では、測定手段として非接触センサ２２、２４、
２６を用いたが、接触型のセンサでも良く、また、その
台数は３台以上であれば良い。
２〜３８を設けて砥石１４を姿勢制御するようにした
が、図１に示すようにテーブル１２側に圧電素子３２
´、３４´、３６´、３８´を設けてテーブル１２側を
姿勢制御しても良く、またテーブル１２及び砥石１４の
両方に圧電素子を設けて両方を姿勢制御しても良い。本
実施例では、測定手段として非接触センサ２２、２４、
２６を用いたが、接触型のセンサでも良く、また、その
台数は３台以上であれば良い。
【００２０】また、本実施例では、半導体ウェーハの表
面研削装置について説明したが、その他の板状材料の表
面研削装置にも適用することができる。更に、本実施例
では、被加工物表面を平坦研削するための砥石軸制御に
ついて説明したが、被加工物の厚さを所定の値とするこ
とにより、例えば、図８に示すようにウェーハ表面１０
Ａを球面状に研削することもできる。この場合、砥石軸
２０の傾斜角度θ±Δθ°がウェーハ表面１０Ａの曲率
に対応するように設定される。
面研削装置について説明したが、その他の板状材料の表
面研削装置にも適用することができる。更に、本実施例
では、被加工物表面を平坦研削するための砥石軸制御に
ついて説明したが、被加工物の厚さを所定の値とするこ
とにより、例えば、図８に示すようにウェーハ表面１０
Ａを球面状に研削することもできる。この場合、砥石軸
２０の傾斜角度θ±Δθ°がウェーハ表面１０Ａの曲率
に対応するように設定される。
【００２１】本実施例の非接触センサ２２、２４、２６
は本発明の測定手段を構成し、ＣＰＵ２８、圧電素子制
御装置３０、及び圧電素子３２〜３８が本発明の制御手
段を構成する。
は本発明の測定手段を構成し、ＣＰＵ２８、圧電素子制
御装置３０、及び圧電素子３２〜３８が本発明の制御手
段を構成する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る表面研
削方法及びその装置によれば、研削加工中の被加工物の
厚さを複数箇所測定して、複数箇所の厚さがそれぞれ所
定の値となるように被加工物支持テーブル及び／又は砥
石の姿勢を制御するようにしたので、被加工物表面の平
坦度、平行度を向上させることができる。
削方法及びその装置によれば、研削加工中の被加工物の
厚さを複数箇所測定して、複数箇所の厚さがそれぞれ所
定の値となるように被加工物支持テーブル及び／又は砥
石の姿勢を制御するようにしたので、被加工物表面の平
坦度、平行度を向上させることができる。
【図１】本発明に係る表面研削装置がウェーハ表面研削
装置に適用された要部構造図
装置に適用された要部構造図
【図２】半導体ウェーハと砥石の位置関係を示す模式図
【図３】図２中Ｌ−Ｌ線から見た矢視図
【図４】センサから得られる半導体ウェーハの厚さの説
明図
明図
【図５】センサから得られる半導体ウェーハの厚さの説
明図
明図
【図６】センサから得られる半導体ウェーハの厚さの説
明図
明図
【図７】センサから得られる半導体ウェーハの厚さの説
明図
明図
【図８】半導体ウェーハを球面状に研削する説明図
【図９】半導体ウェーハの厚さを検出するための説明図
１０…半導体ウェーハ １２…テーブル １４…砥石 ２０…砥石軸 ２２、２４、２６…非接触センサ ２８…ＣＰＵ ３０…圧電素子制御装置 ３２、３４、３
６、３８…圧電素子
６、３８…圧電素子
Claims (2)
- 【請求項１】被加工物支持テーブルに支持された被加工
物の表面に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表
面を研削する表面研削方法に於いて、 研削加工中の前記被加工物の厚さを３点以上の複数箇所
測定し、該測定された複数箇所の厚さがそれぞれ所定の
値となるように、前記被加工物支持テーブル及び／又は
前記砥石を姿勢制御して被加工物の表面を研削すること
を特徴とする表面研削方法。 - 【請求項２】被加工物支持テーブルに支持された被加工
物の表面に、回転する砥石を押し付けて該被加工物の表
面を研削する表面研削装置に於いて、 研削加工中の前記被加工物の厚さを測定する３個以上の
複数の測定手段を設け、該複数の測定手段で測定された
複数箇所の厚さがそれぞれ所定の値となるように、前記
被加工物支持テーブル及び／又は前記砥石を姿勢制御す
る制御手段を設けたことを特徴とする表面研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20883695A JP3166146B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-08-16 | 表面研削方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844195 | 1995-05-26 | ||
| JP7-181226 | 1995-07-18 | ||
| JP18122695 | 1995-07-18 | ||
| JP7-128441 | 1995-07-18 | ||
| JP20883695A JP3166146B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-08-16 | 表面研削方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0985619A true JPH0985619A (ja) | 1997-03-31 |
| JP3166146B2 JP3166146B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=27315751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20883695A Expired - Fee Related JP3166146B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-08-16 | 表面研削方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3166146B2 (ja) |
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1995
- 1995-08-16 JP JP20883695A patent/JP3166146B2/ja not_active Expired - Fee Related
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