JPH0987841A - 薄膜製造装置 - Google Patents
薄膜製造装置Info
- Publication number
- JPH0987841A JPH0987841A JP24492095A JP24492095A JPH0987841A JP H0987841 A JPH0987841 A JP H0987841A JP 24492095 A JP24492095 A JP 24492095A JP 24492095 A JP24492095 A JP 24492095A JP H0987841 A JPH0987841 A JP H0987841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- thin film
- platinum layer
- gold
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜製造装置の基材ホルダーあるいはマスキ
ング部材など基材に付着した金のような貴金属、効率良
く回収できるようにする。 【解決手段】 基材上に薄膜を形成する薄膜製造装置で
ある。この薄膜製造装置は基材の一部を覆う銅製部材の
表面粗さがＲa ：２０μｍ以下であり、かつ、銅製部材
の表面は白金層で覆われている。
ング部材など基材に付着した金のような貴金属、効率良
く回収できるようにする。 【解決手段】 基材上に薄膜を形成する薄膜製造装置で
ある。この薄膜製造装置は基材の一部を覆う銅製部材の
表面粗さがＲa ：２０μｍ以下であり、かつ、銅製部材
の表面は白金層で覆われている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体あるいは
反射鏡等に形成される薄膜の製造に使用される薄膜製造
装置に関する。
反射鏡等に形成される薄膜の製造に使用される薄膜製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体あるいは反射鏡に薄膜を形成
するスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着
などを行う装置は、基材を固定するホルダーおよび／ま
たは所望する形状に薄膜を形成するために基材の一部を
覆うマスキングなどを備えている。
するスパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着
などを行う装置は、基材を固定するホルダーおよび／ま
たは所望する形状に薄膜を形成するために基材の一部を
覆うマスキングなどを備えている。
【０００３】基材に接する、ホルダーあるいはマスキン
グなどの部材にはステンレス鋼やチタニウムを使用する
のが一般的である。しかし、光記録媒体等のプラスチッ
ク基材に薄膜を形成する場合には、薄膜形成時に発生す
る熱による基材の変質を防止するために、伝熱性に優れ
た銅製部材を使用している。さらに、放熱を行うため
に、銅製部材を中空として水を循環させるなどの方法が
採用されている。
グなどの部材にはステンレス鋼やチタニウムを使用する
のが一般的である。しかし、光記録媒体等のプラスチッ
ク基材に薄膜を形成する場合には、薄膜形成時に発生す
る熱による基材の変質を防止するために、伝熱性に優れ
た銅製部材を使用している。さらに、放熱を行うため
に、銅製部材を中空として水を循環させるなどの方法が
採用されている。
【０００４】一方、薄膜形成時に、ホルダーあるいはマ
スキングなどの部材表面には薄膜形成に用いられるター
ゲットの成分が付着する。付着したターゲット成分を回
収するには、上記部材を王酸、硝酸、シアン溶液等に浸
漬して、ターゲット成分を王酸、硝酸、シアン溶液等に
溶解する。
スキングなどの部材表面には薄膜形成に用いられるター
ゲットの成分が付着する。付着したターゲット成分を回
収するには、上記部材を王酸、硝酸、シアン溶液等に浸
漬して、ターゲット成分を王酸、硝酸、シアン溶液等に
溶解する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した放
熱効果に優れた銅製部材の表面から付着したターゲット
成分を回収するために、王酸、硝酸、シアン溶液等を使
用すると、銅製部材そのものが溶解してしまうため、サ
ンドブラスト法によりターゲット成分を銅製部材から剥
離している。しかし、サンドブラスト法では回収効率が
９０％前後であり、ターゲット成分が貴金属、例えば金
である場合には、９０％前後の回収効率では薄膜形成に
要する単価が高くなる。
熱効果に優れた銅製部材の表面から付着したターゲット
成分を回収するために、王酸、硝酸、シアン溶液等を使
用すると、銅製部材そのものが溶解してしまうため、サ
ンドブラスト法によりターゲット成分を銅製部材から剥
離している。しかし、サンドブラスト法では回収効率が
９０％前後であり、ターゲット成分が貴金属、例えば金
である場合には、９０％前後の回収効率では薄膜形成に
要する単価が高くなる。
【０００６】そこで本発明の目的は、ホルダーあるいは
マスキングなど基材に付着した金のような貴金属を、効
率良く回収できる薄膜製造装置を提供することにある。
マスキングなど基材に付着した金のような貴金属を、効
率良く回収できる薄膜製造装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、基材上
に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記基材の一
部を覆う銅製部材の表面粗さがＲa ：２０μｍ以下であ
り、かつ、前記銅製部材の表面は白金層で覆われている
ことを特徴とする薄膜製造装置である。
に薄膜を形成する薄膜製造装置において、前記基材の一
部を覆う銅製部材の表面粗さがＲa ：２０μｍ以下であ
り、かつ、前記銅製部材の表面は白金層で覆われている
ことを特徴とする薄膜製造装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に使用される銅製部材の表
面粗さはＪＩＳ Ｂ ０６０１によって定義される。銅
製部材の表面を算術平均粗さ（中心点平均粗さ）Ｒa ：
２０μｍ以下とする方法は特に限定されないが、例え
ば、表面を有機酸等でエッチングする方法がある。銅製
部材の表面を覆う白金層の形成方法は、特に限定される
ことはなく、例えばメッキ、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着などで形成される。白金層の厚
みは、貴金属の回収に使用される溶解液に対する耐久性
を増すために１０μｍ以上が好ましく、基材を効率よく
冷却するために２０μｍ以下が好ましい。
面粗さはＪＩＳ Ｂ ０６０１によって定義される。銅
製部材の表面を算術平均粗さ（中心点平均粗さ）Ｒa ：
２０μｍ以下とする方法は特に限定されないが、例え
ば、表面を有機酸等でエッチングする方法がある。銅製
部材の表面を覆う白金層の形成方法は、特に限定される
ことはなく、例えばメッキ、スパッタリング、イオンプ
レーティング、真空蒸着などで形成される。白金層の厚
みは、貴金属の回収に使用される溶解液に対する耐久性
を増すために１０μｍ以上が好ましく、基材を効率よく
冷却するために２０μｍ以下が好ましい。
【０００９】本発明に使用される薄膜製造装置は、上述
した銅製部材がターゲットと基材との間に該基材の一部
を覆う構成を有していればよく、他の構成については、
限定されるものではない。また、本発明でいう銅製部材
は銅のみから構成されるだけではなく、銅を主成分とす
る合金を使用してもよい。
した銅製部材がターゲットと基材との間に該基材の一部
を覆う構成を有していればよく、他の構成については、
限定されるものではない。また、本発明でいう銅製部材
は銅のみから構成されるだけではなく、銅を主成分とす
る合金を使用してもよい。
【００１０】本発明の薄膜製造装置は、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの薄膜製
造装置に適応することができる。中でも、スパッタリン
グ装置は基材に発生する熱が高いので、基材を効率よく
冷却する必要があり、ホルダーあるいはマスキングを銅
製とすることが望まれる。このため、スパッタリング装
置に本発明の構成を用いると、優れた効果を得ることが
できる。
法、イオンプレーティング法、真空蒸着法などの薄膜製
造装置に適応することができる。中でも、スパッタリン
グ装置は基材に発生する熱が高いので、基材を効率よく
冷却する必要があり、ホルダーあるいはマスキングを銅
製とすることが望まれる。このため、スパッタリング装
置に本発明の構成を用いると、優れた効果を得ることが
できる。
【００１１】本発明の薄膜製造装置に使用される銅製部
材の表面は白金層で覆われているので、薄膜製造時に基
材に付着する金のような貴金属を回収する際に使用され
る溶解液に、部材を構成する銅が浸蝕されることがな
い。また、銅製部材の表面粗さが２０μｍ以下であるた
め、銅製部材の表面に白金層が均一に製膜できる。さら
に、銅製部材を使用することにより、基材に生じる熱を
効率よく放出することができる。
材の表面は白金層で覆われているので、薄膜製造時に基
材に付着する金のような貴金属を回収する際に使用され
る溶解液に、部材を構成する銅が浸蝕されることがな
い。また、銅製部材の表面粗さが２０μｍ以下であるた
め、銅製部材の表面に白金層が均一に製膜できる。さら
に、銅製部材を使用することにより、基材に生じる熱を
効率よく放出することができる。
【００１２】
【実施例】以下実施例を説明するが本発明はこれに限定
されるものではない。
されるものではない。
【００１３】（実施例−１）常温で弱酸性の有機酸に銅
製ホルダーと銅製マスキングを浸して、各々の表面に酸
エッチング処理を施した後、脱脂処理した。得られた銅
製ホルダーと銅製マスキングの表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：３．２μｍであった。この銅製ホルダー表面
と銅製マスキング表面とに電解メッキ法で、層厚２０μ
ｍの白金層を形成した。
製ホルダーと銅製マスキングを浸して、各々の表面に酸
エッチング処理を施した後、脱脂処理した。得られた銅
製ホルダーと銅製マスキングの表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：３．２μｍであった。この銅製ホルダー表面
と銅製マスキング表面とに電解メッキ法で、層厚２０μ
ｍの白金層を形成した。
【００１４】スパッタリング装置にポリカーボネート
（以下ＰＣと省略する）基材と、金ターゲットと、表面
が白金層に覆われた銅製ホルダーと、表面が白金層で覆
われた銅製マスキングとを設置した。ＰＣ基材は金ター
ゲットに対向しており、銅製ホルダーに固定されてい
る。さらに、所望する形状の薄膜を形成できるように、
銅製マスキングがＰＣ基材に接している。
（以下ＰＣと省略する）基材と、金ターゲットと、表面
が白金層に覆われた銅製ホルダーと、表面が白金層で覆
われた銅製マスキングとを設置した。ＰＣ基材は金ター
ゲットに対向しており、銅製ホルダーに固定されてい
る。さらに、所望する形状の薄膜を形成できるように、
銅製マスキングがＰＣ基材に接している。
【００１５】上記スパッタリング装置中で金のスパッタ
リングを繰返し、５０００枚のＰＣ基板に所望する形状
の金反射膜を形成した後、銅製ホルダーと銅製マスキン
グとを取り出してシアン系金溶解液（シアン化カリウム
と反応促進剤含有）に５０℃にて浸漬しながら空気を吹
き込み、付着している金を溶解した。その結果、銅製ホ
ルダーと銅製マスキングとに付着した金のうち重量比で
９９％の金を回収することができた。すなわち回収率は
９９％であった。また、スパッタリング時に熱が発生し
ても、ＰＣ基板の変形は生じなかった。
リングを繰返し、５０００枚のＰＣ基板に所望する形状
の金反射膜を形成した後、銅製ホルダーと銅製マスキン
グとを取り出してシアン系金溶解液（シアン化カリウム
と反応促進剤含有）に５０℃にて浸漬しながら空気を吹
き込み、付着している金を溶解した。その結果、銅製ホ
ルダーと銅製マスキングとに付着した金のうち重量比で
９９％の金を回収することができた。すなわち回収率は
９９％であった。また、スパッタリング時に熱が発生し
ても、ＰＣ基板の変形は生じなかった。
【００１６】さらに、５０００枚のＰＣ基板に金反射膜
を形成したごとに、金回収を行う操作を繰返したところ
回収率９９％に変化はなく、回収操作が３０回を越して
も白金層にピンホールは発生しなかった。
を形成したごとに、金回収を行う操作を繰返したところ
回収率９９％に変化はなく、回収操作が３０回を越して
も白金層にピンホールは発生しなかった。
【００１７】（実施例−２）銅製ホルダー表面と銅製マ
スクキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチ
ング処理と脱脂処理を行った後、各々の表面粗さを測定
したところ、Ｒa ：３．２μｍであった。前記銅製ホル
ダー表面と銅製マスクキング表面に、電解メッキ法で層
厚１０μｍの白金層を形成した。
スクキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチ
ング処理と脱脂処理を行った後、各々の表面粗さを測定
したところ、Ｒa ：３．２μｍであった。前記銅製ホル
ダー表面と銅製マスクキング表面に、電解メッキ法で層
厚１０μｍの白金層を形成した。
【００１８】上記銅製ホルダー表面と銅製マスクキング
表面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が２０回目で白金層にピンホールは発生
し、スパッタリングを中止した。
表面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が２０回目で白金層にピンホールは発生
し、スパッタリングを中止した。
【００１９】（実施例−３）銅製ホルダー表面と銅製マ
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。但し、酸エッチング処理の
時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：１２．５μｍであった。この銅製ホルダー表
面と銅製マスキング表面に、電解メッキ法で層厚１０μ
ｍの白金層を形成した。
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。但し、酸エッチング処理の
時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：１２．５μｍであった。この銅製ホルダー表
面と銅製マスキング表面に、電解メッキ法で層厚１０μ
ｍの白金層を形成した。
【００２０】上記銅製ホルダー表面と銅製マスキング表
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が１０回目で白金層にピンホールは発生
し、スパッタリングを中止した。
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が１０回目で白金層にピンホールは発生
し、スパッタリングを中止した。
【００２１】（実施例−４）銅製ホルダー表面と銅製マ
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。但し、酸エッチング処理の
時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：１８μｍであった。この銅製ホルダー表面と
銅製マスキング表面に、電解メッキ法で層厚１０μｍの
白金層を形成した。
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。但し、酸エッチング処理の
時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：１８μｍであった。この銅製ホルダー表面と
銅製マスキング表面に、電解メッキ法で層厚１０μｍの
白金層を形成した。
【００２２】上記銅製ホルダー表面と銅製マスキング表
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が９回目で白金層にピンホールは発生し、
スパッタリングを中止した。
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。また、ＰＣ基板に変形は生じなかった。しか
し、回収操作が９回目で白金層にピンホールは発生し、
スパッタリングを中止した。
【００２３】（比較例−１）銅製ホルダー表面と銅製マ
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理とを行った。但し、酸エッチング処理
の時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：２５μｍであった。この銅製ホルダー表面と
銅製マスキング表面に電解メッキ法で、層厚２０μｍの
白金層を形成した。
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理とを行った。但し、酸エッチング処理
の時間を短くしている。各々の表面粗さを測定したとこ
ろ、Ｒa ：２５μｍであった。この銅製ホルダー表面と
銅製マスキング表面に電解メッキ法で、層厚２０μｍの
白金層を形成した。
【００２４】上記銅製ホルダー表面と銅製マスキング表
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。しかし、回収操作が３回目で白金層にピンホ
ールは発生し、スパッタリングを中止した。
面に、実施例−１と同様に金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成したごと
に、金回収を行う操作を繰返したところ回収率は９９％
であった。しかし、回収操作が３回目で白金層にピンホ
ールは発生し、スパッタリングを中止した。
【００２５】（比較例−２）銅製ホルダー表面と銅製マ
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。両者の表面を実施例−１と
同様な方法で測定したところ、Ｒa ：３．２μｍであっ
た。上記マスキングを用いて金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成した後、金
回収を行ったところ、マスキングがシアン系金溶解液に
溶解してしまった。
スキング表面に、実施例−１と同様な方法で酸エッチン
グ処理と脱脂処理を行った。両者の表面を実施例−１と
同様な方法で測定したところ、Ｒa ：３．２μｍであっ
た。上記マスキングを用いて金スパッタリングを繰返し
た。５０００枚のＰＣ基板に金反射膜を形成した後、金
回収を行ったところ、マスキングがシアン系金溶解液に
溶解してしまった。
【００２６】以上の結果を、表１にまとめた。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１で示したように、本発明の薄膜製造装
置を使用した実施例−１〜４は金の回収率が高く、か
つ、回収操作を繰返し行うことができる。特に、白金層
の厚みが２０μｍ以上であり、銅製ホルダーと銅製マス
キングの表面粗さがＲa ：３．２μｍである実施例ー１
は優れた性能を示している。
置を使用した実施例−１〜４は金の回収率が高く、か
つ、回収操作を繰返し行うことができる。特に、白金層
の厚みが２０μｍ以上であり、銅製ホルダーと銅製マス
キングの表面粗さがＲa ：３．２μｍである実施例ー１
は優れた性能を示している。
【００２９】一方、厚み２０μｍの白金層を有している
銅製ホルダーと銅製マスキングの表面粗さがＲa ：２５
μｍである比較例−１は金回収率は優れているものの、
回収操作を繰返し行うと、すぐに、白金層にピンホール
が発生してしまう。繰返し回収操作を保障するためには
表面粗さＲa が２０μｍ以下であることが必要である。
また、表面粗さＲa が３．２μｍであっても、白金層を
有していない比較例−２は、金回収操作を行うと銅製ホ
ルダーと銅製マスキングがシアン系金溶解液に溶解して
しまった。
銅製ホルダーと銅製マスキングの表面粗さがＲa ：２５
μｍである比較例−１は金回収率は優れているものの、
回収操作を繰返し行うと、すぐに、白金層にピンホール
が発生してしまう。繰返し回収操作を保障するためには
表面粗さＲa が２０μｍ以下であることが必要である。
また、表面粗さＲa が３．２μｍであっても、白金層を
有していない比較例−２は、金回収操作を行うと銅製ホ
ルダーと銅製マスキングがシアン系金溶解液に溶解して
しまった。
【００３０】上記実施例ではターゲットととして金を使
用し、溶解液としてシアン系溶液を使用しているが、金
以外の貴金属あるいはシアン系溶液以外の溶解液でも同
様の結果を得た。
用し、溶解液としてシアン系溶液を使用しているが、金
以外の貴金属あるいはシアン系溶液以外の溶解液でも同
様の結果を得た。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜製造
装置はホルダーあるいはマスキングなどに付着した貴金
属を効率良く繰返し回収できるので、薄膜形成に要する
費用を低減することができる。
装置はホルダーあるいはマスキングなどに付着した貴金
属を効率良く繰返し回収できるので、薄膜形成に要する
費用を低減することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基材上に薄膜を形成する薄膜製造装置に
おいて、前記基材の一部を覆う銅製部材の表面粗さがＲ
a ：２０μｍ以下であり、かつ、前記銅製部材の表面は
白金層で覆われていることを特徴とする薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24492095A JPH0987841A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 薄膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24492095A JPH0987841A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 薄膜製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987841A true JPH0987841A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17125947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24492095A Pending JPH0987841A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 薄膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0987841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
| JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP24492095A patent/JPH0987841A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023177197A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材の製造方法、堆積物除去方法、有価金属回収方法、および成膜装置用部材の再生方法 |
| JP2023177015A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 田中貴金属工業株式会社 | 成膜装置用部材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2938151B2 (ja) | 研摩層をチタン合金製コンプレッサーエアフォイルへ適用する方法 | |
| EP0497925A1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING A WAFER CONFIGURATION OF PRINTED CIRCUITS USING METALLIC LAYERS THAT CAN BE SELECTIVELY ENGRAVED. | |
| JPWO2017188320A1 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
| HK1000457A1 (en) | A process for treating aluminium alloys | |
| HK1000457B (en) | A process for treating aluminium alloys | |
| TW201307611A (zh) | 以硬質膜被覆之硬質膜被覆構件及其製造方法 | |
| JP2008227395A (ja) | サブマウントおよびその製造方法 | |
| CN100414682C (zh) | 成膜方法、电子器件及电子仪器 | |
| JPH0987841A (ja) | 薄膜製造装置 | |
| JP2000163743A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板への無電解Ｎｉ−Ｐめっき層の形成方法 | |
| JPS62181191A (ja) | 平版印刷原版の製造方法 | |
| JPH1136061A (ja) | 物理蒸着装置のマスキング治具 | |
| JP4436802B2 (ja) | 成膜装置用構成部品およびその洗浄方法 | |
| JP3260639B2 (ja) | アルミへの亜鉛置換ニッケルメッキ方法 | |
| CN106191793B (zh) | 成膜装置及其清洗方法 | |
| JPH07235750A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3020673B2 (ja) | チタン合金素材のめっき前処理法 | |
| JPH0841624A (ja) | 蒸着用治具及び蒸着用治具の再生方法 | |
| JPS6210317B2 (ja) | ||
| JPH07216530A (ja) | 蒸着用治具及び蒸着用治具の再生方法 | |
| JP3567539B2 (ja) | 電子部品用基板及びその製造方法 | |
| JP2001355077A (ja) | 被切削加工用被覆体 | |
| JP4192069B2 (ja) | 超微細形状を表面に備えた金属薄膜パターンの形成方法 | |
| JP2001192860A (ja) | Ｃｖｔ用プーリーへのめっき方法、およびこのめっき方法における前処理方法 | |
| JPH11106918A (ja) | 薄膜形成用治具 |