JPH0987848A - ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH0987848A JPH0987848A JP7281143A JP28114395A JPH0987848A JP H0987848 A JPH0987848 A JP H0987848A JP 7281143 A JP7281143 A JP 7281143A JP 28114395 A JP28114395 A JP 28114395A JP H0987848 A JPH0987848 A JP H0987848A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 不揮発メモリーなどに用いられるビスマス層
状強誘電体薄膜ＡＢｉ２Ｂ２Ｏ９（ここでＡはＳｒまた
はＢａを、ＢはＮｂまたはＴａを表す）を化学気相成長
法で形成する方法を提供する。 【構成】 熱ＣＶＤ装置において、ＡとＢの原料として
Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２で表されるダブルエトキシドある
いはダブルイソプロポキシドを蒸発あるいは昇華させて
導入し、Ｂｉの原料として、ビスマスターシャリブトキ
シドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させ
て導入し、加熱した基板上にこれらの原料ガスを導き、
同時に原料ガスと基板の接触部に紫外線照射をして分解
成長させ、次いで酸素を含む雰囲気で熱処理する。 【効果】 本発明によれば、上記の方法を用いることに
より、膜の組成、結晶構造の制御が容易になり、半導体
装置製造において歩どまりが向上する効果がある。
状強誘電体薄膜ＡＢｉ２Ｂ２Ｏ９（ここでＡはＳｒまた
はＢａを、ＢはＮｂまたはＴａを表す）を化学気相成長
法で形成する方法を提供する。 【構成】 熱ＣＶＤ装置において、ＡとＢの原料として
Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２で表されるダブルエトキシドある
いはダブルイソプロポキシドを蒸発あるいは昇華させて
導入し、Ｂｉの原料として、ビスマスターシャリブトキ
シドまたはビスマスターシャリペントキシドを昇華させ
て導入し、加熱した基板上にこれらの原料ガスを導き、
同時に原料ガスと基板の接触部に紫外線照射をして分解
成長させ、次いで酸素を含む雰囲気で熱処理する。 【効果】 本発明によれば、上記の方法を用いることに
より、膜の組成、結晶構造の制御が容易になり、半導体
装置製造において歩どまりが向上する効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ビスマス層状強誘電体
薄膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、原料とし
て、特定のダブルアルコキシドおよびビスマスターシャ
リアルコキシドを用いて、紫外線照射により、気相成長
法で、該薄膜を製造する方法に関する。
薄膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、原料とし
て、特定のダブルアルコキシドおよびビスマスターシャ
リアルコキシドを用いて、紫外線照射により、気相成長
法で、該薄膜を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスマス層状強誘電体薄膜は、近年その
自発分極を利用した不揮発メモリーなどに使われる。特
にＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９は分極反転を繰り返すと膜の特
性が劣化してしまうというこれまでの強誘電体メモリー
の最大の問題点すなはち疲労（ｆａｔｉｇｕｅ）を解決
した優れた薄膜である。
自発分極を利用した不揮発メモリーなどに使われる。特
にＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９は分極反転を繰り返すと膜の特
性が劣化してしまうというこれまでの強誘電体メモリー
の最大の問題点すなはち疲労（ｆａｔｉｇｕｅ）を解決
した優れた薄膜である。
【０００３】該薄膜を通常の化学気相成長法（以下ＣＶ
Ｄ法と略す）で作る技術としては、１９９５年春季第４
２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集ｐ５２２「３
１ａ−Ｄ−１ ＭＯＣＶＤ法によるＢｉ層状強誘電体の
薄膜成長 ソニー中央研究所磯部千春ら」で初めて開示
された。この中では、タンタルエトキシドＴａ（ＯＣ２
Ｈ５）５とトリフェニルビスマスＢｉ（Ｃ６Ｈ５）３と
ストロンチウムビス（ジピバロイルメタナート）テトラ
エン錯体Ｓｒ（ｄｐｍ）２．ｔｅｔｒａｅｎ２の三種の
原料を用い、酸素ガスを導入し、減圧ＣＶＤ法により、
圧力、基板温度、ガス供給量などを最適化し、Ｐｔ／Ｔ
ｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、膜厚２００ｎｍ、組成比
Ｓｒ／Ｂｉ／Ｔａ＝１／２．２／２．５なるＳｒＢｉ２
Ｔａ２Ｏ９膜を得ている。基板温度６００−７５０℃で
分解堆積し、次いで８００℃で酸素雰囲気中でアニール
している。該方法は三種原料の供給量を最適化し制御す
ることが必要である。
Ｄ法と略す）で作る技術としては、１９９５年春季第４
２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集ｐ５２２「３
１ａ−Ｄ−１ ＭＯＣＶＤ法によるＢｉ層状強誘電体の
薄膜成長 ソニー中央研究所磯部千春ら」で初めて開示
された。この中では、タンタルエトキシドＴａ（ＯＣ２
Ｈ５）５とトリフェニルビスマスＢｉ（Ｃ６Ｈ５）３と
ストロンチウムビス（ジピバロイルメタナート）テトラ
エン錯体Ｓｒ（ｄｐｍ）２．ｔｅｔｒａｅｎ２の三種の
原料を用い、酸素ガスを導入し、減圧ＣＶＤ法により、
圧力、基板温度、ガス供給量などを最適化し、Ｐｔ／Ｔ
ｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、膜厚２００ｎｍ、組成比
Ｓｒ／Ｂｉ／Ｔａ＝１／２．２／２．５なるＳｒＢｉ２
Ｔａ２Ｏ９膜を得ている。基板温度６００−７５０℃で
分解堆積し、次いで８００℃で酸素雰囲気中でアニール
している。該方法は三種原料の供給量を最適化し制御す
ることが必要である。
【０００４】本発明者等は、該薄膜をＭＯＣＶＤ法で作
る場合、Ａ，Ｂ二元素が、膜と同じ組成比からなる特定
のダブルアルコキシドを原料として用いる方法を発明し
特許出願した（特願平７−１２０３５０号）。その中で
は、Ｂｉ原料としてビスマスターシャリブトキシドある
いはビスマスターシャリペントキシドを用いることも開
示している。この前特許出願によれば二種原料の供給量
を制御すればよく、優れた性能の薄膜を作ることができ
る。
る場合、Ａ，Ｂ二元素が、膜と同じ組成比からなる特定
のダブルアルコキシドを原料として用いる方法を発明し
特許出願した（特願平７−１２０３５０号）。その中で
は、Ｂｉ原料としてビスマスターシャリブトキシドある
いはビスマスターシャリペントキシドを用いることも開
示している。この前特許出願によれば二種原料の供給量
を制御すればよく、優れた性能の薄膜を作ることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前特許出願によって該
薄膜を製造するに際しては、原料として用いるダブルア
ルコキシドのＡ／Ｂ元素比と膜のＡ／Ｂ元素比が同じに
なるようにするには基板温度が５００℃以下が好ましい
ことがわかった。温度が５００℃より高いと原料ダブル
アルコキシドガスが基板に到達前に解離してしまうため
分解堆積のＡ／Ｂの比率が原料の比率と異なってしまう
と推定される。さらにもう一つの原料であるビスマスタ
ーシャリアルコキシドは、２５０−４００℃で分解堆積
する。よって二つの原料とも、基板到達前に基板からの
熱により高温に加熱されることを避けるのが望ましい。
すなわちできるだけ基板の温度を低くしてＣＶＤ法を行
うことが好ましい。このために通常の熱ＣＶＤ法よりさ
らに好都合なＣＶＤ法が望まれる。また、３００℃付近
の低温でのＣＶＤ法では、残留炭素が多いのが普通であ
るので、この残留炭素を減らすことが求められる。
薄膜を製造するに際しては、原料として用いるダブルア
ルコキシドのＡ／Ｂ元素比と膜のＡ／Ｂ元素比が同じに
なるようにするには基板温度が５００℃以下が好ましい
ことがわかった。温度が５００℃より高いと原料ダブル
アルコキシドガスが基板に到達前に解離してしまうため
分解堆積のＡ／Ｂの比率が原料の比率と異なってしまう
と推定される。さらにもう一つの原料であるビスマスタ
ーシャリアルコキシドは、２５０−４００℃で分解堆積
する。よって二つの原料とも、基板到達前に基板からの
熱により高温に加熱されることを避けるのが望ましい。
すなわちできるだけ基板の温度を低くしてＣＶＤ法を行
うことが好ましい。このために通常の熱ＣＶＤ法よりさ
らに好都合なＣＶＤ法が望まれる。また、３００℃付近
の低温でのＣＶＤ法では、残留炭素が多いのが普通であ
るので、この残留炭素を減らすことが求められる。
【０００６】本発明の目的は、ビスマス層状強誘電体薄
膜をＣＶＤ法で製造する方法を提供することである。
膜をＣＶＤ法で製造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、金属アル
コキシドの製法およびその物性ならびにＣＶＤ法による
ビスマス層状強誘電体薄膜の製法について鋭意検討して
きた。その結果、Ａ，Ｂ二元素が膜と同じ組成比からな
る特定のダブルアルコキシドおよびビスマスターシャリ
アルコキシドが、紫外線を吸収し、その紫外線により分
解反応が促進されることを見いだし本発明を完成するに
至った。本発明の特徴は、特定のダブルアルコキシドと
特定のビスマスターシャリアルコキシドを用いて、ＣＶ
Ｄ法で強誘電体薄膜を作る場合に、原料ガスと基体の接
触部に紫外線を照射することである。
コキシドの製法およびその物性ならびにＣＶＤ法による
ビスマス層状強誘電体薄膜の製法について鋭意検討して
きた。その結果、Ａ，Ｂ二元素が膜と同じ組成比からな
る特定のダブルアルコキシドおよびビスマスターシャリ
アルコキシドが、紫外線を吸収し、その紫外線により分
解反応が促進されることを見いだし本発明を完成するに
至った。本発明の特徴は、特定のダブルアルコキシドと
特定のビスマスターシャリアルコキシドを用いて、ＣＶ
Ｄ法で強誘電体薄膜を作る場合に、原料ガスと基体の接
触部に紫外線を照射することである。
【０００８】本発明のダブルアルコキシドとしては、Ｓ
ｒ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ（Ｔａ（ＯｉＰ
ｒ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ
（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｂ
ａ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯＥ
ｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯｉＰｒ）６〕２の８種とそ
れらの混合物である（上記において、ＯＥｔはエトキシ
基、ＯｉＰｒはイソプロポキシ基を表す）。また、ビス
マスターシャリアルコキシドとしては、ビスマスターシ
ャリブトキシドあるいはビスマスターシャリペントキシ
ドである。
ｒ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ（Ｔａ（ＯｉＰ
ｒ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ（ＯＥｔ）６〕２，Ｓｒ〔Ｎｂ
（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｔａ（ＯＥｔ）６〕２，Ｂ
ａ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯＥ
ｔ）６〕２，Ｂａ〔Ｎｂ（ＯｉＰｒ）６〕２の８種とそ
れらの混合物である（上記において、ＯＥｔはエトキシ
基、ＯｉＰｒはイソプロポキシ基を表す）。また、ビス
マスターシャリアルコキシドとしては、ビスマスターシ
ャリブトキシドあるいはビスマスターシャリペントキシ
ドである。
【０００９】本発明者等は原料のアルコキシドとして、
Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂｉ（ＯｔＰｅｎ）３
の可視、紫外域における光の吸収特性を測定したので図
１に示す。２４８ｎｍにおける分子吸収係数は、図１よ
り、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２が４９４（１・ｍｏ
ｌ−１・ｃｍ−１）、Ｂｉ（ＯｔＰｅｎ）３が６３０
（１・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）と求められる。このよう
に各アルコキシドは紫外域に大きな吸収を有しており、
その分解反応が促進される可能性を示している。
Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２，Ｂｉ（ＯｔＰｅｎ）３
の可視、紫外域における光の吸収特性を測定したので図
１に示す。２４８ｎｍにおける分子吸収係数は、図１よ
り、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２が４９４（１・ｍｏ
ｌ−１・ｃｍ−１）、Ｂｉ（ＯｔＰｅｎ）３が６３０
（１・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）と求められる。このよう
に各アルコキシドは紫外域に大きな吸収を有しており、
その分解反応が促進される可能性を示している。
【００１０】そこで本発明者等は、通常のＣＶＤ装置を
用いて、ＣＶＤを行いながら、２５４ｎｍと１８５ｎｍ
のスペクトルを有する低圧水銀ランプ、あるいは１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光、あるいは２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザー光を原料ガスと基体の接触部
に照射してみた。その結果、これらのアルコキシドは、
光の照射を行わなくとも３００℃程度の低温でも熱分解
し、薄膜を形成するが、低圧水銀ランプの光あるいはエ
キシマレーザー光を照射した場合、膜の成長速度が照射
しない場合の数倍になり、そのため、より低温でも製膜
することを見いだし本発明を完成するに至った。
用いて、ＣＶＤを行いながら、２５４ｎｍと１８５ｎｍ
のスペクトルを有する低圧水銀ランプ、あるいは１９３
ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー光、あるいは２４８ｎｍ
のＫｒＦエキシマレーザー光を原料ガスと基体の接触部
に照射してみた。その結果、これらのアルコキシドは、
光の照射を行わなくとも３００℃程度の低温でも熱分解
し、薄膜を形成するが、低圧水銀ランプの光あるいはエ
キシマレーザー光を照射した場合、膜の成長速度が照射
しない場合の数倍になり、そのため、より低温でも製膜
することを見いだし本発明を完成するに至った。
【００１１】本発明によれば、分解堆積時の基板温度を
下げることができる。そのため原料ガスが基板到達前
に、基板の熱で加熱される温度が下がるので、原料ガス
が基板に到達前に解離したり熱分解するものが減り、基
板上で実質的にはじめて分解堆積するので、ダブルアル
コキシドのＡ，Ｂ二元素の比と形成された膜のＡ，Ｂ二
元素の組成比が等しくなる。
下げることができる。そのため原料ガスが基板到達前
に、基板の熱で加熱される温度が下がるので、原料ガス
が基板に到達前に解離したり熱分解するものが減り、基
板上で実質的にはじめて分解堆積するので、ダブルアル
コキシドのＡ，Ｂ二元素の比と形成された膜のＡ，Ｂ二
元素の組成比が等しくなる。
【００１２】原料の希釈混合のガスとしては、アルゴン
あるいは窒素あるいは酸素元素を有する酸化性ガスを含
んだアルゴンまたは窒素が用いられる。ここで酸素元素
を有する酸化性ガスとは、酸素、オゾン、亜酸化窒素Ｎ
２Ｏなどである。ただし、これらの酸化性ガスを含んだ
雰囲気で紫外線照射した場合は、それらを含まない雰囲
気で紫外線照射して場合に比べて、原料ガスの分解がよ
り促進されるが、気相中で均一核生成する確率も増え、
必ずしも基板上での分解堆積が増すとは限らない。よっ
て、最適な膜形成のためには、紫外線の波長、強度に加
え、酸化性ガスの分圧や基板温度などの操作因子を最適
化する必要がある。
あるいは窒素あるいは酸素元素を有する酸化性ガスを含
んだアルゴンまたは窒素が用いられる。ここで酸素元素
を有する酸化性ガスとは、酸素、オゾン、亜酸化窒素Ｎ
２Ｏなどである。ただし、これらの酸化性ガスを含んだ
雰囲気で紫外線照射した場合は、それらを含まない雰囲
気で紫外線照射して場合に比べて、原料ガスの分解がよ
り促進されるが、気相中で均一核生成する確率も増え、
必ずしも基板上での分解堆積が増すとは限らない。よっ
て、最適な膜形成のためには、紫外線の波長、強度に加
え、酸化性ガスの分圧や基板温度などの操作因子を最適
化する必要がある。
【００１３】本発明の紫外線の光源としては、１８５ｎ
ｍと２５４ｎｍに輝線を有する低圧水銀ランプが用いら
れる。このランプの光の強度の大半は２５４ｎｍにあ
る。
ｍと２５４ｎｍに輝線を有する低圧水銀ランプが用いら
れる。このランプの光の強度の大半は２５４ｎｍにあ
る。
【００１４】さらに本発明の紫外線の光源としては、１
９３ｎｍと２４８ｎｍの範囲で発振するエキシマレーザ
ーが用いられる。例えば、１９３ｎｍで発振するＡｒＦ
エキシマレーザーまたは２２２ｎｍで発振するＫｒＣｌ
エキシマレーザーまたは２４８ｎｍで発振するＫｒＦエ
キシマレーザーなどである。
９３ｎｍと２４８ｎｍの範囲で発振するエキシマレーザ
ーが用いられる。例えば、１９３ｎｍで発振するＡｒＦ
エキシマレーザーまたは２２２ｎｍで発振するＫｒＣｌ
エキシマレーザーまたは２４８ｎｍで発振するＫｒＦエ
キシマレーザーなどである。
【００１５】以下に本発明の実施例を説明する。なお当
然のことであるが、以下の実施例は本発明の一例を示す
ものであって、本発明はこの実施例にのみ限定されるも
のではない。
然のことであるが、以下の実施例は本発明の一例を示す
ものであって、本発明はこの実施例にのみ限定されるも
のではない。
【００１６】
【実施例１】減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧５Ｔｏｒｒ）の
原料容器にＳｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２１０ｇを充填
し、該容器を１８０℃の恒温に保ち、アルゴンを９０ｍ
ｌ／ｍｉｎ導入し、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の昇
華した蒸気を同伴させ、熱分解炉に送った。同時に別の
原料容器にＢｉ〔ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５〕３１０ｇ
を充填し、該容器を８０℃の恒温に保ち、アルゴンを３
０ｍｌ／ｍｉｎ導入し、昇華した蒸気を同伴させ、熱分
解炉に送った。熱分解炉中では、Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ
基板を２８０℃に加熱しており、この基板上に上記の二
種のガスを混合して導き、基板表面に低圧水銀ランプか
らの主として１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線を照
射し、２０分間分解堆積をおこさしめた。最後に酸素と
アルゴンの混合ガスを流しながら、７５０℃、３０分間
の結晶化処理を施した。こうして基板上に２５０ｎｍの
厚さの薄膜を得た。この結晶構造をＸＲＤで分析した結
果、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９であった。
原料容器にＳｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２１０ｇを充填
し、該容器を１８０℃の恒温に保ち、アルゴンを９０ｍ
ｌ／ｍｉｎ導入し、Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２の昇
華した蒸気を同伴させ、熱分解炉に送った。同時に別の
原料容器にＢｉ〔ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５〕３１０ｇ
を充填し、該容器を８０℃の恒温に保ち、アルゴンを３
０ｍｌ／ｍｉｎ導入し、昇華した蒸気を同伴させ、熱分
解炉に送った。熱分解炉中では、Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ
基板を２８０℃に加熱しており、この基板上に上記の二
種のガスを混合して導き、基板表面に低圧水銀ランプか
らの主として１８５ｎｍおよび２５４ｎｍの紫外線を照
射し、２０分間分解堆積をおこさしめた。最後に酸素と
アルゴンの混合ガスを流しながら、７５０℃、３０分間
の結晶化処理を施した。こうして基板上に２５０ｎｍの
厚さの薄膜を得た。この結晶構造をＸＲＤで分析した結
果、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９であった。
【００１７】
【実施例２】低圧水銀ランプの代わりに２４８ｎｍの紫
外線を発振するＫｒＦエキシマレーザーを用い、基板温
度を２７０℃とした他は、実施例１と同様な操作を行
い、２５０ｎｍのＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜を得た。
外線を発振するＫｒＦエキシマレーザーを用い、基板温
度を２７０℃とした他は、実施例１と同様な操作を行
い、２５０ｎｍのＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜を得た。
【００１８】
【比較例】低圧水銀ランプを使用せずに、基板温度を３
２０℃とした他は、実施例１と同様な操作を行い、厚さ
２５０ｎｍのＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜を得た。同一条件
での実験を繰り返した場合の膜の元素比率Ｓｒ／Ｔａ／
Ｂｉは比較例の方が実施例１、実施例２等に比べ、ばら
つきが多かった。
２０℃とした他は、実施例１と同様な操作を行い、厚さ
２５０ｎｍのＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９膜を得た。同一条件
での実験を繰り返した場合の膜の元素比率Ｓｒ／Ｔａ／
Ｂｉは比較例の方が実施例１、実施例２等に比べ、ばら
つきが多かった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｂｉ層状強誘電体薄膜
を、原料として特定のダブルアルコキシドおよび特定の
ビスマスアルコキシドを用い、ＣＶＤ法で製造する際、
原料ガスと基体の接触部に紫外線照射することにより、
良好な薄膜を得ることができる。この方法を用いること
により、膜の組成、結晶構造を制御しやすくなる。また
半導体装置製造において、歩どまりが向上するので大き
なメリットとなる。
を、原料として特定のダブルアルコキシドおよび特定の
ビスマスアルコキシドを用い、ＣＶＤ法で製造する際、
原料ガスと基体の接触部に紫外線照射することにより、
良好な薄膜を得ることができる。この方法を用いること
により、膜の組成、結晶構造を制御しやすくなる。また
半導体装置製造において、歩どまりが向上するので大き
なメリットとなる。
【図１】本発明の原料として用いられるＳｒ［Ｔａ〔Ｏ
ＣＨ（ＣＨ３）２〕６］２とＢｉ〔ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ
２Ｈ５〕３の光の吸収特性図
ＣＨ（ＣＨ３）２〕６］２とＢｉ〔ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ
２Ｈ５〕３の光の吸収特性図
Ａ＝ Ｓｒ〔Ｔａ（ＯｉＰｒ）６〕２ （５．０×１０−３ｍｏｌ／１） Ｂ＝ Ｂｉ（ＯｔＰｅｎ）３ （３．０×１０−３ｍｏｌ／１）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/314 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１ 27/10 ４５１ Ｈ０１Ｇ 4/06 １０２ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ 21/8242
Claims (3)
- 【請求項１】 ＡＢｉ２Ｂ２Ｏ９（ただし、式中Ａ＝Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｂ＝Ｎｂ，Ｔａのいずれかを表す）で表され
るビスマス層状強誘電体の薄膜を、ＡとＢの原料として
Ａ〔Ｂ（ＯＲ）６〕２（ここでＲは、Ｃ２Ｈ５，ＣＨ
（ＣＨ３）２を表す）で表されるダブルアルコキシドを
用い、Ｂｉの原料としてビスマスターシャリブトキシド
あるいはビスマスターシャリペントキシドを用いて気相
成長法で製造する場合において、原料ガスと基体の接触
部に紫外線照射をすることを特徴とするビスマス層状強
誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項２】 紫外線の光源が１８５ｎｍと２５４ｎｍ
に輝線を有する低圧水銀ランプであることを特徴とする
請求項１のビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 紫外線の光源が１９３ｎｍと２４８ｎｍ
の範囲で発振するエキシマレーザーであることを特徴と
する請求項１のビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281143A JPH0987848A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7281143A JPH0987848A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0987848A true JPH0987848A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17634970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7281143A Pending JPH0987848A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0987848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465260B1 (en) | 1999-06-28 | 2002-10-15 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and method for the manufacture thereof |
| JP2004253680A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Hitachi Ltd | 金属酸化物前駆体溶液と前駆体薄膜、該薄膜の形成方法およびそれを用いたコンデンサ |
| GB2429201A (en) * | 2003-02-05 | 2007-02-21 | Univ Cambridge Tech | The use of bismuth (methoxy methyl propanolate)3 as a precursor in forming a ferroelectric material |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP7281143A patent/JPH0987848A/ja active Pending
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