JPH0992535A - 磁性薄膜 - Google Patents
磁性薄膜Info
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- JPH0992535A JPH0992535A JP28114295A JP28114295A JPH0992535A JP H0992535 A JPH0992535 A JP H0992535A JP 28114295 A JP28114295 A JP 28114295A JP 28114295 A JP28114295 A JP 28114295A JP H0992535 A JPH0992535 A JP H0992535A
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-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、電気比抵抗と飽和磁束密度が高く、
かつ大きな異方性磁界を有し、良好な透磁率の周波数特
性を有する磁性薄膜を提供することを目的とする。 【構成】 一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、５≦ｘ≦２５、０≦ｙ≦３
５、７．５≦ｚ≦３５、３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０である
組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０Ｏｅ以
上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有すること
を特徴とする磁性薄膜。
かつ大きな異方性磁界を有し、良好な透磁率の周波数特
性を有する磁性薄膜を提供することを目的とする。 【構成】 一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、５≦ｘ≦２５、０≦ｙ≦３
５、７．５≦ｚ≦３５、３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０である
組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０Ｏｅ以
上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有すること
を特徴とする磁性薄膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣ
ｏａ）１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、Ｌは
Ｓｃ（スカンジウム），Ｙ（イットリウム），Ｌａ（ラ
ンタン），Ｃｅ（セリウム），Ｐｒ（プラセオジム），
Ｎｄ（ネオジム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユウロ
ピウム），Ｇｄ（カドリニウム），Ｔｂ（テルビウ
ム），Ｄｙ（ジスプロシウム），Ｈｏ（ホルミウム），
Ｅｒ（エルビウム），Ｔｍ（ツリウム），Ｙｂ（イッテ
ルビウム），Ｌｕ（ルテチウム）のうちから選択される
１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ（ニッケ
ル），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｈｆ
（ハフニウム），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオブ），
Ｔａ（タンタル），Ｃｒ（クロム），Ｍｏ（モリブデ
ン），Ｗ（タングステン），Ｃｕ（銅），Ｍｎ（マンガ
ン），Ｒｕ（ルテニウム），Ｒｈ（ロジウム），Ｐｄ
（パラジウム），Ｏｓ（オスミウム），Ｉｒ（イリジウ
ム），Ｐｔ（白金），Ｓｉ（ケイ素），Ａｌ（アルミニ
ウム），Ｇｅ（ゲルマニウム）のうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、電気比抵抗および異方
性磁界が高く、高周波域で優れた軟磁気特性を有する薄
膜に関するもので、薄膜トランス、薄膜インダクタ、薄
膜ヘッド等に適した磁性薄膜を提供しようとするもので
ある。
ｏａ）１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、Ｌは
Ｓｃ（スカンジウム），Ｙ（イットリウム），Ｌａ（ラ
ンタン），Ｃｅ（セリウム），Ｐｒ（プラセオジム），
Ｎｄ（ネオジム），Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユウロ
ピウム），Ｇｄ（カドリニウム），Ｔｂ（テルビウ
ム），Ｄｙ（ジスプロシウム），Ｈｏ（ホルミウム），
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ルビウム），Ｌｕ（ルテチウム）のうちから選択される
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ル），Ｔｉ（チタン），Ｚｒ（ジルコニウム），Ｈｆ
（ハフニウム），Ｖ（バナジウム），Ｎｂ（ニオブ），
Ｔａ（タンタル），Ｃｒ（クロム），Ｍｏ（モリブデ
ン），Ｗ（タングステン），Ｃｕ（銅），Ｍｎ（マンガ
ン），Ｒｕ（ルテニウム），Ｒｈ（ロジウム），Ｐｄ
（パラジウム），Ｏｓ（オスミウム），Ｉｒ（イリジウ
ム），Ｐｔ（白金），Ｓｉ（ケイ素），Ａｌ（アルミニ
ウム），Ｇｅ（ゲルマニウム）のうちから選択される１
種または２種以上の元素であり、電気比抵抗および異方
性磁界が高く、高周波域で優れた軟磁気特性を有する薄
膜に関するもので、薄膜トランス、薄膜インダクタ、薄
膜ヘッド等に適した磁性薄膜を提供しようとするもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化と共に動作周波
数を高める努力が、盛んに行われている。しかし、各種
の磁気デバイスに用いられている既知の磁性材料には、
高周波域で十分な特性を有するものはなく、従ってこれ
らの磁気デバイスの高周波での使用には制限が多かっ
た。一般に、１ＭＨｚ以上の高周波域になると、磁性材
料自体に流れる渦電流によって、大きな損失が発生す
る。電気比抵抗の小さな金属系の磁性材料は、渦電流に
よる損失が大きく、高周波域で使用することは困難であ
った。一方、酸化物系であるフェライトやガーネットな
どの磁性材料は、材料自体の電気比抵抗が非常に高いた
め、渦電流による損失は比較的発生しにくい。しかし、
透磁率の大きなものが得られにくく、かつ飽和磁束密度
が小さいために自然共鳴周波数が低く、高周波域での使
用には制限が多かった。
数を高める努力が、盛んに行われている。しかし、各種
の磁気デバイスに用いられている既知の磁性材料には、
高周波域で十分な特性を有するものはなく、従ってこれ
らの磁気デバイスの高周波での使用には制限が多かっ
た。一般に、１ＭＨｚ以上の高周波域になると、磁性材
料自体に流れる渦電流によって、大きな損失が発生す
る。電気比抵抗の小さな金属系の磁性材料は、渦電流に
よる損失が大きく、高周波域で使用することは困難であ
った。一方、酸化物系であるフェライトやガーネットな
どの磁性材料は、材料自体の電気比抵抗が非常に高いた
め、渦電流による損失は比較的発生しにくい。しかし、
透磁率の大きなものが得られにくく、かつ飽和磁束密度
が小さいために自然共鳴周波数が低く、高周波域での使
用には制限が多かった。
【０００３】高飽和磁束密度を有し、かつ高周波域での
透磁率特性の良好な磁性材料に対する期待は大きく、こ
れまでにも金属系磁性材料の電気比抵抗を高くする方法
が提案されている。例えば、金属とセラミックスの同時
スパッタリングにより、セラミックスが分散した非晶質
合金膜を得る方法が、特開昭６０−１５２６５１号によ
り提案され、さらに、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６３
（８），１５Ａｐｒｉｌ１９８８にＦｅ−Ｂ４Ｃ系分散
膜が、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６７（９），Ｍａｙ
１９９０にＣｏ０．４Ｆｅ０．４Ｂ０．２−ＳｉＯ２系
分散膜が、高い電気比抵抗で軟磁気特性を有することが
示されている。また、膜厚の厚い単層膜では、良好な軟
磁気特性が得られないＣｏ０．９５Ｆｅ０．０５−ＢＮ
系分散膜を、０．１μｍ以下の薄い磁性層とすることで
軟磁気特性が得られ、この薄い磁性層を非磁性中間層を
挟んで積層することにより、厚い膜でも軟磁気特性が得
られることが、特開平４−１４２７１０号に示されてい
る。また他に、Ｎ２やＯ２ガスを用いた反応性スパッタ
リングにより電気比抵抗の高い非晶質合金膜を得る方法
が、特開昭５４−９４４２８号に開示されている。
透磁率特性の良好な磁性材料に対する期待は大きく、こ
れまでにも金属系磁性材料の電気比抵抗を高くする方法
が提案されている。例えば、金属とセラミックスの同時
スパッタリングにより、セラミックスが分散した非晶質
合金膜を得る方法が、特開昭６０−１５２６５１号によ
り提案され、さらに、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６３
（８），１５Ａｐｒｉｌ１９８８にＦｅ−Ｂ４Ｃ系分散
膜が、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６７（９），Ｍａｙ
１９９０にＣｏ０．４Ｆｅ０．４Ｂ０．２−ＳｉＯ２系
分散膜が、高い電気比抵抗で軟磁気特性を有することが
示されている。また、膜厚の厚い単層膜では、良好な軟
磁気特性が得られないＣｏ０．９５Ｆｅ０．０５−ＢＮ
系分散膜を、０．１μｍ以下の薄い磁性層とすることで
軟磁気特性が得られ、この薄い磁性層を非磁性中間層を
挟んで積層することにより、厚い膜でも軟磁気特性が得
られることが、特開平４−１４２７１０号に示されてい
る。また他に、Ｎ２やＯ２ガスを用いた反応性スパッタ
リングにより電気比抵抗の高い非晶質合金膜を得る方法
が、特開昭５４−９４４２８号に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高周波域で使用される
磁性材料は、電気比抵抗と飽和磁束密度が共に高いこと
が求められる。ところで、高周波域で磁性材料に損失を
発生させる大きな原因は、上述したような渦電流損失の
他に、共鳴損失がある。この共鳴損失は、飽和磁束密度
と異方性磁界が高いほど抑制できる。この点から、飽和
磁束密度の高いＦｅ基およびＦｅ−Ｃｏ基合金は高周波
用磁性材料として有望である。高周波用Ｆｅ基合金薄膜
として、日本応用磁気学会誌１８，４１５−４１８（１
９９４）に、Ｆｅ−ＨｆまたはＦｅ−Ｚｒ合金を、Ｏ２
を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、電気
抵抗が高く軟磁気特性に優れた薄膜が作製され得ること
が報告されているが、磁気異方性の制御が十分ではな
く、高周波域において損失が大きい。この例に見られる
ように、Ｆｅ基およびＦｅ−Ｃｏ基合金は、Ｃｏ基合金
などと比べて飽和磁束密度は高い反面、異方性磁界を大
きくすることが困難であったことから、これまでに十分
な透磁率の高周波特性を有する材料は報告されていなか
った。
磁性材料は、電気比抵抗と飽和磁束密度が共に高いこと
が求められる。ところで、高周波域で磁性材料に損失を
発生させる大きな原因は、上述したような渦電流損失の
他に、共鳴損失がある。この共鳴損失は、飽和磁束密度
と異方性磁界が高いほど抑制できる。この点から、飽和
磁束密度の高いＦｅ基およびＦｅ−Ｃｏ基合金は高周波
用磁性材料として有望である。高周波用Ｆｅ基合金薄膜
として、日本応用磁気学会誌１８，４１５−４１８（１
９９４）に、Ｆｅ−ＨｆまたはＦｅ−Ｚｒ合金を、Ｏ２
を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、電気
抵抗が高く軟磁気特性に優れた薄膜が作製され得ること
が報告されているが、磁気異方性の制御が十分ではな
く、高周波域において損失が大きい。この例に見られる
ように、Ｆｅ基およびＦｅ−Ｃｏ基合金は、Ｃｏ基合金
などと比べて飽和磁束密度は高い反面、異方性磁界を大
きくすることが困難であったことから、これまでに十分
な透磁率の高周波特性を有する材料は報告されていなか
った。
【０００５】以上のように、電気比抵抗と飽和磁束密度
が高く、かつ大きな異方性磁界を有し、厚い単層膜でも
良好な軟磁気特性を有する高周波用磁性薄膜材料が求め
られていた。本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、高周波域で優れた軟磁気特性を有する電気比抵抗お
よび飽和磁束密度が高く、かつ大きな異方性磁界を有す
る磁性薄膜を提供することを目的とする。
が高く、かつ大きな異方性磁界を有し、厚い単層膜でも
良好な軟磁気特性を有する高周波用磁性薄膜材料が求め
られていた。本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、高周波域で優れた軟磁気特性を有する電気比抵抗お
よび飽和磁束密度が高く、かつ大きな異方性磁界を有す
る磁性薄膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の事情を
鑑みて鋭意努力した結果であり、スパッタ法によって、
ｂｃｃ−Ｆｅ相と酸化物相からなるネットワーク状の微
細組織の薄膜を作製することによって、飽和磁束密度と
電気比抵抗が高く、良好な軟磁気特性を示す磁性薄膜が
得られることを見出した。スパッタ法、例えばＲＦスパ
ッタ成膜装置を用い、ターゲット、例えば純Ｆｅあるい
は合金円板上に所定の組成になるように酸化物などのチ
ップを均等に配置した複合ターゲットを用いて行う。成
膜は磁場中あるいは無磁場中で行い、熱処理は磁場中、
例えば静磁界中および回転磁界中、あるいは無磁場中
で、１００℃から５００℃の範囲のそれぞれの温度で適
当な時間、例えば１〜５時間保持した。これらの膜を静
磁界中で成膜あるいは熱処理することにより、大きな異
方性磁界を付与し得ることを見出した。
鑑みて鋭意努力した結果であり、スパッタ法によって、
ｂｃｃ−Ｆｅ相と酸化物相からなるネットワーク状の微
細組織の薄膜を作製することによって、飽和磁束密度と
電気比抵抗が高く、良好な軟磁気特性を示す磁性薄膜が
得られることを見出した。スパッタ法、例えばＲＦスパ
ッタ成膜装置を用い、ターゲット、例えば純Ｆｅあるい
は合金円板上に所定の組成になるように酸化物などのチ
ップを均等に配置した複合ターゲットを用いて行う。成
膜は磁場中あるいは無磁場中で行い、熱処理は磁場中、
例えば静磁界中および回転磁界中、あるいは無磁場中
で、１００℃から５００℃の範囲のそれぞれの温度で適
当な時間、例えば１〜５時間保持した。これらの膜を静
磁界中で成膜あるいは熱処理することにより、大きな異
方性磁界を付与し得ることを見出した。
【０００７】本発明の特徴とするところは次の通りであ
る。第１発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜。
る。第１発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜。
【０００８】第２発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、Ｌの元素からＹを除いた請求項１記載の磁性薄膜。
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、Ｌの元素からＹを除いた請求項１記載の磁性薄膜。
【０００９】第３発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、組成比ａがａ＝０である請求項１に記載の磁性薄
膜。
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、組成比ａがａ＝０である請求項１に記載の磁性薄
膜。
【００１０】第４発明は、ネットワーク状の微細組織を
有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１
項に記載の磁性薄膜。
有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１
項に記載の磁性薄膜。
【００１１】第５発明は、結晶構造が主にｂｃｃ−Ｆｅ
相とＬの酸化物相からなることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれか１項に記載の磁性薄膜。
相とＬの酸化物相からなることを特徴とする請求項１な
いし３のいずれか１項に記載の磁性薄膜。
【００１２】第６発明は、真空中あるいはガス雰囲気中
において、磁場中あるいは無磁場中で成膜したことを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁性
薄膜。
において、磁場中あるいは無磁場中で成膜したことを特
徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁性
薄膜。
【００１３】第７発明は、磁場中あるいは無磁場中にお
いて、１００℃以上５００℃以下の温度で焼鈍したこと
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の
磁性薄膜。
いて、１００℃以上５００℃以下の温度で焼鈍したこと
を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の
磁性薄膜。
【００１４】第８発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜トランス。
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜トランス。
【００１５】第９発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜インダクタ。
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜インダクタ。
【００１６】第１０発明は、一般式（Ｆｅ１−ａＣ
ｏａ）１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、Ｌは
Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうち
から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｍは
Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，
Ｐｔ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種また
は２種以上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．
７で、そのｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる磁気記録再生ヘッ
ド。
ｏａ）１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、Ｌは
Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうち
から選択される１種または２種以上の元素であり、Ｍは
Ｎｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍ
ｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，
Ｐｔ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種また
は２種以上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．
７で、そのｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる磁気記録再生ヘッ
ド。
【００１７】
【作用】本発明の磁性薄膜は、主にｂｃｃ−Ｆｅ相と酸
化物相からなるネットワーク状の微細構造を有している
ことが必要である。この構造によって、高い電気比抵抗
および飽和磁束密度が得られる。また、静磁界中成膜に
よって、容易に磁気異方性を付与できる。
化物相からなるネットワーク状の微細構造を有している
ことが必要である。この構造によって、高い電気比抵抗
および飽和磁束密度が得られる。また、静磁界中成膜に
よって、容易に磁気異方性を付与できる。
【００１８】本発明において、ＬＸのｘが５％以上２５
％以下、ＯＺのｚが７．５％以上３５％以下としたの
は、ｘが５％未満、ｚが３５％未満であると、膜の電気
比抵抗が２５０μΩｃｍ未満となって０．１μｍ以上の
厚さでは高周波域での渦電流損失が大きくなり、ｘが２
５％を越え、ｚが３５％を越えると、超常磁性的な磁性
を示し軟磁性が失われるためである。Ｍは異方性磁界を
高めるなどの効果があるが、Ｍｙのｙとｘとｚとの総量
が６０％を越えると、飽和磁束密度が小さくなり、本発
明の趣旨にそぐわない。また、異方性磁界が２０Ｏｅ未
満であると自然共鳴周波数が低くなってしまい、数百Ｍ
Ｈｚでの使用が困難となるが、ｙが０％の場合を含め
て、ｘとｙとｚの総量が３０％以下では、異方性磁界が
２０Ｏｅ以上の磁性膜は得られない。これらの膜は、高
い電気比抵抗のため渦電流損失が低減されるのに加え
て、高い飽和磁束密度と大きな異方性磁界のために共鳴
損失が抑えられる。このため、厚さが０．１μｍ以上の
膜においても、数１００ＭＨｚの高周波域で軟磁気特性
が劣化しないという優れた特徴を有している。
％以下、ＯＺのｚが７．５％以上３５％以下としたの
は、ｘが５％未満、ｚが３５％未満であると、膜の電気
比抵抗が２５０μΩｃｍ未満となって０．１μｍ以上の
厚さでは高周波域での渦電流損失が大きくなり、ｘが２
５％を越え、ｚが３５％を越えると、超常磁性的な磁性
を示し軟磁性が失われるためである。Ｍは異方性磁界を
高めるなどの効果があるが、Ｍｙのｙとｘとｚとの総量
が６０％を越えると、飽和磁束密度が小さくなり、本発
明の趣旨にそぐわない。また、異方性磁界が２０Ｏｅ未
満であると自然共鳴周波数が低くなってしまい、数百Ｍ
Ｈｚでの使用が困難となるが、ｙが０％の場合を含め
て、ｘとｙとｚの総量が３０％以下では、異方性磁界が
２０Ｏｅ以上の磁性膜は得られない。これらの膜は、高
い電気比抵抗のため渦電流損失が低減されるのに加え
て、高い飽和磁束密度と大きな異方性磁界のために共鳴
損失が抑えられる。このため、厚さが０．１μｍ以上の
膜においても、数１００ＭＨｚの高周波域で軟磁気特性
が劣化しないという優れた特徴を有している。
【００１９】
【実施例】本発明を具体的に図を用いてさらに詳しく説
明する。 〔実施例１〕試料番号３（Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ
２３．２）の薄膜の製造 直径が８ｃｍの純Ｆｅ円板上に、被覆率が３０％となる
ように５×５ｍｍのＳｍ２Ｏ３チップを均等に配置した
複合ターゲットを、スパッタ装置を用いて高周波スパッ
タリングすることにより、Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ
２３．２膜を作製した。Ｓｍ２Ｏ３チップは、粉末を５
００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で押し固め、さらに１０００
℃で２時間加熱したものから、５×５ｍｍに切り出し
た。成膜条件は以下のように設定した。 導入ガス：Ａｒ 導入ガス流量：１０ＣＣＭ スパッタ圧力：２０ｍＴｏｒｒ 投入電力：１００Ｗ ターゲット基板間距離：４０ｍｍ 基板温度：２０℃（水冷） 基板：コーニング＃７０５９ 厚さ０．５ｍｍ 膜厚：２．４μｍ 印加磁界：１対の永久磁石（１８０ Ｏｅ） 得られた試料のＸ−ｒａｙ回折図形をＸ線回折装置でＣ
ｕＫαを用いて測定した。結果を図１に示す。ｂｃｃ−
Ｆｅの（１１０）と（２００）面に対応するピークが、
それぞれ２θ約４４°と約６５°に観察される。また、
Ｓｍ２Ｏ３に対応するブロードなピークが２θ約２８°
に観察される。この結果は、この試料が微細なｂｃｃ−
Ｆｅ相とアモルファス的なＳｍ２Ｏ３相から成ることを
示している。次に直流磁気特性を、試料振動磁力計（Ｖ
ＳＭ）により測定した。結果を図２に示す。図中の２つ
の磁化ループは、成膜時の磁界の印加方 難軸方向の保磁力（Ｈｃ）は１．１００ｅと小さく、異
方性磁界（Ｈｋ）は２７．５０ｅと大きな値を示してい
る。また、飽和磁束密度（Ｂｓ）も１３．３ｋＧと十分
に大きい。この試料の電気比抵抗（ρ）を直流４端子法
により測定したところ、３７０μΩ・ｃｍと非常に大き
な値を示す。次に、この試料の困難軸方向の透磁率の周
波数特性をネットワークアナライザーにより、パラレル
ライン法で測定した。パラレルライン法についての詳細
な説明は、日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．
２，ｐ４９７（１９９３）に開示されている。この結果
を図３に示す。透磁率は、高周波帯域まで良好な特性を
有していることがわかる。これはこの試料が、高い飽和
磁束密度と異方性磁界、並びに高い電気比抵抗を有して
いるためと考えられる。また表１には、この膜の静磁界
中（１ｋＯｅ）での熱処理の効果を示した。
明する。 〔実施例１〕試料番号３（Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ
２３．２）の薄膜の製造 直径が８ｃｍの純Ｆｅ円板上に、被覆率が３０％となる
ように５×５ｍｍのＳｍ２Ｏ３チップを均等に配置した
複合ターゲットを、スパッタ装置を用いて高周波スパッ
タリングすることにより、Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ
２３．２膜を作製した。Ｓｍ２Ｏ３チップは、粉末を５
００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で押し固め、さらに１０００
℃で２時間加熱したものから、５×５ｍｍに切り出し
た。成膜条件は以下のように設定した。 導入ガス：Ａｒ 導入ガス流量：１０ＣＣＭ スパッタ圧力：２０ｍＴｏｒｒ 投入電力：１００Ｗ ターゲット基板間距離：４０ｍｍ 基板温度：２０℃（水冷） 基板：コーニング＃７０５９ 厚さ０．５ｍｍ 膜厚：２．４μｍ 印加磁界：１対の永久磁石（１８０ Ｏｅ） 得られた試料のＸ−ｒａｙ回折図形をＸ線回折装置でＣ
ｕＫαを用いて測定した。結果を図１に示す。ｂｃｃ−
Ｆｅの（１１０）と（２００）面に対応するピークが、
それぞれ２θ約４４°と約６５°に観察される。また、
Ｓｍ２Ｏ３に対応するブロードなピークが２θ約２８°
に観察される。この結果は、この試料が微細なｂｃｃ−
Ｆｅ相とアモルファス的なＳｍ２Ｏ３相から成ることを
示している。次に直流磁気特性を、試料振動磁力計（Ｖ
ＳＭ）により測定した。結果を図２に示す。図中の２つ
の磁化ループは、成膜時の磁界の印加方 難軸方向の保磁力（Ｈｃ）は１．１００ｅと小さく、異
方性磁界（Ｈｋ）は２７．５０ｅと大きな値を示してい
る。また、飽和磁束密度（Ｂｓ）も１３．３ｋＧと十分
に大きい。この試料の電気比抵抗（ρ）を直流４端子法
により測定したところ、３７０μΩ・ｃｍと非常に大き
な値を示す。次に、この試料の困難軸方向の透磁率の周
波数特性をネットワークアナライザーにより、パラレル
ライン法で測定した。パラレルライン法についての詳細
な説明は、日本応用磁気学会誌，Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．
２，ｐ４９７（１９９３）に開示されている。この結果
を図３に示す。透磁率は、高周波帯域まで良好な特性を
有していることがわかる。これはこの試料が、高い飽和
磁束密度と異方性磁界、並びに高い電気比抵抗を有して
いるためと考えられる。また表１には、この膜の静磁界
中（１ｋＯｅ）での熱処理の効果を示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】〔実施例２〕試料番号５（Ｆｅ５９．５Ｔ
ｂ１０．８Ｏ２９．７）の薄膜の製造 直径８ｃｍの純Ｆｅ円板上に、被覆率が３０％となるよ
うにＴｂ２Ｏ３チップを均等に配置した複合ターゲット
を用い、膜厚が２．４μｍであることの他は、実施例１
の条件でＦｅ５９．５Ｔｂ１０．８Ｏ２９．７を作製し
た。また、Ｔｂ２Ｏ３チップの作製法は実施例１と同様
である。この試料のＶＳＭで測定した直流磁気履歴曲線
を図４に示す。この膜の困難軸方向の保磁力（Ｈｃ）は
０．７２Ｏｅであり、異方性磁界（Ｈｋ）は２１．９Ｏ
ｅである。また飽和磁束密度（Ｂｓ）は１３．３ｋＧ
で、、電気比抵抗（ρ）は５１１μΩｃｍである。図５
に、この試料の困難軸方向の透磁率の周波数特性を示
す。Ｆｅ−Ｓｍ−Ｏ膜と同様に、透磁率は高周波まで良
好な特性を示している。
ｂ１０．８Ｏ２９．７）の薄膜の製造 直径８ｃｍの純Ｆｅ円板上に、被覆率が３０％となるよ
うにＴｂ２Ｏ３チップを均等に配置した複合ターゲット
を用い、膜厚が２．４μｍであることの他は、実施例１
の条件でＦｅ５９．５Ｔｂ１０．８Ｏ２９．７を作製し
た。また、Ｔｂ２Ｏ３チップの作製法は実施例１と同様
である。この試料のＶＳＭで測定した直流磁気履歴曲線
を図４に示す。この膜の困難軸方向の保磁力（Ｈｃ）は
０．７２Ｏｅであり、異方性磁界（Ｈｋ）は２１．９Ｏ
ｅである。また飽和磁束密度（Ｂｓ）は１３．３ｋＧ
で、、電気比抵抗（ρ）は５１１μΩｃｍである。図５
に、この試料の困難軸方向の透磁率の周波数特性を示
す。Ｆｅ−Ｓｍ−Ｏ膜と同様に、透磁率は高周波まで良
好な特性を示している。
【００２２】〔実施例３〕試料番号１０（Ｆｅ５９．０
Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ２１．０）の薄膜の製造 膜厚が２．７μｍである以外は実施例１の成膜条件に、
さらに複合ターゲット上に被覆率２％のＰｔチップを加
えて、Ｆｅ５９．０Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ２１．０
膜を作製した。この試料のＶＳＭで測定した直流磁気履
歴曲線を図６に示す。この膜の困難軸方向の保磁力（Ｈ
ｃ）は１．２４Ｏｅであり、異方性磁界（Ｈｋ）は４
１．４Ｏｅである。飽和磁束密度（Ｂｓ）は１２．２ｋ
Ｇで、電気比抵抗（ρ）は５８３μΩｃｍである。この
結果は、実施例１で示したＦｅ−Ｓｍ−Ｏ膜にＰｔを加
えることによって、特に異方性磁界（Ｈｋ）が増加する
ことを示している。図７に、この試料の困難軸方向の透
磁率の周波数特性を示す。実施例１の場合と比較する
と、異方性磁界（Ｈｋ）が大きくなっているために透磁
率の値は小さくなっているが、より高周波までフラット
な特性が得られている。
Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ２１．０）の薄膜の製造 膜厚が２．７μｍである以外は実施例１の成膜条件に、
さらに複合ターゲット上に被覆率２％のＰｔチップを加
えて、Ｆｅ５９．０Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ２１．０
膜を作製した。この試料のＶＳＭで測定した直流磁気履
歴曲線を図６に示す。この膜の困難軸方向の保磁力（Ｈ
ｃ）は１．２４Ｏｅであり、異方性磁界（Ｈｋ）は４
１．４Ｏｅである。飽和磁束密度（Ｂｓ）は１２．２ｋ
Ｇで、電気比抵抗（ρ）は５８３μΩｃｍである。この
結果は、実施例１で示したＦｅ−Ｓｍ−Ｏ膜にＰｔを加
えることによって、特に異方性磁界（Ｈｋ）が増加する
ことを示している。図７に、この試料の困難軸方向の透
磁率の周波数特性を示す。実施例１の場合と比較する
と、異方性磁界（Ｈｋ）が大きくなっているために透磁
率の値は小さくなっているが、より高周波までフラット
な特性が得られている。
【００２３】また、表２および表３には代表的な本発明
の薄膜の特性を示し、さらに図８にはＦｅ１００−ＸＹ
９．８ＭＸＯ２３．５およびＦｅ１００−ＸＳｍ
１１．６ＭＸＯ２３．２の薄膜の特性とＸ量との関係
を、図９にはＦｅ１００−ＸＮｄ９．８ＭＸＯ２０．５
およびＦｅ１００−ＸＴｂ１０．８ＭＸＯ２９．７の薄
膜の特性とＸ量との関係を示した。尚、Ｆｅは鉄、Ｃｏ
はコバルト、Ｏは酸素である。
の薄膜の特性を示し、さらに図８にはＦｅ１００−ＸＹ
９．８ＭＸＯ２３．５およびＦｅ１００−ＸＳｍ
１１．６ＭＸＯ２３．２の薄膜の特性とＸ量との関係
を、図９にはＦｅ１００−ＸＮｄ９．８ＭＸＯ２０．５
およびＦｅ１００−ＸＴｂ１０．８ＭＸＯ２９．７の薄
膜の特性とＸ量との関係を示した。尚、Ｆｅは鉄、Ｃｏ
はコバルト、Ｏは酸素である。
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】
【発明の効果】本発明は、電気比抵抗と飽和磁束密度が
高く、かつ大きな異方性磁界を有し、厚い単層膜でも良
好な軟磁気特性を有する高周波用磁性薄膜材料を提供す
る。本発明の薄膜は、電気比抵抗が高いために渦電流損
失が低減されると共に、高い飽和磁束密度と大きな異方
性磁界によって共鳴損失が抑えられることによって、良
好な透磁率の高周波特性を実現したものであり、薄膜ト
ランス、薄膜インダクタおよび磁気記録再生ヘッドに用
いる磁性薄膜として好適なので、その工業的意義は大き
い。
高く、かつ大きな異方性磁界を有し、厚い単層膜でも良
好な軟磁気特性を有する高周波用磁性薄膜材料を提供す
る。本発明の薄膜は、電気比抵抗が高いために渦電流損
失が低減されると共に、高い飽和磁束密度と大きな異方
性磁界によって共鳴損失が抑えられることによって、良
好な透磁率の高周波特性を実現したものであり、薄膜ト
ランス、薄膜インダクタおよび磁気記録再生ヘッドに用
いる磁性薄膜として好適なので、その工業的意義は大き
い。
【図１】Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ２３．２薄膜の構
造を示すＸ線回折図形である。
造を示すＸ線回折図形である。
【図２】Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ２３．２薄膜の直
流磁気特性を示す特性図である。
流磁気特性を示す特性図である。
【図３】Ｆｅ６５．２Ｓｍ１１．６Ｏ２３．２薄膜の透
磁率と周波数特性との関係を示す特性図である。
磁率と周波数特性との関係を示す特性図である。
【図４】Ｆｅ５９．５Ｔｂ１０．８Ｏ２９．７薄膜の直
流磁気特性を示す特性図である。
流磁気特性を示す特性図である。
【図５】Ｆｅ５９．５Ｔｂ１０．８Ｏ２９．７薄膜の透
磁率と周波数特性との関係を示す特性図である。
磁率と周波数特性との関係を示す特性図である。
【図６】Ｆｅ５９．６Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ
２１．０薄膜の直流磁気特性を示す特性図である。
２１．０薄膜の直流磁気特性を示す特性図である。
【図７】Ｆｅ５９．６Ｓｍ１０．５Ｐｔ９．５Ｏ
２１．０薄膜の透磁率と周波数特性との関係を示す特性
図である。
２１．０薄膜の透磁率と周波数特性との関係を示す特性
図である。
【図８】Ｆｅ１００−ＸＹ９．８ＭＸＯ２３．５および
Ｆｅ１００−ＸＳｍ１１．６ＭＸＯ２３．２薄膜の諸特
性とＸ量との関係を示す特性図である。
Ｆｅ１００−ＸＳｍ１１．６ＭＸＯ２３．２薄膜の諸特
性とＸ量との関係を示す特性図である。
【図９】Ｆｅ１００−ＸＮｄ９．８ＭＸＯ２０．５およ
びＦｅ１００−ＸＴｂ１０．８ＭＸＯ２９．７薄膜の諸
特性とＸ量との関を示す特性図である。
びＦｅ１００−ＸＴｂ１０．８ＭＸＯ２９．７薄膜の諸
特性とＸ量との関を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/127 Ｇ１１Ｂ 5/127 Ｆ 5/31 5/31 Ｃ
Claims (10)
- 【請求項１】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
すことを特徴とする磁性薄膜。 - 【請求項２】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、Ｌの元素からＹを除いた請求項１記載の磁性薄膜。 - 【請求項３】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表される組成におい
て、組成比ａがａ＝０である請求項１に記載の磁性薄
膜。 - 【請求項４】ネットワーク状の微細組織を有することを
特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁
性薄膜。 - 【請求項５】結晶構造が主にｂｃｃ−Ｆｅ相とＬの酸化
物相からなることを特徴とする請求項１ないし３のいず
れか１項に記載の磁性薄膜。 - 【請求項６】真空中あるいはガス雰囲気中において、磁
場中あるいは無磁場中で成膜したことを特徴とする請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の磁性薄膜。 - 【請求項７】磁場中あるいは無磁場中において、１００
℃以上５００℃以下の温度で焼鈍したことを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁性薄膜。 - 【請求項８】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜トランス。 - 【請求項９】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｄは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる薄膜インダクタ。 - 【請求項１０】一般式（Ｆｅ１−ａＣｏａ）
１００−ｘ−ｙ−ｚＬｘＭｙＯｚで表され、ＬはＳｃ，
Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕのうちから選
択される１種または２種以上の元素であり、ＭはＮｉ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，
Ｃｕ，Ｍｎ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ａｌ，Ｇｅのうちから選択される１種または２種以
上の元素であり、かつ組成比ａは０≦ａ＜０．７で、そ
のｘ，ｙ，ｚは原子比率で、 ５≦ｘ≦２５ ０≦ｙ≦３５ ７．５≦ｚ≦３５ ３０＜ｘ＋ｙ＋ｚ≦６０ である組成と少量の不純物からなり、異方性磁界が２０
Ｏｅ以上および電気比抵抗が２５０μΩｃｍ以上を有す
ることを特徴とする磁性薄膜よりなる磁気記録再生ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28114295A JPH0992535A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28114295A JPH0992535A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992535A true JPH0992535A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17634956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28114295A Withdrawn JPH0992535A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992535A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019094552A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-20 | Tdk株式会社 | 軟磁性圧粉磁心の製造方法および軟磁性圧粉磁心 |
| JP2019094551A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-20 | Tdk株式会社 | 軟磁性圧粉磁心の製造方法および軟磁性圧粉磁心 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP28114295A patent/JPH0992535A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019094552A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-20 | Tdk株式会社 | 軟磁性圧粉磁心の製造方法および軟磁性圧粉磁心 |
| JP2019094551A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-20 | Tdk株式会社 | 軟磁性圧粉磁心の製造方法および軟磁性圧粉磁心 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |