JPH0992710A - 薄板状基板の研磨方法 - Google Patents
薄板状基板の研磨方法Info
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- JPH0992710A JPH0992710A JP25091595A JP25091595A JPH0992710A JP H0992710 A JPH0992710 A JP H0992710A JP 25091595 A JP25091595 A JP 25091595A JP 25091595 A JP25091595 A JP 25091595A JP H0992710 A JPH0992710 A JP H0992710A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多孔質板を用いた真空チャック装置からなる
基板保持盤を使用しても、半導体ウエハの被研磨面全面
が極めて高い精度を以て均一な厚みに研磨できる薄板状
基板の研磨方法を得ること。 【解決手段】 本発明の研磨方法は、回転研磨定盤２と
この研磨定盤２の研磨面に対して研磨しようとする半導
体ウエハＳを平行状態で真空吸引により保持する多孔質
板５Ａからなる基板保持盤５などから構成されている研
磨装置１を用い、前記多孔質板５Ａの微細孔が開口して
いる面５Ｄに、比較的均一な多数の通気孔７Ａが形成さ
れており、そして均一な厚さの弾性パッド７を介して半
導体ウエハＳを真空吸引しながら、その吸着された半導
体ウエハＳを研磨する方法を採っている。
基板保持盤を使用しても、半導体ウエハの被研磨面全面
が極めて高い精度を以て均一な厚みに研磨できる薄板状
基板の研磨方法を得ること。 【解決手段】 本発明の研磨方法は、回転研磨定盤２と
この研磨定盤２の研磨面に対して研磨しようとする半導
体ウエハＳを平行状態で真空吸引により保持する多孔質
板５Ａからなる基板保持盤５などから構成されている研
磨装置１を用い、前記多孔質板５Ａの微細孔が開口して
いる面５Ｄに、比較的均一な多数の通気孔７Ａが形成さ
れており、そして均一な厚さの弾性パッド７を介して半
導体ウエハＳを真空吸引しながら、その吸着された半導
体ウエハＳを研磨する方法を採っている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハ、ＬＣＤ用ガラス板のような薄板状基板の研磨方法
に関するもので、特に研磨された薄板状基板に研磨むら
が生じないように薄板状基板の保持方法に改良を加えた
点を特徴とするものである。
エハ、ＬＣＤ用ガラス板のような薄板状基板の研磨方法
に関するもので、特に研磨された薄板状基板に研磨むら
が生じないように薄板状基板の保持方法に改良を加えた
点を特徴とするものである。
【０００２】
【従来の技術】先ず、図３を参照しながら、現用の薄板
状基板の研磨装置（以下、単に「研磨装置」と略記す
る）を説明する。図３は現用の研磨装置の一部を模式図
で示した断面図である。
状基板の研磨装置（以下、単に「研磨装置」と略記す
る）を説明する。図３は現用の研磨装置の一部を模式図
で示した断面図である。
【０００３】薄板状基板、例えば、半導体ウエハ（以
下、研磨しようとする薄板状基板として「半導体ウエ
ハ」を例示して説明する）を研磨する場合に用いられて
いる現用の研磨装置の一つに、図３に示したような構成
の真空チャック装置を用いた研磨装置１がある。この研
磨装置１は、大別して、研磨定盤２、基板保持盤５、ノ
ズル８とから構成されている。
下、研磨しようとする薄板状基板として「半導体ウエ
ハ」を例示して説明する）を研磨する場合に用いられて
いる現用の研磨装置の一つに、図３に示したような構成
の真空チャック装置を用いた研磨装置１がある。この研
磨装置１は、大別して、研磨定盤２、基板保持盤５、ノ
ズル８とから構成されている。
【０００４】前記研磨定盤２は、例えば、半導体ウエハ
Ｓの直径の２倍以上の直径からなる面積の平面を備え、
その平面には、例えば、ポリエステル樹脂製の不織布な
どの研磨パッド３が接着剤などで貼着されていて、回転
軸４を中心に、例えば、３０ｒｐｍで回転するように構
成されている。
Ｓの直径の２倍以上の直径からなる面積の平面を備え、
その平面には、例えば、ポリエステル樹脂製の不織布な
どの研磨パッド３が接着剤などで貼着されていて、回転
軸４を中心に、例えば、３０ｒｐｍで回転するように構
成されている。
【０００５】前記基板保持盤５はこの研磨定盤２の上方
に位置し、そして研磨定盤２の回転軸４から外れた、例
えば、研磨定盤２の半径の中央部に回転中心がある回転
軸６を中心にして前記研磨定盤２の回転数と同数の３０
ｒｐｍで回転するように構成されている。そしてこの基
板保持盤５は、その半導体ウエハＳを保持する基板保持
手段として真空チャック装置が用いられている。この真
空チャック装置は、下面に半導体ウエハＳの裏面を吸引
する吸引面（以下、単に「吸引面」と略記する）５Ｄが
形成されている円板状多孔質板５Ａとこの円周面を密閉
し、支持する円筒状のシール枠５Ｂと回転軸６の中心に
開けられた吸気口５Ｃとこの吸気口５Ｃに接続された吸
引ポンプ（不図示）などから構成されている。また、前
記ノズル８は前記研磨定盤２の回転中心部付近で研磨パ
ッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌを供給する。
なお、図３には、便宜上、研磨定盤２の右半分のみを示
した。
に位置し、そして研磨定盤２の回転軸４から外れた、例
えば、研磨定盤２の半径の中央部に回転中心がある回転
軸６を中心にして前記研磨定盤２の回転数と同数の３０
ｒｐｍで回転するように構成されている。そしてこの基
板保持盤５は、その半導体ウエハＳを保持する基板保持
手段として真空チャック装置が用いられている。この真
空チャック装置は、下面に半導体ウエハＳの裏面を吸引
する吸引面（以下、単に「吸引面」と略記する）５Ｄが
形成されている円板状多孔質板５Ａとこの円周面を密閉
し、支持する円筒状のシール枠５Ｂと回転軸６の中心に
開けられた吸気口５Ｃとこの吸気口５Ｃに接続された吸
引ポンプ（不図示）などから構成されている。また、前
記ノズル８は前記研磨定盤２の回転中心部付近で研磨パ
ッド３と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌを供給する。
なお、図３には、便宜上、研磨定盤２の右半分のみを示
した。
【０００６】この研磨装置１を用いて半導体ウエハＳを
研磨するに当たっては、不図示の吸引ポンプを作動さ
せ、研磨しようとする半導体ウエハＳの被研磨面を研磨
パッド３面に対面させ、その裏面を前記平面状の吸引面
５Ｄで真空吸引して保持し、この保持状態で基板保持盤
５を回転させながら下降させ、半導体ウエハＳを前記回
転数で回転している研磨定盤２の研磨パッド３面に所定
の押圧力で押し付け、そして研磨パッド３の表面にノズ
ル８から研磨液Ｌを供給しながら、半導体ウエハＳの被
研磨面を研磨パッド３と研磨液Ｌとでケミカルメカニカ
ルポリッシュ（以下、単に「研磨」と略記する）する研
磨方法を採っている。
研磨するに当たっては、不図示の吸引ポンプを作動さ
せ、研磨しようとする半導体ウエハＳの被研磨面を研磨
パッド３面に対面させ、その裏面を前記平面状の吸引面
５Ｄで真空吸引して保持し、この保持状態で基板保持盤
５を回転させながら下降させ、半導体ウエハＳを前記回
転数で回転している研磨定盤２の研磨パッド３面に所定
の押圧力で押し付け、そして研磨パッド３の表面にノズ
ル８から研磨液Ｌを供給しながら、半導体ウエハＳの被
研磨面を研磨パッド３と研磨液Ｌとでケミカルメカニカ
ルポリッシュ（以下、単に「研磨」と略記する）する研
磨方法を採っている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような真空チャッ
ク装置で構成された基板保持盤５を用いて半導体ウエハ
Ｓを吸引、保持すると、その半導体ウエハＳの反りは真
空吸着により矯正され、平面状態で保持することができ
る。しかし、前記多孔質板５Ａとしては、例えば、多孔
質状セラミック材が用いられており、この多孔質板５Ａ
の吸引面５Ｄに開口している多数の貫通孔の口径の大き
さは製造上の制約から一般にばらついている。それら貫
通孔の口径は約１〜３００μｍというような二桁以上の
範囲にわたってばらついている。従って、このような表
面性状の吸引面５Ｄの多孔質板５Ａを備えた基板保持盤
５を用いて半導体ウエハＳを吸引、保持して研磨したと
すると、その吸引面５Ｄに開口している大きな貫通孔付
近では、その保持している半導体ウエハＳの表面に局部
的にディンプル（凹部）やヒロック（凸部）が発生し、
このため、半導体ウエハＳの被研磨面に研磨むらがで
き、時にはダメージが発生するという問題点があった。
ク装置で構成された基板保持盤５を用いて半導体ウエハ
Ｓを吸引、保持すると、その半導体ウエハＳの反りは真
空吸着により矯正され、平面状態で保持することができ
る。しかし、前記多孔質板５Ａとしては、例えば、多孔
質状セラミック材が用いられており、この多孔質板５Ａ
の吸引面５Ｄに開口している多数の貫通孔の口径の大き
さは製造上の制約から一般にばらついている。それら貫
通孔の口径は約１〜３００μｍというような二桁以上の
範囲にわたってばらついている。従って、このような表
面性状の吸引面５Ｄの多孔質板５Ａを備えた基板保持盤
５を用いて半導体ウエハＳを吸引、保持して研磨したと
すると、その吸引面５Ｄに開口している大きな貫通孔付
近では、その保持している半導体ウエハＳの表面に局部
的にディンプル（凹部）やヒロック（凸部）が発生し、
このため、半導体ウエハＳの被研磨面に研磨むらがで
き、時にはダメージが発生するという問題点があった。
【０００８】本発明は以上記したような問題点を解決し
ようとするものであって、前記多孔質板を用いた真空チ
ャック装置からなる基板保持盤を使用しても、半導体ウ
エハの被研磨面全面が極めて高い精度を以て面内均一
に、そして均一な厚みに研磨できる薄板状基板の研磨方
法を得ることを目的とするものである。
ようとするものであって、前記多孔質板を用いた真空チ
ャック装置からなる基板保持盤を使用しても、半導体ウ
エハの被研磨面全面が極めて高い精度を以て面内均一
に、そして均一な厚みに研磨できる薄板状基板の研磨方
法を得ることを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明の研磨方
法では、回転研磨定盤と、本体が多孔質板からなり、前
記回転研磨定盤の研磨面に対して研磨しようとする薄板
状基板を平行状態で真空吸引により保持する基板保持盤
とから構成されている薄板状基板の研磨装置を用いて前
記薄板状基板を研磨するに当たり、前記多孔質板の薄板
状基板吸引面に比較的均一な多数の通気孔が形成され
た、そして均一な厚さの弾性パッドを介して前記薄板状
基板を真空吸引しながら、その吸着された薄板状基板を
研磨する方法を採って、前記課題を解決している。
法では、回転研磨定盤と、本体が多孔質板からなり、前
記回転研磨定盤の研磨面に対して研磨しようとする薄板
状基板を平行状態で真空吸引により保持する基板保持盤
とから構成されている薄板状基板の研磨装置を用いて前
記薄板状基板を研磨するに当たり、前記多孔質板の薄板
状基板吸引面に比較的均一な多数の通気孔が形成され
た、そして均一な厚さの弾性パッドを介して前記薄板状
基板を真空吸引しながら、その吸着された薄板状基板を
研磨する方法を採って、前記課題を解決している。
【００１０】従って、本発明の研磨方法によれば、弾性
パッドを介在させたことにより、多孔質板の吸引面の表
面性状に起因する半導体ウエハに対するディンプルやヒ
ロックなどの悪影響を防止できて、半導体ウエハの被研
磨面を高精度で面内均一に研磨することができ、そして
弾性パッドの弾性機能により、研磨定盤が多少振れて
も、衝撃緩和の役割を果たし、半導体ウエハへのダメー
ジを軽減することができる。
パッドを介在させたことにより、多孔質板の吸引面の表
面性状に起因する半導体ウエハに対するディンプルやヒ
ロックなどの悪影響を防止できて、半導体ウエハの被研
磨面を高精度で面内均一に研磨することができ、そして
弾性パッドの弾性機能により、研磨定盤が多少振れて
も、衝撃緩和の役割を果たし、半導体ウエハへのダメー
ジを軽減することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図１及び図２を参照しなが
ら本発明の研磨方法を説明する。図１は現用の研磨装置
を用いて半導体ウエハを研磨する本発明の研磨方法を説
明するための断面図であり、図２は本発明の研磨方法に
用いる弾性パッドの構造を示す平面図である。
ら本発明の研磨方法を説明する。図１は現用の研磨装置
を用いて半導体ウエハを研磨する本発明の研磨方法を説
明するための断面図であり、図２は本発明の研磨方法に
用いる弾性パッドの構造を示す平面図である。
【００１２】先ず、図２を参照しながら、本発明の研磨
方法において、前記基板保持盤５で半導体ウエハを吸
引、保持する場合に用いる弾性パッド７を説明する。こ
の弾性パッド７は厚さ１０〜１０００μｍのポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂などを用い、口径が０．１〜
１００μｍの範囲内で、できるだけ同一口径の貫通孔７
Ａを多数、一様に開けたシートで出来ている。そして弾
性パッド７の弾性であるが、弾性があまり大きいと研磨
しようとする半導体ウエハＳをその面内均一に研磨し難
くなるので、半導体ウエハＳにダメージを与えないで保
持できる範囲内で出来るだけ硬い方がよく、しかし、前
記多孔質板５Ａの吸引面５Ｄの凹凸を吸収できる弾性を
備えていることが必要である。
方法において、前記基板保持盤５で半導体ウエハを吸
引、保持する場合に用いる弾性パッド７を説明する。こ
の弾性パッド７は厚さ１０〜１０００μｍのポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂などを用い、口径が０．１〜
１００μｍの範囲内で、できるだけ同一口径の貫通孔７
Ａを多数、一様に開けたシートで出来ている。そして弾
性パッド７の弾性であるが、弾性があまり大きいと研磨
しようとする半導体ウエハＳをその面内均一に研磨し難
くなるので、半導体ウエハＳにダメージを与えないで保
持できる範囲内で出来るだけ硬い方がよく、しかし、前
記多孔質板５Ａの吸引面５Ｄの凹凸を吸収できる弾性を
備えていることが必要である。
【００１３】このような構造の弾性パッド７を前記基板
保持盤５の吸引面５Ｄに装着する。この装着に当たって
は、前記シール枠５Ｂの吸引面５Ｄと同一面を形成して
いる端面に接着剤で接着し、そのシール枠５Ｂの外径に
沿ってその弾性シートを円形状にカットする。このよう
に弾性パッド７が装着された状態の基板保持盤５の基板
吸引面は、図３に示した多孔質板５Ａの吸引面５Ｄか
ら、図１に示した半導体ウエハＳが対接する側の弾性パ
ッド７の平面７Ｂとなる。
保持盤５の吸引面５Ｄに装着する。この装着に当たって
は、前記シール枠５Ｂの吸引面５Ｄと同一面を形成して
いる端面に接着剤で接着し、そのシール枠５Ｂの外径に
沿ってその弾性シートを円形状にカットする。このよう
に弾性パッド７が装着された状態の基板保持盤５の基板
吸引面は、図３に示した多孔質板５Ａの吸引面５Ｄか
ら、図１に示した半導体ウエハＳが対接する側の弾性パ
ッド７の平面７Ｂとなる。
【００１４】本発明の研磨方法は、このように基板保持
盤５を構成する多孔質板５Ａの吸引面５Ｄに弾性パッド
７を装着し、そして不図示の真空ポンプを作動させて、
研磨しようとする半導体ウエハＳを真空吸着し、保持す
る。前記のように弾性パッド７には多数の微細な貫通孔
７Ａが開けられているから多孔質板５Ａの一部になった
状態となり、通気できるので前記のように半導体ウエハ
Ｓを吸引、保持することができる。
盤５を構成する多孔質板５Ａの吸引面５Ｄに弾性パッド
７を装着し、そして不図示の真空ポンプを作動させて、
研磨しようとする半導体ウエハＳを真空吸着し、保持す
る。前記のように弾性パッド７には多数の微細な貫通孔
７Ａが開けられているから多孔質板５Ａの一部になった
状態となり、通気できるので前記のように半導体ウエハ
Ｓを吸引、保持することができる。
【００１５】吸引、保持された半導体ウエハＳは、たと
え反りが存在していても、真空吸引により平面化されて
保持され、そしてその平面状態で保持、回転させられな
がら、前記研磨定盤２上の研磨パッド３の回転面に所定
の押圧力を加えながら、その被研磨面を研磨する。
え反りが存在していても、真空吸引により平面化されて
保持され、そしてその平面状態で保持、回転させられな
がら、前記研磨定盤２上の研磨パッド３の回転面に所定
の押圧力を加えながら、その被研磨面を研磨する。
【００１６】
【発明の効果】以上、説明したような、本発明の研磨方
法を採ると、前記弾性パッドが真空チャック装置を構成
する前記多孔質板と半導体ウエハとの間に介在している
ため、多孔質板の吸引面の表面性状に起因する半導体ウ
エハに対するディンプルやヒロックなどの悪影響を防止
することができる。また、弾性パッドの弾性機能によ
り、研磨定盤２が多少振れても、衝撃緩和の役割を果た
し、半導体ウエハへのダメージを軽減することができ
る。従って、非常に簡単で安価な手段を用いるだけで半
導体ウエハの被研磨面を高精度で面内均一に研磨するこ
とができる。
法を採ると、前記弾性パッドが真空チャック装置を構成
する前記多孔質板と半導体ウエハとの間に介在している
ため、多孔質板の吸引面の表面性状に起因する半導体ウ
エハに対するディンプルやヒロックなどの悪影響を防止
することができる。また、弾性パッドの弾性機能によ
り、研磨定盤２が多少振れても、衝撃緩和の役割を果た
し、半導体ウエハへのダメージを軽減することができ
る。従って、非常に簡単で安価な手段を用いるだけで半
導体ウエハの被研磨面を高精度で面内均一に研磨するこ
とができる。
【図１】 本発明の実施例である研磨装置の一部を模式
図で示した断面図である。
図で示した断面図である。
【図２】 本発明の研磨方法に用いる弾性パッドの構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】 現用の研磨装置の一部を模式図で示した断面
図である。
図である。
１ 現用の薄板状基板の研磨装置 ２ 研磨定盤 ３ 研磨パッド ５ 基板保持盤 ５Ａ 多孔質板 ５Ｂ シール枠 ５Ｃ 吸気口 ５Ｄ 吸引面 ７ 弾性パッド ７Ａ 貫通孔 ７Ｂ 吸引面 ８ ノズル Ｓ 薄板状基板（半導体ウエハ）
Claims (1)
- 【請求項１】 回転研磨定盤と、本体が多孔質板からな
り、前記回転研磨定盤の研磨面に対して研磨しようとす
る薄板状基板を平行状態で真空吸引により保持する基板
保持盤とから構成されている薄板状基板の研磨装置を用
いて前記薄板状基板を研磨するに当たり、前記多孔質板
の薄板状基板吸引面に比較的均一な多数の通気孔が形成
されており、そして均一な厚さの弾性パッドを介して前
記薄板状基板を真空吸引しながら、その吸着された薄板
状基板を研磨することを特徴とする薄板状基板の研磨方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25091595A JPH0992710A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄板状基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25091595A JPH0992710A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄板状基板の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992710A true JPH0992710A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17214918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25091595A Pending JPH0992710A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄板状基板の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992710A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006027795A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法 |
| CN107283295A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-10-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于提供可平坦化的工件支承件的方法、工件平坦化装置和卡盘 |
| CN117161942A (zh) * | 2023-08-21 | 2023-12-05 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种超薄硅晶圆减薄抛光设备及工艺 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25091595A patent/JPH0992710A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006027795A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 吸着装置、ならびに板状部材の搬送方法、液晶表示装置の製造方法 |
| CN107283295A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-10-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 用于提供可平坦化的工件支承件的方法、工件平坦化装置和卡盘 |
| CN117161942A (zh) * | 2023-08-21 | 2023-12-05 | 浙江海纳半导体股份有限公司 | 一种超薄硅晶圆减薄抛光设备及工艺 |
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