JPH10101829A - プラスチック基材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ用ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
プラスチック基材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ用ヘッドおよびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラスチック基材の耐久性の高い撥水、撥イ
ンク性表面およびその形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 酸素を構成成分とするプラスチック基板
１に対して、その表面層を、フッ素を含有し、フッ素と
炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以
下の成分に改質して改質層２を有するプラスチック基材
を形成する。また製造方法においては、プラスチック基
板１にＲＦバイアス電圧を印加することによってフッ素
を含有するプラズマに特定のエネルギを付加して、基板
の表面をフッ素含有カーボン層に改質して、耐久性の高
い撥水、撥インク性表面を形成する。このプラスチック
基材を用いたインクジェット用ヘッドにより、耐久性の
高く、高品質印字が可能なインクジェットプリンタを提
供することができる。
ンク性表面およびその形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 酸素を構成成分とするプラスチック基板
１に対して、その表面層を、フッ素を含有し、フッ素と
炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以
下の成分に改質して改質層２を有するプラスチック基材
を形成する。また製造方法においては、プラスチック基
板１にＲＦバイアス電圧を印加することによってフッ素
を含有するプラズマに特定のエネルギを付加して、基板
の表面をフッ素含有カーボン層に改質して、耐久性の高
い撥水、撥インク性表面を形成する。このプラスチック
基材を用いたインクジェット用ヘッドにより、耐久性の
高く、高品質印字が可能なインクジェットプリンタを提
供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は優れた撥水性能、撥
インク性能、およびその耐久性を有するプラスチック基
材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ
用ヘッドおよびその製造方法に関する。
インク性能、およびその耐久性を有するプラスチック基
材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ
用ヘッドおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータの家庭へ
の普及に伴い、プリンタの需要が非常に高くなってい
る。特に、インクジェットプリンタは動作時における音
の発生が小さく、高速印字が可能であり、カラー印字へ
の対応が容易であることからその普及には目覚ましもの
がある。
の普及に伴い、プリンタの需要が非常に高くなってい
る。特に、インクジェットプリンタは動作時における音
の発生が小さく、高速印字が可能であり、カラー印字へ
の対応が容易であることからその普及には目覚ましもの
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来インクジェットプ
リンタには種々の方式が提案されている。
リンタには種々の方式が提案されている。
【０００４】図１３は従来の圧力制御式のインクジェッ
ト用ヘッドの断面構成図を示したものである。図１３に
示すように、超音波振動子５８を用いてインク室に蓄え
られたインク５６をパルス信号に応じて一滴ずつノズル
構成フィルム５１のノズル開口部５３より噴出させて印
字する構成となっている。
ト用ヘッドの断面構成図を示したものである。図１３に
示すように、超音波振動子５８を用いてインク室に蓄え
られたインク５６をパルス信号に応じて一滴ずつノズル
構成フィルム５１のノズル開口部５３より噴出させて印
字する構成となっている。
【０００５】次に図１４は、従来のヒータ加熱式のイン
クジェットプリンタ用ヘッドの断面構成図を示したもの
である。図１４に示すように、電極５４が接続されたヒ
ータ５５によってパルス信号に応じてインク５６が加熱
され、気泡５７を発生させ、インク５６をノズル構成フ
ィルム５１のノズル開口部５３より噴出させる構成とな
っている。
クジェットプリンタ用ヘッドの断面構成図を示したもの
である。図１４に示すように、電極５４が接続されたヒ
ータ５５によってパルス信号に応じてインク５６が加熱
され、気泡５７を発生させ、インク５６をノズル構成フ
ィルム５１のノズル開口部５３より噴出させる構成とな
っている。
【０００６】上記のどちらの方式も通常、ノズル構成フ
ィルム５１には耐熱性に優れるポリイミドより成る厚さ
０．１〜０．５ｍｍ程度のフィルムが使用されている。
上記のノズル構成フィルム５１のノズル開口部５３はレ
ーザ加熱加工で形成されることが多く、フィルムに耐熱
性が要求されるため、ポリイミドがノズル構成フィルム
５１の材料として用いられている。
ィルム５１には耐熱性に優れるポリイミドより成る厚さ
０．１〜０．５ｍｍ程度のフィルムが使用されている。
上記のノズル構成フィルム５１のノズル開口部５３はレ
ーザ加熱加工で形成されることが多く、フィルムに耐熱
性が要求されるため、ポリイミドがノズル構成フィルム
５１の材料として用いられている。
【０００７】次に図１５に従来のインクジェットプリン
タにおけるインクの噴出の様子を示す断面図を示す。ノ
ズル開口部５３よりインク５６が噴出する際、図１５
（ａ）に示すように真っ直ぐに噴出されることが高品質
印字を実現する上で必要である。ところが図１５（ｂ）
に示すようにインク５６とノズル構成フィルム５１が馴
染み、濡れてしまうとインク５６は濡れた方に引き寄せ
られてしまい、結果として、インク５６は真っ直ぐに噴
出されなくなり、インクの噴出軌道は定まらなくなる。
特に長時間、インクを噴出させると、ノズル構成フィル
ム５１がインクに対して濡れやすくなり、印字の品質が
悪くなる問題点が生じる。
タにおけるインクの噴出の様子を示す断面図を示す。ノ
ズル開口部５３よりインク５６が噴出する際、図１５
（ａ）に示すように真っ直ぐに噴出されることが高品質
印字を実現する上で必要である。ところが図１５（ｂ）
に示すようにインク５６とノズル構成フィルム５１が馴
染み、濡れてしまうとインク５６は濡れた方に引き寄せ
られてしまい、結果として、インク５６は真っ直ぐに噴
出されなくなり、インクの噴出軌道は定まらなくなる。
特に長時間、インクを噴出させると、ノズル構成フィル
ム５１がインクに対して濡れやすくなり、印字の品質が
悪くなる問題点が生じる。
【０００８】本発明は上記のような従来の問題点を解消
するためになされたものであり、ポリイミドを代表とす
るプラスチックによって形成されたノズル構成フィルム
へのインクの馴染みに起因するインク噴出軌道の不安定
性を長期間に渡って解消することを主な目的とするもの
である。また本発明は、
するためになされたものであり、ポリイミドを代表とす
るプラスチックによって形成されたノズル構成フィルム
へのインクの馴染みに起因するインク噴出軌道の不安定
性を長期間に渡って解消することを主な目的とするもの
である。また本発明は、
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、ポリイミドを代表とするプラスチックに
よって形成されたノズル構成フィルムの表面を水やイン
クをはじく優れた撥水性能、撥インク性能に改質し、水
やインクを表面に付着させないように制御するものであ
る。これにより、優れた撥水性能、撥インク性能が長時
間維持される表面を有するプラスチック基材を得ること
ができ、インクジェットプリンタ用ヘッドにおいては、
ノズル開口部から噴出されるインクがノズル構成フィル
ムに馴染み濡れることなく、はじかれるように真っ直ぐ
に噴出させることができる。
成するために、ポリイミドを代表とするプラスチックに
よって形成されたノズル構成フィルムの表面を水やイン
クをはじく優れた撥水性能、撥インク性能に改質し、水
やインクを表面に付着させないように制御するものであ
る。これにより、優れた撥水性能、撥インク性能が長時
間維持される表面を有するプラスチック基材を得ること
ができ、インクジェットプリンタ用ヘッドにおいては、
ノズル開口部から噴出されるインクがノズル構成フィル
ムに馴染み濡れることなく、はじかれるように真っ直ぐ
に噴出させることができる。
【００１０】本発明にかかるプラスチック基材は、その
表面層を、フッ素を含有し、フッ素と炭素の原子数比Ｆ
／Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分に改質して成
るものである。
表面層を、フッ素を含有し、フッ素と炭素の原子数比Ｆ
／Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分に改質して成
るものである。
【００１１】また、改質層の表面のＸ線光電子分光スペ
クトルにおいて、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ2信号
面積の比が０．１３以上で０．２０以下の範囲にあるプ
ラスチック基材であることが望ましい。
クトルにおいて、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ2信号
面積の比が０．１３以上で０．２０以下の範囲にあるプ
ラスチック基材であることが望ましい。
【００１２】また、改質層の表面のＸ線光電子分光スペ
クトルにおいて、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号
面積の比が０．１０以上で０．１７以下の範囲にあるプ
ラスチック基材であることが望ましい。
クトルにおいて、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号
面積の比が０．１０以上で０．１７以下の範囲にあるプ
ラスチック基材であることが望ましい。
【００１３】次に、本発明にかかるプラスチック基材の
製造方法は、プラスチック基材の上に、フッ素含有のプ
ラズマを照射してプラスチック基材の上層部をフッ素含
有カーボン層に改質するものである。
製造方法は、プラスチック基材の上に、フッ素含有のプ
ラズマを照射してプラスチック基材の上層部をフッ素含
有カーボン層に改質するものである。
【００１４】また、構成においては、プラスチック基材
に負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲
で印加し、フッ素含有のプラズマを照射してプラスチッ
ク基材の上層部をフッ素含有カーボン層に改質すること
が望ましい。
に負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲
で印加し、フッ素含有のプラズマを照射してプラスチッ
ク基材の上層部をフッ素含有カーボン層に改質すること
が望ましい。
【００１５】さらに、構成において、プラスチック基材
に負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲
で印加して改質することがより望ましい。
に負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲
で印加して改質することがより望ましい。
【００１６】次に、本発明にかかるインクジェットプリ
ンタ用ヘッドは、複数個のノズル開口部が形成されたプ
ラスチックより成るノズル構成フィルムを有し、ノズル
構成フィルムの表面に、フッ素を含有した改質層が生成
されたことを特徴とする。
ンタ用ヘッドは、複数個のノズル開口部が形成されたプ
ラスチックより成るノズル構成フィルムを有し、ノズル
構成フィルムの表面に、フッ素を含有した改質層が生成
されたことを特徴とする。
【００１７】構成において、改質層は、フッ素と炭素の
原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分と
することが望ましい。
原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分と
することが望ましい。
【００１８】また、構成において、改質層の表面のＸ線
光電子分光スペクトルにおいて、Ｃ 1S信号の総面積に対
するＣＦ2信号面積の比が０．１３以上で０．２０以下
の範囲にあることが望ましい。
光電子分光スペクトルにおいて、Ｃ 1S信号の総面積に対
するＣＦ2信号面積の比が０．１３以上で０．２０以下
の範囲にあることが望ましい。
【００１９】また、構成において、改質層の表面のＸ線
光電子分光スペクトルにおいて、Ｃ 1S信号の総面積に対
するＣＦ3信号面積の比が０．１０以上で０．１７以下
の範囲にあることが望ましい。
光電子分光スペクトルにおいて、Ｃ 1S信号の総面積に対
するＣＦ3信号面積の比が０．１０以上で０．１７以下
の範囲にあることが望ましい。
【００２０】次に、本発明にかかるインクジェットプリ
ンタ用ヘッドの製造方法は、ノズル構成フィルムの表面
に、フッ素含有のプラズマを照射してノズル構成フィル
ムの上層部をフッ素含有カーボン層に改質することを特
徴とする。
ンタ用ヘッドの製造方法は、ノズル構成フィルムの表面
に、フッ素含有のプラズマを照射してノズル構成フィル
ムの上層部をフッ素含有カーボン層に改質することを特
徴とする。
【００２１】また構成においては、ノズル構成フィルム
に負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲
で印加してフッ素含有のプラズマを照射することが望ま
しい。
に負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲
で印加してフッ素含有のプラズマを照射することが望ま
しい。
【００２２】さらに、構成において、ノズル構成フィル
ムに負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範
囲で印加してフッ素含有のプラズマを照射することがよ
り望ましい。
ムに負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範
囲で印加してフッ素含有のプラズマを照射することがよ
り望ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００２４】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態におけるプラスチック基材の断面構成図である。プ
ラスチック基板１を構成するポリイミドは下記の化学式
に示すように酸素を含有する組成を有している。
形態におけるプラスチック基材の断面構成図である。プ
ラスチック基板１を構成するポリイミドは下記の化学式
に示すように酸素を含有する組成を有している。
【００２５】
【化１】
【００２６】上記のように酸素を含有し、炭素、水素、
窒素より構成されるプラスチックは、酸素を含有しない
プラスチック（例えばポリスチレン）に比べて水やイン
クに馴染みやすい性質を有している。ポリイミドの場
合、水を滴下した際の水滴の接触角は約６５°と低い値
を示し、親水性を示す。水性インクを滴下した場合も、
油性インクを滴下した場合も接触角は水滴の場合とほぼ
同程度であり、馴染みやすい性質を有している。
窒素より構成されるプラスチックは、酸素を含有しない
プラスチック（例えばポリスチレン）に比べて水やイン
クに馴染みやすい性質を有している。ポリイミドの場
合、水を滴下した際の水滴の接触角は約６５°と低い値
を示し、親水性を示す。水性インクを滴下した場合も、
油性インクを滴下した場合も接触角は水滴の場合とほぼ
同程度であり、馴染みやすい性質を有している。
【００２７】本発明では、このプラスチック基板１の表
面に、フッ素を含有し、フッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃ
を０．８５以上で１．３０以下の成分を有する改質層２
を形成してプラスチック基材を構成している。
面に、フッ素を含有し、フッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃ
を０．８５以上で１．３０以下の成分を有する改質層２
を形成してプラスチック基材を構成している。
【００２８】そこで以下では図２〜図１０を参照しなが
ら本実施の形態の撥水性、撥インク性表面を形成する製
造方法について説明する。
ら本実施の形態の撥水性、撥インク性表面を形成する製
造方法について説明する。
【００２９】図２は処理装置の概略図である。排気系２
１を接続した処理チャンバ２２にはプラズマ発生室２３
が付帯している。プラズマ発生室２３にはガス導入系２
４からガスが供給されるとともにマイクロ波電力発生器
２５から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が供給される。ま
た、プラズマ発生室２３の周囲に設置したソレノイドコ
イル２６からの磁場とマイクロ波との相互作用により電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によるプラズマ２７が
プラズマ発生室２３に発生する。処理チャンバ２２には
プラスチック基板１が基板用電極２９の上に設置され、
プラズマ発生室２３からのプラズマ２７が照射される。
なお、基板用電極２９にはＲＦ電源２８からＲＦバイア
ス電圧が供給されるようになっている。
１を接続した処理チャンバ２２にはプラズマ発生室２３
が付帯している。プラズマ発生室２３にはガス導入系２
４からガスが供給されるとともにマイクロ波電力発生器
２５から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が供給される。ま
た、プラズマ発生室２３の周囲に設置したソレノイドコ
イル２６からの磁場とマイクロ波との相互作用により電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によるプラズマ２７が
プラズマ発生室２３に発生する。処理チャンバ２２には
プラスチック基板１が基板用電極２９の上に設置され、
プラズマ発生室２３からのプラズマ２７が照射される。
なお、基板用電極２９にはＲＦ電源２８からＲＦバイア
ス電圧が供給されるようになっている。
【００３０】プラスチック基板１にポリイミドを主成分
とするものを用い、ガス導入系２４からＣＦ４ガスを導
入する。この時ＣＦ４ガスの導入により、処理チャンバ
２２の圧力を４ｘ１０-4Ｔｏｒｒとした。マイクロ波電
力発生器２５から２００Ｗのマイクロ波電力を投入し、
ＣＦ4のＥＣＲプラズマを発生させ、プラスチック基板
１上に照射する。
とするものを用い、ガス導入系２４からＣＦ４ガスを導
入する。この時ＣＦ４ガスの導入により、処理チャンバ
２２の圧力を４ｘ１０-4Ｔｏｒｒとした。マイクロ波電
力発生器２５から２００Ｗのマイクロ波電力を投入し、
ＣＦ4のＥＣＲプラズマを発生させ、プラスチック基板
１上に照射する。
【００３１】なお、プラスチック基板１にはＲＦ電源２
８からＲＦバイアス電圧を供給している。図３はプラス
チック基板１の電位を示しており、ＲＦ電圧の印加によ
りプラスチック基板１には負の自己バイアス電圧が発生
する。この際の平均の電位とアース電位の間の電圧Ｖａ
をＲＦバイアス電圧と呼んでいる。ここではＲＦバイア
ス電圧を−２０Ｖとして照射処理を行い、プラスチック
基板１の上層部をフッ素含有の改質層２に改質して、プ
ラスチック基材を形成した。
８からＲＦバイアス電圧を供給している。図３はプラス
チック基板１の電位を示しており、ＲＦ電圧の印加によ
りプラスチック基板１には負の自己バイアス電圧が発生
する。この際の平均の電位とアース電位の間の電圧Ｖａ
をＲＦバイアス電圧と呼んでいる。ここではＲＦバイア
ス電圧を−２０Ｖとして照射処理を行い、プラスチック
基板１の上層部をフッ素含有の改質層２に改質して、プ
ラスチック基材を形成した。
【００３２】図４は上記のようにしてプラズマ処理した
改質表面の撥水性能を水の接触角で評価した結果であ
る。改質前のポリイミド表面では接触角は前述の如く約
６５゜と低いが、上述のプラズマ処理を行うことにより
速やかに接触角は上昇し、約１０３゜で飽和し、撥水性
の高い表面に改質されている。ここではＲＦバイアス電
圧を−２０Ｖとしているが、さらに種々のＲＦバイアス
電圧を印加してプラズマ照射を行い、接触角の変化を観
察した。その結果を図５を示す。どのＲＦバイアス電圧
でも改質前の６５゜に比べて高い接触角が得られてい
る。更に詳しく見るとＲＦバイアス電圧が０Ｖでやや接
触角が低くなっているが、ほとんど同程度の接触角が得
られ、高い撥水性能が認められる。なお、同様の評価を
水性および油性インクで行ってみたが、水の接触角とほ
ぼ同等の結果が得られている。
改質表面の撥水性能を水の接触角で評価した結果であ
る。改質前のポリイミド表面では接触角は前述の如く約
６５゜と低いが、上述のプラズマ処理を行うことにより
速やかに接触角は上昇し、約１０３゜で飽和し、撥水性
の高い表面に改質されている。ここではＲＦバイアス電
圧を−２０Ｖとしているが、さらに種々のＲＦバイアス
電圧を印加してプラズマ照射を行い、接触角の変化を観
察した。その結果を図５を示す。どのＲＦバイアス電圧
でも改質前の６５゜に比べて高い接触角が得られてい
る。更に詳しく見るとＲＦバイアス電圧が０Ｖでやや接
触角が低くなっているが、ほとんど同程度の接触角が得
られ、高い撥水性能が認められる。なお、同様の評価を
水性および油性インクで行ってみたが、水の接触角とほ
ぼ同等の結果が得られている。
【００３３】次に、上記のようにしてプラズマ処理の施
されたポリイミド表面の接触角が経時的にどのように変
化するかを調べてた。その結果を図６に示しているが、
図６から明らかなように、ＲＦバイアス電圧に関して経
時特性に次のような有意差が見られた。なお、温度２５
℃、湿度４５％の通常の環境下での１０００時間後の経
時的変化を調べた結果である。負のＲＦバイアス電圧が
０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲では接触角の低下がほとん
ど認められず、耐久性の高い撥水性表面となっている。
ところが、負のＲＦバイアス電圧が４０Ｖを越えること
により、接触角は改質当初に比べて低下が認められ、経
時変化が観察される。
されたポリイミド表面の接触角が経時的にどのように変
化するかを調べてた。その結果を図６に示しているが、
図６から明らかなように、ＲＦバイアス電圧に関して経
時特性に次のような有意差が見られた。なお、温度２５
℃、湿度４５％の通常の環境下での１０００時間後の経
時的変化を調べた結果である。負のＲＦバイアス電圧が
０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲では接触角の低下がほとん
ど認められず、耐久性の高い撥水性表面となっている。
ところが、負のＲＦバイアス電圧が４０Ｖを越えること
により、接触角は改質当初に比べて低下が認められ、経
時変化が観察される。
【００３４】ポリイミドの改質層２の表面をＸ線光電子
分光法（ＸＰＳ）で観察し、スペクトルを分析した結果
が図７である。Ｃ1SスペクトルにＣＦ、ＣＦ2、ＣＦ3の
ピークが現れており、改質層にＣ−Ｆ結合が形成されて
いることが確認された。
分光法（ＸＰＳ）で観察し、スペクトルを分析した結果
が図７である。Ｃ1SスペクトルにＣＦ、ＣＦ2、ＣＦ3の
ピークが現れており、改質層にＣ−Ｆ結合が形成されて
いることが確認された。
【００３５】図８はＲＦバイアス電圧をパラメータとし
てポリイミドをプラズマ処理した改質面の最表面におけ
る組成をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果で
あり、縦軸に組成として酸素原子数とカーボン原子数の
比Ｆ／Ｃ値を示している。ＲＦバイアス電圧を増加する
に従い、Ｆ／Ｃ値は減少を示している。図５の接触角の
経時特性で、負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ
以下の範囲で印加することにより経時変化のない撥水性
表面が得られているが、図８の組成では、ＲＦバイアス
電圧が０ＶではＦ／Ｃ値は１．３０を示しており、また
ＲＦバイアス電圧が４０Ｖでは０．８５を示している。
すなわち、改質面の最表面の組成としてＦ／Ｃ値が０．
８５以上で１．３０以下の範囲で耐久性に優れた撥水性
表面が提供されることがここで判明した。
てポリイミドをプラズマ処理した改質面の最表面におけ
る組成をＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）で分析した結果で
あり、縦軸に組成として酸素原子数とカーボン原子数の
比Ｆ／Ｃ値を示している。ＲＦバイアス電圧を増加する
に従い、Ｆ／Ｃ値は減少を示している。図５の接触角の
経時特性で、負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ
以下の範囲で印加することにより経時変化のない撥水性
表面が得られているが、図８の組成では、ＲＦバイアス
電圧が０ＶではＦ／Ｃ値は１．３０を示しており、また
ＲＦバイアス電圧が４０Ｖでは０．８５を示している。
すなわち、改質面の最表面の組成としてＦ／Ｃ値が０．
８５以上で１．３０以下の範囲で耐久性に優れた撥水性
表面が提供されることがここで判明した。
【００３６】図９はＲＦバイアス電圧をパラメータとし
たポリイミド改質面のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｃ1S
信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の比を求めた結果
である。ＲＦバイアス電圧の増加に伴い、ＣＦ2信号面
積比は減少しており、接触角の経時変化の少ないＲＦバ
イアス電圧が０Ｖ以上で−４０Ｖ以下の範囲で面積比は
０．１３以上で０．２０以下が得られている。
たポリイミド改質面のＸＰＳスペクトルにおいて、Ｃ1S
信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の比を求めた結果
である。ＲＦバイアス電圧の増加に伴い、ＣＦ2信号面
積比は減少しており、接触角の経時変化の少ないＲＦバ
イアス電圧が０Ｖ以上で−４０Ｖ以下の範囲で面積比は
０．１３以上で０．２０以下が得られている。
【００３７】図１０は改質面のＸＰＳスペクトルにおい
て、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ 3信号面積の比を求
めた結果である。ＲＦバイアス電圧の増加に伴い、ＣＦ
2信号面積比と同様にＣＦ3信号面積比も低下しており、
Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号面積の比が負のＲ
Ｆバイアス電圧が０Ｖ以上で４０Ｖ以下に対応する０．
１０以上で０．１７以下の範囲にあることが望ましいこ
とがこれより判明した。
て、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ 3信号面積の比を求
めた結果である。ＲＦバイアス電圧の増加に伴い、ＣＦ
2信号面積比と同様にＣＦ3信号面積比も低下しており、
Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号面積の比が負のＲ
Ｆバイアス電圧が０Ｖ以上で４０Ｖ以下に対応する０．
１０以上で０．１７以下の範囲にあることが望ましいこ
とがこれより判明した。
【００３８】図６に示されるように負のＲＦバイアス電
圧を４０Ｖよりも大きく印加することにより接触角は改
質当初に比べて低下することがが観察されているが、こ
の現象はＣ１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の
比の低下、あるいはＣＦ3信号面積の比の低下に基づく
ものであると考えられる。すなわち、ＲＦバイアス電圧
によって高エネルギ化されたプラズマはＣ−Ｆの結合を
促進し、ＣＦ2結合やＣＦ3結合を生成するが、−４０Ｖ
よりもバイアスが大きくなると逆にプラスチック基材に
ダメージを与えるようになり、Ｃ−Ｆ結合を阻害して経
時的に特性を低下させる結果となるものと考えられる。
従ってポリイミド改質面におけるＣ1S信号の総面積に対
するＣＦ2信号面積の比は０．１３以上で０．２０以下
の範囲内にあること、あるいはＣ1S信号の総面積に対す
るＣＦ3信号面積の比は０．１０以上で０．１７以下の
範囲にあることが耐久性のある撥水性表面、撥インク性
表面を提供する上で有効であることがわかる。
圧を４０Ｖよりも大きく印加することにより接触角は改
質当初に比べて低下することがが観察されているが、こ
の現象はＣ１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の
比の低下、あるいはＣＦ3信号面積の比の低下に基づく
ものであると考えられる。すなわち、ＲＦバイアス電圧
によって高エネルギ化されたプラズマはＣ−Ｆの結合を
促進し、ＣＦ2結合やＣＦ3結合を生成するが、−４０Ｖ
よりもバイアスが大きくなると逆にプラスチック基材に
ダメージを与えるようになり、Ｃ−Ｆ結合を阻害して経
時的に特性を低下させる結果となるものと考えられる。
従ってポリイミド改質面におけるＣ1S信号の総面積に対
するＣＦ2信号面積の比は０．１３以上で０．２０以下
の範囲内にあること、あるいはＣ1S信号の総面積に対す
るＣＦ3信号面積の比は０．１０以上で０．１７以下の
範囲にあることが耐久性のある撥水性表面、撥インク性
表面を提供する上で有効であることがわかる。
【００３９】なお、図６の接触角の経時特性をＲＦバイ
アス電圧の関数として求めた結果を更に詳細に観察する
と、ＲＦバイアス電圧が−４０Ｖで１０００ｈｒ後にお
ける接触角の僅かな低下が観察できる。またＲＦバイア
ス電圧が０Ｖでは接触角の経時変化はほとんど見られな
いが、改質当初の接触角が他のバイアス電圧に比べてや
や低くなっており、撥水性能が僅かに劣っている。これ
より、プラスチック基材に負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ
以上で３０Ｖ以下の範囲にすることが更に望ましいこと
が判る。
アス電圧の関数として求めた結果を更に詳細に観察する
と、ＲＦバイアス電圧が−４０Ｖで１０００ｈｒ後にお
ける接触角の僅かな低下が観察できる。またＲＦバイア
ス電圧が０Ｖでは接触角の経時変化はほとんど見られな
いが、改質当初の接触角が他のバイアス電圧に比べてや
や低くなっており、撥水性能が僅かに劣っている。これ
より、プラスチック基材に負のＲＦバイアス電圧を５Ｖ
以上で３０Ｖ以下の範囲にすることが更に望ましいこと
が判る。
【００４０】（実施の形態２）図１１は本発明の一実施
の形態におけるインクジェットプリンタ用ヘッドを示す
断面構成図である。なお、ヒータ加熱式のヘッドを一例
として本発明の実施の形態を説明する。電極５４からパ
ルス信号に応じて通電されたヒータ５５によって保護膜
５９を介してインク５６が加熱され、インク５６内に気
泡５７が発生する。この気泡５７によって、インク５６
はポリイミドを主成分とするノズル構成フィルム５１に
形成されたノズル開口部５３から押し出されて印字すべ
き紙に向かって噴出される。
の形態におけるインクジェットプリンタ用ヘッドを示す
断面構成図である。なお、ヒータ加熱式のヘッドを一例
として本発明の実施の形態を説明する。電極５４からパ
ルス信号に応じて通電されたヒータ５５によって保護膜
５９を介してインク５６が加熱され、インク５６内に気
泡５７が発生する。この気泡５７によって、インク５６
はポリイミドを主成分とするノズル構成フィルム５１に
形成されたノズル開口部５３から押し出されて印字すべ
き紙に向かって噴出される。
【００４１】本発明ではノズル構成フィルム５１の表面
にフッ素を含有する改質層を生成し、特にその改質層は
フッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上で１．３
以下の成分とすることが上記の実施の形態１の結果から
も明らかなように望ましい。
にフッ素を含有する改質層を生成し、特にその改質層は
フッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上で１．３
以下の成分とすることが上記の実施の形態１の結果から
も明らかなように望ましい。
【００４２】次に以下では本実施の形態のインクジェッ
トプリンタ用ヘッドを形成する製造方法について説明す
る。図２に示す処理装置を用いて、実施の形態１の製造
方法と同様にして、ポリイミドを主成分として構成され
るノズル構成フィルム５１の表面にフッ素と炭素の原子
数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の成分に
改質した改質層５２を形成する。
トプリンタ用ヘッドを形成する製造方法について説明す
る。図２に示す処理装置を用いて、実施の形態１の製造
方法と同様にして、ポリイミドを主成分として構成され
るノズル構成フィルム５１の表面にフッ素と炭素の原子
数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の成分に
改質した改質層５２を形成する。
【００４３】複数個のノズル開口部５３をレーザ加熱加
工によって形成したノズル構成フィルム５１をプラスチ
ック基板１として、その下部に基板用電極２９を配置
し、基板用電極２９にＲＦバイアス電圧を印加する。実
施の形態１と同様に、負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上
で４０Ｖ以下の範囲で印加することにより、接触角の経
時変化はほとんど見られず、耐久性の高い撥水性、撥イ
ンク性表面を得ることができる。しかし、ＲＦバイアス
電圧を４０Ｖよりも高くすると接触角の経時的な低下が
観察され、適当でない。このため、実施の形態１と同様
に、ＲＦバイアス電圧は０Ｖから−４０Ｖの範囲内にあ
ることが重要である。
工によって形成したノズル構成フィルム５１をプラスチ
ック基板１として、その下部に基板用電極２９を配置
し、基板用電極２９にＲＦバイアス電圧を印加する。実
施の形態１と同様に、負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上
で４０Ｖ以下の範囲で印加することにより、接触角の経
時変化はほとんど見られず、耐久性の高い撥水性、撥イ
ンク性表面を得ることができる。しかし、ＲＦバイアス
電圧を４０Ｖよりも高くすると接触角の経時的な低下が
観察され、適当でない。このため、実施の形態１と同様
に、ＲＦバイアス電圧は０Ｖから−４０Ｖの範囲内にあ
ることが重要である。
【００４４】このＲＦバイアス電圧範囲により、図８の
改質面におけるＦ／ＣとＲＦバイアス電圧の関係に基づ
き、ノズル構成フィルム３５の表面の組成はＦ／Ｃは
０．８５以上でかつ１．３０以下に改質することが望ま
しい。
改質面におけるＦ／ＣとＲＦバイアス電圧の関係に基づ
き、ノズル構成フィルム３５の表面の組成はＦ／Ｃは
０．８５以上でかつ１．３０以下に改質することが望ま
しい。
【００４５】また、図９のＲＦバイアス電圧に対するＣ
１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の比より、Ｃ
Ｆ2信号面積の比は０．１３以上で０．２０以下の範囲
内にあることが耐久性のある撥水面を提供する上で有効
である。
１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の比より、Ｃ
Ｆ2信号面積の比は０．１３以上で０．２０以下の範囲
内にあることが耐久性のある撥水面を提供する上で有効
である。
【００４６】さらに図１０のＲＦバイアス電圧に対する
Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号面積の比より、Ｃ
Ｆ2信号面積の比が０．１０以上で０．１７以下の範囲
にあることが望ましい。
Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号面積の比より、Ｃ
Ｆ2信号面積の比が０．１０以上で０．１７以下の範囲
にあることが望ましい。
【００４７】ノズル構成フィルム５１を改質せずに構成
したヘッドでは、前述の如くフィルムが印字ショット数
を重ねていくに従い、インクに濡れてしまう度合いが大
きくなり、５０００万ショット以上で高品質印字を実現
することができなかった。これに対し、ＲＦバイアス電
圧の印加範囲をのように限定してフッ素含有プラズマを
照射し、ノズル構成フィルム５１の上にフッ素と炭素の
原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の成
分の改質層５２を形成したインクジェットプリンタ用ヘ
ッドを作製し、プリンタに搭載することにより、長期間
に渡ってノズル構成フィルム５１におけるインクの濡れ
を防止し、実用上要求される２億ショットの高品質印字
を達成することができた。このように本発明に基づくイ
ンクジェット用ヘッドにより、耐久性の高く、高印字性
能を有するインクジェットプリンタを提供することが可
能となった。
したヘッドでは、前述の如くフィルムが印字ショット数
を重ねていくに従い、インクに濡れてしまう度合いが大
きくなり、５０００万ショット以上で高品質印字を実現
することができなかった。これに対し、ＲＦバイアス電
圧の印加範囲をのように限定してフッ素含有プラズマを
照射し、ノズル構成フィルム５１の上にフッ素と炭素の
原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の成
分の改質層５２を形成したインクジェットプリンタ用ヘ
ッドを作製し、プリンタに搭載することにより、長期間
に渡ってノズル構成フィルム５１におけるインクの濡れ
を防止し、実用上要求される２億ショットの高品質印字
を達成することができた。このように本発明に基づくイ
ンクジェット用ヘッドにより、耐久性の高く、高印字性
能を有するインクジェットプリンタを提供することが可
能となった。
【００４８】なお、実施の形態１で記述したように、プ
ラスチック基材、すなわちノズル構成フィルムに負のＲ
Ｆバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲にさらに
限定することにより、撥インク性能およびその耐久性に
おいてさらに望ましいことは同様である。
ラスチック基材、すなわちノズル構成フィルムに負のＲ
Ｆバイアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲にさらに
限定することにより、撥インク性能およびその耐久性に
おいてさらに望ましいことは同様である。
【００４９】実施の形態１および２では図２に示す改質
方法にて処理を行っているが、図１２に示すようなプラ
ズマ改質方法によっても前述の方法に近い撥水性能を付
与することができる。
方法にて処理を行っているが、図１２に示すようなプラ
ズマ改質方法によっても前述の方法に近い撥水性能を付
与することができる。
【００５０】ここで図１２に示す処理装置の概略構成図
を参照しながら、改質方法を以下に説明する。排気系７
１を接続した処理チャンバ７０の中には基板用電極７２
が配置され、その上にプラスチック基板１が設置されて
いる。基板用電極７２にはＲＦ電源７３からＲＦバイア
ス電圧が供給されるようになっている。
を参照しながら、改質方法を以下に説明する。排気系７
１を接続した処理チャンバ７０の中には基板用電極７２
が配置され、その上にプラスチック基板１が設置されて
いる。基板用電極７２にはＲＦ電源７３からＲＦバイア
ス電圧が供給されるようになっている。
【００５１】処理チャンバ７０を排気系７１で真空引き
した後、ＣＦ４ガスを導入して処理チャンバ４０内を１
００ｍＴｏｒｒ程度の真空度にして基板用電極７２にＲ
Ｆ電圧を印加することにより、接地された対向電極７４
との間でＣＦ4プラズマを発生させる。基板用電極72に
はＲＦ電圧に基づく負の自己バイアス電圧が発生し、Ｃ
Ｆ4プラスマがプラスチック基板１に照射される。この
ようなＲＦバイアス電圧の付加によっても耐久性の高い
撥水性表面を創出することができる。
した後、ＣＦ４ガスを導入して処理チャンバ４０内を１
００ｍＴｏｒｒ程度の真空度にして基板用電極７２にＲ
Ｆ電圧を印加することにより、接地された対向電極７４
との間でＣＦ4プラズマを発生させる。基板用電極72に
はＲＦ電圧に基づく負の自己バイアス電圧が発生し、Ｃ
Ｆ4プラスマがプラスチック基板１に照射される。この
ようなＲＦバイアス電圧の付加によっても耐久性の高い
撥水性表面を創出することができる。
【００５２】本発明では、どのようなプラスチック基材
に対しても撥水効果を発揮するものであるが、酸素を構
成成分とするプラスチック基材では未処理の状態で親水
性能、親インク性能を示すものが多く、より効果的に耐
久性の高い撥水性能、撥インク性能を表面に付与するこ
とができる。従って、プラスチック基材はポリイミドに
限らず、ポリエーテルサルフォンのような酸素を含有す
るプラスチックにも同様の効果を得ることができる。
に対しても撥水効果を発揮するものであるが、酸素を構
成成分とするプラスチック基材では未処理の状態で親水
性能、親インク性能を示すものが多く、より効果的に耐
久性の高い撥水性能、撥インク性能を表面に付与するこ
とができる。従って、プラスチック基材はポリイミドに
限らず、ポリエーテルサルフォンのような酸素を含有す
るプラスチックにも同様の効果を得ることができる。
【００５３】また本発明の実施の形態１および２では、
改質層２を作製する反応ガスをＣＦ 4として説明してい
るが、これに限定するものでなく、Ｃ2F6等の他のフッ
化カーボンガスを用いても同様の効果が得られる。また
ＣＨＦ3のようなＣとＦにＨが混在したガスを用いても
効果がやや落ちるが撥水性能、撥インク性能を付与する
ことができ、有効である。
改質層２を作製する反応ガスをＣＦ 4として説明してい
るが、これに限定するものでなく、Ｃ2F6等の他のフッ
化カーボンガスを用いても同様の効果が得られる。また
ＣＨＦ3のようなＣとＦにＨが混在したガスを用いても
効果がやや落ちるが撥水性能、撥インク性能を付与する
ことができ、有効である。
【００５４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、プラスチ
ック基材は、その表面にフッ素を含有し、フッ素と炭素
の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の
成分を有する改質層を形成してなるものであり、その製
造方法としては、プラスチック基材の上に、フッ素含有
のプラズマを照射してプラスチック基材の上層部をフッ
素含有カーボン層に改質するしてプラスチック基材を形
成するものであり、特にプラスチック基材に負のＲＦバ
イアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲で印加し、フ
ッ素含有のプラズマをプラスチック基材の表面に照射し
て改質層を形成することにより、耐久性の高い撥水性お
よび撥インク性表面を提供することができる。
ック基材は、その表面にフッ素を含有し、フッ素と炭素
の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上でかつ１．３０以下の
成分を有する改質層を形成してなるものであり、その製
造方法としては、プラスチック基材の上に、フッ素含有
のプラズマを照射してプラスチック基材の上層部をフッ
素含有カーボン層に改質するしてプラスチック基材を形
成するものであり、特にプラスチック基材に負のＲＦバ
イアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲で印加し、フ
ッ素含有のプラズマをプラスチック基材の表面に照射し
て改質層を形成することにより、耐久性の高い撥水性お
よび撥インク性表面を提供することができる。
【００５５】次に、本発明にかかるインクジェットプリ
ンタ用ヘッドによれば、それを構成するノズル構成フィ
ルムの表面に、フッ素を含有した改質層を生成し、特に
その改質層はフッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５
以上でかつ１．３０以下の成分とすることが望ましい。
これによりノズル構成フィルムの表面には耐久性の高い
撥水性能、撥インク性能を付与され、インクがノズル構
成フィルムに濡れてしまい、ノズル開口部からのインク
の噴出軌道が定まらないという従来の課題が解消され、
耐久性の高い、高品質印字を実現することができる。
ンタ用ヘッドによれば、それを構成するノズル構成フィ
ルムの表面に、フッ素を含有した改質層を生成し、特に
その改質層はフッ素と炭素の原子数比Ｆ／Ｃを０．８５
以上でかつ１．３０以下の成分とすることが望ましい。
これによりノズル構成フィルムの表面には耐久性の高い
撥水性能、撥インク性能を付与され、インクがノズル構
成フィルムに濡れてしまい、ノズル開口部からのインク
の噴出軌道が定まらないという従来の課題が解消され、
耐久性の高い、高品質印字を実現することができる。
【００５６】またその製造方法において、ノズル構成フ
ィルムに負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下
の範囲で印加し、フッ素を含有するプラズマを照射する
ことにより、耐久性の高い撥水性能、撥インク性能を表
面に付与することができ、その工業的価値は極めて高
い。
ィルムに負のＲＦバイアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下
の範囲で印加し、フッ素を含有するプラズマを照射する
ことにより、耐久性の高い撥水性能、撥インク性能を表
面に付与することができ、その工業的価値は極めて高
い。
【図１】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の構成を示す断面図
の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
を製造する際に用いる処理装置の概略構成図
を製造する際に用いる処理装置の概略構成図
【図３】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
を製造する際にプラスチック基板に印加される電位を示
す図
を製造する際にプラスチック基板に印加される電位を示
す図
【図４】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層の撥水性能と放電時間との関
係を示す図
の表面に形成された改質層の撥水性能と放電時間との関
係を示す図
【図５】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層の撥水性能とＲＦバイアス電
圧との関係を示す図
の表面に形成された改質層の撥水性能とＲＦバイアス電
圧との関係を示す図
【図６】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層の撥水性能の経時的変化とＲ
Ｆバイアス電圧との関係を示す図
の表面に形成された改質層の撥水性能の経時的変化とＲ
Ｆバイアス電圧との関係を示す図
【図７】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層のＸＰＳによるスペクトルを
分析結果を示す図
の表面に形成された改質層のＸＰＳによるスペクトルを
分析結果を示す図
【図８】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層のＲＦバイアス電圧とフッ素
原子数とカーボン原子数の比（Ｆ／Ｃ）との関係を示す
図
の表面に形成された改質層のＲＦバイアス電圧とフッ素
原子数とカーボン原子数の比（Ｆ／Ｃ）との関係を示す
図
【図９】本発明の実施の形態におけるプラスチック基材
の表面に形成された改質層をＸＰＳで観察した際のＣ１
Ｓ信号の総面積に対するＣＦ２信号面積の比を示す図
の表面に形成された改質層をＸＰＳで観察した際のＣ１
Ｓ信号の総面積に対するＣＦ２信号面積の比を示す図
【図１０】本発明の実施の形態におけるプラスチック基
材の表面に形成された改質層をＸＰＳで観察した際のＣ
１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ３信号面積の比を示す図
材の表面に形成された改質層をＸＰＳで観察した際のＣ
１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ３信号面積の比を示す図
【図１１】本発明の実施の形態におけるインクジェット
プリンタ用ヘッドの構成を示す断面図
プリンタ用ヘッドの構成を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態におけるプラスチック基
材を製造する際に用いる処理装置の概略構成図
材を製造する際に用いる処理装置の概略構成図
【図１３】従来のインクジェットプリンタ用ヘッドの構
成を示す断面図
成を示す断面図
【図１４】従来のインクジェットプリンタ用ヘッドの構
成を示す断面図
成を示す断面図
【図１５】インクジェットプリンタ用ヘッドにおけるイ
ンクの噴出を示す断面図
ンクの噴出を示す断面図
【符号の説明】 １ プラスチック基板 ２ 改質層 ２１ 排気系 ２２ 処理チャンバ ２３ プラズマ発生室 ２４ ガス導入系 ２５ マイクロ波電力発生器 ２６ ソレノイドコイル ２７ プラズマ ２８ ＲＦ電源 ２９ 基板用電極 ５１ ノズル構成フィルム ５２ 改質層 ５３ ノズル開口部 ５４ 電極 ５５ ヒ−タ ５６ インク ５７ 気泡 ５８ 超音波振動子 ７０ 処理チャンバ ７１ 排気系 ７２ 基板用電極 ７３ ＲＦ電源 ７４ 対向電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邊 修 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】表面層を、フッ素を含有しフッ素と炭素の
原子数比Ｆ／Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分に
改質したプラスチック基材。 - 【請求項２】改質前のプラスチック基材が、酸素を構成
成分として有することを特徴とする請求項１に記載のプ
ラスチック基材。 - 【請求項３】改質前のプラスチック基材が、ポリイミド
を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載のプラ
スチック基材。 - 【請求項４】改質層の表面のＸ線光電子分光スペクトル
において、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ2信号面積の
比が０．１３以上で０．２０以下の範囲であることを特
徴とする請求項１、２または３に記載のプラスチック基
材。 - 【請求項５】改質層の表面のＸ線光電子分光スペクトル
において、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ3信号面積の
比が０．１０以上で０．１７以下の範囲であることを特
徴とする請求項１、２または３に記載のプラスチック基
材。 - 【請求項６】プラスチック基材に対して、フッ素含有の
プラズマを照射してプラスチック基材の上層部をフッ素
含有カーボン層に改質する工程を有するプラスチック基
材の製造方法。 - 【請求項７】プラスチック基材に対して負のＲＦバイア
ス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲で印加し、フッ素
含有のプラズマを照射することを特徴とする請求項６に
記載のプラスチック基材の製造方法。 - 【請求項８】プラスチック基材に対して負のＲＦバイア
ス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲で印加し、フッ素
含有のプラズマを照射することを特徴とする請求項６に
記載のプラスチック基材の製造方法。 - 【請求項９】複数個のノズル開口部が形成されたプラス
チックより成るノズル構成フィルムを有し、前記ノズル
開口部よりインクを突出させるインクジェットプリンタ
用ヘッドであって、前記ノズル構成フィルムの表面に、
フッ素を含有した改質層を生成したことを特徴とするイ
ンクジェットプリンタ用ヘッド。 - 【請求項１０】ノズル構成フィルムがポリイミドを主成
分とすることを特徴とする請求項９に記載のインクジェ
ットプリンタ用ヘッド。 - 【請求項１１】改質層が、フッ素と炭素の原子数比Ｆ／
Ｃを０．８５以上で１．３０以下の成分であることを特
徴とする請求項９に記載のインクジェットプリンタ用ヘ
ッド。 - 【請求項１２】改質層の表面のＸ線光電子分光スペクト
ルにおいて、Ｃ1S信号の総面積に対するＣＦ2信号面積
の比が０．１３以上で０．２０以下の範囲であることを
特徴とする請求項９、１０または１１に３記載のインク
ジェットプリンタ用ヘッド。 - 【請求項１３】改質層の表面のＸ線光電子分光スペクト
ルにおいて、Ｃ１Ｓ信号の総面積に対するＣＦ3信号面
積の比が０．１０以上で０．１７以下の範囲であること
を特徴とする請求項９、１０、１１に記載のインクジェ
ットプリンタ用ヘッド。 - 【請求項１４】複数個のノズル開口部が形成されたプラ
スチックより成るノズル構成フィルムを有し、前記ノズ
ル開口部よりインクを突出させるインクジェットプリン
タ用ヘッドの製造方法であって、前記ノズル構成フィル
ムの表面に、フッ素含有のプラズマを照射して前記ノズ
ル構成フィルムの上層部をフッ素含有カーボン層に改質
する工程を有することを特徴とするインクジェットプリ
ンタ用ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】ノズル構成フィルムに対して負のＲＦバ
イアス電圧を０Ｖ以上で４０Ｖ以下の範囲で印加し、フ
ッ素含有のプラズマを照射することを特徴とする請求項
１４に記載のインクジェットプリンタ用ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１６】ノズル構成フィルムに対して負のＲＦバ
イアス電圧を５Ｖ以上で３０Ｖ以下の範囲で印加し、フ
ッ素含有のプラズマを照射することを特徴とする請求項
１４に記載のインクジェットプリンタ用ヘッドの製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP26039796A JPH10101829A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | プラスチック基材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ用ヘッドおよびその製造方法 |
| KR1019997002850A KR100326205B1 (ko) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | 잉크젯프린터용 헤드구성피막과 그 제조방법 및 잉크젯 프린터용 헤드와 그 제조방법 |
| US09/269,794 US6296946B1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Plastic substrate and method of manufacturing the same, and ink jet printer head and method of manufacturing the same |
| PCT/JP1997/003452 WO1998014506A1 (en) | 1996-10-01 | 1997-09-29 | Plastic substrate and method of manufacturing the same, and ink jet printer head and method of manufacturing the same |
| US09/953,965 US6595623B2 (en) | 1996-10-01 | 2001-09-18 | Plastic base material and method for the manufacture thereof; and head for ink-jet printer and method for the manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26039796A JPH10101829A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | プラスチック基材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ用ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH10101829A true JPH10101829A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17347360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP26039796A Pending JPH10101829A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | プラスチック基材およびその製造方法、並びにインクジェットプリンタ用ヘッドおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JPH10101829A (ja) |
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| WO (1) | WO1998014506A1 (ja) |
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| JP2019051637A (ja) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JP2019077103A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットプリンタ |
| CN110525046A (zh) * | 2018-05-23 | 2019-12-03 | 东芝泰格有限公司 | 喷墨头及喷墨打印机 |
| JP2022071092A (ja) * | 2017-09-14 | 2022-05-13 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットプリンタ |
| JP2022071091A (ja) * | 2017-10-25 | 2022-05-13 | 東芝テック株式会社 | インクジェットヘッド及びインクジェットプリンタ |
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-
1996
- 1996-10-01 JP JP26039796A patent/JPH10101829A/ja active Pending
-
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- 1997-09-29 KR KR1019997002850A patent/KR100326205B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-29 US US09/269,794 patent/US6296946B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-29 WO PCT/JP1997/003452 patent/WO1998014506A1/ja not_active Ceased
-
2001
- 2001-09-18 US US09/953,965 patent/US6595623B2/en not_active Expired - Lifetime
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| WO1998014506A1 (en) | 1998-04-09 |
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