JPH10106899A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
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- JPH10106899A JPH10106899A JP27869396A JP27869396A JPH10106899A JP H10106899 A JPH10106899 A JP H10106899A JP 27869396 A JP27869396 A JP 27869396A JP 27869396 A JP27869396 A JP 27869396A JP H10106899 A JPH10106899 A JP H10106899A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流不良や耐圧不良等を防止できる固体
電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 弁作用金属からなり陽極用リード線２を
引き出した焼結体１に、酸化皮膜２８、固体電解質層２
９及び陰極層を順次設けた固体電解コンデンサ３６にお
いて、陽極用リード線２の引き出し面３側に少なくとも
一部をＲ状にした綾線部分４を設けた焼結体１を有する
ことを特徴とする固体電解コンデンサ３６。
電解コンデンサを提供すること。 【解決手段】 弁作用金属からなり陽極用リード線２を
引き出した焼結体１に、酸化皮膜２８、固体電解質層２
９及び陰極層を順次設けた固体電解コンデンサ３６にお
いて、陽極用リード線２の引き出し面３側に少なくとも
一部をＲ状にした綾線部分４を設けた焼結体１を有する
ことを特徴とする固体電解コンデンサ３６。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は固体電解コンデンサ
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体電解コンデンサは、例えば、アルミ
ニウムやタンタル等の弁作用金属の微粉末からなり、タ
ンタル等の陽極用リード線を引き出した焼結体に、酸化
皮膜、二酸化マンガン又はポリピロールやポリアニリン
等の有機導電性高分子からなる固体電解質層、カーボン
ペーストや銀ペーストからなる陰極層を順次形成すると
ともに、陰極層と陽極用リード線に外部用の端子を接続
し、外装を形成した構造になっている。ところで、一般
的に、焼結体５０及びｆ１は、図４（イ）及び（ロ）に
示す通り、角形や円筒形であり、陽極用リード線５２及
び５３の引き出し面５４及び５５側には、角形であれば
４角形で角状の綾線部分５６がそして円筒形であれば円
形で角状の綾線部分５７が各々設けられている。そして
この焼結体に酸化皮膜を形成した後に固体電解質層を形
成する場合、陽極用リード線の引き出し面側を上にし
て、硝酸マンガン溶液や有機導電性高分子溶液中に焼結
体を浸漬する。そしてこの際、液が陽極用リード線には
い上がるのを防止するため、陽極用リード線の根本にテ
フロン製のワッシャを設けるとともに、液面が焼結体の
陽極用リード線の引き出し面よりもわずかだけ上にくる
ように焼結体を溶液中に浸漬している。これにより酸化
皮膜の表面に固体電解質層を形成している。
ニウムやタンタル等の弁作用金属の微粉末からなり、タ
ンタル等の陽極用リード線を引き出した焼結体に、酸化
皮膜、二酸化マンガン又はポリピロールやポリアニリン
等の有機導電性高分子からなる固体電解質層、カーボン
ペーストや銀ペーストからなる陰極層を順次形成すると
ともに、陰極層と陽極用リード線に外部用の端子を接続
し、外装を形成した構造になっている。ところで、一般
的に、焼結体５０及びｆ１は、図４（イ）及び（ロ）に
示す通り、角形や円筒形であり、陽極用リード線５２及
び５３の引き出し面５４及び５５側には、角形であれば
４角形で角状の綾線部分５６がそして円筒形であれば円
形で角状の綾線部分５７が各々設けられている。そして
この焼結体に酸化皮膜を形成した後に固体電解質層を形
成する場合、陽極用リード線の引き出し面側を上にし
て、硝酸マンガン溶液や有機導電性高分子溶液中に焼結
体を浸漬する。そしてこの際、液が陽極用リード線には
い上がるのを防止するため、陽極用リード線の根本にテ
フロン製のワッシャを設けるとともに、液面が焼結体の
陽極用リード線の引き出し面よりもわずかだけ上にくる
ように焼結体を溶液中に浸漬している。これにより酸化
皮膜の表面に固体電解質層を形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、焼結体の陽極
用リード線の引き出し面側には角状の綾線部分があるた
め、硝酸マンガン等の溶液は、表面張力の作用によりこ
の綾線部分で膨らみ、陽極用リード線の引き出し面の中
央部に入り難くなる。このため、焼結体の陽極用リード
線の引き出し面中央部には固体電解質層がほとんど形成
されなかったり、あるいは薄い厚さの固体電解質層しか
形成されない場合がある。従って、この後、絶縁樹脂等
の外装を形成する際に、酸化皮膜に、絶縁樹脂が収縮す
るときの応力が直接加わったり、あるいは薄い固体電解
質層によっては吸収できなかった応力が加わったりす
る。そしてその結果、酸化皮膜が損傷し、漏れ電流不良
や耐圧不良を生じる欠点がある。
用リード線の引き出し面側には角状の綾線部分があるた
め、硝酸マンガン等の溶液は、表面張力の作用によりこ
の綾線部分で膨らみ、陽極用リード線の引き出し面の中
央部に入り難くなる。このため、焼結体の陽極用リード
線の引き出し面中央部には固体電解質層がほとんど形成
されなかったり、あるいは薄い厚さの固体電解質層しか
形成されない場合がある。従って、この後、絶縁樹脂等
の外装を形成する際に、酸化皮膜に、絶縁樹脂が収縮す
るときの応力が直接加わったり、あるいは薄い固体電解
質層によっては吸収できなかった応力が加わったりす
る。そしてその結果、酸化皮膜が損傷し、漏れ電流不良
や耐圧不良を生じる欠点がある。
【０００４】本発明は、以上の欠点を改良し、漏れ電流
不良や耐圧不良等を防止できる固体電解コンデンサを提
供することを課題とするものである。
不良や耐圧不良等を防止できる固体電解コンデンサを提
供することを課題とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、弁作用金属からなり陽極用リード線を
引き出した焼結体に、酸化皮膜、固体電解質層及び陰極
層を順次設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極用リ
ード線の引き出し面側に少なくとも一部をＲ状にした綾
線部分を設けた焼結体を有することを特徴とする固体電
解コンデンサを提供するものである。
解決するために、弁作用金属からなり陽極用リード線を
引き出した焼結体に、酸化皮膜、固体電解質層及び陰極
層を順次設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極用リ
ード線の引き出し面側に少なくとも一部をＲ状にした綾
線部分を設けた焼結体を有することを特徴とする固体電
解コンデンサを提供するものである。
【０００６】焼結体の陽極用リード線の引き出し面側の
綾線部分の一部をＲ状にすると、陽極用リード線の引き
出し面側を上にして硝酸マンガン等の溶液中に焼結体を
浸漬した場合、Ｒ状の綾線部分では表面張力の影響がな
いために、このＲ状の綾線部分を通して、陽極用リード
線の引き出し面の中央部分にまで溶液が流入する。従っ
て、焼結体の陽極用リード線の引き出し面の中央部分に
も所定の厚さの固体電解質層を形成できる。それ故、絶
縁樹脂等により外装を形成しても、その収縮時の応力を
固体電解質で吸収できる。その結果、漏れ電流不良や耐
圧不良の発生を防止できる。
綾線部分の一部をＲ状にすると、陽極用リード線の引き
出し面側を上にして硝酸マンガン等の溶液中に焼結体を
浸漬した場合、Ｒ状の綾線部分では表面張力の影響がな
いために、このＲ状の綾線部分を通して、陽極用リード
線の引き出し面の中央部分にまで溶液が流入する。従っ
て、焼結体の陽極用リード線の引き出し面の中央部分に
も所定の厚さの固体電解質層を形成できる。それ故、絶
縁樹脂等により外装を形成しても、その収縮時の応力を
固体電解質で吸収できる。その結果、漏れ電流不良や耐
圧不良の発生を防止できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。先ず、弁作用金属はタンタルやアルミニウム等を
用いる。また、焼結体１は、例えば、図１（イ）に示す
通り、弁作用金属の微粉末からなる角形で、陽極用リー
ド線２をその一面から引き出している。そして特に、そ
の陽極用リード線２の引き出し面３側の一辺の綾線部分
４をＲ状に形成している。Ｒは０．１〜２．１mmの範囲
が好ましい。なお、Ｒが０．１mmより小さいと表面張力
の影響を打消す効果が小さく、Ｒが２．１mmより大きい
と、焼結体が小さくなり容量の減少が大きくなる。そし
て焼結体５〜８は、他に図１（ロ）〜（ホ）に示す通り
の形状にしてもよい。すなわち、図１（ロ）に示す焼結
体６は、角形であり、陽極用リード線９の引き出し面１
０側の２辺の綾線部分１１及び１２をＲ状にしいる。ま
た、図１（ハ）に示す焼結体６も角形であり、陽極用リ
ード線１３の引き出し面１４側の３辺の綾線部分１５〜
１７をＲ状にしいる。そして、図１（ニ）に示す焼結体
７も角形であり、陽極用リード線１８の引き出し面１９
側の４辺の綾線部分２０〜２３全部をＲ状にしている。
さらに、図１（ホ）に示す焼結体８は、円筒形であり、
陽極用リード線２４の引き出し面２５側の円形の綾線部
分２６の全周をＲ状にしている。なお、円形の綾線部分
の場合にも、Ｒ状にするのはその一部分であってもよ
い。陽極用リード線２の根本には、図２に示す通り、テ
フロン製のワッシャ２７を設けている。焼結体１には酸
化皮膜２８を設けている。また、酸化皮膜２８の表面に
は固体電解質層２９を設けている。この固体電解質層２
９は、二酸化マンガンあるいは、ポリアニリンやポリピ
ロール、ボリチオフェン、ポリパラフェニレン、ポリア
セチレン等の単体物質や、これらに、ポリスチレンやポ
リエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロ
ニトリルブタジエン−スチレン等のポリマーを混合した
有機導電性高分子等の物質からなる。固体電解質層２９
の表面にはカーボンペーストを塗布してカーボン層３０
を設ける。カーボン層３０の表面には銀ペーストを塗布
して銀層３１を設ける。そしてこのカーボン層３０と銀
層３１とを合せて陰極層とする。また、銀層３１には銀
導電ペースト３２により陰極端子３３を接続する。そし
て陽極用リード線２には陽極端子３４を抵抗溶接等す
る。さらに、これらの全体を絶縁樹脂からなる外装３５
で被覆する。陰極端子３３と陽極端子３４の先端は、外
装３５から引き出し、外装３５に沿って折り曲げてい
る。なお、図３に示す通り、陰極端子４０と陽極端子４
１とは外装４２に沿って折り曲げずに、互いに並行に引
き出してもよい。
する。先ず、弁作用金属はタンタルやアルミニウム等を
用いる。また、焼結体１は、例えば、図１（イ）に示す
通り、弁作用金属の微粉末からなる角形で、陽極用リー
ド線２をその一面から引き出している。そして特に、そ
の陽極用リード線２の引き出し面３側の一辺の綾線部分
４をＲ状に形成している。Ｒは０．１〜２．１mmの範囲
が好ましい。なお、Ｒが０．１mmより小さいと表面張力
の影響を打消す効果が小さく、Ｒが２．１mmより大きい
と、焼結体が小さくなり容量の減少が大きくなる。そし
て焼結体５〜８は、他に図１（ロ）〜（ホ）に示す通り
の形状にしてもよい。すなわち、図１（ロ）に示す焼結
体６は、角形であり、陽極用リード線９の引き出し面１
０側の２辺の綾線部分１１及び１２をＲ状にしいる。ま
た、図１（ハ）に示す焼結体６も角形であり、陽極用リ
ード線１３の引き出し面１４側の３辺の綾線部分１５〜
１７をＲ状にしいる。そして、図１（ニ）に示す焼結体
７も角形であり、陽極用リード線１８の引き出し面１９
側の４辺の綾線部分２０〜２３全部をＲ状にしている。
さらに、図１（ホ）に示す焼結体８は、円筒形であり、
陽極用リード線２４の引き出し面２５側の円形の綾線部
分２６の全周をＲ状にしている。なお、円形の綾線部分
の場合にも、Ｒ状にするのはその一部分であってもよ
い。陽極用リード線２の根本には、図２に示す通り、テ
フロン製のワッシャ２７を設けている。焼結体１には酸
化皮膜２８を設けている。また、酸化皮膜２８の表面に
は固体電解質層２９を設けている。この固体電解質層２
９は、二酸化マンガンあるいは、ポリアニリンやポリピ
ロール、ボリチオフェン、ポリパラフェニレン、ポリア
セチレン等の単体物質や、これらに、ポリスチレンやポ
リエチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロ
ニトリルブタジエン−スチレン等のポリマーを混合した
有機導電性高分子等の物質からなる。固体電解質層２９
の表面にはカーボンペーストを塗布してカーボン層３０
を設ける。カーボン層３０の表面には銀ペーストを塗布
して銀層３１を設ける。そしてこのカーボン層３０と銀
層３１とを合せて陰極層とする。また、銀層３１には銀
導電ペースト３２により陰極端子３３を接続する。そし
て陽極用リード線２には陽極端子３４を抵抗溶接等す
る。さらに、これらの全体を絶縁樹脂からなる外装３５
で被覆する。陰極端子３３と陽極端子３４の先端は、外
装３５から引き出し、外装３５に沿って折り曲げてい
る。なお、図３に示す通り、陰極端子４０と陽極端子４
１とは外装４２に沿って折り曲げずに、互いに並行に引
き出してもよい。
【０００８】次に、図２に示す実施の形態の固体電解コ
ンデンサ３６の製造方法を説明する。先ず、タンタルや
アルミニウム等の弁作用金属の微粉末を用いて焼結体１
を形成する。例えば、タンタル粉末を用いる場合には、
タンタル等の陽極用リード線２を引き出した状態にして
この粉末を所定の形状に成形し、その後、真空中におい
て高温度で焼結して焼結体１を形成する。そしてこの焼
結体１を硝酸やリン酸等の水溶液を用いて陽極化成し、
酸化皮膜２８を形成する。酸化皮膜２８を形成後、二酸
化マンガンや有機導電性高分子からなる固体電解質層２
９を形成する。固体電解質層２９を形成するには、陽極
用リード線２の引き出し面３側を上にして焼結体１を硝
酸マンガン溶液中等に、液面が陽極用リード線２の引き
出し面３のわずかに上にくる程度に浸漬する。これによ
り、液を焼結体１に付着し含浸する。含浸後、溶液の種
類に応じた処理を行ない、固体電解質層２９を形成す
る。すなわち、溶液が硝酸マンガン溶液であれば、焼結
体１を硝酸マンガン溶液中に浸漬して液を含浸した後、
加熱分解し、さらに再化成処理する。そして硝酸マンガ
ン溶液の濃度を順次高くして、これらの含浸、加熱分解
及び酸化成処理の工程を繰り返し行ない、所定の厚さの
二酸化マンガンからなる固体電解質層を形成する。ま
た、有機導電性高分子からなる固体電解質層を形成する
には次の各種の方法により行なう。すなわち、イ）第１
の方法は、有機導電性高分子の溶液中に焼結体１を浸漬
する。浸漬後、アルコール等の有機溶剤で洗浄する。洗
浄後、乾燥して溶媒を蒸発させる。そして必要に応じて
この浸漬から乾燥までの工程を繰り返して行ない、所定
の厚さに形成する。また、ロ）第２の方法は、脱ドープ
した高分子の溶液中に焼結体１を浸漬する。浸漬後、洗
浄し、乾燥する。そしてこの浸漬から乾燥までの工程を
必要に応じて所定回数を繰り返して行ない、所定の厚さ
の脱ドープした高分子の膜を形成する。この膜を形成
後、焼結体１をドーピング溶液中に数１０分〜数時間浸
漬して接触し、高分子の膜をドーピングして導電性を付
与し、有機導電性高分子の膜を形成する。さらに、ハ）
第３の方法は、アニリンやピロール、チオフェン等のモ
ノマーにドーピングイオンを含む溶液中に焼結体１を浸
漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体１を浸漬して、
化学重合反応させて、有機導電性高分子の膜を形成す
る。そしてニ）第４の方法は、ドーピングイオンを含ま
ないアニリンやピロール等のモノマーの溶液中に焼結体
１を浸漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体１を浸漬
して化学重合反応させ、高分子の膜を形成する。高分子
の膜を形成後、焼結体１をドーピング溶液中に浸漬して
接触し、導電性を付与して有機導電性高分子の膜を形成
する。なお、ドーパントは、解離定数がナフタレンスル
ホン酸又はその誘導体とほぼ同一か又はより小さく、か
つドーパントの陰イオンがナフタレンスルホン酸又はそ
の誘導体の陰イオンよりも小さい物質とする。このよう
なドーパントとしては、例えば、スルホイソフタル酸や
スルホコハク酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、スルホサリチル酸、ベンゼンスルホン酸、ベンゼ
ンジスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸及びその
誘導体、カンファースルホン酸、スルホ酢酸、スルホア
ニリン、ジフェノールスルホン酸等の酸又はこれらの酸
の塩を用いる。また、ドーピング溶液は、例えばドーパ
ントあるいはドーパントと酸化剤とを有機溶媒に溶解し
た組成にする。液中にドーパントや酸化剤の濃度は０．
０１〜１mol／lの範囲が好ましい。そして有機溶媒は、
例えば、ケトン類やエステル類、アルコール類、芳香族
炭化水素類、ニトリル酸、セルソルブ類、含チッ素化合
物等を用いる。さらに、酸化剤の溶液は、酸化剤だけで
はなく、他にドーパントを加えた溶液や、酸化剤とドー
パントとの塩の溶液を用いてもよい。そして酸化剤に
は、第２の鉄塩や過硫酸塩、バナジン酸塩等の水素基準
電極に対して０．８Ｖ以上の酸化電位を有する塩を用い
る。ところで、タンタル粉末により素子を形成した場合
には、タンタル粉末のＣＶ値が大きくなり体積当りの静
電容量が大きくなるほど、素子内部に液が含浸し難くな
る。従って、特性の良好な導電性高分子の膜を形成する
ためには、導電性高分子の溶液等に濃度の高いものを用
いる必要がある。そして高分子のなかでポリアニリン
は、溶媒への溶解度が大きく、比較的高濃度の溶液を調
製でき、適当な物質である。固体電解質層２９を形成
後、カーボンペーストを塗布してカーボン層３０を形成
する。そしてカーボン層３０の表面には銀ペーストを塗
布して銀層３１を形成する。銀層３１を形成後、この銀
層３１に銀導電性ペースト３２により陰極端子３３を接
続するとともに、陽極用リード線２に陽極端子３４を溶
接する。そして樹脂モールド法や樹脂ディップ法等によ
り外装３５を形成する。外装３５を形成後、陰極端子３
３と陽極端子３４とを外装３５の表面に沿って折り曲げ
て、固体電解コンデンサ３６を形成する。
ンデンサ３６の製造方法を説明する。先ず、タンタルや
アルミニウム等の弁作用金属の微粉末を用いて焼結体１
を形成する。例えば、タンタル粉末を用いる場合には、
タンタル等の陽極用リード線２を引き出した状態にして
この粉末を所定の形状に成形し、その後、真空中におい
て高温度で焼結して焼結体１を形成する。そしてこの焼
結体１を硝酸やリン酸等の水溶液を用いて陽極化成し、
酸化皮膜２８を形成する。酸化皮膜２８を形成後、二酸
化マンガンや有機導電性高分子からなる固体電解質層２
９を形成する。固体電解質層２９を形成するには、陽極
用リード線２の引き出し面３側を上にして焼結体１を硝
酸マンガン溶液中等に、液面が陽極用リード線２の引き
出し面３のわずかに上にくる程度に浸漬する。これによ
り、液を焼結体１に付着し含浸する。含浸後、溶液の種
類に応じた処理を行ない、固体電解質層２９を形成す
る。すなわち、溶液が硝酸マンガン溶液であれば、焼結
体１を硝酸マンガン溶液中に浸漬して液を含浸した後、
加熱分解し、さらに再化成処理する。そして硝酸マンガ
ン溶液の濃度を順次高くして、これらの含浸、加熱分解
及び酸化成処理の工程を繰り返し行ない、所定の厚さの
二酸化マンガンからなる固体電解質層を形成する。ま
た、有機導電性高分子からなる固体電解質層を形成する
には次の各種の方法により行なう。すなわち、イ）第１
の方法は、有機導電性高分子の溶液中に焼結体１を浸漬
する。浸漬後、アルコール等の有機溶剤で洗浄する。洗
浄後、乾燥して溶媒を蒸発させる。そして必要に応じて
この浸漬から乾燥までの工程を繰り返して行ない、所定
の厚さに形成する。また、ロ）第２の方法は、脱ドープ
した高分子の溶液中に焼結体１を浸漬する。浸漬後、洗
浄し、乾燥する。そしてこの浸漬から乾燥までの工程を
必要に応じて所定回数を繰り返して行ない、所定の厚さ
の脱ドープした高分子の膜を形成する。この膜を形成
後、焼結体１をドーピング溶液中に数１０分〜数時間浸
漬して接触し、高分子の膜をドーピングして導電性を付
与し、有機導電性高分子の膜を形成する。さらに、ハ）
第３の方法は、アニリンやピロール、チオフェン等のモ
ノマーにドーピングイオンを含む溶液中に焼結体１を浸
漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体１を浸漬して、
化学重合反応させて、有機導電性高分子の膜を形成す
る。そしてニ）第４の方法は、ドーピングイオンを含ま
ないアニリンやピロール等のモノマーの溶液中に焼結体
１を浸漬する。次に、酸化剤の溶液中に焼結体１を浸漬
して化学重合反応させ、高分子の膜を形成する。高分子
の膜を形成後、焼結体１をドーピング溶液中に浸漬して
接触し、導電性を付与して有機導電性高分子の膜を形成
する。なお、ドーパントは、解離定数がナフタレンスル
ホン酸又はその誘導体とほぼ同一か又はより小さく、か
つドーパントの陰イオンがナフタレンスルホン酸又はそ
の誘導体の陰イオンよりも小さい物質とする。このよう
なドーパントとしては、例えば、スルホイソフタル酸や
スルホコハク酸、メタンスルホン酸、フェノールスルホ
ン酸、スルホサリチル酸、ベンゼンスルホン酸、ベンゼ
ンジスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸及びその
誘導体、カンファースルホン酸、スルホ酢酸、スルホア
ニリン、ジフェノールスルホン酸等の酸又はこれらの酸
の塩を用いる。また、ドーピング溶液は、例えばドーパ
ントあるいはドーパントと酸化剤とを有機溶媒に溶解し
た組成にする。液中にドーパントや酸化剤の濃度は０．
０１〜１mol／lの範囲が好ましい。そして有機溶媒は、
例えば、ケトン類やエステル類、アルコール類、芳香族
炭化水素類、ニトリル酸、セルソルブ類、含チッ素化合
物等を用いる。さらに、酸化剤の溶液は、酸化剤だけで
はなく、他にドーパントを加えた溶液や、酸化剤とドー
パントとの塩の溶液を用いてもよい。そして酸化剤に
は、第２の鉄塩や過硫酸塩、バナジン酸塩等の水素基準
電極に対して０．８Ｖ以上の酸化電位を有する塩を用い
る。ところで、タンタル粉末により素子を形成した場合
には、タンタル粉末のＣＶ値が大きくなり体積当りの静
電容量が大きくなるほど、素子内部に液が含浸し難くな
る。従って、特性の良好な導電性高分子の膜を形成する
ためには、導電性高分子の溶液等に濃度の高いものを用
いる必要がある。そして高分子のなかでポリアニリン
は、溶媒への溶解度が大きく、比較的高濃度の溶液を調
製でき、適当な物質である。固体電解質層２９を形成
後、カーボンペーストを塗布してカーボン層３０を形成
する。そしてカーボン層３０の表面には銀ペーストを塗
布して銀層３１を形成する。銀層３１を形成後、この銀
層３１に銀導電性ペースト３２により陰極端子３３を接
続するとともに、陽極用リード線２に陽極端子３４を溶
接する。そして樹脂モールド法や樹脂ディップ法等によ
り外装３５を形成する。外装３５を形成後、陰極端子３
３と陽極端子３４とを外装３５の表面に沿って折り曲げ
て、固体電解コンデンサ３６を形成する。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。 実施例１：図１（ニ）に示す構造の陽極用リード線１８
の引き出し面１９側の綾線部分２０〜２３全部がＲ状に
なっているタンタルの焼結体７を用いる。この焼結体７
の焼結は真空中で温度１４００〜１６００℃で加熱して
形成する。そして焼結体７は、０．８５mm×１．０５mm
×１．２０mmの寸法とし、Ｒを０．１mmとする。また、
固体電解質層は二酸化マンガン層とする。陰極層はカー
ボン層と銀層とから形成する。そして外装はエポキシ樹
脂をトランスファーモールドして形成する。この固体電
解コンデンサの定格は１０Ｖ，１０μＦとする。 実施例２：図１（ハ）に示す構造の焼結体６を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 実施例３：図１（ロ）に示す構造の焼結体５を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 実施例４：図１（イ）に示す構造の焼結体１を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 そして上記の実施例１〜実施例４と従来例につき、焼結
体の陽極用リード線の引き出し面側に形成される固体電
解質層の厚さと、固体電解コンデンサの漏れ電流不良率
を測定した。なお、従来例は、図４（イ）に示す構造の
焼結体５０を用いる以外は実施例１と同一の条件とす
る。また、固体電解質層の厚さの測定位置は、図５の通
りとする。そして試料数は各々１００個とする。測定結
果は表１に示す。
の引き出し面１９側の綾線部分２０〜２３全部がＲ状に
なっているタンタルの焼結体７を用いる。この焼結体７
の焼結は真空中で温度１４００〜１６００℃で加熱して
形成する。そして焼結体７は、０．８５mm×１．０５mm
×１．２０mmの寸法とし、Ｒを０．１mmとする。また、
固体電解質層は二酸化マンガン層とする。陰極層はカー
ボン層と銀層とから形成する。そして外装はエポキシ樹
脂をトランスファーモールドして形成する。この固体電
解コンデンサの定格は１０Ｖ，１０μＦとする。 実施例２：図１（ハ）に示す構造の焼結体６を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 実施例３：図１（ロ）に示す構造の焼結体５を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 実施例４：図１（イ）に示す構造の焼結体１を用いる以
外は、実施例１と同一の条件とする。 そして上記の実施例１〜実施例４と従来例につき、焼結
体の陽極用リード線の引き出し面側に形成される固体電
解質層の厚さと、固体電解コンデンサの漏れ電流不良率
を測定した。なお、従来例は、図４（イ）に示す構造の
焼結体５０を用いる以外は実施例１と同一の条件とす
る。また、固体電解質層の厚さの測定位置は、図５の通
りとする。そして試料数は各々１００個とする。測定結
果は表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】表１から、対向する綾線部分の形状がＲ状
である方が、固体電解質層の厚さが厚くなっていること
は明らかである。すなわち、固体電解質層の平均の厚さ
は、実施例１〜実施例４が１８．８〜３８μｍであるの
に対して、従来例が１０．３μｍとなり、前者は後者の
約１．８３〜３．６９倍になっている。そして実施例１
は実施例４の約２．０２倍になり、Ｒ状の綾線部分が多
い程、固体電解質層の厚さが厚くなっている。また、漏
れ電流不良率についても、実施例１〜実施例４が１．８
〜４．３％であるのに対して、従来例が５．３％とな
り、前者の方が後者の約３４．０〜８１．１％に低下し
ている。
である方が、固体電解質層の厚さが厚くなっていること
は明らかである。すなわち、固体電解質層の平均の厚さ
は、実施例１〜実施例４が１８．８〜３８μｍであるの
に対して、従来例が１０．３μｍとなり、前者は後者の
約１．８３〜３．６９倍になっている。そして実施例１
は実施例４の約２．０２倍になり、Ｒ状の綾線部分が多
い程、固体電解質層の厚さが厚くなっている。また、漏
れ電流不良率についても、実施例１〜実施例４が１．８
〜４．３％であるのに対して、従来例が５．３％とな
り、前者の方が後者の約３４．０〜８１．１％に低下し
ている。
【００１２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、陽極用リ
ード線の引き出し面側に少なくとも一部をＲ状にした綾
線部分を設けた焼結体を有しているため、漏れ電流不良
等を軽減できる固体電解コンデンサが得られる。
ード線の引き出し面側に少なくとも一部をＲ状にした綾
線部分を設けた焼結体を有しているため、漏れ電流不良
等を軽減できる固体電解コンデンサが得られる。
【図１】本発明の実施の態様の焼結体の斜視図を示す。
【図２】本発明の実施の態様の断面図を示す。
【図３】本発明の他の実施の態様の正面図を示す。
【図４】従来の焼結体の斜視図を示す。
【図５】焼結体の平面図を示す。
１，５，６，７，８…焼結体、 ２，９，１３，１８，２４…陽極用リード線、 ３，１０，１４，１９，２５…陽極用リード線の引き出
し面、 ４，１１，１２，１５，１６、１７，２０，２１，２
２，２３…綾線部分、 ２８…酸化皮膜、 ２９…固体電解質層、 ３０…カー
ボン層、 ３１…銀層、 ３６…固体電解コンデンサ。
し面、 ４，１１，１２，１５，１６、１７，２０，２１，２
２，２３…綾線部分、 ２８…酸化皮膜、 ２９…固体電解質層、 ３０…カー
ボン層、 ３１…銀層、 ３６…固体電解コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】 弁作用金属からなり陽極用リード線を引
き出した焼結体に、酸化皮膜、固体電解質層及び陰極層
を順次設けた固体電解コンデンサにおいて、陽極用リー
ド線の引き出し面側に少なくとも一部をＲ状にした綾線
部分を設けた焼結体を有することを特徴とする固体電解
コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27869396A JPH10106899A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27869396A JPH10106899A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106899A true JPH10106899A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17600868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27869396A Pending JPH10106899A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220172901A1 (en) * | 2019-03-27 | 2022-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP27869396A patent/JPH10106899A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220172901A1 (en) * | 2019-03-27 | 2022-06-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| US11823845B2 (en) * | 2019-03-27 | 2023-11-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040827 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040910 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050106 |