JPH05166681A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH05166681A JPH05166681A JP35218391A JP35218391A JPH05166681A JP H05166681 A JPH05166681 A JP H05166681A JP 35218391 A JP35218391 A JP 35218391A JP 35218391 A JP35218391 A JP 35218391A JP H05166681 A JPH05166681 A JP H05166681A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】誘電体酸化皮膜を損なうことなく良好な電解重
合膜を形成する。 【構成】アルミニウムエッチド箔1に誘電体酸化被膜2
を形成した後、複数の素子箔3を櫛形状に形成し、その
各素子箔3の基部側に、好ましくは電解重合液に不溶で
撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い上がり
防止部4を形成した後、化学酸化重合膜5と電解重合膜
6を形成する。
合膜を形成する。 【構成】アルミニウムエッチド箔1に誘電体酸化被膜2
を形成した後、複数の素子箔3を櫛形状に形成し、その
各素子箔3の基部側に、好ましくは電解重合液に不溶で
撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い上がり
防止部4を形成した後、化学酸化重合膜5と電解重合膜
6を形成する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサの製
造方法に関し、さらに詳しく言えば、導電性高分子物質
からなる固体電解質を備えた固体電解コンデンサの製造
方法に関するものである。
造方法に関し、さらに詳しく言えば、導電性高分子物質
からなる固体電解質を備えた固体電解コンデンサの製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】固体電解コンデンサにおいては、その固
体電解質として導電性高分子物質(例えばポリピロー
ル)を用いることにより、二酸化マンガンなどを固体電
解質とする固体電解コンデンサに比べて等価直列抵抗お
よび漏れ電流をより小さくすることができる。
体電解質として導電性高分子物質(例えばポリピロー
ル)を用いることにより、二酸化マンガンなどを固体電
解質とする固体電解コンデンサに比べて等価直列抵抗お
よび漏れ電流をより小さくすることができる。
【0003】この種の固体電解コンデンサの製造方法は
数多く提案されているが、例えば特開昭63−2324
13号公報(第1従来例という)においては、誘電体酸
化皮膜を形成できる金属板、例えばアルミニウム箔の表
面を粗面化した後、櫛歯状に形成し、その所定部分に所
望の形状のレジスト層を形成し、このレジスト層により
区分された一方の金属板の表面に誘電体酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマーおよび導電体層を順次形成する
とともに、上記レジスト層により区分された他方の金属
板および上記導電体層に各々端子を取り付けるようにし
ている。
数多く提案されているが、例えば特開昭63−2324
13号公報(第1従来例という)においては、誘電体酸
化皮膜を形成できる金属板、例えばアルミニウム箔の表
面を粗面化した後、櫛歯状に形成し、その所定部分に所
望の形状のレジスト層を形成し、このレジスト層により
区分された一方の金属板の表面に誘電体酸化皮膜層、複
素環式化合物のポリマーおよび導電体層を順次形成する
とともに、上記レジスト層により区分された他方の金属
板および上記導電体層に各々端子を取り付けるようにし
ている。
【0004】また、特開平2−178911号公報(第
2従来例という)には、弁金属箔を粗面化しさらに陽極
酸化によって誘電体酸化皮膜を設けた陽極箔の所定部分
もしくは全面に有機半導体層を形成し、その有機半導体
層の所定の部分に絶縁物層を形成し、同絶縁物層により
区分孤立化した陽極箔の部分を支持電解質を溶解した電
解重合性モノマーの水溶液による導電性高分子層を形成
するようにした固体電解コンデンサが提案されている。
2従来例という)には、弁金属箔を粗面化しさらに陽極
酸化によって誘電体酸化皮膜を設けた陽極箔の所定部分
もしくは全面に有機半導体層を形成し、その有機半導体
層の所定の部分に絶縁物層を形成し、同絶縁物層により
区分孤立化した陽極箔の部分を支持電解質を溶解した電
解重合性モノマーの水溶液による導電性高分子層を形成
するようにした固体電解コンデンサが提案されている。
【0005】さらに、特開平3−178117号公報
(第3従来例という)によると、弁金属よりなる陽極体
の表面に陽極酸化皮膜を形成し、この陽極酸化皮膜上に
耐熱性基材と耐熱性粘着材からなるテープを貼ることに
より、陽極体をコンデンサ素子の陰極引き出し部と陽極
引き出し部に分離し、その陰極引き出し部にマンガン酸
化物層を形成した後、同マンガン酸化物層上に導電性高
分子層を形成するようにした固体電解コンデンサが提案
されている。
(第3従来例という)によると、弁金属よりなる陽極体
の表面に陽極酸化皮膜を形成し、この陽極酸化皮膜上に
耐熱性基材と耐熱性粘着材からなるテープを貼ることに
より、陽極体をコンデンサ素子の陰極引き出し部と陽極
引き出し部に分離し、その陰極引き出し部にマンガン酸
化物層を形成した後、同マンガン酸化物層上に導電性高
分子層を形成するようにした固体電解コンデンサが提案
されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
1従来例では、誘電体酸化皮膜を形成する前に弁金属板
を所定の形状、例えば櫛形状に形成しているため、有効
な誘電体酸化皮膜が得られにくく、製造コストが高くな
る。
1従来例では、誘電体酸化皮膜を形成する前に弁金属板
を所定の形状、例えば櫛形状に形成しているため、有効
な誘電体酸化皮膜が得られにくく、製造コストが高くな
る。
【0007】また、固体電解質としての導電性高分子物
質を形成するにあたって、陽極電極となる弁金属板より
給電し、電解重合法により導電性高分子物質を誘電体皮
膜上に直接形成するようにしているため、誘電体酸化皮
膜が壊れやすく、後工程のエージングに時間がかかるば
かりでなく、漏れ電流の小さなコンデンサが得にくい、
という問題があった。
質を形成するにあたって、陽極電極となる弁金属板より
給電し、電解重合法により導電性高分子物質を誘電体皮
膜上に直接形成するようにしているため、誘電体酸化皮
膜が壊れやすく、後工程のエージングに時間がかかるば
かりでなく、漏れ電流の小さなコンデンサが得にくい、
という問題があった。
【0008】この点に関し、第2従来例では有機半導体
層を介して給電するようにしているため、誘電体酸化皮
膜が破壊されるおそれはないが、導電性高分子物質の形
成後に、水に不溶で、有機溶媒に可溶な絶縁物層と有機
半導体層を除去する工程が追加的に必要となる。
層を介して給電するようにしているため、誘電体酸化皮
膜が破壊されるおそれはないが、導電性高分子物質の形
成後に、水に不溶で、有機溶媒に可溶な絶縁物層と有機
半導体層を除去する工程が追加的に必要となる。
【0009】これに対して、第3従来例においては、耐
熱性基材と耐熱性粘着材からなるテープにより、誘電体
酸化皮膜を有する陽極体をコンデンサ素子の陰極引き出
し部と陽極引き出し部に分離し、その陰極引き出し部に
二酸化マンガンなどの金属酸化物層を形成し、電解重合
時、同金属酸化物層より給電するようにしているため、
誘電体酸化皮膜が破壊されるおそれがなく、また、第2
従来例のように追加的な工程を必要としないが、これに
は次ぎのような欠点が残されている。
熱性基材と耐熱性粘着材からなるテープにより、誘電体
酸化皮膜を有する陽極体をコンデンサ素子の陰極引き出
し部と陽極引き出し部に分離し、その陰極引き出し部に
二酸化マンガンなどの金属酸化物層を形成し、電解重合
時、同金属酸化物層より給電するようにしているため、
誘電体酸化皮膜が破壊されるおそれがなく、また、第2
従来例のように追加的な工程を必要としないが、これに
は次ぎのような欠点が残されている。
【0010】すなわち、金属酸化物を形成するには、例
えば硝酸マンガン水溶液などの強酸水溶液に浸漬し、そ
の後熱分解によって二酸化マンガンを形成することにな
るが、その際、未分解の硝酸マンガンなどの腐食発生物
の完全な除去が難しいため、寿命試験などで陽極体の腐
食による不良が発生しやすい。
えば硝酸マンガン水溶液などの強酸水溶液に浸漬し、そ
の後熱分解によって二酸化マンガンを形成することにな
るが、その際、未分解の硝酸マンガンなどの腐食発生物
の完全な除去が難しいため、寿命試験などで陽極体の腐
食による不良が発生しやすい。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の事情
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、予めエッ
チング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金属箔に誘
電体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔にコンデン
サ素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形状に形成
し、その各素子箔の基部側に、好ましくは電解重合液に
不溶で撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い
上がり防止部を形成した後、各素子箔に化学酸化重合法
により化学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に
浸漬して電解重合法により同化学酸化重合膜上に導電性
高分子物質よりなる電解重合膜を形成するようにしたこ
とにある。
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、予めエッ
チング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金属箔に誘
電体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔にコンデン
サ素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形状に形成
し、その各素子箔の基部側に、好ましくは電解重合液に
不溶で撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い
上がり防止部を形成した後、各素子箔に化学酸化重合法
により化学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に
浸漬して電解重合法により同化学酸化重合膜上に導電性
高分子物質よりなる電解重合膜を形成するようにしたこ
とにある。
【0012】化学重合は、弁作用金属箔、例えばアルミ
ニウムエッチド箔をまずモノマーと溶媒を含む水溶液に
浸漬し、同アルミニウムエッチド箔の細孔内にモノマー
を導入する。モノマー濃度は5〜50wt%、好ましく
は20〜40wt%で、溶媒の濃度は5〜50wt%、
好ましくは20〜40wt%が良い。
ニウムエッチド箔をまずモノマーと溶媒を含む水溶液に
浸漬し、同アルミニウムエッチド箔の細孔内にモノマー
を導入する。モノマー濃度は5〜50wt%、好ましく
は20〜40wt%で、溶媒の濃度は5〜50wt%、
好ましくは20〜40wt%が良い。
【0013】次いで、酸化剤と支持電解質を含む水溶液
に浸漬し、同アルミニウムエッチド箔表面および細孔内
のモノマーを導電性高分子に重合する。なお、モノマ
ー、酸化剤は浸漬以外に均一に付着可能な塗布または噴
霧などの方法でも良い。
に浸漬し、同アルミニウムエッチド箔表面および細孔内
のモノマーを導電性高分子に重合する。なお、モノマ
ー、酸化剤は浸漬以外に均一に付着可能な塗布または噴
霧などの方法でも良い。
【0014】また、電解重合液はモノマーと支持電解質
と溶媒からなる。モノマーの濃度は0.01〜5.0m
ol/l、好ましくは0.05〜3.0mol/lが良
い。支持電解質の濃度は0.01〜5.0mol/l、
好ましくは0.05〜3.0mol/lが良い。
と溶媒からなる。モノマーの濃度は0.01〜5.0m
ol/l、好ましくは0.05〜3.0mol/lが良
い。支持電解質の濃度は0.01〜5.0mol/l、
好ましくは0.05〜3.0mol/lが良い。
【0015】モノマーとしては、ピロール、チォフェ
ン、フランなどの複素環式化合物が用いられる。
ン、フランなどの複素環式化合物が用いられる。
【0016】酸化剤としては、ヨウ素、臭素、ヨウ化臭
素などのハロゲン、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモ
ン、四フッ化ケイ素、五塩化リン、五フッ化リン、塩化
アルミニウム、塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫
酸、クロロ硫酸などのプロトン酸、三酸化イオウ、二酸
化窒素などの含酸素化合物、過硫酸アンモニウムなどの
過硫酸塩、過酸化水素、過酢酸、ジフルオロスルホニル
パーオキサイドなどの過酸化物、硝酸第2鉄、硫酸第2
鉄などの鉄化合物、硝酸第2銅、硫酸銅などの銅化合物
などが用いられる。
素などのハロゲン、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモ
ン、四フッ化ケイ素、五塩化リン、五フッ化リン、塩化
アルミニウム、塩化モリブデンなどの金属ハロゲン化
物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、トリフルオロメタン硫
酸、クロロ硫酸などのプロトン酸、三酸化イオウ、二酸
化窒素などの含酸素化合物、過硫酸アンモニウムなどの
過硫酸塩、過酸化水素、過酢酸、ジフルオロスルホニル
パーオキサイドなどの過酸化物、硝酸第2鉄、硫酸第2
鉄などの鉄化合物、硝酸第2銅、硫酸銅などの銅化合物
などが用いられる。
【0017】支持電解質には、P−トルエンスルホン
酸、ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などの
スルホン酸、安息香酸、アジピン酸、シュウ酸、フタル
酸などのカルボン酸、フェニルリン酸、ナフチルリン酸
などのリン酸、フェニルホウ酸などのホウ酸が単独でも
しくは混合して用いられる。
酸、ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸などの
スルホン酸、安息香酸、アジピン酸、シュウ酸、フタル
酸などのカルボン酸、フェニルリン酸、ナフチルリン酸
などのリン酸、フェニルホウ酸などのホウ酸が単独でも
しくは混合して用いられる。
【0018】溶媒としては、水のほかエタノール、メタ
ノールなどのプロトン性溶媒と、アセトニトリル、プロ
ピレンカーボネイト、N,N−ジメチルホルムアミドな
どの非プロトン性溶媒が単独でもしくは混合して用いら
れる。溶媒の種類は支持電解質により適宜選択される。
ノールなどのプロトン性溶媒と、アセトニトリル、プロ
ピレンカーボネイト、N,N−ジメチルホルムアミドな
どの非プロトン性溶媒が単独でもしくは混合して用いら
れる。溶媒の種類は支持電解質により適宜選択される。
【0019】用いられる弁作用金属箔としては、アルミ
ニウム、タンタル、チタンもしくはニオブなどの20〜
300μmの薄箔が好ましい。
ニウム、タンタル、チタンもしくはニオブなどの20〜
300μmの薄箔が好ましい。
【0020】上記マスキング材はテープもしくは樹脂コ
ートフイルムが好ましい。テープの場合には、各素子箔
の基部側に貼り付けるのが好ましい。
ートフイルムが好ましい。テープの場合には、各素子箔
の基部側に貼り付けるのが好ましい。
【0021】また、樹脂コートフイルムの場合には、樹
脂の溶液または乳懸濁液を各素子箔の基部側に塗布し、
加熱するなどして媒体を除去し、フィルム化するのが好
ましい。
脂の溶液または乳懸濁液を各素子箔の基部側に塗布し、
加熱するなどして媒体を除去し、フィルム化するのが好
ましい。
【0022】マスキング材の材質としては、ポリプロピ
レン、ポリエステル、シリコン系樹脂またはフッソ系樹
脂などの樹脂剤が好ましい。また、マスキング材は重合
液に不溶で、かつ、撥水性を有するのが好ましい。
レン、ポリエステル、シリコン系樹脂またはフッソ系樹
脂などの樹脂剤が好ましい。また、マスキング材は重合
液に不溶で、かつ、撥水性を有するのが好ましい。
【0023】
【作用】上記のように、弁作用金属箔に誘電体酸化被膜
を形成した後、同金属箔にコンデンサ素子箔として用い
られる複数の突起部を櫛形状に形成することにより、製
造コストが低減するとともに、静電容量の体積効率が改
善される。
を形成した後、同金属箔にコンデンサ素子箔として用い
られる複数の突起部を櫛形状に形成することにより、製
造コストが低減するとともに、静電容量の体積効率が改
善される。
【0024】また、電解重合膜の形成に先立って、化学
酸化重合法により化学酸化重合膜を形成し、同化学酸化
重合膜を介して電解重合用の電圧を印加することによ
り、誘電体酸化皮膜を損なうことなく良好な電解重合膜
が形成される。
酸化重合法により化学酸化重合膜を形成し、同化学酸化
重合膜を介して電解重合用の電圧を印加することによ
り、誘電体酸化皮膜を損なうことなく良好な電解重合膜
が形成される。
【0025】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照しなが
ら説明する。なお、図1ないし図3は本発明の製造工程
を示した説明図であり、図4には本発明によって製造さ
れたコンデンサ素子の断面図が示されている。
ら説明する。なお、図1ないし図3は本発明の製造工程
を示した説明図であり、図4には本発明によって製造さ
れたコンデンサ素子の断面図が示されている。
【0026】まず、アルミニウムエッチド箔(厚さ90
〜100μm)1を33Vにて陽極酸化し、その表面に
誘電体酸化皮膜2を形成した。
〜100μm)1を33Vにて陽極酸化し、その表面に
誘電体酸化皮膜2を形成した。
【0027】そして、図1に示されているように、この
アルミニウム箔1の一部分を図示しない金型にて除去
し、コンデンサ素子箔となる複数の突起部3を形成し
た。しかる後、突起部3全体を化成液中に浸漬し、33
Vにて再度陽極酸化を行ない、同切り口部分を含めて誘
電体酸化皮膜を形成した。この実施例において、各突起
部3の大きさは、縦寸法Hを4mm,横寸法Wを3mm
とした。
アルミニウム箔1の一部分を図示しない金型にて除去
し、コンデンサ素子箔となる複数の突起部3を形成し
た。しかる後、突起部3全体を化成液中に浸漬し、33
Vにて再度陽極酸化を行ない、同切り口部分を含めて誘
電体酸化皮膜を形成した。この実施例において、各突起
部3の大きさは、縦寸法Hを4mm,横寸法Wを3mm
とした。
【0028】次ぎに、各突起部3の基部側にマスキング
層4を形成した。このマスキング層4は、後述のように
導電性高分子物質の固体電解質を電解重合により形成す
る際、その這い上がりを防止するためのもので、電解重
合液に不溶でかつ撥水性を有する材料から選ばれる。
層4を形成した。このマスキング層4は、後述のように
導電性高分子物質の固体電解質を電解重合により形成す
る際、その這い上がりを防止するためのもので、電解重
合液に不溶でかつ撥水性を有する材料から選ばれる。
【0029】この実施例では、同マスキング層4を形成
するため、幅1mmのポリプロピレン製のテープを突起
部3の基部側の表裏両面に貼着しているが、例えばシリ
コン系もしくはフッソ系の樹脂レジストをスクリーン印
刷にてマスキング層4を形成しても良い。なお、このマ
スキング層4を形成した後、必要に応じて化成液中に浸
漬して再化成を行なっても良い。
するため、幅1mmのポリプロピレン製のテープを突起
部3の基部側の表裏両面に貼着しているが、例えばシリ
コン系もしくはフッソ系の樹脂レジストをスクリーン印
刷にてマスキング層4を形成しても良い。なお、このマ
スキング層4を形成した後、必要に応じて化成液中に浸
漬して再化成を行なっても良い。
【0030】しかる後、各突起部3のマスキング層4よ
り先端部側(自由端側)を導電性高分子単量体を含む溶
液中に浸漬し、細孔内に導電性高分子単量体を導入し
た。この実施例では、重量比でピロールモノマー:エタ
ノール:水=3:3:1とした溶液中に3分間浸漬し
た。
り先端部側(自由端側)を導電性高分子単量体を含む溶
液中に浸漬し、細孔内に導電性高分子単量体を導入し
た。この実施例では、重量比でピロールモノマー:エタ
ノール:水=3:3:1とした溶液中に3分間浸漬し
た。
【0031】次いで、酸化剤として過硫酸アンモニウム
を0.3mol/l、支持電解質としてテトラエチルア
ンモニウムパラトルエンスルホン酸を0.1mol/を
含む溶液中に3分間浸漬し、化学酸化重合を行ない、各
突起部3に化学酸化重合膜5を形成した。
を0.3mol/l、支持電解質としてテトラエチルア
ンモニウムパラトルエンスルホン酸を0.1mol/を
含む溶液中に3分間浸漬し、化学酸化重合を行ない、各
突起部3に化学酸化重合膜5を形成した。
【0032】なお、化学酸化重合膜5の付着量が少ない
場合には、上記処理を数回繰り返せば良い。酸化剤、支
持電解質をともに上記以外のものを使用しても、同様な
導電性高分子物質からなる化学酸化重合膜5が得られ
る。また、このようにして化学酸化重合膜5を形成した
後、マスキング層4より先端部分を化成液中に浸漬して
再化成を行なっても良い。
場合には、上記処理を数回繰り返せば良い。酸化剤、支
持電解質をともに上記以外のものを使用しても、同様な
導電性高分子物質からなる化学酸化重合膜5が得られ
る。また、このようにして化学酸化重合膜5を形成した
後、マスキング層4より先端部分を化成液中に浸漬して
再化成を行なっても良い。
【0033】しかる後、導電性高分子単量体としてピロ
ールモノマーを0.2mol/l、支持電解質としてテ
トラエチルアンモニウムパラトルエンスルホン酸を0.
1mol/lをアセトニトリルに溶解した溶液中に、各
突起部3のマスキング層4より先端部側を浸漬し、化学
酸化重合膜5上に電解重合膜6を形成した。
ールモノマーを0.2mol/l、支持電解質としてテ
トラエチルアンモニウムパラトルエンスルホン酸を0.
1mol/lをアセトニトリルに溶解した溶液中に、各
突起部3のマスキング層4より先端部側を浸漬し、化学
酸化重合膜5上に電解重合膜6を形成した。
【0034】すなわち、図3に示されているように、電
解重合槽8内において、化学酸化重合膜5にステンレス
ワイヤなどからなるプラス側の外部電極7を接触させ、
一方電解重合槽8側をマイナス側として、0.05〜5
mA/平方ミリメートルの電流密度で電解重合を行ない
化学酸化重合膜5上に電解重合膜6を形成した。なお、
導電性高分子単量体および支持電解質を上記以外のもの
としても、同様の導電性高分子物質よりなる電解重合膜
6が得られる。
解重合槽8内において、化学酸化重合膜5にステンレス
ワイヤなどからなるプラス側の外部電極7を接触させ、
一方電解重合槽8側をマイナス側として、0.05〜5
mA/平方ミリメートルの電流密度で電解重合を行ない
化学酸化重合膜5上に電解重合膜6を形成した。なお、
導電性高分子単量体および支持電解質を上記以外のもの
としても、同様の導電性高分子物質よりなる電解重合膜
6が得られる。
【0035】次ぎに、同電解重合膜6上に陰極引き出し
層としてのカーボン層9および銀層10をそれぞれ焼き
付けた後、各突起部3を母材としてのアルミニウム箔1
から切り離し図4に示されているようなコンデンサ素子
11を得た。
層としてのカーボン層9および銀層10をそれぞれ焼き
付けた後、各突起部3を母材としてのアルミニウム箔1
から切り離し図4に示されているようなコンデンサ素子
11を得た。
【0036】そして、図5に示されているように、同コ
ンデンサ素子11の陽極箔端部にリードフレームの陽極
端子板12を溶接するとともに、銀層10に同リードフ
レームの陰極端子板13を導電性接着剤を介して取り付
けた後、コンデンサ素子11の周囲に樹脂モールド法に
て樹脂外装体を形成し、最終製品としての固体電解コン
デンサを得た。
ンデンサ素子11の陽極箔端部にリードフレームの陽極
端子板12を溶接するとともに、銀層10に同リードフ
レームの陰極端子板13を導電性接着剤を介して取り付
けた後、コンデンサ素子11の周囲に樹脂モールド法に
て樹脂外装体を形成し、最終製品としての固体電解コン
デンサを得た。
【0037】上記の方法により、実施例1として本発明
品を50個試作し、次ぎの各特性を測定したところ、い
ずれも平均値で静電容量は3.31μF、損失角の正接
(tanδ)は0.010、漏れ電流は0.02μAで
あった。また、50個中の不良品数は0で、しかも印加
電圧を10Vとして105℃の高温雰囲気内に1000
時間放置する寿命テストを行なったが、その不良品数も
0であった。
品を50個試作し、次ぎの各特性を測定したところ、い
ずれも平均値で静電容量は3.31μF、損失角の正接
(tanδ)は0.010、漏れ電流は0.02μAで
あった。また、50個中の不良品数は0で、しかも印加
電圧を10Vとして105℃の高温雰囲気内に1000
時間放置する寿命テストを行なったが、その不良品数も
0であった。
【0038】比較例1として、上記第1従来例のように
誘電体酸化皮膜上に直接電解重合膜を形成する方法によ
る製品50個について、本発明品と同様に、次ぎの各特
性を測定したところ、いずれも平均値で静電容量は3.
21μF、損失角の正接(tanδ)は0.011、漏
れ電流は2.45μAであった。また、50個中の不良
品数は5個であったが、残りの45個について印加電圧
を10Vとして105℃の高温雰囲気内に1000時間
放置する寿命テストにおける不良品数は0であった。
誘電体酸化皮膜上に直接電解重合膜を形成する方法によ
る製品50個について、本発明品と同様に、次ぎの各特
性を測定したところ、いずれも平均値で静電容量は3.
21μF、損失角の正接(tanδ)は0.011、漏
れ電流は2.45μAであった。また、50個中の不良
品数は5個であったが、残りの45個について印加電圧
を10Vとして105℃の高温雰囲気内に1000時間
放置する寿命テストにおける不良品数は0であった。
【0039】比較例2として、上記第3従来例のように
金属酸化物の上に電解重合膜を形成する方法による製品
50個について、本発明品と同様に、次ぎの各特性を測
定したところ、いずれも平均値で静電容量は3.26μ
F、損失角の正接(tanδ)は0.011、漏れ電流
は0.10μAであった。また、50個中の不良品数は
1個であったが、残りの49個について印加電圧を10
Vとして105℃の高温雰囲気内に1000時間放置す
る寿命テストにおける不良品数は7個であった。
金属酸化物の上に電解重合膜を形成する方法による製品
50個について、本発明品と同様に、次ぎの各特性を測
定したところ、いずれも平均値で静電容量は3.26μ
F、損失角の正接(tanδ)は0.011、漏れ電流
は0.10μAであった。また、50個中の不良品数は
1個であったが、残りの49個について印加電圧を10
Vとして105℃の高温雰囲気内に1000時間放置す
る寿命テストにおける不良品数は7個であった。
【0040】比較を容易にするため、上記実施例1およ
び比較例1,2の測定結果を表1に示す。
び比較例1,2の測定結果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
予めエッチング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金
属箔に誘電体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔に
コンデンサ素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形
状に形成するようにしたことにより、製造コストが低減
するとともに、静電容量の体積効率が改善される。
予めエッチング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金
属箔に誘電体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔に
コンデンサ素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形
状に形成するようにしたことにより、製造コストが低減
するとともに、静電容量の体積効率が改善される。
【0043】また、その各素子箔の基部側に電解質に不
溶で撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い上
がり防止部を形成した後、各素子箔に化学酸化重合法に
より化学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に浸
漬して電解重合法により同化学酸化重合膜上に導電性高
分子物質よりなる電解重合膜を形成するようにしたこと
により、誘電体酸化皮膜を損なうことなく良好な電解重
合膜が形成される、などの効果が奏される。
溶で撥水性を有するマスキング材にて固体電解質這い上
がり防止部を形成した後、各素子箔に化学酸化重合法に
より化学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に浸
漬して電解重合法により同化学酸化重合膜上に導電性高
分子物質よりなる電解重合膜を形成するようにしたこと
により、誘電体酸化皮膜を損なうことなく良好な電解重
合膜が形成される、などの効果が奏される。
【図1】本発明の一実施例に関するもので、予めエッチ
ング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金属箔に誘電
体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔にコンデンサ
素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形状に形成
し、かつ、その各突起部にマスキング材を設けた状態を
示す正面図。
ング処理された所定幅の帯状をなす弁作用金属箔に誘電
体酸化被膜を形成した後、同弁作用金属箔にコンデンサ
素子箔として用いられる複数の突起部を櫛形状に形成
し、かつ、その各突起部にマスキング材を設けた状態を
示す正面図。
【図2】図1の各突起部に化学酸化重合膜を形成した状
態を示す正面図。
態を示す正面図。
【図3】電解重合槽内において化学酸化重合膜上に電解
重合膜を形成する工程を説明するための摸式図。
重合膜を形成する工程を説明するための摸式図。
【図4】本発明にしたがって製造されたコンデンサ素子
の断面図。
の断面図。
【図5】図4のコンデンサ素子にリードフレームの陽極
端子板と陰極端子板とを取り付けた状態を示す斜視図。
端子板と陰極端子板とを取り付けた状態を示す斜視図。
1 アルミニウムエッチド箔 2 誘電体酸化皮膜 3 突起部(コンデンサ素子箔) 4 マスキング材 5 化学酸化重合膜 6 電解重合膜 7 プラス側給電端子 8 電解重合槽 9 カーボン層 10 銀層 11 コンデンサ素子 12 陽極端子板 13 陰極端子板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 数原 学 神奈川県藤沢市辻堂新町2丁目2番1号 エルナー株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】予めエッチング処理された所定幅の帯状を
なす弁作用金属箔に誘電体酸化被膜を形成した後、同弁
作用金属箔にコンデンサ素子箔として用いられる複数の
突起部を櫛形状に形成し、その各素子箔の基部側にマス
キング材にて固体電解質這い上がり防止部を形成した
後、各素子箔に化学酸化重合法により化学酸化重合膜を
形成し、次いで電解重合液中に浸漬して電解重合法によ
り同化学酸化重合膜上に導電性高分子物質よりなる電解
重合膜を形成するようにしたことを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法。 - 【請求項2】上記弁作用金属箔として、アルミニウム、
タンタル、チタンもしくはニオブなどの20〜300μ
mの薄箔が用いられることを特徴とする請求項1に記載
の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項3】上記導電性高分子物質は、ピロール、チォ
フェン、フランのいずれか一つ、またはそれらの誘導体
の少なくとも一つを繰り返し単位として有することを特
徴とする請求項1に記載の固体電解コンデンサの製造方
法。 - 【請求項4】上記マスキング材はテープもしくは樹脂コ
ートフィルムからなることを特徴とする請求項1に記載
の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35218391A JPH05166681A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35218391A JPH05166681A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166681A true JPH05166681A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18422355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35218391A Withdrawn JPH05166681A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166681A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423103B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-07-23 | Nec Tokin Toyama, Ltd. | Method for producing a solid electrolytic capacitor |
| KR20040048570A (ko) * | 2002-12-04 | 2004-06-10 | 파츠닉(주) | 탄탈륨 고체전해질 조성물 |
| US6890363B1 (en) | 1999-05-24 | 2005-05-10 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| JP2006245476A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Japan Carlit Co Ltd:The | 三端子型固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
| JP2007200950A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujitsu Media Device Kk | 積層型固体電解コンデンサ |
| US7398593B2 (en) | 2000-09-01 | 2008-07-15 | Showa Denko K.K. | Apparatus for producing capacitor element member |
| US7848083B2 (en) | 2005-06-23 | 2010-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| EP2264727A2 (en) | 1999-04-30 | 2010-12-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor having an insulating part between anode and cathode and method for producing the same |
| CN102005300A (zh) * | 2010-10-26 | 2011-04-06 | 福建国光电子科技股份有限公司 | 一种固体电解电容器的制备工艺 |
| CN102122583A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-07-13 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器元件及其制造方法 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP35218391A patent/JPH05166681A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423103B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-07-23 | Nec Tokin Toyama, Ltd. | Method for producing a solid electrolytic capacitor |
| EP2264727A2 (en) | 1999-04-30 | 2010-12-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor having an insulating part between anode and cathode and method for producing the same |
| US6890363B1 (en) | 1999-05-24 | 2005-05-10 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| US7046504B2 (en) | 1999-05-24 | 2006-05-16 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method of producing the same |
| US7141081B2 (en) | 1999-05-24 | 2006-11-28 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and method for producing the same |
| US7398593B2 (en) | 2000-09-01 | 2008-07-15 | Showa Denko K.K. | Apparatus for producing capacitor element member |
| US7617595B2 (en) | 2000-09-01 | 2009-11-17 | Showa Denko K.K. | Apparatus for producing capacitor element member |
| KR20040048570A (ko) * | 2002-12-04 | 2004-06-10 | 파츠닉(주) | 탄탈륨 고체전해질 조성물 |
| JP2006245476A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Japan Carlit Co Ltd:The | 三端子型固体電解コンデンサ素子の製造方法 |
| US7848083B2 (en) | 2005-06-23 | 2010-12-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
| JP2007200950A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Fujitsu Media Device Kk | 積層型固体電解コンデンサ |
| CN102122583A (zh) * | 2009-12-28 | 2011-07-13 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器元件及其制造方法 |
| KR101142312B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2012-05-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 고체 전해 콘덴서 소자 및 그 제조방법 |
| CN102005300A (zh) * | 2010-10-26 | 2011-04-06 | 福建国光电子科技股份有限公司 | 一种固体电解电容器的制备工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |