JPH10107029A - 半導体集積回路装置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォトリソグラフィ技術と選択エッチング技
術とを使用した配線パターンの形成方法とは異なり、特
有な製造工程によって配線パターンを微細に形成できる
半導体集積回路装置およびその製造方法ならびに製造装
置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜２５に溝２６を形成した後
に、層間絶縁膜２５の上に配線用金属層としての例えば
銅層２８を形成する工程と、その銅層２８の成膜後また
は成膜中に銅層２８を流動化させる処理を行うことによ
って、溝２６に配線用金属層としての銅層２８を埋め込
むと共にその埋め込まれている銅層２８とその上の銅層
２８ａとの間に空隙２９を形成する工程と、溝２６に埋
め込まれている銅層２８以外の銅層２８ａを取り除く工
程とを有するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置およびその製造方法ならびにそれに用いる製造装置に
関し、特に、特有な製造工程によって配線層のパターン
を微細化をもって形成できる半導体集積回路装置および
その製造方法ならびにそれに用いる製造装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】ところで、本発明者は、半導体集積回路
装置の製造方法について検討した。以下は、本発明者に
よって検討された技術であり、その概要は次のとおりで
ある。

【０００３】すなわち、半導体集積回路装置における配
線層の製造方法は、絶縁膜上に例えばアルミニウム層な
どの配線用金属層をスパッタリング法を使用して形成し
た後、フォトリソグラフィ工程により配線用金属層上に
配置しているレジスト膜に配線パターンと同一形状のレ
ジストパターンを形成し、そのレジスト膜をマスクとし
てドライエッチング工程により配線パターンを形成して
いる。

【０００４】なお、半導体集積回路装置における配線層
の形成技術について記載されている文献としては、例え
ば平成元年１１月２日、（株）プレスジャーナル発行の
「’９０最新半導体プロセス技術」ｐ２６７〜ｐ２７３
に記載されているものがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した半
導体集積回路装置における配線層の製造方法は、フォト
リソグラフィ技術と選択エッチング技術とを使用して配
線パターンを形成していることによって、配線層の微細
化に伴い、特にドライエッチング工程によって配線パタ
ーンの微細化が困難となっているなどの種々の問題が発
生している。

【０００６】一方、溝が形成されている絶縁膜上に例え
ばアルミニウム層または銅層などの配線用金属層を埋め
込んだ後、溝外部の余分な配線用金属層をＣＭＰ（Chem
icalMechanical Polishing 、化学機械研磨）法を用い
て除去することにより、溝内に配線パターンを形成する
方法が検討されている。

【０００７】しかし、この方法においては、配線の微細
化に伴い、微細な溝内に配線用金属層を埋め込むことが
困難となることが予想される。また、微細配線層の密集
部や孤立部がありしかも幅太配線層の混在しているよう
な状況下で、配線パターンに依存した局所的な研磨速度
の増大によるくぼみなどの発生や配線層の加工時のスト
レスなどによる溝内の配線用金属層の剥離や剥離部分か
らの研磨液の侵入による配線用金属層の腐食などを伴う
ことなしに、高精度に溝外部の配線用金属層（不要な配
線用金属層）を除去することも困難になることが予想さ
れる。

【０００８】本発明の目的は、フォトリソグラフィ技術
と選択エッチング技術とを使用した配線パターンの形成
方法とは異なり、特有な製造工程によって配線パターン
を微細化をもって形成できる半導体集積回路装置および
その製造方法ならびにそれに用いる製造装置を提供する
ことにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、（１）．本発明の半導体集積回
路装置は、絶縁膜に溝あるいは孔の少なくともいずれか
一方が形成されており、溝または孔の少なくともいずれ
か一方に埋め込まれている配線用金属層が、その配線用
金属層の成膜後または成膜中に配線用金属層を流動化さ
せる処理を行うことによって、溝あるいは孔の少なくと
もいずれか一方に配線用金属層を埋め込むと共にその埋
め込まれている配線用金属層とその上の配線用金属層と
の間に空隙を形成した後、埋め込まれている配線用金属
層以外の配線用金属層を取り除く工程をもって形成され
ている。または、半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔
の少なくともいずれか一方が形成されており、配線用金
属層が、その成膜直後の状態では溝あるいは孔の上方に
配線層の段差部を形成される態様であり、その成膜後の
流動化を行うことなく、前記溝または前記孔の少なくと
もいずれか一方に配線用金属層を埋め込んだ後、埋め込
まれている前記配線用金属層以外の配線用金属層を取り
除く工程をもって形成されている。

【００１２】（２）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法は、絶縁膜に溝あるいは孔の少なくともいずれか
一方を形成した後に、絶縁膜の上に配線用金属層を形成
する工程と、配線用金属層の成膜後または成膜中に配線
用金属層を流動化させる処理を行うことによって、溝あ
るいは前記孔の少なくともいずれか一方に配線用金属層
を埋め込むと共にその埋め込まれている配線用金属層と
その上の配線用金属層との間に空隙を形成する工程と、
溝または孔の少なくともいずれか一方に埋め込まれてい
る配線用金属層以外の配線用金属層を取り除く工程とを
有する。または、半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔
の少なくともいずれか一方を形成する工程と、前記溝あ
るいは前記孔の上方に配線層の段差部を形成される態様
で、配線用金属層を前記絶縁膜の上に形成する工程と、
前記溝あるいは前記孔の少なくともいずれか一方に埋め
込まれている前記配線用金属層以外の配線用金属層を取
り除く工程とを有する。

【００１３】（３）．本発明の製造装置は、ターゲット
がターゲット位置調節機構にセットされており、ターゲ
ット位置調節機構によって、ターゲットとウエハとの間
の距離を制御することができるようになっていたり、ス
パッタリング室におけるガス導入部に３種類のガス導入
機構が連結されていたり、ウエハを載置できるウエハス
テージにそのウエハの温度を調節できる温度調節機構が
設置されていたり、ターゲットとウエハとの間にスパッ
タリング粒子の指向性を制御する機能をもった構造物が
設置されていたりする配線金属成膜用のスパッタリング
室を有するものであり、しかもその配線金属成膜用のス
パッタリング室およびロードロック室、前処理加熱室、
高融点金属成膜用のスパッタリング室、プラズマ処理室
および後処理室が搬送室にゲートバルブを介して連結さ
れているものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。

【００１５】（実施の形態１）図１は、本発明の一実施
の形態である製造装置を示す概略構成図である。図２
は、図１に示す製造装置における配線金属成膜用のスパ
ッタリング室を示す概略断面図である。

【００１６】図１に示すように、本実施の形態の製造装
置１は、配線用金属層の成膜およびその埋め込みに用い
ることができるものであり、ロードロック室２、前処理
加熱室３、高融点金属成膜用のスパッタリング室４、プ
ラズマ処理室５、配線金属成膜用のスパッタリング室６
および後処理室７が搬送室８にゲートバルブ９を介して
連結されている。

【００１７】また、各室に必要に応じてウエハを搬入す
ると共に搬出する機構部である搬送室８は、真空ポンプ
（図示を省略）に連結されて減圧状態にできるようにな
っていることによって、真空状態にすることができるの
で、前述した各室も搬送室８における真空状態をもって
搬送室８に連結されている。

【００１８】本実施の形態の製造装置１における配線金
属成膜用のスパッタリング室６以外のロードロック室
２、前処理加熱室３、高融点金属成膜用のスパッタリン
グ室４、プラズマ処理室５、後処理室６およびそれらの
各室が連結されている搬送室８は、本発明者が過去に発
明した製造装置と同様であることにより、その詳細な説
明を省略する。なお、本発明者が過去に発明した製造装
置は、特開平８−１６２５３４号公報および特願平７−
１３６２５３号明細書に記載されている。

【００１９】図２に示すように、本実施の形態の製造装
置１における配線金属成膜用のスパッタリング室６は、
スパッタリング処理を行うことができる処理部であり、
スパッタリング室６の内部にウエハ１０をセットするウ
エハステージ１１とターゲット１２が配置されている。

【００２０】すなわち、ウエハ１０は、ウエハステージ
１１の上に載置されている。ウエハステージ１１には、
ウエハ１０の温度を調節できる温度調節機構（図示を省
略している）が設置されている。したがって、ウエハス
テージ１１に設置されている温度調節機構を冷却機構と
して使用することによって、配線用金属層の成膜中のウ
エハ１０の温度の上昇を抑制することができるなど、ウ
エハ１０の温度を制御することができる。

【００２１】ウエハステージ１１には温度調節機構と連
結しているガス導入管１１ａが設置されている。したが
って、ウエハステージ１１の裏面から温度調節機構を使
用してウエハ１０の冷却用のアルゴンガスをガス導入管
１１ａを通じて供給しながら、アルゴンプラズマを生成
しスパッタリングを行うことができる。

【００２２】ターゲット１２は、ターゲット位置調節機
構１３にセットされており、ターゲット位置調節機構１
３によって、ターゲット１２とウエハ１０との間の距離
を制御することができるようになっている。

【００２３】また、本実施の形態の配線金属成膜用のス
パッタリング室６におけるガス導入部１４は、３種類の
ガス導入機構１４ａ〜１４ｃが連結されており、例えば
ガス導入機構１４ａにはアルゴン（Ａｒ）ガスが導入さ
れ、ガス導入機構１４ｂには水素（Ｈ₂ ）ガスが導入さ
れ、ガス導入機構１４ｃには酸素（Ｏ₂ ）ガスが導入さ
れており、必要に応じてそれぞれのガスまたはそれらの
混合ガスをスパッタリング室６の内部に供給することが
できる。

【００２４】さらに、ウエハ１０とターゲット１２の間
にウエハ１０に対してほぼ垂直な方向に貫通孔を有する
構造物１５を必要に応じて配置させることができる。構
造物１５に開口された貫通孔の形状は、例えば最大開口
長が３ｃｍ以下、深さ／最大開口長の比が0.９以下であ
る。この構造物１５を設けることにより、構造物１５が
ターゲット１２とウエハ１０との間にスパッタリング粒
子の指向性を制御する機能をもっていることにより、所
定の条件下でスパッタリング法を使用して例えば高アス
ペクト比の接続孔の側壁と底面の両方に平坦部に比べ１
０％以上の段差被覆性を確保した状態でもって配線用金
属層の成膜ができる。

【００２５】前述した本実施の形態の製造装置１におけ
る配線金属成膜用のスパッタリング室６は、ターゲット
位置調節機構１３によって、ターゲット１２とウエハ１
０との間の距離を制御することができるようになってい
る。

【００２６】その結果、本発明者の検討の結果、ターゲ
ット１２とウエハ１０との間の距離をウエハ１０の半径
以上となる位置関係またはターゲット１２の実効的な半
径Ｒ₁ とウエハ１０の半径Ｒ₂ との和（ターゲット１２
の実効的な半径Ｒ₁ ＋ウエハ１０の半径Ｒ₂ ）を３の平
方根（1.７３２０５）で割った値以上とし、しかも放電
時のスパッタ粒子の平均自由行程がＴＷ（ターゲット１
２とウエハ１０との間の距離）／cos ［tan ^-1｛（Ｒ₁
＋Ｒ₂ ）／ＴＷ｝］以上となるような条件下でスパッタ
リング法を使用して配線用金属層の成膜を行うと、ウエ
ハ１０に入射するスパッタ粒子の指向性を改善すること
ができる。また、スパッタリング粒子の指向性を制御す
る機能をもった構造物１５をウエハ１０とターゲット１
２の間に配置し、その構造物１５とウエハ１０との間の
距離が放電時の平均自由行程の１／２以下となりかつ構
造物１５の高さの２倍以上となるような条件下でスパッ
タリング法を使用して配線用金属層の成膜を行うと、ウ
エハ１０に入射するスパッタ粒子の指向性を改善するこ
とができる。

【００２７】前述した本実施の形態の製造装置１によれ
ば、ターゲット１２とウエハ１０との間の距離および放
電時の平均自由工程を本発明者の検討の結果に基づいた
条件下でスパッタリング法を使用して配線用金属層の成
膜を行うことができることによって、ウエハ１０に入射
するスパッタ粒子の指向性を改善することができる。

【００２８】また、前述した本実施の形態の製造装置１
によれば、スパッタリング粒子の指向性を制御する機能
をもった構造物１５をウエハ１０とターゲット１２の間
に配置し、その構造物１５とウエハ１０との間の距離が
放電時の平均自由行程の１／２以下となりかつ構造物１
５の高さの２倍以上となるような本発明者の検討の結果
に基づいた条件下でスパッタリング法を使用して配線用
金属層の成膜を行うことができることによって、ウエハ
１０に入射するスパッタ粒子の指向性を改善することが
できる。

【００２９】（実施の形態２）図３〜図１８は、本発明
の他の実施の形態である半導体集積回路装置の製造工程
を示す断面図である。同図を用いて、本実施の形態の半
導体集積回路装置およびその製造方法について説明す
る。

【００３０】まず、例えば２００ｍｍの直径のウエハ状
の半導体基板２１に複数のＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor ）２２を形成
した後、半導体基板２１の上に絶縁膜２３を形成した
後、コンタクト電極２４を形成する（図３）。この場
合、ウエハ１０に複数のＭＯＳＦＥＴ２２などを形成す
る製造工程は、種々の先行技術を使用して行うことがで
きる。なお、本実施の形態を説明する際に、ウエハ状の
半導体基板２１およびその上に形成される絶縁膜２３な
どを包括して、ウエハ１０と称する。

【００３１】すなわち、例えばｐ型のシリコン単結晶で
ある半導体基板２１からなるウエハ１０の表面の選択的
な領域である素子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シ
リコン膜からなるフィールド絶縁膜を形成する。なお、
図示を省略しているがフィールド絶縁膜の下に反転防止
用のチャネルストッパー層を形成している。次に、フィ
ールド絶縁膜によって囲まれた活性領域に酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜を形成し、このゲート絶縁膜の上
に導電性の多結晶シリコンからなるゲート電極を形成す
る。ゲート電極は、ウエハ１０の上に導電性の多結晶シ
リコン膜および酸化シリコン膜からなる絶縁膜を順次堆
積し、これらを順次エッチングして形成する。その後、
ゲート電極の側壁に酸化シリコン膜からなるサイドウォ
ール絶縁膜を形成する。その後、ウエハ１０に例えばリ
ン（Ｐ）などのｎ型の不純物をイオン注入してソースお
よびドレインとなるｎ型の半導体領域を形成する。

【００３２】その後、ウエハ１０の上に絶縁膜２３を形
成し、それにコンタクトホールを形成した後、コンタク
ト電極２４を形成する。具体的には、ウエハ１０の上に
絶縁膜２３としての例えば酸化シリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して形成
した後、化学機械研磨（ＣＭＰ）法を使用してその絶縁
膜２３の表面を平坦化する。その後、フォトリソグラフ
ィ技術と選択エッチング技術とを使用して絶縁膜２３に
コンタクトホールを形成した後、コンタクト電極２４と
しての例えばタングステン（Ｗ）層を選択ＣＶＤ法など
を使用してコンタクトホールに埋め込む作業を行う。

【００３３】次に、ウエハ１０の上に１層目の層間絶縁
膜（絶縁膜）２５を形成した後、それに配線用の溝２６
を形成する（図４）。すなわち、ウエハ１０の上に層間
絶縁膜２５として例えば酸化シリコン膜をプラズマＣＶ
Ｄ法を使用して形成した後、フォトリソグラフィ技術と
ドライエッチングなどの選択エッチング技術とを使用し
て、配線層を配置する部分に溝２６を形成する。

【００３４】この場合、１層目の層間絶縁膜２５は、溝
２６内に形成される（溝２６の側面に接して形成され
る）配線層およびこの層間絶縁膜２５が介在している配
線層の容量を低減するために、誘電率が4.５以下の絶縁
膜であるプラズマＣＶＤ法を使用して形成した酸化シリ
コン膜（誘電率が約4.２である絶縁膜）または無機ＳＯ
Ｇ（Spin On Glass ）膜などの塗布絶縁膜（誘電率が約
４以下である絶縁膜）などを使用する。そのため、窒化
シリコン膜（誘電率が約８である絶縁膜）などの誘電率
が高い絶縁膜の使用を避けている。また、１層目の配線
層または接続孔などの孔に埋め込まれている配線層（コ
ンタクト電極、柱形状のピラー（pillar）またはプラグ
（plug）と称されている配線用金属層）は、１層目の層
間絶縁膜２５に溝２６などの溝または接続孔などの孔を
形成し、その溝または孔に配線用金属層を埋め込む態様
とすることができる。

【００３５】その後、前述した実施の形態１の製造装置
１におけるロードロック室２にウエハ１０を導入し、真
空引きを行う。真空引き完了後、ウエハ１０を前処理加
熱室３に搬送する。前処理加熱室３において、ウエハ１
０を例えば２００℃まで加熱し、ウエハ１０に吸着して
いた水分などの不純物を除去する。なお、図１９は、本
実施の形態の配線層を形成する製造工程を示すプロセス
図である。

【００３６】次に、ウエハ１０を高融点金属成膜用のス
パッタリング室４に搬送し、ウエハ１０の上に、高融点
金属を含有している層として例えば窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）層２７を形成する（図５）。高融点金属を含有して
いる層は、後述する配線層の下層となるものであり、配
線層と層間絶縁膜２５との密着性を向上させるために形
成するものであり、この高融点金属を含有している層を
必要に応じて設けたり、設ける必要がない場合がある。
また、本実施の形態の場合、配線用金属層として、アル
ミニウム（Ａｌ）層またはその材料の合金層などを使用
でき、例えば銅（Ｃｕ）層、銀（Ａｇ）層または金（Ａ
ｕ）層あるいはそれらの材料の合金層を使用する場合
に、その下層としての高融点金属を含有している層とし
て、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）などの材料あるいはその化合物（ＴｉＳｉな
ど）からなる金属層またはその材料の合金層（ＴｉＷな
ど）を使用することができる。

【００３７】次に、ウエハ１０をプラズマ処理室５に搬
送する。プラズマ処理室５においてはウエハ１０表面に
例えばアルゴン（Ａｒ）プラズマを照射する。この目的
は、ウエハ１０表面をアルゴンイオンでスパッタし、層
間絶縁膜２５における平坦部の窒化チタン層２７を除去
することと、溝２６内をアルゴンイオンで照射すること
によって、後述する配線層としての銅層に対する密着性
の改善を行うことができる（図６）。

【００３８】なお、層間絶縁層２５における平坦部の窒
化チタン層２７の除去は、例えばＣＭＰ装置などの別の
製造装置によって行ってもよい。また、この溝２６に形
成する配線層の態様によって、前述の窒化チタン層２７
の成膜とこのプラズマ処理を行わなくてもよい。

【００３９】その後、プラズマ処理後、ウエハ１０を配
線金属成膜用のスパッタリング室６に搬送する。配線金
属成膜用のスパッタリング室６においては、ウエハ１０
の上に、１層目の配線層として例えば銅層（配線用金属
層）２８を成膜する（図７）。この場合、図７に示すよ
うに、銅層２８の成膜中にスパッタリング粒子の指向性
を特有なものとし、層間絶縁膜２５の平坦部には厚膜の
銅層２８が形成される一方、溝２６内のステップカバレ
ージを特有なものとして、溝２６内には少量の銅層２８
が埋め込まれ、その上に銅層２８の段差部が形成される
態様とするために、銅層２８を成膜する際のスパッタリ
ング法における条件を次の通りとしている。

【００４０】すなわち、前述した本実施の形態１の製造
装置１における配線金属成膜用のスパッタリング室６
は、ターゲット位置調節機構１３によって、ターゲット
１２とウエハ１０との間の距離を制御することができる
ようになっている。

【００４１】その結果、ターゲット１２とウエハ１０と
の間の距離をウエハ１０の半径以上となる位置関係（近
似的な設定条件）、またはその位置関係の確定的な値と
して、ターゲット１２の実効的な半径Ｒ₁ とウエハ１０
の半径Ｒ₂ との和（ターゲット１２の実効的な半径Ｒ₁
＋ウエハ１０の半径Ｒ₂ ）を３の平方根（1.７３２０
５）で割った値以上とし、しかも放電時のスパッタ粒子
の平均自由行程がＴＷ（ターゲット１２とウエハ１０と
の間の距離）／cos ［tan ^-1｛（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）／Ｔ
Ｗ｝］以上となるような条件下でスパッタリング法を使
用して銅層２８の成膜を行うと、ウエハ１０に入射する
スパッタ粒子の指向性を改善することができる。また、
スパッタリング粒子の指向性を制御する機能をもった構
造物１５をウエハ１０とターゲット１２の間に配置し、
その構造物１５とウエハ１０との間の距離が放電時の平
均自由行程の１／２以下となりかつ構造物１５の高さの
２倍以上となるような条件下でスパッタリング法を使用
して銅層２８の成膜を行うと、ウエハ１０に入射するス
パッタ粒子の指向性を改善することができる。

【００４２】したがって、銅層２８を成膜する際のスパ
ッタリング法における条件は、具体的に、ターゲット１
２とウエハ１０の距離は例えば２００ｍｍ、ウエハ１０
の直径は例えば２００ｍｍ、スパッタリングに用いるア
ルゴンガス圧力は例えば0.０１Ｐａとしている。

【００４３】また、ウエハステージ１１の設定温度は例
えば１０℃であり、これにより、成膜中のウエハ１０を
冷却する。なお、ウエハステージ１１の設定温度は１０
０℃以下とし、銅層２８の成膜を無加熱もしくはウエハ
１０の冷却状態として行うか、銅膜２８の成膜後で高温
での成膜処理を行う態様とすることができる。

【００４４】次に、ウエハ１０を後処理室７に搬入し、
減圧下でウエハ１０を熱処理する。熱処理条件は圧力を
0.００２Ｐａとし、温度を３００℃とし、時間を３分と
している。この熱処理により、銅層２８を流動化させ、
溝２６を銅層２８で埋め込みつつ、溝２６側壁上部で層
間絶縁膜２５の平坦部の銅層２８ａと溝２６内部の銅層
２８を分断することができ、溝２６内部の銅層２８とそ
の上の銅層２８ａとの間に空隙（ボイド）２９を形成す
ることができる（図８）。なお、今後の説明に対し、流
動化した後の銅層２８を区分化し、溝２６内部の銅層を
２８とし、層間絶縁膜２５の平坦部の銅層を２８ａとし
ている。

【００４５】この場合、配線用金属層としての銅層２８
を流動化させる処理として、配線用金属層としての銅層
２８の成膜後または成膜中に減圧下の熱処理により配線
用金属層としての銅層２８を流動化させる処理、また
は、配線用金属層としての銅層２８の成膜後に１００気
圧以上の高圧下での熱処理により配線用金属層としての
銅層２８を流動化させる処理、または、配線用金属層と
しての銅層２８の成膜を酸素を含む雰囲気中で行った後
に、水素を含む雰囲気中での熱処理によりその配線用金
属層としての銅層２８を流動化させる処理を行う態様と
することができる。

【００４６】次に、ウエハ１０を製造装置１から取り出
した後、ウエハ１０の上の銅層２８ａの表面に樹脂テー
プなどの粘着性の物質などからなる物体３０を貼付ける
（図９）。その後、その物体３０を操作してその物体３
０に貼付けられている銅層２８ａを層間絶縁膜２５から
剥離する（図１０）ことにより、層間絶縁膜２５の平坦
部の銅層２８ａを選択的に除去し、溝２６内に１層目の
配線層としての銅層２８を形成する（図１１）。

【００４７】１層目の配線層としての銅層２８すなわち
溝２６に埋め込まれている銅層２８を残存させ、その上
の空隙２９の上の不要な銅層２８ａを取り除く工程とし
ては、前述した工程以外に、取り除く銅層２８ａを化学
機械研磨法または機械研磨法を用いて取り除く工程、ま
たは、取り除く銅層２８ａの表面に犠牲膜を成膜した
後、ドライエッチング法またはウエットエッチング法を
使用して、取り除く配線層としての銅層２８ａおよびそ
の犠牲膜を取り除く工程、または、溝２６の上の空隙２
９の上の取り除く銅層２８ａの表面にレジスト膜を形成
した後、そのレジスト膜をマスクとしてドライエッチン
グ法またはウエットエッチング法を使用して、銅層２８
を取り除く工程、または、取り除く銅層２８ａの前述し
た種々の取り除く工程のいずれかを使用して、取り除く
銅層２８ａをおおむね除去した後に、さらに化学機械研
磨法または機械研磨法を使用して取り除く銅層２８ａを
完全に除去する工程を使用することができる。

【００４８】なお、本実施の形態の他の態様として、前
述した配線用金属層としての銅層２８を流動化させる処
理を行わなくても、層間絶縁膜２５の溝２６あるいは孔
の上方に配線層の段差部を形成される態様で、配線用金
属層としての銅層２８を層間絶縁絶縁膜２５の上に形成
することによって、層間絶縁膜２５の平坦部の銅層２８
ａと溝２６内部の銅層２８を分断することができるの
で、溝２６あるいは孔の少なくともいずれか一方に埋め
込まれている配線用金属層としての銅層２８以外の配線
用金属層としての銅層２８ａを前述した種々の手法を利
用して取り除くことができる。

【００４９】次に、ウエハ１０の上に２層目の層間絶縁
膜（絶縁膜）３１を形成し、その選択的な領域に２層目
の配線層を形成するための溝３２を形成する。この場合
の製造工程は、前述した１層目の層間絶縁膜２５とその
選択的な領域に１層目の配線層を形成するための溝２６
を形成する工程と同様な工程を使用して行うことができ
る。その後、選択エッチング法を使用して、特定の溝３
２に接続孔（スルーホールまたはコンタクトホールと称
されている孔）３３を形成する（図１２）。

【００５０】その後、接続孔３３に例えばタングステン
などからなる配線用金属層３４を選択ＣＶＤ法などを使
用して形成する（図１３）。この場合、配線用金属層３
４は、接続孔３３の上に突出するように形成している。

【００５１】次に、溝３２に埋め込まれている２層目の
配線層としての例えば銅層（配線用金属層）３５を形成
する（図１４）。この場合の銅層３５の製造工程は、前
述した１層目の配線層としての銅層２８を形成する工程
と同様な工程を使用して行うことができる。

【００５２】次に、ウエハ１０の上に３層目の層間絶縁
膜（絶縁膜）３６を形成し、その選択的な領域に３層目
の配線層を形成するための溝３７を形成する。その後、
選択エッチング法を使用して、特定の溝３７に接続孔３
８を形成する（図１５）。この場合の製造工程は、前述
した２層目の層間絶縁膜３１とその選択的な領域に２層
目の配線層を形成するための溝３２とその溝３２に接続
孔３３を形成する工程と同様な工程を使用して行うこと
ができる。

【００５３】その後、層間絶縁膜３６をマスクとして、
接続孔３８の下の銅層３５を選択エッチング法を使用し
て取り除く作業を行う（図１６）。次に、接続孔３８に
例えばタングステンなどからなる配線用金属層３９を選
択ＣＶＤ法などを使用して形成する（図１７）。この場
合、配線用金属層３９は、接続孔３８の上に突出するよ
うに形成しており、しかも下部の配線用金属層３４と接
触し、それと一体化するように形成されている。この状
態に配線用金属層３９とその下の配線用金属層３４とを
形成することにより、コンタクト抵抗を低下することが
できる。

【００５４】次に、溝３７に埋め込まれている３層目の
配線層としての例えば銅層（配線用金属層）４０を形成
する（図１８）。この場合の銅層４０の製造工程は、前
述した１層目の配線層としての銅層２８を形成する工程
と同様な工程を使用して行うことができる。

【００５５】その後、前述した製造工程を繰り返して使
用して多層配線層を必要に応じて形成した後、パシベー
ション膜（図示を省略）を形成して、本実施の形態の半
導体集積回路装置の製造工程を終了する。

【００５６】前述した本実施の形態の半導体集積回路装
置の製造方法は、溝２６を形成している層間絶縁膜２５
の上に配線用金属層として例えば銅層２８を形成した
後、その銅層２８の成膜後または成膜中に銅層２８を流
動化させる処理を行うことによって、溝２６に配線用金
属層としての銅層２８を埋め込むと共にその埋め込まれ
ている銅層２８とその上の銅層２８ａとの間に空隙２９
を形成する工程と、溝２６に埋め込まれている配線用金
属層としての銅層２８以外の銅層２８ａを取り除く工程
とを有するものである。

【００５７】また、前述した本実施の形態の半導体集積
回路装置の製造方法は、層間絶縁膜２５の溝２６あるい
は孔の上方に配線層の段差部を形成される態様で、配線
用金属層としての銅層２８を層間絶縁膜２５の上に形成
することによって、層間絶縁膜２５の平坦部の銅層２８
ａと溝２６内部の銅層２８を分断する工程と、溝２６に
埋め込まれている配線用金属層としての銅層２８以外の
銅層２８ａを取り除く工程とを有するものである。

【００５８】その結果、前述した本実施の形態の半導体
集積回路装置の製造方法によれば、フォトリソグラフィ
技術と選択エッチング技術とを使用して配線層のパター
ンを形成する従来の配線層のパターンの製造工程を使用
せずに、配線層としての例えば銅層２８を形成している
ことによって、配線層幅および隣接配線層間の距離が極
めて小さい配線層構造であろうとも微細加工により高精
度な寸法精度をもって配線層を製造することができる。
また、微細配線層の密集部や孤立部がありしかも幅太配
線層の混在しているような状況下であっても、高精度に
溝２６外部の配線用金属層（不要な配線用金属層）を除
去することができることによって、微細加工により高精
度な寸法精度をもって配線層を製造することができる。

【００５９】また、前述した本実施の形態の半導体集積
回路装置の製造方法によれば、１層目の層間絶縁膜２５
などの層間絶縁膜の材料として、誘電率が4.５以下の絶
縁膜であるプラズマＣＶＤ法を使用して形成した酸化シ
リコン膜（誘電率が約4.２である絶縁膜）または無機Ｓ
ＯＧ膜などの塗布絶縁膜（誘電率が約４以下である絶縁
膜）などを使用していることによって、その層間絶縁膜
２５に形成されている溝２６内に埋め込まれている（溝
２６の側面と接している）銅層２８などの配線層の容量
を低減することができると共にその銅層２８などの配線
層の上に２層目の層間絶縁膜３１を介在して配置されて
いる銅層３５などの配線層との間の容量をも低減できる
ので、高性能で高信頼度の配線層構造とすることができ
る。

【００６０】さらに、前述した本実施の形態の半導体集
積回路装置の製造方法は、層間絶縁膜３１における溝３
２内に形成されている接続孔３３に配線用金属層３４を
形成する際に、接続孔３３に埋め込まれた配線用金属層
３４の表面が接続孔３３より突出するようにその配線用
金属層３４を形成している。また、その接続孔３３の上
に上層の層間絶縁膜３６における溝３７内に接続孔３８
を形成し、その接続孔３８に埋め込まれた配線用金属層
３９の裏面がその下部の配線用金属層３４の表面と直接
に接続するように形成している。

【００６１】その結果、前述した本実施の形態の半導体
集積回路装置の製造方法によれば、接続孔３３に埋め込
まれている配線用金属層３４とその上部の接続孔３８に
埋め込まれている配線用金属層３９とが一体化するよう
に形成されていることによって、コンタクト抵抗を低下
することができるので、高性能で高信頼度の配線層構造
とすることができる。

【００６２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。

【００６３】例えば、前述した実施の形態の溝または孔
に埋め込まれている配線用金属層の製造工程として、溝
または孔に配線用金属層を埋め込む工程とその後の不要
な配線用金属層を取り除く工程とは、それらの工程を複
数回繰り返して行って設計仕様に対応する複雑な構造の
配線層を形成する態様とすることができ、本発明は、そ
れらの工程を少なくとも１回以上行う製造工程を使用し
て設計仕様に対応する配線層を形成する製造工程に適用
できる。

【００６４】また、本発明は、半導体素子を形成してい
る半導体基板をＳＯＩ（Silicon onInsulator）基板に
変更することができ、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴお
よびバイポーラトランジスタなどの種々の半導体素子を
組み合わせた態様の半導体集積回路装置およびその製造
方法とすることができる。

【００６５】さらに、本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯ
ＳＦＥＴなどを構成要素とするロジック系あるいはＤＲ
ＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（St
aticRandom Access Memory ）などのメモリ系などを有
する種々の半導体集積回路装置およびその製造方法に適
用できる。

【００６６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００６７】（１）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、フォトリソグラフィ技術と選択エッチ
ング技術とを使用して配線層のパターンを形成する従来
の配線層のパターンの製造工程を使用せずに、配線層と
しての例えば銅層（配線用金属層）を形成していること
によって、配線層幅および隣接配線層間の距離が極めて
小さい配線層構造であろうとも微細加工により高精度な
寸法精度をもって配線層を製造することができる。ま
た、微細配線層の密集部や孤立部がありしかも幅太配線
層の混在しているような状況下であっても、高精度に溝
外部の銅層などの配線用金属層（不要な配線用金属層）
を除去することができることによって、微細加工により
高精度な寸法精度をもって配線層を製造することができ
る。

【００６８】（２）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、１層目の層間絶縁膜（絶縁膜）などの
層間絶縁膜（絶縁膜）の材料として、誘電率が4.５以下
の絶縁膜であるプラズマＣＶＤ法を使用して形成した酸
化シリコン膜（誘電率が約4.２である絶縁膜）または無
機ＳＯＧ膜などの塗布絶縁膜（誘電率が約４以下である
絶縁膜）などを使用していることによって、その層間絶
縁膜に形成されている溝内に埋め込まれている（溝の側
面に接している）例えば銅層などの配線層の容量を低減
することができると共にその銅層などの配線層の上に２
層目の層間絶縁膜を介在して配置されている銅層などの
配線層との間の容量をも低減できるので、高性能で高信
頼度の配線層構造とすることができる。

【００６９】（３）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、接続孔に埋め込まれている配線用金属
層とその上部の接続孔に埋め込まれている配線用金属層
とが一体化するように形成されていることによって、コ
ンタクト抵抗を低下することができるので、高性能で高
信頼度の配線層構造とすることができる。

【００７０】（４）．本発明の半導体集積回路装置によ
れば、前述した本発明の半導体集積回路装置の製造方法
によって製造されたものであることによって、微細加工
をもって配線層幅および隣接配線層間の距離が極めて小
さい配線層構造とすることができる。また、配線層およ
び隣接する配線層間の容量を低減できると共に接続孔に
埋め込まれている配線用金属層間のコンタクト抵抗を低
下することができることによって、高性能で高信頼度の
配線層構造とすることができる。

【００７１】（５）．本発明の製造装置によれば、ター
ゲットとウエハとの間の距離および放電時の平均自由工
程を本発明者の検討の結果に基づいた条件下でスパッタ
リング法を使用して配線用金属層の成膜を行うことがで
きることによって、ウエハに入射するスパッタ粒子の指
向性を改善することができる。

【００７２】また、本発明の製造装置によれば、スパッ
タリング粒子の指向性を制御する機能をもった構造物を
ウエハとターゲットの間に配置し、その構造物とウエハ
との間の距離が放電時の平均自由行程の１／２以下とな
りかつ構造物の高さの２倍以上となるような本発明者の
検討の結果に基づいた条件下でスパッタリング法を使用
して配線用金属層の成膜を行うことができることによっ
て、ウエハに入射するスパッタ粒子の指向性を改善する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である製造装置を示す概
略構成図である。

【図２】図１に示す製造装置における配線金属成膜用の
スパッタリング室を示す概略断面図である。

【図３】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図５】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図６】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図７】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図８】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図９】本発明の他の実施の形態である半導体集積回路
装置の製造工程を示す断面図である。

【図１０】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１１】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１２】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１３】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１４】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１５】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１６】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１７】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１８】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図である。

【図１９】本発明の他の実施の形態である半導体集積回
路装置の製造工程において配線層を形成する製造工程を
示すプロセス図である。

【符号の説明】

１ 製造装置 ２ ロードロック室 ３ 前処理加熱室 ４ 高融点金属成膜用のスパッタリング室 ５ プラズマ処理室 ６ 配線金属成膜用のスパッタリング室 ７ 後処理室 ８ 搬送室 ９ ゲートバルブ １０ ウエハ １１ ウエハステージ １１ａ ガス導入管 １２ ターゲット １３ ターゲット位置調節機構 １４ ガス導入部 １４ａ ガス導入機構 １４ｂ ガス導入機構 １４ｃ ガス導入機構 １５ 構造物 ２１ 半導体基板 ２２ ＭＯＳＦＥＴ ２３ 絶縁膜 ２４ コンタクト電極 ２５ 層間絶縁膜（絶縁膜） ２６ 溝 ２７ 窒化チタン層 ２８ 銅層（配線用金属層） ２８ａ 銅層（取り除く配線用金属層） ２９ 空隙 ３０ 物体 ３１ 層間絶縁膜（絶縁膜） ３２ 溝 ３３ 接続孔 ３４ 配線用金属層 ３５ 銅層（配線用金属層） ３６ 層間絶縁膜（絶縁膜） ３７ 溝 ３８ 接続孔 ３９ 配線用金属層 ４０ 銅層（配線用金属層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/768 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｄ (72)発明者 山口 日出 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 大和田 伸郎 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔の
   少なくともいずれか一方が形成されており、前記溝また
   は前記孔の少なくともいずれか一方に埋め込まれている
   配線用金属層が、その配線用金属層の成膜後または成膜
   中に前記配線用金属層を流動化させる処理を行うことに
   よって、前記溝あるいは前記孔の少なくともいずれか一
   方に配線用金属層を埋め込むと共にその埋め込まれてい
   る配線用金属層とその上の配線用金属層との間に空隙を
   形成した後、埋め込まれている前記配線用金属層以外の
   配線用金属層を取り除く工程をもって形成されている、 または、半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔の少なく
   ともいずれか一方が形成されており、配線用金属層が、
   その成膜直後の状態では溝あるいは孔の上方に配線層の
   段差部を形成される態様であり、その成膜後の流動化を
   行うことなく、前記溝または前記孔の少なくともいずれ
   か一方に配線用金属層を埋め込んだ後、埋め込まれてい
   る前記配線用金属層以外の配線用金属層を取り除く工程
   をもって形成されていることを特徴とする半導体集積回
   路装置。
2. 【請求項２】 半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔の
   少なくともいずれか一方を形成する工程と、前記絶縁膜
   の上に配線用金属層を形成する工程と、前記配線用金属
   層の成膜後または成膜中に前記配線用金属層を流動化さ
   せる処理を行うことによって、前記溝あるいは前記孔の
   少なくともいずれか一方に配線用金属層を埋め込むと共
   にその埋め込まれている配線用金属層とその上の配線用
   金属層との間に空隙を形成する工程と、前記溝あるいは
   前記孔の少なくともいずれか一方に埋め込まれている前
   記配線用金属層以外の配線用金属層を取り除く工程とを
   有すること、 または、半導体基板上の絶縁膜に溝あるいは孔の少なく
   ともいずれか一方を形成する工程と、前記溝あるいは前
   記孔の上方に配線層の段差部を形成される態様で、配線
   用金属層を前記絶縁膜の上に形成する工程と、前記溝あ
   るいは前記孔の少なくともいずれか一方に埋め込まれて
   いる前記配線用金属層以外の配線用金属層を取り除く工
   程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路装置の製
   造方法であって、前記絶縁膜の上に配線用金属層を形成
   する工程として、ターゲットとウエハとの間の距離ＴＷ
   がターゲットの実効的な半径Ｒ₁ とウエハの半径Ｒ₂ と
   の和（ターゲットの実効的な半径Ｒ₁ ＋ウエハの半径Ｒ
   ₂ ）を３の平方根（1.７３２０５）で割った値以上と
   し、しかも放電時のスパッタ粒子の平均自由行程がＴＷ
   ／cos ［tan ^-1｛（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）／ＴＷ｝］以上となる
   ような条件下でスパッタリング法を使用して配線用金属
   層の成膜を行う工程、 または、前記ターゲットと前記ウエハとの間にスパッタ
   リング粒子の指向性を制御する機能をもった構造物を設
   けると共にその構造物と前記ウエハとの間の距離が放電
   時の平均自由行程の１／２以下となり、かつ前記構造物
   の高さの２倍以上となるような条件下でスパッタリング
   法を使用して配線用金属層の成膜を行う工程であること
   を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の半導体集積回路
   装置の製造方法であって、前記配線用金属層を流動化さ
   せる処理として、前記配線用金属層の成膜後または成膜
   中に減圧下の熱処理により前記配線用金属層を流動化さ
   せる処理、 または、前記配線用金属層の成膜後に１００気圧以上の
   高圧下での熱処理により前記配線用金属層を流動化させ
   る処理、 または、前記配線用金属層の成膜を酸素を含む雰囲気中
   で行った後に、水素を含む雰囲気中での熱処理により前
   記配線用金属層を流動化させる処理を行うことを特徴と
   する半導体集積回路装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項２〜４のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置の製造方法であって、前記配線用金属
   層として、アルミニウム層、銅層、銀層または金層ある
   いはそれらの材料の合金層を使用するか、銅層、銀層ま
   たは金層あるいはそれらの材料の合金層とその下層とし
   ての高融点金属層またはその材料の合金層を使用するこ
   とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項２〜５のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置の製造方法であって、前記溝あるいは
   前記孔の少なくともいずれか一方に埋め込まれている前
   記配線用金属層以外の配線用金属層を取り除く工程とし
   て、取り除く配線用金属層の表面に粘着性の物質からな
   る物体を貼付けた後、その物体を操作してそれに貼付け
   られている配線用金属層を取り除く工程、 または、取り除く配線用金属層を化学機械研磨法または
   機械研磨法を用いて取り除く工程、 または、取り除く配線用金属層の表面に犠牲膜を成膜し
   た後、ドライエッチング法またはウエットエッチング法
   を使用して、取り除く配線用金属層および前記犠牲膜を
   取り除く工程、 または、前記絶縁膜の溝上の取り除く配線用金属層の表
   面にレジスト膜を形成した後、そのレジスト膜をマスク
   としてドライエッチング法またはウエットエッチング法
   を使用して、取り除く配線用金属層を取り除く工程、 または、前記工程のいずれかを使用して、前記取り除く
   配線用金属層をおおむね除去した後に、さらに化学機械
   研磨法または機械研磨法を使用して前記取り除く配線用
   金属層を完全に除去する工程を使用することを特徴とす
   る半導体集積回路装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項２〜６のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置の製造方法であって、前記絶縁膜にお
   ける溝内に形成されている接続孔に配線用金属層を埋め
   込む工程を有し、その工程において、前記接続孔に埋め
   込まれた配線用金属層の表面が前記接続孔より突出する
   ようにその配線用金属層を形成する、 または、前記絶縁膜における溝内に形成されている接続
   孔に配線用金属層を埋め込む工程を有し、その接続孔の
   上に上層の絶縁膜における溝内の接続孔を形成し、その
   接続孔に埋め込まれた配線用金属層の裏面がその下部の
   接続孔に埋め込まれている配線用金属層の表面と直接に
   接続するようにそれらの配線用金属層を形成することを
   特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２〜７のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置の製造方法であって、前記絶縁膜にお
   いて、その絶縁膜が１種の絶縁膜または複数の種類の絶
   縁膜の積層構造であっても、それらの絶縁膜の誘電率が
   4.５以下とする、 または、前記配線用金属層の下層の絶縁膜とその配線用
   金属層の側面の絶縁膜とは同一の種類からなる絶縁膜と
   することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項２〜８のいずれか１項に記載の半
   導体集積回路装置の製造方法に用いる製造装置であっ
   て、ターゲットはターゲット位置調節機構にセットされ
   ており、ターゲット位置調節機構によって、ターゲット
   とウエハとの間の距離を制御することができるようにな
   っている配線金属成膜用のスパッタリング室を有する、 また、前記スパッタリング室におけるガス導入部は、３
   種類のガス導入機構が連結されており、必要に応じてそ
   れぞれのガスまたはそれらの混合ガスをスパッタリング
   室の内部に供給することができる配線金属成膜用のスパ
   ッタリング室を有する、 また、ウエハを載置できるウエハステージには、そのウ
   エハの温度を調節できる温度調節機構が設置されている
   配線金属成膜用のスパッタリング室を有する、 また、ターゲットとウエハとの間にスパッタリング粒子
   の指向性を制御する機能をもった構造物が設置されてい
   る配線金属成膜用のスパッタリング室を有する、 または、前記配線金属成膜用のスパッタリング室および
   ロードロック室、前処理加熱室、高融点金属成膜用のス
   パッタリング室、プラズマ処理室および後処理室が搬送
   室にゲートバルブを介して連結されていることを特徴と
   する製造装置。