JPH10107541A - 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体 - Google Patents
複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体Info
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- JPH10107541A JPH10107541A JP8258310A JP25831096A JPH10107541A JP H10107541 A JPH10107541 A JP H10107541A JP 8258310 A JP8258310 A JP 8258310A JP 25831096 A JP25831096 A JP 25831096A JP H10107541 A JPH10107541 A JP H10107541A
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- composite magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波透磁率特性に優れた、電磁干渉抑制効
果の大きな薄い複合磁性体を提供すること。 【解決手段】 扁平状に加工された軟磁性体粉末と有機
結合剤とを溶媒と共に混練し、これを塗工、乾燥して複
合磁性体を得る際に、該複合磁性体を立方体と成した時
の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁
界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈するようにするた
めに、前記塗工時ないし乾燥前の段階で塗工方向に剪断
応力を加えることを特徴とする。剪断応力を加える代り
に、面内方向に磁界を印加してもよい。又、塗工によら
ず、ロール圧延法を用いて、シート状に形成してもよ
い。
果の大きな薄い複合磁性体を提供すること。 【解決手段】 扁平状に加工された軟磁性体粉末と有機
結合剤とを溶媒と共に混練し、これを塗工、乾燥して複
合磁性体を得る際に、該複合磁性体を立方体と成した時
の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁
界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈するようにするた
めに、前記塗工時ないし乾燥前の段階で塗工方向に剪断
応力を加えることを特徴とする。剪断応力を加える代り
に、面内方向に磁界を印加してもよい。又、塗工によら
ず、ロール圧延法を用いて、シート状に形成してもよ
い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域に於い
て優れた複素透磁率特性を有する複合磁性材料およびそ
の一応用例である電磁波吸収体に関し、詳しくは、高周
波電子回路／装置に於いて問題となる電磁干渉の抑制に
有効な複素透磁率特性の優れた複合磁性体と、及びその
製造方法ならびに電磁干渉抑制体に関する。
て優れた複素透磁率特性を有する複合磁性材料およびそ
の一応用例である電磁波吸収体に関し、詳しくは、高周
波電子回路／装置に於いて問題となる電磁干渉の抑制に
有効な複素透磁率特性の優れた複合磁性体と、及びその
製造方法ならびに電磁干渉抑制体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、デジタル電子機器をはじめ高周波
を利用する電子機器類の普及が進み、中でも準マイクロ
波帯域を使用する移動通信機器類の普及がめざましい。
このような携帯電話に代表される移動体通信機器では、
小型化・軽量化の要求が高く、電子部品の高密度実装化
が最大の技術課題となっている。このような過密実装に
おいては、電子部品類やプリント配線あるいはモジュー
ル間配線等が互いに極めて接近することになる。更に、
信号処理速度の高速化も図られている為、静電結合及び
／又は電磁結合による線間結合の増大化や放射ノイズに
よる干渉などが生じ、機器の正常な動作を妨げる事態が
少なからず生じている。
を利用する電子機器類の普及が進み、中でも準マイクロ
波帯域を使用する移動通信機器類の普及がめざましい。
このような携帯電話に代表される移動体通信機器では、
小型化・軽量化の要求が高く、電子部品の高密度実装化
が最大の技術課題となっている。このような過密実装に
おいては、電子部品類やプリント配線あるいはモジュー
ル間配線等が互いに極めて接近することになる。更に、
信号処理速度の高速化も図られている為、静電結合及び
／又は電磁結合による線間結合の増大化や放射ノイズに
よる干渉などが生じ、機器の正常な動作を妨げる事態が
少なからず生じている。
【０００３】このようないわゆる電磁障害に対して従来
は、主に導体シールドを施す事による対策がなされてき
た。
は、主に導体シールドを施す事による対策がなされてき
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導体シ
ールドは、空間とのインピーダンス不整合に起因する電
磁波の反射を利用する電磁障害対策である為に、遮蔽効
果は、得られても不要輻射源からの反射による電磁結合
が助長される欠点がある。その欠点を解決するために、
二次的な電磁障害対策として、磁性体の磁気損失、即ち
虚数部透磁率μ”を利用した不要輻射の抑制が有効であ
る。
ールドは、空間とのインピーダンス不整合に起因する電
磁波の反射を利用する電磁障害対策である為に、遮蔽効
果は、得られても不要輻射源からの反射による電磁結合
が助長される欠点がある。その欠点を解決するために、
二次的な電磁障害対策として、磁性体の磁気損失、即ち
虚数部透磁率μ”を利用した不要輻射の抑制が有効であ
る。
【０００５】即ち、前記シールド体と不要輻射源の間に
磁気損失の大きい磁性体を配設する事で不要輻射を抑制
することが出来る。
磁気損失の大きい磁性体を配設する事で不要輻射を抑制
することが出来る。
【０００６】ここで、磁性体の厚さｄは、μ”＞μ’な
る関係を満足する周波数帯域にてμ”に反比例するの
で、前述した電子機器の小型化・軽量化要求に迎合する
薄い電磁干渉抑制体即ち、シールド体と吸収体からなる
複合体を得るためには、虚数部透磁率μ”の大きな磁性
体が必要となる。
る関係を満足する周波数帯域にてμ”に反比例するの
で、前述した電子機器の小型化・軽量化要求に迎合する
薄い電磁干渉抑制体即ち、シールド体と吸収体からなる
複合体を得るためには、虚数部透磁率μ”の大きな磁性
体が必要となる。
【０００７】磁気損失すなわち虚数部透磁率μ”を大き
くするためには、実部透磁率μ’を大きくすることが必
要であり、そのためには、前記複合磁性体の反磁界を小
さくすることが必要である。ここで、複合磁性体の反磁
界の大きさは、前記扁平状軟磁性粉末の反磁界係数Ｎd
と、前記扁平状軟磁性粉末の前記複合磁性体中での配列
のされ方、および前記軟磁性粉末の充填量等により決定
され、前記扁平状軟磁性粉末を前記複合磁性体の面内方
向に高い配向度で配列させることにより減少する。した
がって、扁平状の形状を有する軟磁性粉末をいかに同じ
方向に並べるかがμ”の大きさを改善するための課題で
あり、また、配向の程度、すなわち軟磁性粉末の並び具
合を定量的に把握するための有効なパラメータの導入も
工業的に重要である。
くするためには、実部透磁率μ’を大きくすることが必
要であり、そのためには、前記複合磁性体の反磁界を小
さくすることが必要である。ここで、複合磁性体の反磁
界の大きさは、前記扁平状軟磁性粉末の反磁界係数Ｎd
と、前記扁平状軟磁性粉末の前記複合磁性体中での配列
のされ方、および前記軟磁性粉末の充填量等により決定
され、前記扁平状軟磁性粉末を前記複合磁性体の面内方
向に高い配向度で配列させることにより減少する。した
がって、扁平状の形状を有する軟磁性粉末をいかに同じ
方向に並べるかがμ”の大きさを改善するための課題で
あり、また、配向の程度、すなわち軟磁性粉末の並び具
合を定量的に把握するための有効なパラメータの導入も
工業的に重要である。
【０００８】そこで、本発明は、さらに配向度が改善さ
れ、その結果として優れた磁気損失特性を有する複合磁
性体を提供すること、および磁性粉末の配向度の目安と
なるパラメータの導入を目的とする。
れ、その結果として優れた磁気損失特性を有する複合磁
性体を提供すること、および磁性粉末の配向度の目安と
なるパラメータの導入を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、形状異
方性を有する軟磁性体粉末を有機結合剤中に分散してな
る複合磁性体であって、立方体と成した時の磁化困難軸
方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比
Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈することを特徴とする複合磁性
体が得られる。
方性を有する軟磁性体粉末を有機結合剤中に分散してな
る複合磁性体であって、立方体と成した時の磁化困難軸
方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比
Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈することを特徴とする複合磁性
体が得られる。
【００１０】前記形状異方性を有する軟磁性体粉末とし
ては、その粉末粒子が扁平状のものが好都合である。
ては、その粉末粒子が扁平状のものが好都合である。
【００１１】又、本発明によれば、形状異方性を有する
軟磁性体粉末と有機結合剤とを溶媒と共に混練し、これ
を塗工、乾燥してなる複合磁性体の製造方法において、
該複合磁性体を立方体と成した時の磁化困難軸方向の反
磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈ
deが４以上を呈するようにするために、前記塗工時ない
し乾燥前の段階で塗工方向に剪断応力を加えることを特
徴とする。
軟磁性体粉末と有機結合剤とを溶媒と共に混練し、これ
を塗工、乾燥してなる複合磁性体の製造方法において、
該複合磁性体を立方体と成した時の磁化困難軸方向の反
磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈ
deが４以上を呈するようにするために、前記塗工時ない
し乾燥前の段階で塗工方向に剪断応力を加えることを特
徴とする。
【００１２】又、剪断応力を加える代わりに、前記塗工
時ないし乾燥前の段階で塗工面方向に外部磁界を印加し
てもよい。
時ないし乾燥前の段階で塗工面方向に外部磁界を印加し
てもよい。
【００１３】あるいは、塗工、乾燥によらず、混練物を
ロール圧延することによって、該複合磁性体を立方体と
成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方
向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈するよう
にしてもよい。
ロール圧延することによって、該複合磁性体を立方体と
成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方
向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈するよう
にしてもよい。
【００１４】さらに、本発明によれば、前記の複合磁性
体を材料とした電磁干渉抑制効果の優れた電磁干渉抑制
体を得ることができる。
体を材料とした電磁干渉抑制効果の優れた電磁干渉抑制
体を得ることができる。
【００１５】
【作用】本発明者らは、軟磁性体の高周波透磁率が反磁
界の大きさに強く依存することに着目し、前記反磁界の
大きさを定量的に把握できるパラメータとして、磁化困
難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeと
の比Ｈdd／Ｈdeを求めることによって、複合磁性体試料
中の磁性粉末の充填率や、粉末その者の反磁界係数が変
化した場合でも実効的な反磁界の大きさが把握できるよ
うにし、さらに、その比率を試料形状を立方体としたと
きに４以上とすることで、優れた透磁率特性が得られる
ことを見出した。また、この比Ｈdd／Ｈdeの制御は、上
のように複合磁性体の製造方法によって行える。
界の大きさに強く依存することに着目し、前記反磁界の
大きさを定量的に把握できるパラメータとして、磁化困
難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeと
の比Ｈdd／Ｈdeを求めることによって、複合磁性体試料
中の磁性粉末の充填率や、粉末その者の反磁界係数が変
化した場合でも実効的な反磁界の大きさが把握できるよ
うにし、さらに、その比率を試料形状を立方体としたと
きに４以上とすることで、優れた透磁率特性が得られる
ことを見出した。また、この比Ｈdd／Ｈdeの制御は、上
のように複合磁性体の製造方法によって行える。
【００１６】尚、ここで、「反磁界」Ｈｄについて、図
１を参照して説明する。
１を参照して説明する。
【００１７】複合磁性体試料に、その磁性粒子配向方向
がわかるように、印を付して、立方体形状に加工する。
この立方体試料についてＶＳＭ（振動型磁力計）を用い
て、磁性粒子の配向方向（磁化容易軸方向）および配向
方向に直行する方向（磁化困難軸方向）の各々のＭ−Ｈ
曲線（磁化曲線）を求める。Ｍ−Ｈ曲線を図１に示す。
得られたＭ−Ｈ曲線の線形の領域部分に平行に原点を通
る直線（図１に点線で示す）を引き、この直線とＭｓ線
（飽和磁化線）との交点に対応する磁界を「反磁界」Ｈ
ｄとする。
がわかるように、印を付して、立方体形状に加工する。
この立方体試料についてＶＳＭ（振動型磁力計）を用い
て、磁性粒子の配向方向（磁化容易軸方向）および配向
方向に直行する方向（磁化困難軸方向）の各々のＭ−Ｈ
曲線（磁化曲線）を求める。Ｍ−Ｈ曲線を図１に示す。
得られたＭ−Ｈ曲線の線形の領域部分に平行に原点を通
る直線（図１に点線で示す）を引き、この直線とＭｓ線
（飽和磁化線）との交点に対応する磁界を「反磁界」Ｈ
ｄとする。
【００１８】尚、「磁化容易軸方向」の反磁界をＨdeで
表し、「磁化困難軸方向」の反磁界をＨddで表すものと
する。
表し、「磁化困難軸方向」の反磁界をＨddで表すものと
する。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明に於いては、高周波透磁率
の大きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル
合金（パーマロイ）、或いはアモルファス合金等の金属
軟磁性材料を原料素材として用いることが出来る。
の大きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル
合金（パーマロイ）、或いはアモルファス合金等の金属
軟磁性材料を原料素材として用いることが出来る。
【００２０】本発明では、これらの粗原料を粉砕、延伸
・引裂加工等により扁平化し、その厚みを表皮深さと同
等以下にすると共に、粉末の反磁界係数Ｎd をほぼ１に
するために扁平化された軟磁性体材料のアスペクト比を
概ね１０以上とする必要がある。ここで表皮深さδは次
式により与えられる。
・引裂加工等により扁平化し、その厚みを表皮深さと同
等以下にすると共に、粉末の反磁界係数Ｎd をほぼ１に
するために扁平化された軟磁性体材料のアスペクト比を
概ね１０以上とする必要がある。ここで表皮深さδは次
式により与えられる。
【００２１】δ＝（ρ／πμｆ）1/2 前式において、ρは比抵抗、μは透磁率、ｆは周波数を
表す。ここで、目的の周波数によってその値が異なって
くるが、所望の表皮深さとアスペクト比を得るには、出
発粗原料粉末の平均粒径を特定するのが最も簡便な手段
の一つである。この粉砕、延伸・引裂加工に用いること
の出来る代表的な粉砕手段として、ボ−ルミル、アトラ
イタ、ピンミル等を挙げることが出来、前述した条件を
満足する軟磁性体粉末の厚さとアスペクト比が得られれ
ば粉砕手段に制限はないが、本発明の効果に密接にかか
わる延伸・引裂加工により生じる残留歪みの大きさを考
慮して加工手段及び加工条件を設定する必要がある。
表す。ここで、目的の周波数によってその値が異なって
くるが、所望の表皮深さとアスペクト比を得るには、出
発粗原料粉末の平均粒径を特定するのが最も簡便な手段
の一つである。この粉砕、延伸・引裂加工に用いること
の出来る代表的な粉砕手段として、ボ−ルミル、アトラ
イタ、ピンミル等を挙げることが出来、前述した条件を
満足する軟磁性体粉末の厚さとアスペクト比が得られれ
ば粉砕手段に制限はないが、本発明の効果に密接にかか
わる延伸・引裂加工により生じる残留歪みの大きさを考
慮して加工手段及び加工条件を設定する必要がある。
【００２２】尚、軟磁性体としては、磁歪定数λがゼロ
のものでも、正のものでも、負のものでもよいが、正の
原料磁性体を用いた場合には、延伸・引裂加工により形
状磁気異方性が生じると共に、残留歪みによる歪磁気異
方性（磁気弾性効果）が生じ、両者の向きが同じとなる
為、異方性磁界は両者の和となる。従って、磁歪定数λ
がゼロである原料を用いた場合に比べて、異方性磁界は
より大きな値となり、磁気共鳴周波数もより高いものと
なる。ところでこの扁平化加工により生じる残留歪み
は、適当な焼鈍処理を施すことにより緩和されるので、
扁平化処理後に焼鈍処理を行った原料粉末を用いた複合
磁性体では、焼鈍処理条件に応じた周波数ｆｒに磁気共
鳴が現れる。この磁気共鳴周波数ｆｒは、焼鈍処理をし
ていない磁性粉を用いた複合磁性体よりも低く、磁歪定
数λがゼロの磁性粉を用いた複合磁性体よりも高くな
り、焼鈍処理条件を製御することで、磁気共鳴周波数を
その範囲に任意に設定することが可能である。
のものでも、正のものでも、負のものでもよいが、正の
原料磁性体を用いた場合には、延伸・引裂加工により形
状磁気異方性が生じると共に、残留歪みによる歪磁気異
方性（磁気弾性効果）が生じ、両者の向きが同じとなる
為、異方性磁界は両者の和となる。従って、磁歪定数λ
がゼロである原料を用いた場合に比べて、異方性磁界は
より大きな値となり、磁気共鳴周波数もより高いものと
なる。ところでこの扁平化加工により生じる残留歪み
は、適当な焼鈍処理を施すことにより緩和されるので、
扁平化処理後に焼鈍処理を行った原料粉末を用いた複合
磁性体では、焼鈍処理条件に応じた周波数ｆｒに磁気共
鳴が現れる。この磁気共鳴周波数ｆｒは、焼鈍処理をし
ていない磁性粉を用いた複合磁性体よりも低く、磁歪定
数λがゼロの磁性粉を用いた複合磁性体よりも高くな
り、焼鈍処理条件を製御することで、磁気共鳴周波数を
その範囲に任意に設定することが可能である。
【００２３】一方、磁歪定数λが負の原料磁性体を用い
た場合には、残留歪みにより生じる歪み磁気異方性（磁
気弾性効果）の向きが形状磁気異方性の向きと直交する
ことになり、異方性磁界が小さくなり、磁気共鳴周波数
が、磁歪定数のゼロの原料の場合に比べて低くなる。
た場合には、残留歪みにより生じる歪み磁気異方性（磁
気弾性効果）の向きが形状磁気異方性の向きと直交する
ことになり、異方性磁界が小さくなり、磁気共鳴周波数
が、磁歪定数のゼロの原料の場合に比べて低くなる。
【００２４】このように、形状異方性と磁歪定数λの符
号、及び焼鈍処理条件を組み合わせることにより、磁気
共鳴周波数ｆｒを大幅に可変する事が可能となる。
号、及び焼鈍処理条件を組み合わせることにより、磁気
共鳴周波数ｆｒを大幅に可変する事が可能となる。
【００２５】さらに、複合磁性体中における個々の磁性
粉末同士を電気的に絶縁して、磁性粉の高充填状態にお
いても複合磁性体の絶縁特性を確保するためには、軟磁
性体粉末は、その表面に誘電体層が形成されている必要
がある。この誘電体層は、金属磁性粉末の表面を酸化す
ることにより、粉末構成金属の酸化物層として得られ
る。例えば、鉄アルミ珪素合金（センダスト）の場合に
は、主にＡｌＯx 及びＳｉＯx であると推察される。金
属粉末の表面を酸化させる手段の一例として、特に粉末
の大きさが比較的小さく、活性度の高いものについて
は、炭化水素系有機溶媒中あるいは不活性ガス雰囲気中
にて酸素分圧の制御された窒素−酸素混合ガスを導入す
る液相中徐酸法あるいは気相中徐酸法により酸化処理す
る事が制御の容易性、安定性、及び安全性の点で好まし
い。
粉末同士を電気的に絶縁して、磁性粉の高充填状態にお
いても複合磁性体の絶縁特性を確保するためには、軟磁
性体粉末は、その表面に誘電体層が形成されている必要
がある。この誘電体層は、金属磁性粉末の表面を酸化す
ることにより、粉末構成金属の酸化物層として得られ
る。例えば、鉄アルミ珪素合金（センダスト）の場合に
は、主にＡｌＯx 及びＳｉＯx であると推察される。金
属粉末の表面を酸化させる手段の一例として、特に粉末
の大きさが比較的小さく、活性度の高いものについて
は、炭化水素系有機溶媒中あるいは不活性ガス雰囲気中
にて酸素分圧の制御された窒素−酸素混合ガスを導入す
る液相中徐酸法あるいは気相中徐酸法により酸化処理す
る事が制御の容易性、安定性、及び安全性の点で好まし
い。
【００２６】尚、この表面酸化の為の徐酸処理と、先に
説明した残留歪み低減の為の焼鈍処理とは、どちらを先
に行ってもよく、また、同一工程にて行う事も可能であ
る。
説明した残留歪み低減の為の焼鈍処理とは、どちらを先
に行ってもよく、また、同一工程にて行う事も可能であ
る。
【００２７】本発明の複合磁性体の一構成要素として用
いる有機結合剤としては、ポリエステル系樹脂、ポリエ
チレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、Ａ
ＢＳ樹脂、ニトリル−ブタジエン系ゴム、スチレン−ブ
タジエン系ゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミ
ド系樹脂、イミド系樹脂、或いはそれらの共重合体を挙
げることが出来る。
いる有機結合剤としては、ポリエステル系樹脂、ポリエ
チレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチ
ラール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、Ａ
ＢＳ樹脂、ニトリル−ブタジエン系ゴム、スチレン−ブ
タジエン系ゴム、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミ
ド系樹脂、イミド系樹脂、或いはそれらの共重合体を挙
げることが出来る。
【００２８】この混練・分散された磁性体混合物から複
合磁性体を得るための一つの方法は、磁性体混合物を支
持体上に塗工して、乾燥することであるが、本発明によ
れば、この塗工時に磁性粉の大きさと同等レベルないし
それ以下のギャップを有するドクタブレード装置（アプ
レケータ）を用いるか、または乾燥の前に支持体を引っ
張るなどして、剪断応力を加える。これによって、製造
された複合磁性体を立方体に成した時の磁化困難軸方向
の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd
／Ｈdeを４以上とすることができ、優れた高周波透磁率
を有する複合磁性体を得ることができる。
合磁性体を得るための一つの方法は、磁性体混合物を支
持体上に塗工して、乾燥することであるが、本発明によ
れば、この塗工時に磁性粉の大きさと同等レベルないし
それ以下のギャップを有するドクタブレード装置（アプ
レケータ）を用いるか、または乾燥の前に支持体を引っ
張るなどして、剪断応力を加える。これによって、製造
された複合磁性体を立方体に成した時の磁化困難軸方向
の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd
／Ｈdeを４以上とすることができ、優れた高周波透磁率
を有する複合磁性体を得ることができる。
【００２９】比Ｈdd／Ｈdeを４以上とするために、この
剪断力を与える代わりに、磁場を印加する方法を採用す
ることもできる。
剪断力を与える代わりに、磁場を印加する方法を採用す
ることもできる。
【００３０】又、塗工法を採用せず、混練・分散された
磁性体を直接ロール圧延によって、シート状に形成して
もよい。このロール圧延により、比Ｈdd／Ｈdeが４以上
を実現することができる。
磁性体を直接ロール圧延によって、シート状に形成して
もよい。このロール圧延により、比Ｈdd／Ｈdeが４以上
を実現することができる。
【００３１】本発明の複合磁性体の構造を説明するため
に、その断面を図１に模式的に示す。同図を参照して、
複合磁性体１は、扁平状軟磁性体粒子２を有機結合剤３
の層の中に分散して結着したものである。尚、４は支持
体で、絶縁板でも、金属板でも必要に応じて使い分けれ
ばよいし、使用しなくてもよい。
に、その断面を図１に模式的に示す。同図を参照して、
複合磁性体１は、扁平状軟磁性体粒子２を有機結合剤３
の層の中に分散して結着したものである。尚、４は支持
体で、絶縁板でも、金属板でも必要に応じて使い分けれ
ばよいし、使用しなくてもよい。
【００３２】以下実施例について述べる。
【００３３】
【実施例】水アトマイズ法により作製された複数の鉄ア
ルミ珪素合金粉末を用意し、アトライタ及びピンミルを
用い様々な条件下にて粉砕、延伸・引裂加工を行い、更
に、炭化水素系有機溶媒中で酸素分圧３５％の窒素−酸
素混合ガスを導入しながら８時間撹拌し液相中徐酸処理
した後、複数の粉末試料を得た。ここで得られた粉末を
表面分析した結果、金属酸化物の生成が明確に確認さ
れ、試料粉末の表面に於ける酸化被膜の存在が認められ
た。
ルミ珪素合金粉末を用意し、アトライタ及びピンミルを
用い様々な条件下にて粉砕、延伸・引裂加工を行い、更
に、炭化水素系有機溶媒中で酸素分圧３５％の窒素−酸
素混合ガスを導入しながら８時間撹拌し液相中徐酸処理
した後、複数の粉末試料を得た。ここで得られた粉末を
表面分析した結果、金属酸化物の生成が明確に確認さ
れ、試料粉末の表面に於ける酸化被膜の存在が認められ
た。
【００３４】尚、粉砕、延伸・引裂加工処理された鉄ア
ルミ珪素合金粉末を減圧乾燥し、これを酸素分圧２０％
の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相徐酸した試料につ
いてもその表面に金属酸化物が検出され、本発明の複合
磁性体に用いることの出来る少なくともその表面が酸化
された軟磁性体粉末が液相中徐酸法あるいは気相中徐酸
法にて作成できることが確認された。
ルミ珪素合金粉末を減圧乾燥し、これを酸素分圧２０％
の窒素−酸素混合ガス雰囲気中で気相徐酸した試料につ
いてもその表面に金属酸化物が検出され、本発明の複合
磁性体に用いることの出来る少なくともその表面が酸化
された軟磁性体粉末が液相中徐酸法あるいは気相中徐酸
法にて作成できることが確認された。
【００３５】これらの試料粉末を用いて以下の複合磁性
体試料を得た。
体試料を得た。
【００３６】［試料１］以下の配合からなる軟磁性体ペ
ーストを調合し、これをドクターブレード法により支持
体上に製膜し、塗工方向に引っ張り力を与え剪断力を加
えた。これに熱プレスを施して後、８５℃にて２４時間
キュアリングを行い試料１を得た。
ーストを調合し、これをドクターブレード法により支持
体上に製膜し、塗工方向に引っ張り力を与え剪断力を加
えた。これに熱プレスを施して後、８５℃にて２４時間
キュアリングを行い試料１を得た。
【００３７】尚、得られた試料１を走査型電子顕微鏡を
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
【００３８】 扁平状軟磁性体（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）微粉末Ａ・・・９５重量部 平均粒径 ：φ２０μｍ×０．３μｍt 磁歪の大きさ ：＋０．７２ 焼鈍処理 ：なし ポリウレタン樹脂 ・・・ ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ・・・ ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの混合物） ・・・４０重量部 ［試料２］以下の配合からなる軟磁性体ペーストを調合
し、これをドクターブレード法により支持体上に製膜し
た。これに面内方向の磁場を印加した後に、８５℃にて
２４時間キュアリングを行い試料２を得た。
し、これをドクターブレード法により支持体上に製膜し
た。これに面内方向の磁場を印加した後に、８５℃にて
２４時間キュアリングを行い試料２を得た。
【００３９】尚、得られた試料２を走査型電子顕微鏡を
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
【００４０】 扁平状軟磁性体（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）微粉末Ｂ・・・９５重量部 平均粒径 ：φ２０μｍ×０．３μｍt 磁歪の大きさ ：＋０．７２ 焼鈍処理 ：６５０℃×２ｈｒ ポリウレタン樹脂 ・・・ ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ・・・ ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの混合物） ・・・４０重量部 ［試料３］以下の配合からなる軟磁性体ペーストを調合
し、これをドクターブレード法により支持体上に製膜し
た。これに熱プレスを施した後に、８５℃にて２４時間
キュアリングを行い試料３を得た。
し、これをドクターブレード法により支持体上に製膜し
た。これに熱プレスを施した後に、８５℃にて２４時間
キュアリングを行い試料３を得た。
【００４１】尚、得られた試料３を走査型電子顕微鏡を
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
【００４２】 扁平状軟磁性体（Ｆｅ−Ｎｉ合金）微粉末Ｃ ・・・９５重量部 平均粒径 ：φ３０μｍ×０．４μｍt 磁歪の大きさ ：−１．０３ 焼鈍処理 ：なし ポリウレタン樹脂 ・・・ ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ・・・ ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの混合物） ・・・４０重量部 ［試料４］以下の配合からなる軟磁性体を調合し、これ
をミキシングロールを用いてロール圧延により、シート
状に形成し、試料４を得た。
をミキシングロールを用いてロール圧延により、シート
状に形成し、試料４を得た。
【００４３】尚、得られた試料４を走査型電子顕微鏡を
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
用いて解析したところ、粒子配列方向は試料膜面内方向
であった。
【００４４】 扁平状軟磁性体（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）微粉末Ａ・・・６０重量部 平均粒径 ：φ２０μｍ×０．３μｍt 磁歪の大きさ ：＋０．７２ 焼鈍処理 ：なし 扁平状軟磁性体（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）微粉末Ｂ・・・３５重量部 平均粒径 ：φ２０μｍ×０．３μｍt 磁歪の大きさ ：＋０．７２ 焼鈍処理 ：６５０℃×２ｈｒ ポリウレタン樹脂 ・・・ ８重量部 硬化剤（イソシアネート化合物） ・・・ ２重量部 溶剤（シクロヘキサノンとトルエンの混合物） ・・・４０重量部 以上の試料について、ＨddおよびＨdeを求めたところ、
４以上であり、又、試料をトロイダル形状に加工し、こ
れに１ターンのコイルを巻回し、コイルに高周波電流を
流して、そのインピーダンスを測定して、透磁率を求め
た。透磁率は良好な高周波特性を示した。
４以上であり、又、試料をトロイダル形状に加工し、こ
れに１ターンのコイルを巻回し、コイルに高周波電流を
流して、そのインピーダンスを測定して、透磁率を求め
た。透磁率は良好な高周波特性を示した。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、軟
磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体に於いて、
軟磁性体粉末を形状磁気異方性のある扁平状とし、複合
磁性体の製造方法の際に、塗工時ないし乾燥前の段階で
塗工方向に剪断応力を加えることにより、あるいは、面
内方向に磁界を印加することにより、該複合磁性体を立
方体と成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容
易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上となる
ようにすることによって、高周波透磁率特性に優れた複
合磁性体を得ることができる。
磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体に於いて、
軟磁性体粉末を形状磁気異方性のある扁平状とし、複合
磁性体の製造方法の際に、塗工時ないし乾燥前の段階で
塗工方向に剪断応力を加えることにより、あるいは、面
内方向に磁界を印加することにより、該複合磁性体を立
方体と成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容
易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上となる
ようにすることによって、高周波透磁率特性に優れた複
合磁性体を得ることができる。
【００４６】また、本発明によれば、軟磁性体粉末と有
機結合剤からなる複合磁性体に於いて、軟磁性体粉末を
形状磁気異方性のある扁平状とし、複合磁性体の製造方
法の際に、ロール圧延法によりシート状に形成すること
によって、該複合磁性体を立方体と成した時の磁化困難
軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの
比Ｈdd／Ｈdeが４以上となるようにすることによって、
高周波透磁率特性に優れた複合磁性体を得ることができ
る。
機結合剤からなる複合磁性体に於いて、軟磁性体粉末を
形状磁気異方性のある扁平状とし、複合磁性体の製造方
法の際に、ロール圧延法によりシート状に形成すること
によって、該複合磁性体を立方体と成した時の磁化困難
軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの
比Ｈdd／Ｈdeが４以上となるようにすることによって、
高周波透磁率特性に優れた複合磁性体を得ることができ
る。
【００４７】したがって、この複合磁性体を用いて、優
れた電磁干渉抑制に有効な薄厚の電磁干渉抑制体を得る
ことが出来る。
れた電磁干渉抑制に有効な薄厚の電磁干渉抑制体を得る
ことが出来る。
【００４８】尚、本発明の複合磁性体及び電磁波の干渉
干渉抑制体は、その構成要素から判るように容易に可撓
性を付与することが可能であり、複雑な形状への対応
や、厳しい耐振動、衝撃要求への対応が可能である。
干渉抑制体は、その構成要素から判るように容易に可撓
性を付与することが可能であり、複雑な形状への対応
や、厳しい耐振動、衝撃要求への対応が可能である。
【図１】本発明の説明で用いる「反磁界」を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図２】本発明の複合磁性体の断面を模式的に示す図で
ある。
ある。
１ 複合磁性体 ２ 扁平状軟磁性体粉末粒子 ３ 有機結合剤 ４ 支持体
Claims (7)
- 【請求項１】 形状異方性を有する軟磁性体粉末を有機
結合剤中に分散してなる複合磁性体であって、立方体と
成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方
向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈すること
を特徴とする複合磁性体。 - 【請求項２】 前記形状異方性を有する軟磁性体粉末の
粒子が扁平状であることを特徴とする請求項１記載の複
合磁性体。 - 【請求項３】 形状異方性を有する軟磁性体粉末と有機
結合剤とを溶媒と共に混練し、これを塗工、乾燥してな
る複合磁性体の製造方法において、該複合磁性体を立方
体と成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易
軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈する
ようにするために、前記塗工時ないし乾燥前の段階で塗
工方向に剪断応力を加えることを特徴とする複合磁性体
の製造方法。 - 【請求項４】 形状異方性を有する軟磁性体粉末と有機
結合剤とを溶媒と共に混練し、これを塗工、乾燥してな
る複合磁性体の製造方法において、該複合磁性体を立方
体と成した時の磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易
軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈する
ようにするために、前記塗工時ないし乾燥前の段階で塗
工面方向に外部磁界を印加することを特徴とする複合磁
性体の製造方法。 - 【請求項５】 形状異方性を有する軟磁性体粉末と有機
結合剤とを溶媒と共に混練し、これをロール圧延するこ
とによって、該複合磁性体を立方体と成した時の磁化困
難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeと
の比Ｈdd／Ｈdeが４以上を呈する複合磁性体を製造する
ことを特徴とする複合磁性体の製造方法。 - 【請求項６】 請求項３乃至請求項５に記載のいずれか
の複合磁性体の製造方法において、前記形状異方性を有
する軟磁性体粉末は、粉砕、延伸・引裂加工された扁平
状粒子からなることを特徴とする複合磁性体の製造方
法。 - 【請求項７】 請求項１乃至請求項２のいずれかに記載
の複合磁性体を材料とした電磁干渉抑制体。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258310A JPH10107541A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体 |
| US09/068,144 US6187120B1 (en) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | Method of manufacturing composite magnetic sheet |
| DE69731727T DE69731727T2 (de) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | Verfahren zum herstellen von magnetischer verbundfolie |
| KR1019980703164A KR20000064304A (ko) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | 복합자성 시트의 제조방법 |
| PCT/JP1997/003068 WO1998009788A1 (en) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | Method of manufacturing composite magnetic sheet |
| CN97191127A CN1082871C (zh) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | 复合磁性薄膜的制造方法 |
| KR19987003164A KR100475768B1 (ko) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | 복합자성시트의제조방법 |
| EP97937877A EP0873839B1 (en) | 1996-09-03 | 1997-09-02 | Method of manufacturing composite magnetic sheet |
| US09/613,330 US6740289B1 (en) | 1996-09-03 | 2000-06-16 | Method of producing a composite magnetic sheet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258310A JPH10107541A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107541A true JPH10107541A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17318481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258310A Pending JPH10107541A (ja) | 1996-09-03 | 1996-09-30 | 複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093512A1 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Miyagawa Kasei Industry Co., Ltd. | 電磁波吸収複合体およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8258310A patent/JPH10107541A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004093512A1 (ja) * | 2003-04-17 | 2004-10-28 | Miyagawa Kasei Industry Co., Ltd. | 電磁波吸収複合体およびその製造方法 |
| KR100777519B1 (ko) | 2003-04-17 | 2007-11-16 | 미야가와 카세이 고교 가부시키가이샤 | 전자파 흡수 복합체 및 그 제조 방법 |
| US7397414B2 (en) | 2003-04-17 | 2008-07-08 | Miyagawa Kasei Industry Co., Ltd. | Electromagnetic wave absorption complex, and method of producing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040310 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060616 |