JPH10115833A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH10115833A JPH10115833A JP9244387A JP24438797A JPH10115833A JP H10115833 A JPH10115833 A JP H10115833A JP 9244387 A JP9244387 A JP 9244387A JP 24438797 A JP24438797 A JP 24438797A JP H10115833 A JPH10115833 A JP H10115833A
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程が単純化した液晶表示素子の製造方法を
提供する。 【解決手段】 液晶注入工程において、減圧状態、即ち
大気圧（１気圧）より低い約２０ｔｏｒｒ程度の減圧状
態のチャンバで、上部と下部の基板２，２´中いずれか
１枚に液晶７を滴下し、両基板２，２´を重ね合せた
後、前記基板２，２´を加熱し熱処理してシ−ル剤５を
硬化させる。これによって、製造工数が減り、液晶注入
のためにチャンバ内を高真空状態に設定しなくても良い
ので全体工程時間が縮まる。この結果、製造コストが低
くなる。
提供する。 【解決手段】 液晶注入工程において、減圧状態、即ち
大気圧（１気圧）より低い約２０ｔｏｒｒ程度の減圧状
態のチャンバで、上部と下部の基板２，２´中いずれか
１枚に液晶７を滴下し、両基板２，２´を重ね合せた
後、前記基板２，２´を加熱し熱処理してシ−ル剤５を
硬化させる。これによって、製造工数が減り、液晶注入
のためにチャンバ内を高真空状態に設定しなくても良い
ので全体工程時間が縮まる。この結果、製造コストが低
くなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子の製
造方法に係り、特に工数及び工程時間を短縮した液晶表
示素子の製造方法に関する。
造方法に係り、特に工数及び工程時間を短縮した液晶表
示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、液晶表示素子は、ブラウン管及び
発光ダイオ−ドのように自ら発光する素子ではなく、外
部から光を受けることによって画像が目に見える受光型
素子である。この液晶表示素子は、特に、低電圧駆動、
低消費電力及び軽薄短小という長所を有するので電子計
算機、各種ゲ−ム機、コンピュ−タ、ＴＶなどに広く用
いられている。
発光ダイオ−ドのように自ら発光する素子ではなく、外
部から光を受けることによって画像が目に見える受光型
素子である。この液晶表示素子は、特に、低電圧駆動、
低消費電力及び軽薄短小という長所を有するので電子計
算機、各種ゲ−ム機、コンピュ−タ、ＴＶなどに広く用
いられている。
【０００３】図２は一般の液晶表示素子の断面図であ
る。
る。
【０００４】ガラスからなる上部と下部の基板２，２′
の対向面には、各々共通電極３と走査電極３′が形成さ
れており、各基板の外面には、偏光板１，１′が取り付
けられている。前記共通電極３と走査電極３′の上面に
は、配向膜４，４′が形成されており、上部と下部の基
板２，２′が平行に保たれるよう前記配向膜４，４′の
間にスペ−サ６が設けられている。さらに、上部と下部
の基板２，２′は、シ−ル剤５で密封されており、密封
された両基板の内部空間には、液晶７が注入されてい
る。
の対向面には、各々共通電極３と走査電極３′が形成さ
れており、各基板の外面には、偏光板１，１′が取り付
けられている。前記共通電極３と走査電極３′の上面に
は、配向膜４，４′が形成されており、上部と下部の基
板２，２′が平行に保たれるよう前記配向膜４，４′の
間にスペ−サ６が設けられている。さらに、上部と下部
の基板２，２′は、シ−ル剤５で密封されており、密封
された両基板の内部空間には、液晶７が注入されてい
る。
【０００５】図３は液晶表示素子を製造する従来の方法
を説明するためのフローチャートである。図２及び図３
を参照すれば、まず、電極（図示せず）の形成された基
板の表面の汚染を防止するために上部と下部の基板２，
２′を洗浄する（ステップ１０）。基板の洗浄は、超音
波洗浄、高温乾燥及び冷却工程からなる。
を説明するためのフローチャートである。図２及び図３
を参照すれば、まず、電極（図示せず）の形成された基
板の表面の汚染を防止するために上部と下部の基板２，
２′を洗浄する（ステップ１０）。基板の洗浄は、超音
波洗浄、高温乾燥及び冷却工程からなる。
【０００６】前記基板２，２′の表面に、配向膜４，
４′として用いられる有機高分子組成物、例えばポリイ
ミド（ＰｏｌｙＩｍｉｄｅ：ＰＩ）樹脂組成物を６００
オングストロームの厚さで塗布する。そして、基板２，
２′を加熱して前記組成物中の溶剤を蒸発させると同時
に、配向膜４，４′を硬化させる（ステップ１２）。
４′として用いられる有機高分子組成物、例えばポリイ
ミド（ＰｏｌｙＩｍｉｄｅ：ＰＩ）樹脂組成物を６００
オングストロームの厚さで塗布する。そして、基板２，
２′を加熱して前記組成物中の溶剤を蒸発させると同時
に、配向膜４，４′を硬化させる（ステップ１２）。
【０００７】次に、液晶分子を一定方向に配列させるた
めに、前記配向膜４，４′の表面を一定方向に擦るラビ
ングを行う（ステップ１４）。
めに、前記配向膜４，４′の表面を一定方向に擦るラビ
ングを行う（ステップ１４）。
【０００８】次いで、前記ラビング工程時に発生したパ
−ティクルを取り除くための洗浄工程を施し（ステップ
１６）、上下の基板の付着時一定間隔を保つために、直
径が、例えば５．０μｍ程度のスペ−サ６をいずれか１
枚の基板面に拡散する（ステップ１８）。
−ティクルを取り除くための洗浄工程を施し（ステップ
１６）、上下の基板の付着時一定間隔を保つために、直
径が、例えば５．０μｍ程度のスペ−サ６をいずれか１
枚の基板面に拡散する（ステップ１８）。
【０００９】さらに、シ−ル剤５をいずれか１枚の基板
面に印刷する（ステップ２０）。この際、前記シ−ル剤
５は、シ−ルマスク又はシ−ルスペ−サで印刷される。
面に印刷する（ステップ２０）。この際、前記シ−ル剤
５は、シ−ルマスク又はシ−ルスペ−サで印刷される。
【００１０】この結果、得られた上部と下部の基板２，
２′を接合させた後（ステップ２２）、一定のセルギャ
ップが形成されるよう均一に加圧する（ステップ２
４）。基板を加熱してシ−ル剤を硬化させる（ステップ
２６）。
２′を接合させた後（ステップ２２）、一定のセルギャ
ップが形成されるよう均一に加圧する（ステップ２
４）。基板を加熱してシ−ル剤を硬化させる（ステップ
２６）。
【００１１】次に、上下の両基板の間に液晶を注入する
（ステップ２８）。液晶注入工程は、まず、チャンバを
真空状態にした後、基板の一端を液晶で濡らす工程と、
チャンバ内の高真空状態を解除することで、即ち、大気
を取り入れることで、液晶の注入口（図示せず）を通じ
て液晶を上部と下部の基板間の内部空間に注入させる工
程とからなる。このように真空を用いる液晶注入は、空
いた液晶セルの内圧と外圧の差を用いる。
（ステップ２８）。液晶注入工程は、まず、チャンバを
真空状態にした後、基板の一端を液晶で濡らす工程と、
チャンバ内の高真空状態を解除することで、即ち、大気
を取り入れることで、液晶の注入口（図示せず）を通じ
て液晶を上部と下部の基板間の内部空間に注入させる工
程とからなる。このように真空を用いる液晶注入は、空
いた液晶セルの内圧と外圧の差を用いる。
【００１２】液晶を注入した後の両基板間の間隔（即
ち、パンネル間隔）は、スペ−サの直径より厚くなるた
め、セルギャップの間隔は、不揃いである。従って、均
一の間隔を得るために、基板の両面に、例えば、０．５
Kg／cm2 程度の圧力を加え、液晶の注入された注入口を
密封する（ステップ３０）。
ち、パンネル間隔）は、スペ−サの直径より厚くなるた
め、セルギャップの間隔は、不揃いである。従って、均
一の間隔を得るために、基板の両面に、例えば、０．５
Kg／cm2 程度の圧力を加え、液晶の注入された注入口を
密封する（ステップ３０）。
【００１３】その後、パンネルを洗浄し（ステップ３
２）、両基板の外面に偏光板１，１′を取り付ける（ス
テップ３４）ことで，液晶表示素子を完成する。
２）、両基板の外面に偏光板１，１′を取り付ける（ス
テップ３４）ことで，液晶表示素子を完成する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た液晶表示素子の製造方法は、工数が多いので複雑であ
る。さらに、液晶注入工程が圧力差によってなるのでチ
ャンバを高真空状態にする必要がある。この結果、全体
工程時間が多くかかってしまう。
た液晶表示素子の製造方法は、工数が多いので複雑であ
る。さらに、液晶注入工程が圧力差によってなるのでチ
ャンバを高真空状態にする必要がある。この結果、全体
工程時間が多くかかってしまう。
【００１５】本発明の目的は、工数と工程時間を短縮し
た液晶表示素子の製造方法を提供することにある。
た液晶表示素子の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記す
る手段により達成される。
る手段により達成される。
【００１７】（１）（ａ）表面に電極の形成されている
上部及び下部基板上に配向膜を形成する工程と、（ｂ）
前記配向膜の表面をラビング処理する工程と、（ｃ）前
記上部及び下部の基板を結合させる後工程で前記上部及
び下部の基板間の間隔を一定に保たせるために、前記基
板中のいずれか１つにスペ−サを拡散する工程と、
（ｄ）前記基板中のいずれか１つにシ−ル剤を印刷する
工程と、（ｅ）大気圧より低い減圧状態のチャンバ内
で、前記上部及び下部の基板を結合させ、両基板の間に
形成されたセルギャップに液晶を注入する工程と、
（ｆ）前記減圧状態を解除して前記チャンバの内部を大
気圧の状態に還元する工程とを具備することを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。
上部及び下部基板上に配向膜を形成する工程と、（ｂ）
前記配向膜の表面をラビング処理する工程と、（ｃ）前
記上部及び下部の基板を結合させる後工程で前記上部及
び下部の基板間の間隔を一定に保たせるために、前記基
板中のいずれか１つにスペ−サを拡散する工程と、
（ｄ）前記基板中のいずれか１つにシ−ル剤を印刷する
工程と、（ｅ）大気圧より低い減圧状態のチャンバ内
で、前記上部及び下部の基板を結合させ、両基板の間に
形成されたセルギャップに液晶を注入する工程と、
（ｆ）前記減圧状態を解除して前記チャンバの内部を大
気圧の状態に還元する工程とを具備することを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。
【００１８】（２）前記（ｅ）工程は、（ｅ１）前記基
板中のいずれか１枚の基板上に液晶を滴下する工程と、
（ｅ２）液晶の滴下された前記基板をもう１枚の基板に
重ね合わせる工程と、（ｅ３）結果物を加圧して余分の
液晶を排出すると同時に、前記上部及び下部の基板を熱
処理してシ−ル剤を硬化させる工程とからなることを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。
板中のいずれか１枚の基板上に液晶を滴下する工程と、
（ｅ２）液晶の滴下された前記基板をもう１枚の基板に
重ね合わせる工程と、（ｅ３）結果物を加圧して余分の
液晶を排出すると同時に、前記上部及び下部の基板を熱
処理してシ−ル剤を硬化させる工程とからなることを特
徴とする液晶表示素子の製造方法。
【００１９】（３）前記（ｅ）工程の前記真空チャンバ
の内圧は約２０ｔｏｒｒであることを特徴とする液晶表
示素子の製造方法。
の内圧は約２０ｔｏｒｒであることを特徴とする液晶表
示素子の製造方法。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。本実施の形
態に用いられる基板の表面には、例えば、幅３００μｍ
程度のストライプ型の電極が多数個形成されており、こ
の際、電極間のピッチは、例えば、３３０μｍ程度にし
得る。前記電極は、透明な導電性材料からなるが、主に
ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜を用い
る。
明の好ましい実施の形態を詳細に説明する。本実施の形
態に用いられる基板の表面には、例えば、幅３００μｍ
程度のストライプ型の電極が多数個形成されており、こ
の際、電極間のピッチは、例えば、３３０μｍ程度にし
得る。前記電極は、透明な導電性材料からなるが、主に
ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）薄膜を用い
る。
【００２１】上部と下部の基板を洗浄する工程（ステッ
プ４０）、配向膜を塗布及び焼成する工程（ステップ４
２）、前記配向膜の表面をラビングする工程（ステップ
４４）、ラビング後の基板を洗浄する工程（ステップ４
６）、いずれか１枚の基板にスペ−サを拡散する工程
（ステップ４８）及びいずれか１枚の基板にシ−ル剤を
印刷する工程（ステップ５０）は、図３の工程（ステッ
プ１０乃至ステップ２０）と同一に行う。
プ４０）、配向膜を塗布及び焼成する工程（ステップ４
２）、前記配向膜の表面をラビングする工程（ステップ
４４）、ラビング後の基板を洗浄する工程（ステップ４
６）、いずれか１枚の基板にスペ−サを拡散する工程
（ステップ４８）及びいずれか１枚の基板にシ−ル剤を
印刷する工程（ステップ５０）は、図３の工程（ステッ
プ１０乃至ステップ２０）と同一に行う。
【００２２】次いで、特別製作した真空チャンバに両基
板を固設する。該真空チャンバ内には、液晶を滴下する
ために設計された第１部分、基板を重ね合せるよう設計
された第２部分及び基板を加圧すると共に基板を加熱す
るよう設計された第３部分からなっている。
板を固設する。該真空チャンバ内には、液晶を滴下する
ために設計された第１部分、基板を重ね合せるよう設計
された第２部分及び基板を加圧すると共に基板を加熱す
るよう設計された第３部分からなっている。
【００２３】前記チャンバで行われる工程を調べると、
まず、チャンバ内に基板を入れ、チャンバを密閉させた
後、減圧する。この際、チャンバ内の圧力は、従来の液
晶注入のための真空状態より高く、例えば２０ｔｏｒｒ
程度となるよう設計する。
まず、チャンバ内に基板を入れ、チャンバを密閉させた
後、減圧する。この際、チャンバ内の圧力は、従来の液
晶注入のための真空状態より高く、例えば２０ｔｏｒｒ
程度となるよう設計する。
【００２４】前記減圧状態を保ったまま、いずれか１枚
の基板上に液晶を滴下する。その後、前記基板と対向す
る基板を前記液晶の滴下された基板に重ね合わせる。次
に、基板を加圧して余分の液晶を排出すると共に上部と
下部の基板を熱処理してシ−ル剤を硬化させる（ステッ
プ５２）。
の基板上に液晶を滴下する。その後、前記基板と対向す
る基板を前記液晶の滴下された基板に重ね合わせる。次
に、基板を加圧して余分の液晶を排出すると共に上部と
下部の基板を熱処理してシ−ル剤を硬化させる（ステッ
プ５２）。
【００２５】次に、減圧状態を解除して大気圧状態に工
程条件を還元する。その後、液晶から埋め込まれた基板
（パンネル）を通常の方法で洗浄し（ステップ５４）、
基板の両面に偏光板を取り付けて液晶表示素子を完成す
る（ステップ５６）。
程条件を還元する。その後、液晶から埋め込まれた基板
（パンネル）を通常の方法で洗浄し（ステップ５４）、
基板の両面に偏光板を取り付けて液晶表示素子を完成す
る（ステップ５６）。
【００２６】上記実施の形態では、シ−ル剤を塗布した
後、減圧状態のチャンバで液晶滴下、基板重畳及び加圧
などの過程を行ったが、用いる材料によっては、シ−ル
剤をチャンバ内で塗布しても良い。特に、用いるシ−ル
剤が、紫外線硬化型の場合、同一チャンバ内でシ−ル剤
を塗布することができかつ基板加熱用のヒ−タが必要と
されないので硬化時間がさらに縮められる。
後、減圧状態のチャンバで液晶滴下、基板重畳及び加圧
などの過程を行ったが、用いる材料によっては、シ−ル
剤をチャンバ内で塗布しても良い。特に、用いるシ−ル
剤が、紫外線硬化型の場合、同一チャンバ内でシ−ル剤
を塗布することができかつ基板加熱用のヒ−タが必要と
されないので硬化時間がさらに縮められる。
【００２７】本発明は、特定の実施の形態を通じて説明
されたが、本発明はこれに限らず、特許請求の範囲内で
当業者によって様々な変形が可能である。
されたが、本発明はこれに限らず、特許請求の範囲内で
当業者によって様々な変形が可能である。
【００２８】
【発明の効果】従来の方法では、必要な個別の基板を重
ね合せ、高真空状態で大気圧を取り入れることによって
液晶を注入し、これを加圧し、注入口を封止し、基板を
熱処理してシ−ル剤を硬化させるなどの工程を行った
が、本発明では、真空中で液晶を滴下し、両基板を重ね
合せ、基板を加圧しながらシ−ル剤を硬化する工程を行
うようにしたので、全体工数を低減でき、さらに、従来
では、液晶を注入するための高真空状態を形成する工程
の時間が多くかかったが、本発明では高真空状態でない
約２０ｔｏｒｒの状態で行なわれるので、この工程の時
間が従来の技術に比べて１／１０に縮まる。
ね合せ、高真空状態で大気圧を取り入れることによって
液晶を注入し、これを加圧し、注入口を封止し、基板を
熱処理してシ−ル剤を硬化させるなどの工程を行った
が、本発明では、真空中で液晶を滴下し、両基板を重ね
合せ、基板を加圧しながらシ−ル剤を硬化する工程を行
うようにしたので、全体工数を低減でき、さらに、従来
では、液晶を注入するための高真空状態を形成する工程
の時間が多くかかったが、本発明では高真空状態でない
約２０ｔｏｒｒの状態で行なわれるので、この工程の時
間が従来の技術に比べて１／１０に縮まる。
【００２９】この結果、設備、人件費、減価償却費、光
熱費などが減り、低製造コストを達成することができ
る。
熱費などが減り、低製造コストを達成することができ
る。
【図１】 本発明の実施の形態による液晶表示素子の製
造工程を示したフローチャートである。
造工程を示したフローチャートである。
【図２】 一般の液晶表示素子の断面図である。
【図３】 図２に示した液晶表示素子を製造するための
従来の方法による工程を示したフローチャートである。
従来の方法による工程を示したフローチャートである。
１，１´…偏光板、 ２…上部基板、 ２´…下部基板、 ３…共通電極、 ３´…走査電極、 ４，４´…配向膜、 ５…シ−ル剤、 ７…液晶。
Claims (3)
- 【請求項１】 （ａ）表面に電極の形成されている上部
及び下部の基板上に配向膜を形成する工程と、 （ｂ）前記配向膜の表面をラビング処理する工程と、 （ｃ）前記上部及び下部の基板を結合させる後工程で前
記上部及び下部基板間の間隔を一定に保たせるために、
前記基板中のいずれか１つにスペ−サを拡散する工程
と、 （ｄ）前記基板中のいずれか１つにシ−ル剤を印刷する
工程と、 （ｅ）大気圧より低い減圧状態のチャンバ内で、前記上
部及び下部の基板を結合させ、両基板の間に形成された
セルギャップに液晶を注入する工程と、 （ｆ）前記減圧状態を解除して前記チャンバの内部を大
気圧の状態に還元する工程とを具備することを特徴とす
る液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記（ｅ）工程は、 （ｅ１）前記基板中のいずれか１枚の基板上に液晶を滴
下する工程と、 （ｅ２）液晶の滴下された前記基板をもう１枚の基板に
重ね合わせる工程と、 （ｅ３）結果物を加圧して余分の液晶を排出すると同時
に、前記上部及び下部の基板を熱処理してシ−ル剤を硬
化させる工程とからなることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記（ｅ）工程の前記真空チャンバの内
圧は約２０ｔｏｒｒであることを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960044122A KR100207506B1 (ko) | 1996-10-05 | 1996-10-05 | 액정 표시 소자의 제조방법 |
| KR96P44122 | 1996-10-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10115833A true JPH10115833A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=19476330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9244387A Pending JPH10115833A (ja) | 1996-10-05 | 1997-09-09 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6011609A (ja) |
| JP (1) | JPH10115833A (ja) |
| KR (1) | KR100207506B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7196763B2 (en) | 2002-03-19 | 2007-03-27 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and method for fabricating the same |
Families Citing this family (159)
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