JPH1012669A - フリップチップの接続方法 - Google Patents
フリップチップの接続方法Info
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- JPH1012669A JPH1012669A JP8161605A JP16160596A JPH1012669A JP H1012669 A JPH1012669 A JP H1012669A JP 8161605 A JP8161605 A JP 8161605A JP 16160596 A JP16160596 A JP 16160596A JP H1012669 A JPH1012669 A JP H1012669A
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- flip chip
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 工程の簡略化を図る一方、歩留まりよく、か
つ信頼性の高い接続が行われるフリップチップの接続方
法の提供。 【解決手段】 基板３面の被接続端子3a群に、バンプ5a
を介してフリップチップ５面の対応する電極群を接続す
るに当たって、前記バンブ5aに超音波振動を付与し、バ
ンブ面の酸化膜除去および摩擦による接続を行うことを
特徴とするフリップチップの接続方法である。すなわ
ち、フリップチップボンダーのマウントヘッド４もしく
は基板ステージ１の少なくともいずれか一方に、超音波
出力用の振動子2a，2bを具備・装着しておき、フリップ
チップ５接続のためにバンブ5aと電極端子もしくは基板
３の被接続端子3aとを位置合わせし、バンブ5aを介して
電極端子と被接続端子3aとを対接させた状態で、マウン
トヘッド４に荷重を加えた後に超音波振動子2a，2bを動
作させる。
つ信頼性の高い接続が行われるフリップチップの接続方
法の提供。 【解決手段】 基板３面の被接続端子3a群に、バンプ5a
を介してフリップチップ５面の対応する電極群を接続す
るに当たって、前記バンブ5aに超音波振動を付与し、バ
ンブ面の酸化膜除去および摩擦による接続を行うことを
特徴とするフリップチップの接続方法である。すなわ
ち、フリップチップボンダーのマウントヘッド４もしく
は基板ステージ１の少なくともいずれか一方に、超音波
出力用の振動子2a，2bを具備・装着しておき、フリップ
チップ５接続のためにバンブ5aと電極端子もしくは基板
３の被接続端子3aとを位置合わせし、バンブ5aを介して
電極端子と被接続端子3aとを対接させた状態で、マウン
トヘッド４に荷重を加えた後に超音波振動子2a，2bを動
作させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフリップチップの接
続方法に関する。
続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の実装技術として、半導体素
子チップ（フリップチップ）を配線基板にフェースダウ
ン方式でボンディング（実装）することが知られてい
る。すなわち、半導体装置を形成（構成）する有効な手
段として、所要の被接続端子群が設けられている基板面
に、半導体素子チップの対応する電極群を対向させ、か
つ被接続端子面もしくは電極面に設けたバンブを介して
圧着し、電気的および機械的な接続を行う方式が採られ
つつある。このフリップチップ接続方式は、従来の一般
的なワイヤボンディング方式に比べて、フリップチップ
の電極群および対応する基板の被接続端子群を一括的に
接続できるので、生産性（もしくは量産性）の点ですぐ
れている。
子チップ（フリップチップ）を配線基板にフェースダウ
ン方式でボンディング（実装）することが知られてい
る。すなわち、半導体装置を形成（構成）する有効な手
段として、所要の被接続端子群が設けられている基板面
に、半導体素子チップの対応する電極群を対向させ、か
つ被接続端子面もしくは電極面に設けたバンブを介して
圧着し、電気的および機械的な接続を行う方式が採られ
つつある。このフリップチップ接続方式は、従来の一般
的なワイヤボンディング方式に比べて、フリップチップ
の電極群および対応する基板の被接続端子群を一括的に
接続できるので、生産性（もしくは量産性）の点ですぐ
れている。
【０００３】ところで、フリップチップの接続に当たっ
ては、その電気的および機械的な接続の信頼性を得るう
えで、接続の主体を成すバンブの表面酸化層（酸化膜）
の除去が重要であり、一般的に、次のような処理が施さ
れている。
ては、その電気的および機械的な接続の信頼性を得るう
えで、接続の主体を成すバンブの表面酸化層（酸化膜）
の除去が重要であり、一般的に、次のような処理が施さ
れている。
【０００４】(1)フラックスの使用 予めバンブまたは基板の被接続端子に、ロジン系もしく
は水溶性のフラックスを印刷法やディスペンスなどで塗
布しておき、基板にフリップチップをマウントした後、
たとえば窒素ガスなどの不活性雰囲気中でリフローする
ことによって、バンブ面または基板の被接続端子面の酸
化層を除去する一方、所要の接続を行う。 (2)物理的
な除去 たとえばアルゴンや六フッ化硫黄などのガスを用いて、
バンブ面または基板の被接続端子面の酸化層をスパッタ
で除去する。
は水溶性のフラックスを印刷法やディスペンスなどで塗
布しておき、基板にフリップチップをマウントした後、
たとえば窒素ガスなどの不活性雰囲気中でリフローする
ことによって、バンブ面または基板の被接続端子面の酸
化層を除去する一方、所要の接続を行う。 (2)物理的
な除去 たとえばアルゴンや六フッ化硫黄などのガスを用いて、
バンブ面または基板の被接続端子面の酸化層をスパッタ
で除去する。
【０００５】(3)還元除去 たとえば窒素−水素系雰囲気中、もしくは一酸化炭素ガ
ス雰囲気中に放置して、バンブ面の酸化層を化学反応
（還元反応）によって除去する。
ス雰囲気中に放置して、バンブ面の酸化層を化学反応
（還元反応）によって除去する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
酸化層除去手段を含むフリップチップの接続方法は、な
お、以下に示すような問題があって実用上十分でない。
酸化層除去手段を含むフリップチップの接続方法は、な
お、以下に示すような問題があって実用上十分でない。
【０００７】先ず、 (1)フラックス使用の場合は、塗布
量によってバンブのオープン／ショートの接続不良が発
生し易いので、塗布量を高精度に制御する必要がある。
また、接続操作後において、フラックスが付着・残存し
ていると腐食の原因となって、接続の信頼性が損なわれ
るので、フラックスを洗浄除去する必要がある。これら
フラックス塗布量の制御およびフラックスの洗浄除去
は、接続操作の煩雑化となって、量産性という特長を損
なうことになる。
量によってバンブのオープン／ショートの接続不良が発
生し易いので、塗布量を高精度に制御する必要がある。
また、接続操作後において、フラックスが付着・残存し
ていると腐食の原因となって、接続の信頼性が損なわれ
るので、フラックスを洗浄除去する必要がある。これら
フラックス塗布量の制御およびフラックスの洗浄除去
は、接続操作の煩雑化となって、量産性という特長を損
なうことになる。
【０００８】次に、 (2)物理的な除去の場合は、スパッ
タ雰囲気の管理やスパッタ直後の処置が煩雑で、実施面
で問題がある。たとえばアルゴンガススパッタの場合、
スパッタ直後のバンブは酸化層が除去されているが、ア
ルゴン雰囲気から大気に一瞬でも触れた時点で、再度酸
化層が形成される。したがって、スパッタ−マウント−
リフローまでの工程をアルゴンガス雰囲気中で行う必要
があり、結果的に装置，設備費が膨大となるなどの問題
がある。一方、六フッ化硫黄ガススパッタの場合も、雰
囲気管理が難しくて実用性が劣る。
タ雰囲気の管理やスパッタ直後の処置が煩雑で、実施面
で問題がある。たとえばアルゴンガススパッタの場合、
スパッタ直後のバンブは酸化層が除去されているが、ア
ルゴン雰囲気から大気に一瞬でも触れた時点で、再度酸
化層が形成される。したがって、スパッタ−マウント−
リフローまでの工程をアルゴンガス雰囲気中で行う必要
があり、結果的に装置，設備費が膨大となるなどの問題
がある。一方、六フッ化硫黄ガススパッタの場合も、雰
囲気管理が難しくて実用性が劣る。
【０００９】さらに、 (3)還元除去の場合も雰囲気管理
の点に問題がある。たとえば窒素−水素系雰囲気での還
元処理では、酸素ガス濃度を1ppm以下，露点−60℃以
下，水素ガス分圧および露点管理が重要なファクターを
成している。したがって、効果的ないし効率的な還元処
理は、これらの適正な条件・制御が前提となるが、適正
な条件・制御の選択・設定は事実上困難である。また、
窒素−水素系雰囲気では、窒素ガスと水素ガスとの混合
比率が 4： 1， 1： 1で、水素ガスの比率が比較的高い
ため、取扱操作上の危険性も懸念される。一方、一酸化
炭素ガスは、還元雰囲気や放置時間の制御が困難で、実
用性が劣るといえる。
の点に問題がある。たとえば窒素−水素系雰囲気での還
元処理では、酸素ガス濃度を1ppm以下，露点−60℃以
下，水素ガス分圧および露点管理が重要なファクターを
成している。したがって、効果的ないし効率的な還元処
理は、これらの適正な条件・制御が前提となるが、適正
な条件・制御の選択・設定は事実上困難である。また、
窒素−水素系雰囲気では、窒素ガスと水素ガスとの混合
比率が 4： 1， 1： 1で、水素ガスの比率が比較的高い
ため、取扱操作上の危険性も懸念される。一方、一酸化
炭素ガスは、還元雰囲気や放置時間の制御が困難で、実
用性が劣るといえる。
【００１０】なお、物理的な除去および還元除去の場
合、いずれもマウント時には基板にフリップチップを載
置した状態であるため、微小な振動でも位置ズレを起こ
し易いので、マウントからリフローまでの取扱が難しい
という問題もある。
合、いずれもマウント時には基板にフリップチップを載
置した状態であるため、微小な振動でも位置ズレを起こ
し易いので、マウントからリフローまでの取扱が難しい
という問題もある。
【００１１】本発明は、上記事情に対処してなされたも
ので、工程の簡略化を図る一方、歩留まりよく、かつ信
頼性の高い接続が行われるフリップチップの接続方法の
提供を目的とする。
ので、工程の簡略化を図る一方、歩留まりよく、かつ信
頼性の高い接続が行われるフリップチップの接続方法の
提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
面の被接続端子群に、バンプを介してフリップチップ面
の対応する電極群を接続するに当たって、前記バンブに
超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除去および摩擦
による接続を行うことを特徴とするフリップチップの接
続方法である。
面の被接続端子群に、バンプを介してフリップチップ面
の対応する電極群を接続するに当たって、前記バンブに
超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除去および摩擦
による接続を行うことを特徴とするフリップチップの接
続方法である。
【００１３】請求項２の発明は、基板面の被接続端子群
に、フリップチップ面の対応する電極面に設けたバンプ
を対接する工程と、前記基板およびフリップチップの少
なくともいずれか一方に超音波振動を付与し、バンブ面
の酸化膜除去および摩擦による接続を行う工程とを有す
ることを特徴とするフリップチップの接続方法である。
請求項３の発明は、フリップチップ面の電極群に、基
板面の対応する被接続端子面に設けたバンプを対接する
工程と、前記フリップチップおよび基板の少なくともい
ずれか一方に超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除
去および摩擦による接続を行う工程とを有することを特
徴とするフリップチップの接続方法である。 すなわ
ち、これらの発明は、フリップチップボンダーのマウン
トヘッドもしくは基板ステージの少なくともいずれか一
方に、超音波出力用の振動子を具備・装着しておき、フ
リップチップ接続のためにバンブと電極端子もしくは基
板の被接続端子とを位置合わせし、バンブを介して電極
端子と被接続端子とを対接させた状態で、マウントヘッ
ドに荷重を加えた後に超音波振動子を動作させる。つま
り、前記バンブが対接する電極端子部もしくはバンブが
対接する被接続端子部に、所要の超音波振動を与えるこ
とを骨子としている。
に、フリップチップ面の対応する電極面に設けたバンプ
を対接する工程と、前記基板およびフリップチップの少
なくともいずれか一方に超音波振動を付与し、バンブ面
の酸化膜除去および摩擦による接続を行う工程とを有す
ることを特徴とするフリップチップの接続方法である。
請求項３の発明は、フリップチップ面の電極群に、基
板面の対応する被接続端子面に設けたバンプを対接する
工程と、前記フリップチップおよび基板の少なくともい
ずれか一方に超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除
去および摩擦による接続を行う工程とを有することを特
徴とするフリップチップの接続方法である。 すなわ
ち、これらの発明は、フリップチップボンダーのマウン
トヘッドもしくは基板ステージの少なくともいずれか一
方に、超音波出力用の振動子を具備・装着しておき、フ
リップチップ接続のためにバンブと電極端子もしくは基
板の被接続端子とを位置合わせし、バンブを介して電極
端子と被接続端子とを対接させた状態で、マウントヘッ
ドに荷重を加えた後に超音波振動子を動作させる。つま
り、前記バンブが対接する電極端子部もしくはバンブが
対接する被接続端子部に、所要の超音波振動を与えるこ
とを骨子としている。
【００１４】ここで、超音波振動はフリップチップもし
くは基板を介して、バンブ−電極端子の対接面もしくは
バンブ−被接続端子の対接面に到達する。この伝達され
た超音波振動によって、前記バンブ−電極端子の対接面
もしくはバンブ−被接続端子の両対接面の酸化層が破壊
され、露出した新生面同士の接触となって仮付けが同時
に行われる。そして、その後の不活性雰囲気中でのリフ
ローによって、前記バンブを介した電極端子と被接続端
子との最終的な接続が終了する。
くは基板を介して、バンブ−電極端子の対接面もしくは
バンブ−被接続端子の対接面に到達する。この伝達され
た超音波振動によって、前記バンブ−電極端子の対接面
もしくはバンブ−被接続端子の両対接面の酸化層が破壊
され、露出した新生面同士の接触となって仮付けが同時
に行われる。そして、その後の不活性雰囲気中でのリフ
ローによって、前記バンブを介した電極端子と被接続端
子との最終的な接続が終了する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図１および図２ (a)〜 (e)を
参照して実施例を説明する。
参照して実施例を説明する。
【００１６】図１はこの実施例において使用した接続装
置（ボンディング装置）の接続部構成の概略を示す断面
図である。図１において、１は第１の超音波振動子2aを
内蔵した基板ステージで、所要の被接続端子3a群を一主
面に有する基板３を位置決めセット（載置）するもので
ある。４は第２の超音波振動子2bを内蔵し、かつフリッ
プチップ５を先端面に真空吸着するマウントヘッドで、
前記基板ステージ１の基板３載置面に対向して配置され
ている。また、図示を省略したが、前記基板ステージ１
およびマウントヘッド４は、図示を省略した機構によっ
て相対的に離接するとともに、両超音波振動子2a，2bを
作動する電源回路などを具備している。次に、上記接続
装置によるフリップチップの接続方法の実施似ついて説
明する。図２ (a)〜 (e)は、フリップチップの接続工程
の順に、その実施態様の要部を模式的に示した断面図で
ある。先ず、図２ (a)に示すごとく、前記基板ステージ
１に被接続端子3a群を一主面に有する基板３を移載する
一方、マウントヘッド４に吸着保持させたフリップチッ
プ５を対向させて位置合わせを行う。ここで、フリップ
チップ５は、前記被接続端子3a群に対応する電極端子群
を一主面に有し、かつ各電極端子面にバンブ5aが設けら
れており、このバンブ5a群を対応する被接続端子3a群と
位置合わせすることになる。なお、この位置合わせは、
バンブ5a群および対応する被接続端子3aパターンをボン
ダーで確認し、微調整を行って、バンブ5aと被接続端子
3aとのセンターを合わせる。
置（ボンディング装置）の接続部構成の概略を示す断面
図である。図１において、１は第１の超音波振動子2aを
内蔵した基板ステージで、所要の被接続端子3a群を一主
面に有する基板３を位置決めセット（載置）するもので
ある。４は第２の超音波振動子2bを内蔵し、かつフリッ
プチップ５を先端面に真空吸着するマウントヘッドで、
前記基板ステージ１の基板３載置面に対向して配置され
ている。また、図示を省略したが、前記基板ステージ１
およびマウントヘッド４は、図示を省略した機構によっ
て相対的に離接するとともに、両超音波振動子2a，2bを
作動する電源回路などを具備している。次に、上記接続
装置によるフリップチップの接続方法の実施似ついて説
明する。図２ (a)〜 (e)は、フリップチップの接続工程
の順に、その実施態様の要部を模式的に示した断面図で
ある。先ず、図２ (a)に示すごとく、前記基板ステージ
１に被接続端子3a群を一主面に有する基板３を移載する
一方、マウントヘッド４に吸着保持させたフリップチッ
プ５を対向させて位置合わせを行う。ここで、フリップ
チップ５は、前記被接続端子3a群に対応する電極端子群
を一主面に有し、かつ各電極端子面にバンブ5aが設けら
れており、このバンブ5a群を対応する被接続端子3a群と
位置合わせすることになる。なお、この位置合わせは、
バンブ5a群および対応する被接続端子3aパターンをボン
ダーで確認し、微調整を行って、バンブ5aと被接続端子
3aとのセンターを合わせる。
【００１７】次いで、マウントヘッド４を下降させ、衝
撃がかからない状態で、図２ (b)に示すごとく、対応す
るバンブ5aと被接続端子3aとを対接（接触）させる。そ
の後、図２ (c)に示すごとく、マウントヘッド４に所要
の荷重（たとえば 程度）を加え、前記対応するバ
ンブ5aと被接続端子3aとを十分に対接させる。なお、こ
こでの荷重は、フリップチップ５にダメージが入らない
程度に設定する。
撃がかからない状態で、図２ (b)に示すごとく、対応す
るバンブ5aと被接続端子3aとを対接（接触）させる。そ
の後、図２ (c)に示すごとく、マウントヘッド４に所要
の荷重（たとえば 程度）を加え、前記対応するバ
ンブ5aと被接続端子3aとを十分に対接させる。なお、こ
こでの荷重は、フリップチップ５にダメージが入らない
程度に設定する。
【００１８】次に、前記対応するバンブ5aと被接続端子
3aに一定の荷重を加えた状態で、図２ (d)に示すごと
く、たとえばマウントヘッド４に内蔵された第２の超音
波振動子2bを作動させる。この第２の超音波振動子2bの
作動により、超音波振動がマウントヘッド４→フリップ
チップ５→バンプ5aの順に伝わって、基板３面の被接続
端子3aとフリップチップ５面のバンプ5aとが接触する領
域で摩擦が起こる。この局部的な摩擦発生によって、前
記被接続端子3a表面およびバンプ5a表面に形成されてい
た酸化層（酸化膜）を破壊し、新生面同士の接触に変わ
り、さらに、超音波振動の続行によって、新生面同士が
接触した被接続端子3aとバンプ5aとは、前記接触点で結
合し、フリップチップ５は基板３に仮付けされた状態に
なる。
3aに一定の荷重を加えた状態で、図２ (d)に示すごと
く、たとえばマウントヘッド４に内蔵された第２の超音
波振動子2bを作動させる。この第２の超音波振動子2bの
作動により、超音波振動がマウントヘッド４→フリップ
チップ５→バンプ5aの順に伝わって、基板３面の被接続
端子3aとフリップチップ５面のバンプ5aとが接触する領
域で摩擦が起こる。この局部的な摩擦発生によって、前
記被接続端子3a表面およびバンプ5a表面に形成されてい
た酸化層（酸化膜）を破壊し、新生面同士の接触に変わ
り、さらに、超音波振動の続行によって、新生面同士が
接触した被接続端子3aとバンプ5aとは、前記接触点で結
合し、フリップチップ５は基板３に仮付けされた状態に
なる。
【００１９】前記対応する各被接続端子3aとバンプ5aの
新生面同士の結合後、マウントヘッド４はフリッブチッ
プ５のの真空吸着を解除し、上昇することによってマウ
ントが終了する。このマウント終了後、前記フリップチ
ップ５を仮付した基板３は、たとえば窒素雰囲気化され
ているリフ炉を通過することにより、バンブ5a全体が溶
融し、図２ (e)に示すごとく、フリップチップ５の電気
的および機械的な所要の接続がなされる。
新生面同士の結合後、マウントヘッド４はフリッブチッ
プ５のの真空吸着を解除し、上昇することによってマウ
ントが終了する。このマウント終了後、前記フリップチ
ップ５を仮付した基板３は、たとえば窒素雰囲気化され
ているリフ炉を通過することにより、バンブ5a全体が溶
融し、図２ (e)に示すごとく、フリップチップ５の電気
的および機械的な所要の接続がなされる。
【００２０】たとえば、上記において、一主面の周辺部
に被接続端子3aが 程度のピッチで設けられている基
板３に、対応する電極端子面にバンブ5aが設けられてい
るフリップチップ５をマウントおよび接続した実装回路
部品について、その接続の信頼性などを評価・検討した
ところ、従来の接続方法に比べて大幅に向上していた。
なお、上記フリップチップ５の基板３に対する接続に
おいて、マウントヘッド４が内蔵する第２の超音波振動
子2bを動作させ、所要の超音波振動をバンブ5aと被接続
端子3aとの接触部に付与したが、基板ステージ１内蔵す
る第１の超音波振動子2aを動作させ、所要の超音波振動
をバンブ5aと被接続端子3aとの接触部に付与しても、あ
るいは第１の超音波振動子2a第２の超音波振動子2bを同
時に動作させても同様の作用，効果が認められた。ま
た、前記では、電極端子面にバンブ5aを設けたフリップ
チップ５の接続例を示したが、被接続端子3a面にバンブ
を設けた基板３に、電極端子面にバンブを設けてないフ
リップチップを接続した場合も、同様の作用，効果が認
められた。
に被接続端子3aが 程度のピッチで設けられている基
板３に、対応する電極端子面にバンブ5aが設けられてい
るフリップチップ５をマウントおよび接続した実装回路
部品について、その接続の信頼性などを評価・検討した
ところ、従来の接続方法に比べて大幅に向上していた。
なお、上記フリップチップ５の基板３に対する接続に
おいて、マウントヘッド４が内蔵する第２の超音波振動
子2bを動作させ、所要の超音波振動をバンブ5aと被接続
端子3aとの接触部に付与したが、基板ステージ１内蔵す
る第１の超音波振動子2aを動作させ、所要の超音波振動
をバンブ5aと被接続端子3aとの接触部に付与しても、あ
るいは第１の超音波振動子2a第２の超音波振動子2bを同
時に動作させても同様の作用，効果が認められた。ま
た、前記では、電極端子面にバンブ5aを設けたフリップ
チップ５の接続例を示したが、被接続端子3a面にバンブ
を設けた基板３に、電極端子面にバンブを設けてないフ
リップチップを接続した場合も、同様の作用，効果が認
められた。
【００２１】この発明は、上記実施例に限定されるもの
でなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形
を採ることができる。
でなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形
を採ることができる。
【００２２】
【発明の効果】上記説明したように、本発明のフリップ
チップの接続方法によれば、被接続部の酸化層など容易
に除去でき、信頼性の高い電気的な接続など行うことが
できる。すなわち、煩雑な操作や、微妙な工程管理など
を要することなく、バンブ面などの酸化膜が除去され、
新生面によって電気的および機械的な接続を行うことが
できるので、信頼性の高い半導体実装装置（もしくは半
導体実装回路装置）を、歩留まりよく、また、量産的に
提供できる。
チップの接続方法によれば、被接続部の酸化層など容易
に除去でき、信頼性の高い電気的な接続など行うことが
できる。すなわち、煩雑な操作や、微妙な工程管理など
を要することなく、バンブ面などの酸化膜が除去され、
新生面によって電気的および機械的な接続を行うことが
できるので、信頼性の高い半導体実装装置（もしくは半
導体実装回路装置）を、歩留まりよく、また、量産的に
提供できる。
【図１】実施例において使用した接続装置の要部を示す
断面図。
断面図。
【図２】フリップチップの接続方法の実施態様例を模式
的に示したもので、 (a)は対応する被接続端子とバンブ
との位置合わせ状態の断面図、 (b)は位置合わせした被
接続端子とバンブとの対接状態の断面図、 (c)は対接被
接続端子とバンブに荷重をかけた状態の断面図、 (d)は
超音波振動を併用して仮付けした状態の断面図、(e)は
リフロー処理した接続終了状態の断面図。
的に示したもので、 (a)は対応する被接続端子とバンブ
との位置合わせ状態の断面図、 (b)は位置合わせした被
接続端子とバンブとの対接状態の断面図、 (c)は対接被
接続端子とバンブに荷重をかけた状態の断面図、 (d)は
超音波振動を併用して仮付けした状態の断面図、(e)は
リフロー処理した接続終了状態の断面図。
１……基板ステージ 2a，2b……超音波振動子 ３……基板 3a……被接続端子 ４……マウントヘッド ５……フリップチップ 5a……バンブ
Claims (3)
- 【請求項１】 基板面の被接続端子群に、バンプを介し
てフリップチップ面の対応する電極群を接続するに当た
って、 前記バンブに超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除
去および摩擦による接続を行うことを特徴とするフリッ
プチップの接続方法。 - 【請求項２】 基板面の被接続端子群に、フリップチッ
プ面の対応する電極面に設けたバンプを対接する工程
と、 前記基板およびフリップチップの少なくともいずれか一
方に超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除去および
摩擦による接続を行う工程とを有することを特徴とする
フリップチップの接続方法。 - 【請求項３】 フリップチップ面の電極群に、基板面の
対応する被接続端子面に設けたバンプを対接する工程
と、 前記フリップチップおよび基板の少なくともいずれか一
方に超音波振動を付与し、バンブ面の酸化膜除去および
摩擦による接続を行う工程とを有することを特徴とする
フリップチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161605A JPH1012669A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | フリップチップの接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8161605A JPH1012669A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | フリップチップの接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012669A true JPH1012669A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15738343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8161605A Pending JPH1012669A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | フリップチップの接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012669A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195806A3 (en) * | 2000-10-04 | 2002-06-12 | Sony Corporation | Method for underfilling a flip-chip semiconductor device |
| JP2002184810A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Sony Corp | ボンディング方法、ボンディング装置および実装基板 |
| EP1209736A3 (en) * | 2000-11-17 | 2002-07-24 | Sony Corporation | Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
| US6509206B2 (en) | 2000-12-11 | 2003-01-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured by the method |
| JP2005159356A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Ja-Uk Koo | フリップチップパッケージング工程における接合力が向上するフリップチップ接合方法およびこのための基板の金属積層構造 |
| JP2009206353A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Denso Corp | 半導体装置の実装方法 |
| US8939346B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Methods and systems involving soldering |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP8161605A patent/JPH1012669A/ja active Pending
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| US8939346B2 (en) | 2011-02-15 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Methods and systems involving soldering |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030610 |